JPS6031097B2 - コンデンサ用半導体磁器の焼成方法 - Google Patents
コンデンサ用半導体磁器の焼成方法Info
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- JPS6031097B2 JPS6031097B2 JP52021909A JP2190977A JPS6031097B2 JP S6031097 B2 JPS6031097 B2 JP S6031097B2 JP 52021909 A JP52021909 A JP 52021909A JP 2190977 A JP2190977 A JP 2190977A JP S6031097 B2 JPS6031097 B2 JP S6031097B2
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- reducing gas
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、複数個の成型体をサャの上に載せ、還元ガス
雰囲気中で焼成するコンデンサ用半導体磁器の焼成方法
に関するものである。
雰囲気中で焼成するコンデンサ用半導体磁器の焼成方法
に関するものである。
磁器半導体の粒界を絶縁化させることにより得られるコ
ンデンサ材料として、チタン酸バリウムやチタン酸スト
ロンチウムを主体とする材料がある。
ンデンサ材料として、チタン酸バリウムやチタン酸スト
ロンチウムを主体とする材料がある。
これらの材料はそのままでは電気抵抗が極めて高く絶縁
体であるが、５価の金属化合物、たとえば酸化ニオブ（
Ｎｂ２Ｑ）や酸化タンタル（Ｔａ２０５）などを少量添
加して焼成すると原子価制御の原理により半導体化する
。しかしながら通常これだけでは半導体化は不十分であ
り、還元雰囲気中、たとえば水素と窒素の混合雰囲気中
で焼成することが一般的である。このようにして得られ
た半導体磁器の電気抵抗はＩＱ−ｃの以下の導電性の高
いものである。したがって、このままではコンデンサに
はなり得ないので、焼成後、空気中で熱処理して表面や
粒界近傍を再酸化するか、酸化銅や酸化マンガンなどを
粒界に熱拡散させることにより、コンデンサ用の半導体
磁器が得られ、電極を設けると見掛議電率２００００〜
７０００晩華度の半導体コンデンサが得られる。上述の
ごとき半導体コンデンサの製造過程における還元ガス雰
囲気中での焼成工程は電気特性を左右する極めて重要な
要因である。
体であるが、５価の金属化合物、たとえば酸化ニオブ（
Ｎｂ２Ｑ）や酸化タンタル（Ｔａ２０５）などを少量添
加して焼成すると原子価制御の原理により半導体化する
。しかしながら通常これだけでは半導体化は不十分であ
り、還元雰囲気中、たとえば水素と窒素の混合雰囲気中
で焼成することが一般的である。このようにして得られ
た半導体磁器の電気抵抗はＩＱ−ｃの以下の導電性の高
いものである。したがって、このままではコンデンサに
はなり得ないので、焼成後、空気中で熱処理して表面や
粒界近傍を再酸化するか、酸化銅や酸化マンガンなどを
粒界に熱拡散させることにより、コンデンサ用の半導体
磁器が得られ、電極を設けると見掛議電率２００００〜
７０００晩華度の半導体コンデンサが得られる。上述の
ごとき半導体コンデンサの製造過程における還元ガス雰
囲気中での焼成工程は電気特性を左右する極めて重要な
要因である。
すなわち、還元ガス雰囲気は炉内で一定にする必要があ
り、たとえば窒素及び水素等の混合気体を一定速度で炉
内に流入させ、一定速度で流出させる方法がとられてい
る。従釆、成型体を箱型のサヤに載せて焼成炉内に設置
するのが普通である。
り、たとえば窒素及び水素等の混合気体を一定速度で炉
内に流入させ、一定速度で流出させる方法がとられてい
る。従釆、成型体を箱型のサヤに載せて焼成炉内に設置
するのが普通である。
ところがこの方法で雰囲気焼成を行なった場合、成型体
のサャ詰量が多くなると電気特性にサャ内位置によるバ
ラツキが生じ、工程歩蟹りが悪くなる欠点があった。特
に、誘電率の高い材料程その傾向が著しかった。この原
因として、従来の箱型のサャを炉内に設置した場合、気
体の流速が部分的に異なり還元ガス雰囲気に位置的な差
異を生ずることが考えられる。本発明の方法は上記の従
来の欠点をサャの形状を変えることによりなくし、多量
の成型体を一度に雰囲気中で焼成しても、均一な電気特
性が得られる製造方法を提供するものである。
のサャ詰量が多くなると電気特性にサャ内位置によるバ
ラツキが生じ、工程歩蟹りが悪くなる欠点があった。特
に、誘電率の高い材料程その傾向が著しかった。この原
因として、従来の箱型のサャを炉内に設置した場合、気
体の流速が部分的に異なり還元ガス雰囲気に位置的な差
異を生ずることが考えられる。本発明の方法は上記の従
来の欠点をサャの形状を変えることによりなくし、多量
の成型体を一度に雰囲気中で焼成しても、均一な電気特
性が得られる製造方法を提供するものである。
第１図Ａは従来の半導体磁器素子製造用のサャを示して
おり、底板１の４つの側部に側板２，２′，３，３′を
形成した形状をしている。
おり、底板１の４つの側部に側板２，２′，３，３′を
形成した形状をしている。
第１図Ｂは本発明の製造方法を用いるサヤを示しており
、底板１の両側部に上方に突出する側板２，２′を形成
したものである。第１図Ｃは本発明の製造方法に用いる
他のサャを示しており、第１図Ｂに示すサャの側板２，
２′間に、さらに上記側板２，２′と平行な仕切板４，
４′を形成した形状であり、上記サャ内には第２図に示
すように例えば３列１の『こ複数個の成型体５を配置し
、このサャを炉内に入れ、還元ガス（例えば窒素と水素
の混合気体）を上記サャの側板２，２′と平行な方向に
一定速度で流入および流出させながら成型体５を焼成す
るものである。（実施例） チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ０３）に酸化ビスマ
ス（Ｂｉ２０３）０．１〜２モル％及び酸化ニオブ（Ｎ
Ｑ０５）０．１〜２モル％の範囲で添加し、十分に混合
した後、１５側め×０．７側ｔの円板状に加圧成形する
。
、底板１の両側部に上方に突出する側板２，２′を形成
したものである。第１図Ｃは本発明の製造方法に用いる
他のサャを示しており、第１図Ｂに示すサャの側板２，
２′間に、さらに上記側板２，２′と平行な仕切板４，
４′を形成した形状であり、上記サャ内には第２図に示
すように例えば３列１の『こ複数個の成型体５を配置し
、このサャを炉内に入れ、還元ガス（例えば窒素と水素
の混合気体）を上記サャの側板２，２′と平行な方向に
一定速度で流入および流出させながら成型体５を焼成す
るものである。（実施例） チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ０３）に酸化ビスマ
ス（Ｂｉ２０３）０．１〜２モル％及び酸化ニオブ（Ｎ
Ｑ０５）０．１〜２モル％の範囲で添加し、十分に混合
した後、１５側め×０．７側ｔの円板状に加圧成形する
。
この成型体を第１図ＢまたはＣに示すサャにのせ、この
サャを炉内に入れこの後、水素１〜１０％、窒素９９〜
９０％からなる還元ガス雰囲気中で１３７０ｏｏ〜１４
６０ｏｏで２〜４時間焼成する。しかる後に、焼結体の
片面に拡散用物質を公知の適当なバインダー（たとえば
ポリビニルアルコール）を用いて塗布し、１０５０ＣＯ
〜１２００こＣで２時間程度熱処理する。このようにし
て得られた焼結体の両面に銀電極を設ける。第３図Ａ，
Ｂ，Ｃはそれぞれ第１図Ａ，Ｂ．Ｃに示すサャを用いて
製造した半導体磁器素子の特性とその変動状況を示した
図である。
サャを炉内に入れこの後、水素１〜１０％、窒素９９〜
９０％からなる還元ガス雰囲気中で１３７０ｏｏ〜１４
６０ｏｏで２〜４時間焼成する。しかる後に、焼結体の
片面に拡散用物質を公知の適当なバインダー（たとえば
ポリビニルアルコール）を用いて塗布し、１０５０ＣＯ
〜１２００こＣで２時間程度熱処理する。このようにし
て得られた焼結体の両面に銀電極を設ける。第３図Ａ，
Ｂ，Ｃはそれぞれ第１図Ａ，Ｂ．Ｃに示すサャを用いて
製造した半導体磁器素子の特性とその変動状況を示した
図である。
第３図から明らかなように従来法Ａでは位置による特性
変動が大であり、特に還元ガスの流出方向において誘電
率の小さい素子が多く、従って焼成可能な量が限られ、
また、工程歩蟹りが小さい欠点がある。
変動が大であり、特に還元ガスの流出方向において誘電
率の小さい素子が多く、従って焼成可能な量が限られ、
また、工程歩蟹りが小さい欠点がある。
これに対して本発明の方法Ｂ，Ｃによれば、素子の位置
にほとんど関係なく、均一な特性をもつ素子が得られ、
焼成可能な量が増大し、工程歩留りが向上するものであ
る。この原因として、従来のサャでは還元ガスがサャ内
に均一に供給されなかったことが考えられ、本発明の方
法によって還元ガスが均一に供給されるためと考えられ
る。以上のように、本発明の方法は、還元ガス流を遮ぎ
る側板を除去したサャを用いるだけで、特性の変動が少
ない多量の半導体磁器素子を製造することができる利点
を有するものである。
にほとんど関係なく、均一な特性をもつ素子が得られ、
焼成可能な量が増大し、工程歩留りが向上するものであ
る。この原因として、従来のサャでは還元ガスがサャ内
に均一に供給されなかったことが考えられ、本発明の方
法によって還元ガスが均一に供給されるためと考えられ
る。以上のように、本発明の方法は、還元ガス流を遮ぎ
る側板を除去したサャを用いるだけで、特性の変動が少
ない多量の半導体磁器素子を製造することができる利点
を有するものである。
尚、実施例において、還元ガスとして、水素１〜１０％
、窒素９９〜９０％からなる混合気体を用いたが、還元
ガスとしては試料が十分に半導体化されうる雰囲気中で
あればよいことはいうまでもない。
、窒素９９〜９０％からなる混合気体を用いたが、還元
ガスとしては試料が十分に半導体化されうる雰囲気中で
あればよいことはいうまでもない。
また、実施例ではチタン酸ストロンチウム系を例として
示したが、チタン酸バリウム系やそれらの複合化合物を
主体とする系においても、本発明の方法によって同様の
効果が得られるものである。
示したが、チタン酸バリウム系やそれらの複合化合物を
主体とする系においても、本発明の方法によって同様の
効果が得られるものである。
第１図Ａは従来のコンデンサ用半導体磁器を製造するた
めのサャの斜視図、第１図Ｂ，Ｃはそれぞれ本発明のコ
ンデンサ用半導体磁器を製造するためのサャの斜視図、
第２図は第１図Ａに示すサャに成型体を載せた状態を示
す上面図、第３図Ａ，Ｂ，Ｃはそれぞれ第１図Ａ，Ｂ，
Ｃに示すサャを用いて焼成した素子の敦直位置と誘電体
との関係を示す図である。 １・・・・・・底板、２，２′・・・・・・側板、４，
４′・・・・・・仕切板、５・・・・・・成型体。 第１図 第２図 第３図
めのサャの斜視図、第１図Ｂ，Ｃはそれぞれ本発明のコ
ンデンサ用半導体磁器を製造するためのサャの斜視図、
第２図は第１図Ａに示すサャに成型体を載せた状態を示
す上面図、第３図Ａ，Ｂ，Ｃはそれぞれ第１図Ａ，Ｂ，
Ｃに示すサャを用いて焼成した素子の敦直位置と誘電体
との関係を示す図である。 １・・・・・・底板、２，２′・・・・・・側板、４，
４′・・・・・・仕切板、５・・・・・・成型体。 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 底板の両側部に上方に突出する側板を設けたサヤの
上記底面上に複数個の成型体を載置し、このサヤを炉内
に収納し、上記炉内の上記サヤの側板に平行な方向に還
元ガスを供給して上記成型体を焼成することを特徴とす
るコンデンサ用半導体磁器の焼成方法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載のコンデンサ用半導体磁
器の焼成方法において、側板に対して平行な仕切板を側
板間に設けたサヤを用いることを特徴とするコンデンサ
用半導体磁器の焼成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52021909A JPS6031097B2 (ja) | 1977-02-28 | 1977-02-28 | コンデンサ用半導体磁器の焼成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52021909A JPS6031097B2 (ja) | 1977-02-28 | 1977-02-28 | コンデンサ用半導体磁器の焼成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53106500A JPS53106500A (en) | 1978-09-16 |
| JPS6031097B2 true JPS6031097B2 (ja) | 1985-07-20 |
Family
ID=12068210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52021909A Expired JPS6031097B2 (ja) | 1977-02-28 | 1977-02-28 | コンデンサ用半導体磁器の焼成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6031097B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11319873B2 (en) | 2019-05-09 | 2022-05-03 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Turbo cluster gas turbine system and activation method thereof |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108046763B (zh) * | 2017-12-07 | 2021-01-26 | 中国西电电气股份有限公司 | 一种杜绝干法空心瓷套高温变形的烧成方法 |
-
1977
- 1977-02-28 JP JP52021909A patent/JPS6031097B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11319873B2 (en) | 2019-05-09 | 2022-05-03 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Turbo cluster gas turbine system and activation method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53106500A (en) | 1978-09-16 |
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