JPS6031401B2 - インタ−デイジタル形帯域通過ろ波器 - Google Patents
インタ−デイジタル形帯域通過ろ波器Info
- Publication number
- JPS6031401B2 JPS6031401B2 JP15245379A JP15245379A JPS6031401B2 JP S6031401 B2 JPS6031401 B2 JP S6031401B2 JP 15245379 A JP15245379 A JP 15245379A JP 15245379 A JP15245379 A JP 15245379A JP S6031401 B2 JPS6031401 B2 JP S6031401B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resonant elements
- coupling
- resonant
- attenuation
- interdigital
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
Landscapes
- Filters And Equalizers (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は容量性の間接結合回路を備え、減衰城が有極形
をなすように構成したインターディジタル形帯城通過る
波器に関するものである。
をなすように構成したインターディジタル形帯城通過る
波器に関するものである。
従来の誘導Ｍ形インターディジタル形帯城通過る波器の
構造の一例を第１図Ａ，Ｂに示す。
構造の一例を第１図Ａ，Ｂに示す。
ここで、１〜６は６段構成の一列配置共振素子、７は帯
域通過る波器の外箱（シールド）、ＴｏおよびＴｎ＋，
はそれぞれ入力および出力変成器である。このインター
ディジタル形帯城通過る波器は通過城がワグナー特性あ
るいはチェビシェフ特性をなし、減衰城は無極形である
。すなわち、伝送特性としては第２図に示すような特性
をもち、減衰城の立上がり特性がゆるやかである。
域通過る波器の外箱（シールド）、ＴｏおよびＴｎ＋，
はそれぞれ入力および出力変成器である。このインター
ディジタル形帯城通過る波器は通過城がワグナー特性あ
るいはチェビシェフ特性をなし、減衰城は無極形である
。すなわち、伝送特性としては第２図に示すような特性
をもち、減衰城の立上がり特性がゆるやかである。
また、第１図の例では、６段（従って６次）のインター
ディジタル形帯城通過る波器を示したが、立上がり特性
（減衰城特性）をより急峻なものにしようとすると、帯
城通過る波器の次数（すなわち、段数）を増加する必要
がある。しかし、帯城通過る波器の次数が多くなると、
‘１１挿入損失が増大する■大形化する細調整が困難に
なるなどの欠点があった。また、従来用いられた技術で
は、減衰城を有極化するために、容量結合部としてプロ
ーブ等を用いたものもあるが、この結合方法では微小な
容量結合値を得ることができず、その結果として減衰城
周波数帯で大きな減衰量（例えば８ＭＢ以上）を得るこ
とが困難であるなどの欠点があった。
ディジタル形帯城通過る波器を示したが、立上がり特性
（減衰城特性）をより急峻なものにしようとすると、帯
城通過る波器の次数（すなわち、段数）を増加する必要
がある。しかし、帯城通過る波器の次数が多くなると、
‘１１挿入損失が増大する■大形化する細調整が困難に
なるなどの欠点があった。また、従来用いられた技術で
は、減衰城を有極化するために、容量結合部としてプロ
ーブ等を用いたものもあるが、この結合方法では微小な
容量結合値を得ることができず、その結果として減衰城
周波数帯で大きな減衰量（例えば８ＭＢ以上）を得るこ
とが困難であるなどの欠点があった。
本発明の目的は、上述の点に鑑み、ろ波特性を向上させ
ると共に調整を容易ならしめた、小形なインターディジ
タル形帯城通過る波器を提供することになる。かかる目
的を達成するために、本発明では、設置極性が順次反転
するように配列した複数の共振素子と、前記複数の共振
素子を所定の空間領域に分割して該共振素子の主結合回
路を形成するよう電磁シールド用錘体内を仕切る位功板
とを備え、４ｎ個（ｎ＝１，２，３…）の前記共振素子
を隔てて一対の前記共振素子間に電界疎結合をなすよう
前記仕切板に容量性間接結合孔を設けるものである。
ると共に調整を容易ならしめた、小形なインターディジ
タル形帯城通過る波器を提供することになる。かかる目
的を達成するために、本発明では、設置極性が順次反転
するように配列した複数の共振素子と、前記複数の共振
素子を所定の空間領域に分割して該共振素子の主結合回
路を形成するよう電磁シールド用錘体内を仕切る位功板
とを備え、４ｎ個（ｎ＝１，２，３…）の前記共振素子
を隔てて一対の前記共振素子間に電界疎結合をなすよう
前記仕切板に容量性間接結合孔を設けるものである。
以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明する。
第３図ＡおよびＢは、本発明の一実施例を示す。
ここで１１〜１６は第１図に示したものと同様の共振素
子、ＴｏおよびＴｎ十，も第１図と同様の入力変成器お
よび出力変成器、１７は一列配置の共振素子１１，１２
，１３と１６，１５，１４との間に配設された仕切板、
１８は共振素子１１と１６との間に後述する電界疎結合
を実現するための円形結合孔部、１９は外箱（電磁シー
ルド用崖体）である。また、共振素子１１と１２、１２
と１３、１３と１４、１４と１５、１５と１６の間の主
結合回路の他に、共振素子１１と１６の間に円形結合孔
部１８を介して容量性の間接結合回路を形成する。
子、ＴｏおよびＴｎ十，も第１図と同様の入力変成器お
よび出力変成器、１７は一列配置の共振素子１１，１２
，１３と１６，１５，１４との間に配設された仕切板、
１８は共振素子１１と１６との間に後述する電界疎結合
を実現するための円形結合孔部、１９は外箱（電磁シー
ルド用崖体）である。また、共振素子１１と１２、１２
と１３、１３と１４、１４と１５、１５と１６の間の主
結合回路の他に、共振素子１１と１６の間に円形結合孔
部１８を介して容量性の間接結合回路を形成する。
一般に、共振素子１１と共振素子１６の間の容量性結合
回路として結合プローブや結合板等を用いることにより
、有極化を達成し得ることがよく知られている。
回路として結合プローブや結合板等を用いることにより
、有極化を達成し得ることがよく知られている。
しかし、結合プローブや結合板を用いると、高周波帯で
は結合が密になりすぎて所要の減衰量が得られない場合
がある。そこで、本実施例では円形の容量性結合孔部１
８を用いることによって、電界結合を疎にすることを可
能としている。次に、上述した容量性結合孔部１８の作
用について説明する。
は結合が密になりすぎて所要の減衰量が得られない場合
がある。そこで、本実施例では円形の容量性結合孔部１
８を用いることによって、電界結合を疎にすることを可
能としている。次に、上述した容量性結合孔部１８の作
用について説明する。
円形の結合孔は磁気結合素子として作用し、容量結合素
子として作用しないことは一般に知られている。
子として作用しないことは一般に知られている。
これに対し、第３図ＡおよびＢに示すインターディジタ
ル形帯城通過る波器においては、共振素子１１と１６と
の間に第４図に示すような電界分布が生じる。このとき
、共振素子１１と１２の間の電界分布と、共振素子１５
と１６の間の電界分布の量はほぼ等しくなる。そして、
第４図示の共振素子１１と共振素子１６との間に、Ｅｃ
ｋなる漏れ電界ベクトルの方向が一致する。従って、共
振素子１１と１６の間はもれ電界Ｅｃｋで結合され、結
果的に容量性結合（疎電界結合）となる。隣接する共振
素子間の結合態様は容量性結合となっているので、その
位相差は９００である。
ル形帯城通過る波器においては、共振素子１１と１６と
の間に第４図に示すような電界分布が生じる。このとき
、共振素子１１と１２の間の電界分布と、共振素子１５
と１６の間の電界分布の量はほぼ等しくなる。そして、
第４図示の共振素子１１と共振素子１６との間に、Ｅｃ
ｋなる漏れ電界ベクトルの方向が一致する。従って、共
振素子１１と１６の間はもれ電界Ｅｃｋで結合され、結
果的に容量性結合（疎電界結合）となる。隣接する共振
素子間の結合態様は容量性結合となっているので、その
位相差は９００である。
よって、主結合回路についてみれば、共振素子１ １と
共振素子１６との間に４個の共振素子１２，１３，１４
，１５が介在するので、その間の位相差は９００×５＝
９００×４十９００＝９００となる。
共振素子１６との間に４個の共振素子１２，１３，１４
，１５が介在するので、その間の位相差は９００×５＝
９００×４十９００＝９００となる。
また、円形結合孔部１８を用いて容量性間接結合をなす
ことにより（第４図参照）、共振素子１１と共振素子１
６との間の位相は逆相となる。
ことにより（第４図参照）、共振素子１１と共振素子１
６との間の位相は逆相となる。
このため、主結合回路を伝播してきた信号（電力）とは
位相が９０ｏ（共振周波数において）異なることになる
が、その振幅は共振周波数付近においては、主結合＞間
接結合 となるので、ほとんど影響を受けることがない。
位相が９０ｏ（共振周波数において）異なることになる
が、その振幅は共振周波数付近においては、主結合＞間
接結合 となるので、ほとんど影響を受けることがない。
一方、各共振回路の位相特性については、共振周波数か
ら雛調するにつれて位相が連続的に変化することは周知
のとおりである。また、間接結合回路が有する位相定数
は周波数に関係なくなるため、その位相差が１８００と
なる所（共振周波数に比して９０ｏの位相差の所）にお
いてそれぞれの電力が打ち消し合い、極が生ずることに
なる。このとき、急峻なフィル夕特性を得ると同時に大
きな減衰量を得るためには間接結合回路を介して漏れて
くる逆相信号の電力量を小さくしなければならない。そ
のためにも、共振周波数を中心にして位相が９０ｏ異な
る周波数での振幅値（急峻な特性と大きな減衰とを有す
る帯域通過る波器では非常に小さな値となる）と、間接
結合回路を介して得られる信号振幅値（電力）とをほぼ
等しくする必要がある。なお、本実施例では６段の帯域
通過る波器について説明を行ったが、さらに段数（次数
）が増えた場合、あるいは減少した場合のいづれについ
ても本発明を適用することは可能である。
ら雛調するにつれて位相が連続的に変化することは周知
のとおりである。また、間接結合回路が有する位相定数
は周波数に関係なくなるため、その位相差が１８００と
なる所（共振周波数に比して９０ｏの位相差の所）にお
いてそれぞれの電力が打ち消し合い、極が生ずることに
なる。このとき、急峻なフィル夕特性を得ると同時に大
きな減衰量を得るためには間接結合回路を介して漏れて
くる逆相信号の電力量を小さくしなければならない。そ
のためにも、共振周波数を中心にして位相が９０ｏ異な
る周波数での振幅値（急峻な特性と大きな減衰とを有す
る帯域通過る波器では非常に小さな値となる）と、間接
結合回路を介して得られる信号振幅値（電力）とをほぼ
等しくする必要がある。なお、本実施例では６段の帯域
通過る波器について説明を行ったが、さらに段数（次数
）が増えた場合、あるいは減少した場合のいづれについ
ても本発明を適用することは可能である。
例えば、１仮装の帯城通過る波器を構成する場合には、
４個もしくは８個の共振素子を介して容量性の間接結合
をなすことが可能である。従来のインターディジタル形
帯城通過る波器の減衰域は第２図に示したようにヮクー
ナー特性をもち、ゆるやかな減衰特性を呈している欠点
があったが、本発明によれば第５図Ａ，Ｂに示すように
、減衰城を有極化して急峻な減衰特性を得ることができ
る。
４個もしくは８個の共振素子を介して容量性の間接結合
をなすことが可能である。従来のインターディジタル形
帯城通過る波器の減衰域は第２図に示したようにヮクー
ナー特性をもち、ゆるやかな減衰特性を呈している欠点
があったが、本発明によれば第５図Ａ，Ｂに示すように
、減衰城を有極化して急峻な減衰特性を得ることができ
る。
ここで、第５図Ａは共振素子１１と１６との間を容量性
結合したシングルポールの場合を示し、第５図Ｂはかか
る容量性結合に加えて共振素子１２と１５との間にルー
プ結合を施したダブルポールの場合を示す。以上説明し
たように、本発明インターディジタル形帯城通過る波器
によれば、立上がり特性（減衰特性）の急峻な帯城通過
る波器を実現でき、しかも立上がり特性を急峻にするの
に従来のように共振素子の段数を増やす必要がないので
、装置が大形化することもなく、また調整が困難になる
こともない。
結合したシングルポールの場合を示し、第５図Ｂはかか
る容量性結合に加えて共振素子１２と１５との間にルー
プ結合を施したダブルポールの場合を示す。以上説明し
たように、本発明インターディジタル形帯城通過る波器
によれば、立上がり特性（減衰特性）の急峻な帯城通過
る波器を実現でき、しかも立上がり特性を急峻にするの
に従来のように共振素子の段数を増やす必要がないので
、装置が大形化することもなく、また調整が困難になる
こともない。
かくして、本発明インターディジタル形帯城通過る波器
は、無線設備に用いて不要波の除去を行うほか、アンテ
ナ共用器等に応用して端子間結合減衰量が大きく且つ挿
入損失の少ない共用器を実現できるなど、格別の効果を
得ることができる。
は、無線設備に用いて不要波の除去を行うほか、アンテ
ナ共用器等に応用して端子間結合減衰量が大きく且つ挿
入損失の少ない共用器を実現できるなど、格別の効果を
得ることができる。
第１図ＡおよびＢは従釆のインターディジタル形帯城通
過る波器の構造の一例を示す平面図および断面図、第２
図は第１図Ａ，Ｂに示した帯域塚ろ波器の一般的な伝送
特性例を示す特性曲線図、第３図ＡおよびＢは本発明イ
ンターディジタル形帯城通過る波器の構成の一実施例を
示す平面図および断面図、第４図は第３図Ａに示した共
振素子の結合状態を説明するための線図、第５図Ａおよ
びＢは本発明により得られる伝送特性の２例を示す特性
曲線図である。 １〜６，１１〜１６・・・・・・共振素子、７，１９・
・・・・・外箱（シールド）、１７・・・・・・仕切板
、１８・・・・・・円形結合孔部、１９・・・・・・外
箱（シールド）、Ｔｏ・・・・・・入力変成器、ＴＭ，
…・・・出力変成器、Ｅｃｋ・・・・・・もれ電界。 第１図 第３図 第２図 第４図 第５図
過る波器の構造の一例を示す平面図および断面図、第２
図は第１図Ａ，Ｂに示した帯域塚ろ波器の一般的な伝送
特性例を示す特性曲線図、第３図ＡおよびＢは本発明イ
ンターディジタル形帯城通過る波器の構成の一実施例を
示す平面図および断面図、第４図は第３図Ａに示した共
振素子の結合状態を説明するための線図、第５図Ａおよ
びＢは本発明により得られる伝送特性の２例を示す特性
曲線図である。 １〜６，１１〜１６・・・・・・共振素子、７，１９・
・・・・・外箱（シールド）、１７・・・・・・仕切板
、１８・・・・・・円形結合孔部、１９・・・・・・外
箱（シールド）、Ｔｏ・・・・・・入力変成器、ＴＭ，
…・・・出力変成器、Ｅｃｋ・・・・・・もれ電界。 第１図 第３図 第２図 第４図 第５図
Claims (1)
- １ 設置極性が順次反転するように配列した複数の共振
素子と、前記複数の共振素子を所定の空間領域に分割し
て該共振素子の主結合回路を形成するよう電磁シールド
用筐体内を仕切る仕切板とを備え、 ４ｎ個（ｎ＝１，
２，３…）の前記共振素子を隔てて一対の前記共振素子
間に電界疎結合をなすよう前記仕切板に容量性間接結合
孔を設けたことを特徴とするインターデイジタル形帯域
通過ろ波器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15245379A JPS6031401B2 (ja) | 1979-11-27 | 1979-11-27 | インタ−デイジタル形帯域通過ろ波器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15245379A JPS6031401B2 (ja) | 1979-11-27 | 1979-11-27 | インタ−デイジタル形帯域通過ろ波器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5675720A JPS5675720A (en) | 1981-06-23 |
| JPS6031401B2 true JPS6031401B2 (ja) | 1985-07-22 |
Family
ID=15540843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15245379A Expired JPS6031401B2 (ja) | 1979-11-27 | 1979-11-27 | インタ−デイジタル形帯域通過ろ波器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6031401B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58166803A (ja) * | 1982-03-27 | 1983-10-03 | Fujitsu Ltd | 誘電体フイルタ |
| JPS58178602A (ja) * | 1982-04-13 | 1983-10-19 | Nippon Dengiyou Kosaku Kk | コムライン形帯域通過ろ波器 |
| US5153541A (en) * | 1991-05-20 | 1992-10-06 | At&T Bell Laboratories | Folded interdigital notch filter |
-
1979
- 1979-11-27 JP JP15245379A patent/JPS6031401B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5675720A (en) | 1981-06-23 |
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