JPH07120597B2 - 半導体磁器の粒界層形成方法 - Google Patents
半導体磁器の粒界層形成方法Info
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- JPH07120597B2 JPH07120597B2 JP31180289A JP31180289A JPH07120597B2 JP H07120597 B2 JPH07120597 B2 JP H07120597B2 JP 31180289 A JP31180289 A JP 31180289A JP 31180289 A JP31180289 A JP 31180289A JP H07120597 B2 JPH07120597 B2 JP H07120597B2
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- semiconductor porcelain
- metal oxide
- boundary layer
- insulating agent
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はチタン酸ストロンチウム系半導体磁器の粒界に
粒界絶縁化剤たる金属酸化物を拡散させる半導体磁器の
粒界層形成方法に関するものである。
粒界絶縁化剤たる金属酸化物を拡散させる半導体磁器の
粒界層形成方法に関するものである。
従来チタン酸ストロンチウム（SrTiO3）系半導体磁器の
粒界を絶縁化することにより、粒界層型半導体磁器コン
デンサ、或いはバリスタを製造する方法が広く知られて
いる。
粒界を絶縁化することにより、粒界層型半導体磁器コン
デンサ、或いはバリスタを製造する方法が広く知られて
いる。
SrTiO3系半導体磁器の粒界を絶縁化する方法としては、
一般にニオブ等５価の金属酸化物をSrTiO3に微量添加し
た後、これを加圧成形し、還元雰囲気中にて1400〜1500
℃で焼成し、次いでこれを大気中で熱処理して粒界を再
酸化させる方法がある。
一般にニオブ等５価の金属酸化物をSrTiO3に微量添加し
た後、これを加圧成形し、還元雰囲気中にて1400〜1500
℃で焼成し、次いでこれを大気中で熱処理して粒界を再
酸化させる方法がある。
しかし、この方法では製品の絶縁抵抗率及び耐圧性が低
くなるという問題があった。
くなるという問題があった。
この対策として従来にあっては、 （１）酸化ビスマス（Bi2O3），酸化マンガン（Mn
O2），酸化銅（CuO）等の金属酸化物からなる粒界絶縁
化剤をテルピネオール等の有機ビヒクル剤と混練してペ
ースト状とし、この絶縁化ペースト６をSrTiO3系の半導
体磁器表面に印刷した後、これを第３図（イ）に示す如
く高純度アルミナ板７上、或いは第３図（ロ）に示す如
くアルミナ質セッター８上に並べて、また第３図（ハ）
に示す如く合金線９に支持させて熱処理し、金属酸化物
を半導体磁器の粒界層に拡散させる方法、 （２）SrTiO3等の半導体磁器に熱可塑性バインダをコー
ティングし、粒界絶縁化剤と共に混在させて加熱する方
法（特開昭57−87111号公報）、 （３）半導体磁器に粒界絶縁化剤を塗着した後、準密閉
容器内に収容して熱処理する方法（特開昭56−94718号
公報）、 （４）半導体磁器を第３図（ニ）に示す如く板12で閉鎖
したルツボ10内に配置し、ルツボ10内にBi2O3等の粒界
絶縁化剤を気化させて導入し、粒界層に絶縁化物を気相
拡散する方法、 等がある。
O2），酸化銅（CuO）等の金属酸化物からなる粒界絶縁
化剤をテルピネオール等の有機ビヒクル剤と混練してペ
ースト状とし、この絶縁化ペースト６をSrTiO3系の半導
体磁器表面に印刷した後、これを第３図（イ）に示す如
く高純度アルミナ板７上、或いは第３図（ロ）に示す如
くアルミナ質セッター８上に並べて、また第３図（ハ）
に示す如く合金線９に支持させて熱処理し、金属酸化物
を半導体磁器の粒界層に拡散させる方法、 （２）SrTiO3等の半導体磁器に熱可塑性バインダをコー
ティングし、粒界絶縁化剤と共に混在させて加熱する方
法（特開昭57−87111号公報）、 （３）半導体磁器に粒界絶縁化剤を塗着した後、準密閉
容器内に収容して熱処理する方法（特開昭56−94718号
公報）、 （４）半導体磁器を第３図（ニ）に示す如く板12で閉鎖
したルツボ10内に配置し、ルツボ10内にBi2O3等の粒界
絶縁化剤を気化させて導入し、粒界層に絶縁化物を気相
拡散する方法、 等がある。
ところで（１），（２），（３）の方法では、半導体磁
器の表面に絶縁化ペースト６を塗布し、また熱可塑性バ
インダをコーティングし、また粒界絶縁化剤を装着する
が製造工程が複雑となり、塗布量にばらつきが発生する
のを避けられず、拡散種の拡散量にも差が生じ、特性が
不均一となり標準偏差が大きくなる外、塗布，或いはコ
ーティング作業が必要となるため、量産性が悪いという
欠点があった。
器の表面に絶縁化ペースト６を塗布し、また熱可塑性バ
インダをコーティングし、また粒界絶縁化剤を装着する
が製造工程が複雑となり、塗布量にばらつきが発生する
のを避けられず、拡散種の拡散量にも差が生じ、特性が
不均一となり標準偏差が大きくなる外、塗布，或いはコ
ーティング作業が必要となるため、量産性が悪いという
欠点があった。
また（４）の方法は半導体磁器粒界に絶縁化物を気相拡
散させる際、高純度アルミナルツボ10内に収容して高純
度アルミナ板12にて閉鎖し、準密閉状態の下で加熱する
が、充填層内での気化した絶縁化物の流通の均一性に問
題があり、特性にばらつきが生じるのを避けられず標準
偏差が大きくなる。
散させる際、高純度アルミナルツボ10内に収容して高純
度アルミナ板12にて閉鎖し、準密閉状態の下で加熱する
が、充填層内での気化した絶縁化物の流通の均一性に問
題があり、特性にばらつきが生じるのを避けられず標準
偏差が大きくなる。
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであり、各電気
的特性が均一で標準偏差が小さく、また製造工程が簡単
であり、量産性に優れた半導体磁器の粒界層形成方法を
提供することを目的とする。
的特性が均一で標準偏差が小さく、また製造工程が簡単
であり、量産性に優れた半導体磁器の粒界層形成方法を
提供することを目的とする。
本発明の半導体磁器の粒界層形成方法は、チタン酸スト
ロンチウム系半導体磁器の粒界に金属酸化物を拡散させ
る半導体磁器の粒界層形成方法において、チタン酸スト
ロンチウム系半導体磁器及びペレット状に加圧成形した
金属酸化物を、容器中に混在させて熱処理し、該金属酸
化物を半導体磁器の粒界に拡散させることを特徴とす
る。
ロンチウム系半導体磁器の粒界に金属酸化物を拡散させ
る半導体磁器の粒界層形成方法において、チタン酸スト
ロンチウム系半導体磁器及びペレット状に加圧成形した
金属酸化物を、容器中に混在させて熱処理し、該金属酸
化物を半導体磁器の粒界に拡散させることを特徴とす
る。
チタン酸ストロンチウム系半導体磁器及びペレット状に
加圧成形した粒界絶縁化剤たる金属酸化物を、容器中に
混在させて熱処理すると、金属酸化物が各々の半導体磁
器の粒界に均一に拡散され、得られる粒界層型の半導体
磁器製品の電気的特性のばらつきが小さい。
加圧成形した粒界絶縁化剤たる金属酸化物を、容器中に
混在させて熱処理すると、金属酸化物が各々の半導体磁
器の粒界に均一に拡散され、得られる粒界層型の半導体
磁器製品の電気的特性のばらつきが小さい。
ここで、粒界絶縁化剤としては前述の酸化ビスマス（Bi
2O3），酸化マンガン（MnO2），酸化銅（CuO）のほか、
ナトリウム，セシウム，コバルト，ルビジウムの酸化物
等も適している。さらに、上記元素の酸化物としては拡
散のための加熱の際に気化する性質のある化合物、例え
ば炭酸化物なども含んでいる。
2O3），酸化マンガン（MnO2），酸化銅（CuO）のほか、
ナトリウム，セシウム，コバルト，ルビジウムの酸化物
等も適している。さらに、上記元素の酸化物としては拡
散のための加熱の際に気化する性質のある化合物、例え
ば炭酸化物なども含んでいる。
また、ペレット状の金属酸化物は、上記の元素の金属酸
化物の１種または複数種、即ち粒界絶縁化剤として作用
する元素の酸化物のみで構成しても良いが、さらに好ま
しくは、骨剤としての耐火性酸化物を含ませるのが良
い。
化物の１種または複数種、即ち粒界絶縁化剤として作用
する元素の酸化物のみで構成しても良いが、さらに好ま
しくは、骨剤としての耐火性酸化物を含ませるのが良
い。
骨材は粒界絶縁化剤の拡散処理の際、粒界絶縁化剤が気
化する過程でペレットの形状を保ち、半導体磁器の充填
層に空隙を保つ作用がある。この空隙は気化した粒界絶
縁化剤半導体磁器の充填層内を速やかに、かつ均一に拡
散するのに極めて有効である。
化する過程でペレットの形状を保ち、半導体磁器の充填
層に空隙を保つ作用がある。この空隙は気化した粒界絶
縁化剤半導体磁器の充填層内を速やかに、かつ均一に拡
散するのに極めて有効である。
〔実施例１〕 以下、本発明方法をコンデンサの製造に適用した場合に
つきその実施例を図面に基づき詳述する。
つきその実施例を図面に基づき詳述する。
第１図は本発明方法の実施に用いる容器を示す模式的斜
視図であり、第２図は本発明方法の実施状態を示す模式
的断面図である。第１図及び第２図において、付番５は
高純度アルミナからなるルツボ４を、高純度アルミナ板
からなる蓋体３で封じた容器であり、該容器５内に半導
体磁器１と15重量％程度の粒界絶縁化剤たる金属酸化物
ペレット２を混在させてある。
視図であり、第２図は本発明方法の実施状態を示す模式
的断面図である。第１図及び第２図において、付番５は
高純度アルミナからなるルツボ４を、高純度アルミナ板
からなる蓋体３で封じた容器であり、該容器５内に半導
体磁器１と15重量％程度の粒界絶縁化剤たる金属酸化物
ペレット２を混在させてある。
半導体磁器１は、例えばSrTiO3にNb2O5を0.1〜2mol％,M
nO2を0.1〜2mol％添加，混合したものを乾燥させた後、
例えばポリビニルアルコール等のバインダを添加して造
粒し、これを直径10mm,厚さ0.8mmの円板状に加圧成形し
て素体を得、次にこの素体を還元雰囲気（流量比:H2＝
１〜15％,N2＝99〜85％）中にて1400〜1550℃で4.0〜1
0.0時間焼成して形成した。
nO2を0.1〜2mol％添加，混合したものを乾燥させた後、
例えばポリビニルアルコール等のバインダを添加して造
粒し、これを直径10mm,厚さ0.8mmの円板状に加圧成形し
て素体を得、次にこの素体を還元雰囲気（流量比:H2＝
１〜15％,N2＝99〜85％）中にて1400〜1550℃で4.0〜1
0.0時間焼成して形成した。
金属酸化物ペレット２は骨材として耐火性酸化物、例え
ばアルミナからなる骨材と、粒界絶縁化剤である金属酸
化物、例えばBi2O3単味、又はBi2O3/CuOの２成分系（モ
ル比9/1）又はBi2O3/CuO/Na2Oの３成分系（モル比4.5/1
/4.5）とを重量比9/1で調合し、これを直径5mm,厚さ0.5
mmの円板状に加圧成形してある。
ばアルミナからなる骨材と、粒界絶縁化剤である金属酸
化物、例えばBi2O3単味、又はBi2O3/CuOの２成分系（モ
ル比9/1）又はBi2O3/CuO/Na2Oの３成分系（モル比4.5/1
/4.5）とを重量比9/1で調合し、これを直径5mm,厚さ0.5
mmの円板状に加圧成形してある。
粒界絶縁化剤としては絶縁化効果を備える物質であるこ
とは勿論であるが、少なくとも半導体磁器、及びペレッ
トの骨材の融点以下の気化温度を有するものが望まし
い。
とは勿論であるが、少なくとも半導体磁器、及びペレッ
トの骨材の融点以下の気化温度を有するものが望まし
い。
なお、ここに骨材とはペレットを構成する主材であり、
ペレットの形状を保持する機能を備えるものを意味し、
例えばAl2O3,SiO2,MgO,AlN,Si3N4等の炭化物，窒化物，
或いはこれらの化合物，混合物等，高温で化学的に安定
な材料が用いられる。
ペレットの形状を保持する機能を備えるものを意味し、
例えばAl2O3,SiO2,MgO,AlN,Si3N4等の炭化物，窒化物，
或いはこれらの化合物，混合物等，高温で化学的に安定
な材料が用いられる。
上述の如き半導体磁器１及び金属酸化物ペレット２を容
器５内に混在させた状態で大気中にて1100℃（1050〜13
00℃であれば可）で２時間焼成して半導体磁器１の粒界
に金属酸化物を拡散させた後、半導体磁器１を取り出
し、その両面に銀ペースト等の電極材料を焼き付けて電
極とし、コンデンサを得る。
器５内に混在させた状態で大気中にて1100℃（1050〜13
00℃であれば可）で２時間焼成して半導体磁器１の粒界
に金属酸化物を拡散させた後、半導体磁器１を取り出
し、その両面に銀ペースト等の電極材料を焼き付けて電
極とし、コンデンサを得る。
下記第１表に、本発明方法により得られた半導体磁器コ
ンデンサの電気的特性及びその標準偏差（σ）を示す。
なお、試料ロット番号中ａは絶縁化剤としてBi2O3単味
を、ｂはBi2O3/CuOの２成分系（モル比9/1）を、ｃはBi
2O3/CuO/Na2Oの３成分系（モル比4.5/1/4.5）を用いた
ものである。また表中の静電容量Ｃ（nF）及び誘電正接
tanδ（％）はAC1kHz,電圧1Vにて測定した値であり、絶
縁抵抗率IR（Ω）はDC25V1分値によって求めた値であ
る。表中の各特性数値は各試料30枚の平均値で示してい
る。
ンデンサの電気的特性及びその標準偏差（σ）を示す。
なお、試料ロット番号中ａは絶縁化剤としてBi2O3単味
を、ｂはBi2O3/CuOの２成分系（モル比9/1）を、ｃはBi
2O3/CuO/Na2Oの３成分系（モル比4.5/1/4.5）を用いた
ものである。また表中の静電容量Ｃ（nF）及び誘電正接
tanδ（％）はAC1kHz,電圧1Vにて測定した値であり、絶
縁抵抗率IR（Ω）はDC25V1分値によって求めた値であ
る。表中の各特性数値は各試料30枚の平均値で示してい
る。
また、従来例として還元雰囲気焼成により得られた焼結
体の表面に先の絶縁化剤３種をペースト状にしてスクリ
ーン印刷し、第３図（イ）に示す通りアルミナ板のセッ
ター上で大気中にて1100℃で２時間焼成したものを作製
した。第２表に従来例による結果を示す。
体の表面に先の絶縁化剤３種をペースト状にしてスクリ
ーン印刷し、第３図（イ）に示す通りアルミナ板のセッ
ター上で大気中にて1100℃で２時間焼成したものを作製
した。第２表に従来例による結果を示す。
第１表及び第２表により明らかな如く、本発明例は従来
例に比して各電気的特性が良好であり、その標準偏差は
静電容量Ｃで1/5〜1/3、誘電正接tanδで1/5、絶縁抵抗
率で1/3〜1/2程度と著しく小さくなり、良好な電気的特
性のコンデンサがバラツキなく得られている。
例に比して各電気的特性が良好であり、その標準偏差は
静電容量Ｃで1/5〜1/3、誘電正接tanδで1/5、絶縁抵抗
率で1/3〜1/2程度と著しく小さくなり、良好な電気的特
性のコンデンサがバラツキなく得られている。
〔実施例２〕 実施例１と同様に容器５内に、予め夫々別途に形成した
半導体磁器及び粒界絶縁化剤たる金属酸化物ペレットを
混在させて、準密閉状態に収容する。そしてこの状態で
大気中にて1100℃で２時間焼成する。これによって粒界
絶縁層が形成された焼結体を取り出し、その両面に銀ペ
ースト等を焼付けて電極を形成し、コンデンサを得る。
半導体磁器及び粒界絶縁化剤たる金属酸化物ペレットを
混在させて、準密閉状態に収容する。そしてこの状態で
大気中にて1100℃で２時間焼成する。これによって粒界
絶縁層が形成された焼結体を取り出し、その両面に銀ペ
ースト等を焼付けて電極を形成し、コンデンサを得る。
半導体磁器はSrTiO3に0.1〜2mol％のNb2O5及び0.1〜2mo
l％のMnO2を添加，混合して乾燥させた後、バインダと
して例えばポリビニルアルコールを添加して造粒し、こ
れを直径10mm,厚さ1.0mmの円板状に加圧成形して素体を
得、次にこの素体を還元雰囲気（H2:1〜15％,N2:99〜85
％）中にて1450℃で６時間焼成して製造した。
l％のMnO2を添加，混合して乾燥させた後、バインダと
して例えばポリビニルアルコールを添加して造粒し、こ
れを直径10mm,厚さ1.0mmの円板状に加圧成形して素体を
得、次にこの素体を還元雰囲気（H2:1〜15％,N2:99〜85
％）中にて1450℃で６時間焼成して製造した。
また金属酸化物ペレットは、Al2O3を骨材として、これ
にBi2O3単味、又はBi2O3とCo2O3との混合物（モル
比9/1）、又はBi2O3とCo2O3とRb2O3との混合物（モル
比:4.5/1/4.5）を、骨材との重量比9/1で添加，混合
し、直径15mm,厚さ0.5mmの円板に加圧成形した。
にBi2O3単味、又はBi2O3とCo2O3との混合物（モル
比9/1）、又はBi2O3とCo2O3とRb2O3との混合物（モル
比:4.5/1/4.5）を、骨材との重量比9/1で添加，混合
し、直径15mm,厚さ0.5mmの円板に加圧成形した。
上述の如くにて形成した本発明例と、別途用意した従来
例とについての比較試験結果を示す。
例とについての比較試験結果を示す。
従来例は同じ諸元の半導体磁器の表面に前記各，，
のペースト状粒界絶縁化剤を夫々スクリーン印刷し、
第３図（イ）い示す態様で熱処理（大気中にて1100℃で
２時間焼成）し、３種類の試料を作製した。
のペースト状粒界絶縁化剤を夫々スクリーン印刷し、
第３図（イ）い示す態様で熱処理（大気中にて1100℃で
２時間焼成）し、３種類の試料を作製した。
本発明例と従来例とについて夫々電気的特性、特に誘電
特性，バリスタ特性を測定した。結果は第３表，第４表
に示す。第３表は本発明例についての、また第４表は従
来例についての各結果を示している。
特性，バリスタ特性を測定した。結果は第３表，第４表
に示す。第３表は本発明例についての、また第４表は従
来例についての各結果を示している。
なお第３表，第４表の試料ロット番号中１は絶縁化剤と
してBi2O3単味を、２はBi2O3/Co2O3を、３はBi2O3/Co2O
3/Rb2O3を用いたものである。
してBi2O3単味を、２はBi2O3/Co2O3を、３はBi2O3/Co2O
3/Rb2O3を用いたものである。
またバリスタの電流・電圧特性は下式の如くに定義され
る。
る。
Ｉ＝〔V/C〕α 但し I:バリスタ内を流れる電流 V:バリスタ両端に加わる電圧 C:バリスタ固有定数 α：非直線係数 バリスタの評価は非直線係数αの大小によって示され、
αが大きい程バリスタ効果が大きい。
αが大きい程バリスタ効果が大きい。
更にバリスタ電圧は試料に1mAの電流を流したときの端
子電圧V1mAで表してある。
子電圧V1mAで表してある。
非直線係数αは下式により求める。
但し、 V10mA:試料に10mAの電流を流したときの端子間電圧 第３表，第４表から明らかな如く、本発明例は静電容
量，誘電損失等の誘電特性、またバリスタ電圧V1mA,非
直線係数α等のバリスタ特性等の電気的特性の標準偏差
σが第４表の従来例に比較して大幅に小さくなってお
り、例えば静電容量は1/5〜1/2程度に、誘電損失は1/10
〜1/5程度に、バリスタ電圧V1mAは1/2〜3/4程度に、非
直線係数αは1/3〜5/6程度に低減し得ていることが解
る。
量，誘電損失等の誘電特性、またバリスタ電圧V1mA,非
直線係数α等のバリスタ特性等の電気的特性の標準偏差
σが第４表の従来例に比較して大幅に小さくなってお
り、例えば静電容量は1/5〜1/2程度に、誘電損失は1/10
〜1/5程度に、バリスタ電圧V1mAは1/2〜3/4程度に、非
直線係数αは1/3〜5/6程度に低減し得ていることが解
る。
而してこのような本発明方法により得た半導体磁器にあ
っては誘電特性，バリスタ特性のいずれについても均一
正が得られ、単一の素子でコンデンサとバリスタとの双
方の機能を併せ持つことが可能となる。
っては誘電特性，バリスタ特性のいずれについても均一
正が得られ、単一の素子でコンデンサとバリスタとの双
方の機能を併せ持つことが可能となる。
また準密閉容器中に半導体磁器とペレット状の粒界絶縁
化剤を混在させて熱処理する方法で粒界絶縁化剤の量、
拡散量を制御することが出来る。従って、従来方法で必
要であった粒界絶縁化剤の塗布作業が不要となり、また
気相拡散方法を用いた際に問題となる特性のばらつきが
小さい。このように半導体磁器の量産性が向上し、ロッ
ト変動にも容易に対応することが可能となる。
化剤を混在させて熱処理する方法で粒界絶縁化剤の量、
拡散量を制御することが出来る。従って、従来方法で必
要であった粒界絶縁化剤の塗布作業が不要となり、また
気相拡散方法を用いた際に問題となる特性のばらつきが
小さい。このように半導体磁器の量産性が向上し、ロッ
ト変動にも容易に対応することが可能となる。
なお、上述した如き実施例1,2では半導体磁器コンデン
サ，バリスタについて説明したが、本発明方法をサーミ
スタ等にも同様に適用し得ることは勿論である。
サ，バリスタについて説明したが、本発明方法をサーミ
スタ等にも同様に適用し得ることは勿論である。
以上詳述した如く、本発明の半導体磁器粒界層形成方法
によると、個々の半導体磁器に絶縁化剤を塗布、或いは
添加する必要がないので製造工程が簡単であり、大量生
産に適する。また塗布、添加量の調整も容易である。
によると、個々の半導体磁器に絶縁化剤を塗布、或いは
添加する必要がないので製造工程が簡単であり、大量生
産に適する。また塗布、添加量の調整も容易である。
更に、製品の静電容量，誘電正接，絶縁抵抗率、バリス
タ特性等の電気的特性において、良好な結果を有するこ
とができ、その標準偏差は従来法の結果と較べて極めて
小さく、製品のバラツキが少ない等優れた効果を奏す
る。
タ特性等の電気的特性において、良好な結果を有するこ
とができ、その標準偏差は従来法の結果と較べて極めて
小さく、製品のバラツキが少ない等優れた効果を奏す
る。
第１図は本発明の実施に用いる容器を示す模式的斜視
図、第２図は本発明の実施状態を示す模式的縦断面図、
第３図（イ）〜（ニ）は従来の半導体磁器粒界層形成方
法を説明するための模式図である。 １……半導体磁器、２……金属酸化物ペレット ３……高純度アルミナ蓋体、４……高純度アルミナルツ
ボ、５……容器
図、第２図は本発明の実施状態を示す模式的縦断面図、
第３図（イ）〜（ニ）は従来の半導体磁器粒界層形成方
法を説明するための模式図である。 １……半導体磁器、２……金属酸化物ペレット ３……高純度アルミナ蓋体、４……高純度アルミナルツ
ボ、５……容器
Claims (2)
- 【請求項１】チタン酸ストロンチウム系半導体磁器の粒
界に金属酸化物を拡散させる半導体磁器の粒界層形成方
法において、 チタン酸ストロンチウム系半導体磁器及びペレット状に
加圧成形した粒界絶縁化剤たる金属酸化物を、容器中に
混在させて熱処理し、該金属酸化物を半導体磁器の粒界
に拡散させることを特徴とする半導体磁器の粒界層形成
方法。 - 【請求項２】前記金属酸化物は、骨材として耐火性酸化
物を含む請求項１記載の半導体磁器の粒界層形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31180289A JPH07120597B2 (ja) | 1988-11-30 | 1989-11-29 | 半導体磁器の粒界層形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30481088 | 1988-11-30 | ||
| JP63-304810 | 1988-11-30 | ||
| JP31180289A JPH07120597B2 (ja) | 1988-11-30 | 1989-11-29 | 半導体磁器の粒界層形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02229416A JPH02229416A (ja) | 1990-09-12 |
| JPH07120597B2 true JPH07120597B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=26564051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31180289A Expired - Lifetime JPH07120597B2 (ja) | 1988-11-30 | 1989-11-29 | 半導体磁器の粒界層形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120597B2 (ja) |
-
1989
- 1989-11-29 JP JP31180289A patent/JPH07120597B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02229416A (ja) | 1990-09-12 |
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