JPS6031008B2 - ホ−ルヘツドにおける高域特性補償方法 - Google Patents
ホ−ルヘツドにおける高域特性補償方法Info
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- JPS6031008B2 JPS6031008B2 JP148580A JP148580A JPS6031008B2 JP S6031008 B2 JPS6031008 B2 JP S6031008B2 JP 148580 A JP148580 A JP 148580A JP 148580 A JP148580 A JP 148580A JP S6031008 B2 JPS6031008 B2 JP S6031008B2
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- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
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- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
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- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はホールヘッド‘こおける高域特性補償方法に関
する。
する。
薄膜ホール素子として半導体lnSb(インジウム・ア
ンチモン)等を使用したホールヘッドは、固体中の電子
が磁気に感応して電圧を生ずる現象であるホール効果を
利用したものであり、次の特徴を有している。
ンチモン)等を使用したホールヘッドは、固体中の電子
が磁気に感応して電圧を生ずる現象であるホール効果を
利用したものであり、次の特徴を有している。
‘1’テープの残留磁束に比例した出力が得られる)磁
束応答形)ため、コイルを使用したヘッドのように周波
数によって出力が変わるということがなく、例えば超低
周波の場合でも大きな出力が得られる。
束応答形)ため、コイルを使用したヘッドのように周波
数によって出力が変わるということがなく、例えば超低
周波の場合でも大きな出力が得られる。
■ 出力インピーダンスが純抵抗性でィンダクタンス成
分をもたないため、急峻に変化する信号に対しても波形
が歪むことがなく、良好な過渡応答性が得られる。
分をもたないため、急峻に変化する信号に対しても波形
が歪むことがなく、良好な過渡応答性が得られる。
而して、テープレコーダ等の磁気録音再生装置において
は、録音再生特性に対する規格が定められている。
は、録音再生特性に対する規格が定められている。
例えば、上記した規格としては、わが国でも古くから採
用されているものにNAB(NatioMIAssoc
iationofBroadcasにrs)規格があり
、テープレコーダでは多くの場合上記したNAB規格に
沿って録音が行なわれる。第1図aは上記したNAB規
格で定められた録音特性であるNABカーブを示してい
る。
用されているものにNAB(NatioMIAssoc
iationofBroadcasにrs)規格があり
、テープレコーダでは多くの場合上記したNAB規格に
沿って録音が行なわれる。第1図aは上記したNAB規
格で定められた録音特性であるNABカーブを示してい
る。
これを従来から用いられているヘッドコアにコイルを巻
菱したタイプのコイルヘッドで再生すると、該コイルヘ
ッドの基本的な再生周波数特性は第1図bに示すように
オクターブ母旧のカーブであるが、上記したNABカー
ブを再生すると第1図cに示すようになる。ここに、上
記したコイルヘッドの再生時における高域周波数特性は
良好であると言える。またホールヘッドで再生する場合
を考えてみると、この場合における基本的な再生周波数
特性は第1図dに示すように平坦な特性であるから、N
ABカーブを再生すると第1図eに示す如くの再生特性
となる。従って、ホールヘッドにおいては高域周波数特
性があまり良くないため、上記の高城周波数特性を補償
しうろことが必要となり、そり対策が望まれている。
菱したタイプのコイルヘッドで再生すると、該コイルヘ
ッドの基本的な再生周波数特性は第1図bに示すように
オクターブ母旧のカーブであるが、上記したNABカー
ブを再生すると第1図cに示すようになる。ここに、上
記したコイルヘッドの再生時における高域周波数特性は
良好であると言える。またホールヘッドで再生する場合
を考えてみると、この場合における基本的な再生周波数
特性は第1図dに示すように平坦な特性であるから、N
ABカーブを再生すると第1図eに示す如くの再生特性
となる。従って、ホールヘッドにおいては高域周波数特
性があまり良くないため、上記の高城周波数特性を補償
しうろことが必要となり、そり対策が望まれている。
本発明は上記したホールヘッドにおける高域周波数特性
を改善すべ〈なされたものであり、ヨーク部に巻装され
たコイルからの出力を昇圧トランスによって昇圧すると
ともに、位相補償を行なって高城周波数特性の良好なコ
イル出力を得るようになし、該コイル出力とホール素子
部に形成されたホール素子から得られる低域周波数特性
の良好なホール出力とを減算することにより、低域周波
数特性ならびに高城周波数特性の良好なる出力を得るこ
とのできるホールヘッド‘こおける高城特性補償方法を
提供することを目的とする。
を改善すべ〈なされたものであり、ヨーク部に巻装され
たコイルからの出力を昇圧トランスによって昇圧すると
ともに、位相補償を行なって高城周波数特性の良好なコ
イル出力を得るようになし、該コイル出力とホール素子
部に形成されたホール素子から得られる低域周波数特性
の良好なホール出力とを減算することにより、低域周波
数特性ならびに高城周波数特性の良好なる出力を得るこ
とのできるホールヘッド‘こおける高城特性補償方法を
提供することを目的とする。
以下、図面を参照しながら本発明による一実施例につい
て説明する。
て説明する。
第2図は本発明による高城特性の補償方法の一実施例を
示すホールヘッド装置の概略構成図である。
示すホールヘッド装置の概略構成図である。
後部ギャップにホール素子を介在せしめたホールヘッド
は、図に示す如く前部ギャップ1が形成されたフロント
チップ2と、リアチツプを構成するヨーク部3とホール
素子部4とから構成されている。上記のホール素子部4
には薄膜ホール素子としてlnSbで形成されたホール
素子5が介在せしめられている。また、上記ヨーク部3
の上記ホール素子5と接合される部分は、磁束を集中さ
せるために尖塔形状に形成されている。なお、6は上記
したフロントチップとIJアチツプで形成される磁気回
路の磁路を示している。7は上記ヨーク部3の磁略の一
部に巻装されたコイル、8は昇圧トランスであり上記コ
イル7から取出される出力信号の位相補償も兼ねている
。
は、図に示す如く前部ギャップ1が形成されたフロント
チップ2と、リアチツプを構成するヨーク部3とホール
素子部4とから構成されている。上記のホール素子部4
には薄膜ホール素子としてlnSbで形成されたホール
素子5が介在せしめられている。また、上記ヨーク部3
の上記ホール素子5と接合される部分は、磁束を集中さ
せるために尖塔形状に形成されている。なお、6は上記
したフロントチップとIJアチツプで形成される磁気回
路の磁路を示している。7は上記ヨーク部3の磁略の一
部に巻装されたコイル、8は昇圧トランスであり上記コ
イル7から取出される出力信号の位相補償も兼ねている
。
T,〜T,′は上記した昇圧および位相補償を兼ねたト
ランス8からの、すなわちコイル7からの出力信号Vc
を取出す端子、またT2〜T2′はホール素子5からの
出力信号VHを取出す端子である。而して、後部ギャッ
プ(ヨーク部3の尖塔形状部とホール素子5との接合面
)を通る磁束を■=■がn■tとし、ヨーク部3のホー
ル素子5との突合わせ面積をSとすると、磁束密度Bは
次のように表わされる。
ランス8からの、すなわちコイル7からの出力信号Vc
を取出す端子、またT2〜T2′はホール素子5からの
出力信号VHを取出す端子である。而して、後部ギャッ
プ(ヨーク部3の尖塔形状部とホール素子5との接合面
)を通る磁束を■=■がn■tとし、ヨーク部3のホー
ル素子5との突合わせ面積をSとすると、磁束密度Bは
次のように表わされる。
B:■■が尊のt ‘11
従って、第2図に示したようにヨーク部3にコイル7を
巻装し、該コイル7からの信号出力を昇圧および位相補
償を兼ねたトランス8を介して取出すようにすれば、上
記コイル7からのコイル出力Vcは次のようになる。
巻装し、該コイル7からの信号出力を昇圧および位相補
償を兼ねたトランス8を介して取出すようにすれば、上
記コイル7からのコイル出力Vcは次のようになる。
VC=−a←群)=−の2岬inのt ‘21atま
た、ホール素子5からのホール出力VHは次のようにな
る。
た、ホール素子5からのホール出力VHは次のようにな
る。
VH:R‐B生=R‐号辛・Sinのt ‘3’上記醐
式において、Rはホール定数、1はホール素子5に印加
される磁界のバイアス電流、そしてdはホール素子5の
膜厚である。
式において、Rはホール定数、1はホール素子5に印加
される磁界のバイアス電流、そしてdはホール素子5の
膜厚である。
ここで、上記したトランス8が位相補償も兼ねるとL、
臆測・コイル7での肋が−礎刊■ドosのt=の■os
in(のt十9び)であるためホ‐雌ヵvH=器岬肌t
との間畑びの位相叢が生ずるため、これを上記したトラ
ンス8を介すことにより上記■式で示したコイル出力V
c=一の20がinのtとして同視となすことを意味す
る。
臆測・コイル7での肋が−礎刊■ドosのt=の■os
in(のt十9び)であるためホ‐雌ヵvH=器岬肌t
との間畑びの位相叢が生ずるため、これを上記したトラ
ンス8を介すことにより上記■式で示したコイル出力V
c=一の20がinのtとして同視となすことを意味す
る。
すなわち、鰭気的なメカニツクスとしてはヨーク部3に
巻菱されたコイル7により第1次の微分を行ない、そし
て更にトランス8により第2次の微分を行なうシステム
となっている。上記したコイル出力Vc:【2’式とホ
−ル出力VH:糊式においては出力の位相差はけとなる
ため、第3図に示すようにオベアンプを用いた減算回路
9において、上記のコイル出力Vcとホール出力VHと
を減算することにより、上記減算回路9の出力端子10
‘こは次に示す出力eoが得られる。
巻菱されたコイル7により第1次の微分を行ない、そし
て更にトランス8により第2次の微分を行なうシステム
となっている。上記したコイル出力Vc:【2’式とホ
−ル出力VH:糊式においては出力の位相差はけとなる
ため、第3図に示すようにオベアンプを用いた減算回路
9において、上記のコイル出力Vcとホール出力VHと
を減算することにより、上記減算回路9の出力端子10
‘こは次に示す出力eoが得られる。
e。
=幹(VH−VC)=害(器〜2)■OSinのt
‘4’上記側式‘こ机て‘ま、(受・器岬nのt)肘−
雌力州こよるものであり、く費ゆ20がinのt)がコ
イル出力Vcによるものである。
‘4’上記側式‘こ机て‘ま、(受・器岬nのt)肘−
雌力州こよるものであり、く費ゆ20がinのt)がコ
イル出力Vcによるものである。
すなわち、ホール出力VHで低域周波数特性の良好なる
出力を、そしてコイル出力Vcで高城周波数特性に良好
なる出力をそれぞれ得ることができる。なお、上記のコ
イル出力Vcのレベルを、ヨーク部3に巻装されるコイ
ル7の巻数およびトランス8の巻数とにより適当に選ぶ
ことにより、ホール出力VHと相まって総合的に擬似的
なィコラィザとして作用させることもできるのである。
出力を、そしてコイル出力Vcで高城周波数特性に良好
なる出力をそれぞれ得ることができる。なお、上記のコ
イル出力Vcのレベルを、ヨーク部3に巻装されるコイ
ル7の巻数およびトランス8の巻数とにより適当に選ぶ
ことにより、ホール出力VHと相まって総合的に擬似的
なィコラィザとして作用させることもできるのである。
以上記載した如く本発明によれば、ホールヘッドのヨー
ク部にコイルを巻装して該コイルから得られる信号出力
を昇圧ならびに位相補償兼用のトランスを介してコイル
出力として取出すとともに、該コイル出力とホール素子
部のホール素子から得られるホ−ル出力とを減算する構
成となしたので、上記コイル出力からは高城周波数特性
の良好な出力を、またホール出力からは低域周波数特性
の良好な出力をそれぞれ得ることができ、ホールヘッド
の特徴である低域周波数特性の良好さに加えて、高域周
波数特性をも改善することができるホールヘッド‘こお
ける高域特性補償方法を提供することができる。
ク部にコイルを巻装して該コイルから得られる信号出力
を昇圧ならびに位相補償兼用のトランスを介してコイル
出力として取出すとともに、該コイル出力とホール素子
部のホール素子から得られるホ−ル出力とを減算する構
成となしたので、上記コイル出力からは高城周波数特性
の良好な出力を、またホール出力からは低域周波数特性
の良好な出力をそれぞれ得ることができ、ホールヘッド
の特徴である低域周波数特性の良好さに加えて、高域周
波数特性をも改善することができるホールヘッド‘こお
ける高域特性補償方法を提供することができる。
第1図aはNABカーブを示しb,cは従来のコイルタ
イプのヘッドの再生特性そしてd.eはホールヘッドの
再生特性を比較して示す図、第2図は本発明による高城
特性の補償方法の一実施例を示すホールヘッド装置の概
略構成図、第3図は減算回路の一実施例を示す図である
。 1:前部ギャップ、2:フロントチップ、3:ヨーク部
、4:ホール素子部、5:ホール素子、6:磁略、7:
コイル、8:昇圧兼位相補償用トランス、9:減算回路
、10:出力端子、Vc:コイル出力、VH:ホール出
力。 第1図 第2図 第3図
イプのヘッドの再生特性そしてd.eはホールヘッドの
再生特性を比較して示す図、第2図は本発明による高城
特性の補償方法の一実施例を示すホールヘッド装置の概
略構成図、第3図は減算回路の一実施例を示す図である
。 1:前部ギャップ、2:フロントチップ、3:ヨーク部
、4:ホール素子部、5:ホール素子、6:磁略、7:
コイル、8:昇圧兼位相補償用トランス、9:減算回路
、10:出力端子、Vc:コイル出力、VH:ホール出
力。 第1図 第2図 第3図
Claims (1)
- 1 後部ギヤツプにホール素子を介在せしめたホールヘ
ツドにおいて、ヨーク部にコイルを巻装して該コイルか
ら得られる出力を昇圧兼位相補償用のトランスを介して
コイル出力として取出し、更に該コイル出力とホール素
子部に形成されたホール素子からのホール出力とを減算
するようにして高域特性を補償するようになしたことを
特徴とするホールヘツドにおける高域特性補償方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP148580A JPS6031008B2 (ja) | 1980-01-09 | 1980-01-09 | ホ−ルヘツドにおける高域特性補償方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP148580A JPS6031008B2 (ja) | 1980-01-09 | 1980-01-09 | ホ−ルヘツドにおける高域特性補償方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5698713A JPS5698713A (en) | 1981-08-08 |
| JPS6031008B2 true JPS6031008B2 (ja) | 1985-07-19 |
Family
ID=11502737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP148580A Expired JPS6031008B2 (ja) | 1980-01-09 | 1980-01-09 | ホ−ルヘツドにおける高域特性補償方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6031008B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9504178B2 (en) | 2013-04-18 | 2016-11-22 | Mitsubishi Electric Corporation | Vehicle control device for electric rolling stock |
-
1980
- 1980-01-09 JP JP148580A patent/JPS6031008B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5698713A (en) | 1981-08-08 |
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