JPS603134A - ワイヤボンデイング方法 - Google Patents
ワイヤボンデイング方法Info
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- JPS603134A JPS603134A JP58112196A JP11219683A JPS603134A JP S603134 A JPS603134 A JP S603134A JP 58112196 A JP58112196 A JP 58112196A JP 11219683 A JP11219683 A JP 11219683A JP S603134 A JPS603134 A JP S603134A
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- film
- fine wire
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
この発明は工Cやトランジスタなどの製造において金属
線j−1k接続するワイヤボンディング方法・特にポー
ルポンディング方法に関するものである。
線j−1k接続するワイヤボンディング方法・特にポー
ルポンディング方法に関するものである。
従来技術
熱圧着あるいは超音波併用熱圧着方式による自動ワイヤ
ポンディングにおいて、半導体チ・ノフ。
ポンディングにおいて、半導体チ・ノフ。
側へ接合する際のポンディングの方向性をなくすため、
金属細線先端?ポール状にすることが要求さnる。
金属細線先端?ポール状にすることが要求さnる。
従来ボンディング粗金属fIII線としては金線が使用
され、ボーlし形成には、電気トーチ方式すなわち金属
細線先端と可動電極の間で放電させ、金属細線先端を溶
融凝固させてポール状にする方式・および水素炎方式す
なわち水素炎で金属離線を溶融切断すると同時にポール
を形成する方式が用いらnていたが、金細線を用いるこ
とから、コストが高くなるという欠点があった。
され、ボーlし形成には、電気トーチ方式すなわち金属
細線先端と可動電極の間で放電させ、金属細線先端を溶
融凝固させてポール状にする方式・および水素炎方式す
なわち水素炎で金属離線を溶融切断すると同時にポール
を形成する方式が用いらnていたが、金細線を用いるこ
とから、コストが高くなるという欠点があった。
そこで金細線にかわ9アルシミニウム犯線2使用するこ
とが考えらnるが、アルミニウム細線を用い電気トーチ
方式でポール形成を行うと、アルミニウムが金に比べて
はるかに比重が小さいこと、あるいは融点が低いことな
どでの物理的性質の違いに加え、アークのはい上り現象
によってワイヤ先端に入熱が集中せず、ワイヤのかな9
上方まで軟化してアルミニウム細線の折れ曲がり、異形
ポールの発生などが起こる。
とが考えらnるが、アルミニウム細線を用い電気トーチ
方式でポール形成を行うと、アルミニウムが金に比べて
はるかに比重が小さいこと、あるいは融点が低いことな
どでの物理的性質の違いに加え、アークのはい上り現象
によってワイヤ先端に入熱が集中せず、ワイヤのかな9
上方まで軟化してアルミニウム細線の折れ曲がり、異形
ポールの発生などが起こる。
第1しjにそ扛らの゛現象を模式的に示す。図において
、(1)はギヤピラリチップ、(2)はキャブラリチッ
プ(1)に挿通さflだア7レミニウム!IIl線、+
3) ii 7 /レミニウム細線(2)の先端に形成
さf′したポーlし、(4)はアルミニウム軸線(2)
の先端との間で放電せしめる可動電極、(5)はアルミ
ニウム細線(2)の先端と可動1!極(4)間に生じた
アーク、(6)はアーク発生用電源を示す。
、(1)はギヤピラリチップ、(2)はキャブラリチッ
プ(1)に挿通さflだア7レミニウム!IIl線、+
3) ii 7 /レミニウム細線(2)の先端に形成
さf′したポーlし、(4)はアルミニウム軸線(2)
の先端との間で放電せしめる可動電極、(5)はアルミ
ニウム細線(2)の先端と可動1!極(4)間に生じた
アーク、(6)はアーク発生用電源を示す。
なお、大気中でボーlし形成を行うと、アルミニウム線
は伸固な酸化皮膜を形成するため、ポール形成成に不活
性ガス雰囲気中で行う必要がある。また、水素炎?用い
てポール形成を行う場合も、酸化皮膜を形成するため、
アルミニウム軸線に適用することは出来ない。
は伸固な酸化皮膜を形成するため、ポール形成成に不活
性ガス雰囲気中で行う必要がある。また、水素炎?用い
てポール形成を行う場合も、酸化皮膜を形成するため、
アルミニウム軸線に適用することは出来ない。
発明の概要
この発明は、金属線の融点より高い融点を有する絶縁皮
膜で表面が被覆さ−nた金属線を用いることにより、ア
ルミニウム線11線によるポールボンディングを可能に
することができるワイヤボンディング方法を提案するも
のである。
膜で表面が被覆さ−nた金属線を用いることにより、ア
ルミニウム線11線によるポールボンディングを可能に
することができるワイヤボンディング方法を提案するも
のである。
発明の実施例
以下、この発明の一実施例全図について説明する。第2
図において、(7〕は金属線、(8)は金属線C力の表
面を被覆する絶縁皮膜、(9)は金属線(7)の給電部
であり、例えば長尺状金属線(7)の終端部の絶縁皮膜
(8)をはく離することにより形成される。
図において、(7〕は金属線、(8)は金属線C力の表
面を被覆する絶縁皮膜、(9)は金属線(7)の給電部
であり、例えば長尺状金属線(7)の終端部の絶縁皮膜
(8)をはく離することにより形成される。
この実施例においては、予め絶縁皮膜(8)を1〜2μ
m程度の厚さに均一に形成したアルミニウム細線(7)
?用いる。なお、絶縁皮膜(8)の作用としては、アー
ク(5)が細線(7)の先端に集中せず、側面にはい上
る現象を防止することであるから、絶縁皮膜(8)に要
求さnる性質としては、アルミニウム線の融点660C
以下で融解、分解せず、細線〔7)ヲアーク(5)から
保護するということである。このためアルミニウムの融
点より高い融、蝋ヲ有する必要がある。
m程度の厚さに均一に形成したアルミニウム細線(7)
?用いる。なお、絶縁皮膜(8)の作用としては、アー
ク(5)が細線(7)の先端に集中せず、側面にはい上
る現象を防止することであるから、絶縁皮膜(8)に要
求さnる性質としては、アルミニウム線の融点660C
以下で融解、分解せず、細線〔7)ヲアーク(5)から
保護するということである。このためアルミニウムの融
点より高い融、蝋ヲ有する必要がある。
また、ボンディング1生を1氏下させるもの、ボンディ
ング後ワイヤあるいはIC、トランジスタとの接合部?
劣化させるものには好ましくない。例えばAl、0.l
皮膜が適当な皮膜である。
ング後ワイヤあるいはIC、トランジスタとの接合部?
劣化させるものには好ましくない。例えばAl、0.l
皮膜が適当な皮膜である。
図に示したように、絶縁皮膜(8)?形成したアルミニ
ウム利j線(7)?用いて、アーク放電によるポール形
成2行うと、利1線(7)の折n曲が9、異形ボールの
発生などの不良が発生せず、安定して細線先端に所定の
大きさのポール(3)が形成される。
ウム利j線(7)?用いて、アーク放電によるポール形
成2行うと、利1線(7)の折n曲が9、異形ボールの
発生などの不良が発生せず、安定して細線先端に所定の
大きさのポール(3)が形成される。
なお、上ii2突施例においては、アルミニウム細Hk
用いた工C、トランジスタなどのワイヤボンディングに
ついて説明したが、20071171程度の太線ヲ用い
たアルミニウム線のポールボンディングなど、他C接合
法への適用も可能である。
用いた工C、トランジスタなどのワイヤボンディングに
ついて説明したが、20071171程度の太線ヲ用い
たアルミニウム線のポールボンディングなど、他C接合
法への適用も可能である。
発明の効果
この発明は以上説明した通り、金)風綿の融点より高い
融点?有する絶、縁皮膜で表面が破覆さf’した金属線
ケ用いるようにしたので、アルミニウム線であっても安
定してポール全形成することができ、接合品質を向上で
きる効果がある。
融点?有する絶、縁皮膜で表面が破覆さf’した金属線
ケ用いるようにしたので、アルミニウム線であっても安
定してポール全形成することができ、接合品質を向上で
きる効果がある。
第1(8)は従来法によりアルミニウム線細線にボール
形成r行った場合の現象を模式的に示した概要構成図、
第2図は本発明の一実施例を模式的に示す概要構成図で
ある。 図において、(3)はポール、(4)は可動電極、r5
)はアーク%丸6ンはアーク発生用電源、(7)は金属
線、(8)は絶縁皮膜である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄
形成r行った場合の現象を模式的に示した概要構成図、
第2図は本発明の一実施例を模式的に示す概要構成図で
ある。 図において、(3)はポール、(4)は可動電極、r5
)はアーク%丸6ンはアーク発生用電源、(7)は金属
線、(8)は絶縁皮膜である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄
Claims (2)
- (1) 金属線の先端とこnに対向する電砺との間のア
ーク放電によって上記金属線の先端にポール?形成し、
このポールを用いて上記金属線全接着する方法において
、上記金属線の融、ヴより高い融、g、 fzc有する
絶縁皮膜で表面が彼覆さ扛た金Y線を用いることを特徴
とするワイヤボンディング方法。 - (2) 金属線はアルミニウムーであり、絶縁皮膜は月
、Os膜であることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載のワイヤボンディング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58112196A JPS603134A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | ワイヤボンデイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58112196A JPS603134A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | ワイヤボンデイング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS603134A true JPS603134A (ja) | 1985-01-09 |
Family
ID=14580664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58112196A Pending JPS603134A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | ワイヤボンデイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS603134A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63208236A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-29 | Hitachi Ltd | 絶縁被覆ワイヤのワイヤボンデイング方法 |
| US5037023A (en) * | 1988-11-28 | 1991-08-06 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for wire bonding |
| US5176310A (en) * | 1988-11-28 | 1993-01-05 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for wire bond |
| JPH08274126A (ja) * | 1996-04-04 | 1996-10-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-06-20 JP JP58112196A patent/JPS603134A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63208236A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-29 | Hitachi Ltd | 絶縁被覆ワイヤのワイヤボンデイング方法 |
| US5037023A (en) * | 1988-11-28 | 1991-08-06 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for wire bonding |
| US5110032A (en) * | 1988-11-28 | 1992-05-05 | Hitachi, Ltd., | Method and apparatus for wire bonding |
| US5176310A (en) * | 1988-11-28 | 1993-01-05 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for wire bond |
| JPH08274126A (ja) * | 1996-04-04 | 1996-10-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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