JPS603181A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS603181A JPS603181A JP11137683A JP11137683A JPS603181A JP S603181 A JPS603181 A JP S603181A JP 11137683 A JP11137683 A JP 11137683A JP 11137683 A JP11137683 A JP 11137683A JP S603181 A JPS603181 A JP S603181A
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- laser
- light absorption
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2218—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special optical properties
- H01S5/2219—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special optical properties absorbing
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- H01S5/2227—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties special thin layer sequence
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- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、利得導波路構造及び屈折率ぞ≠波路構造の双
方を備えた半導体レーザ装置に関する。
方を備えた半導体レーザ装置に関する。
近年、Ｇ ａ Ａ ｌ、 Ａ ｓ系等のｍ−ｖ族化合物
半導体材料を用いた半１体レーザは、ＤＡＩ）、（ディ
ジタル・オーディオ・ディスク）を始めとして光ディス
ク・ファイル等の情報処理３：４器への応用が進められ
ている。光デイスク用の半導体レーザにおいては、レー
ザ光のビームを小さく絞り込む必要があり、光学系を１
■単にすると云う点から硫本横モード発振で非点収差が
小さいことが要求される。また、光ディスクに応用する
点から次のような問題点のあることが明らかになってい
る。すなわち、光ディスク・ファイル等においては、デ
ィスクに当てた光の反射光・の強度を検出して情報を読
み出すと云う機構上。
半導体材料を用いた半１体レーザは、ＤＡＩ）、（ディ
ジタル・オーディオ・ディスク）を始めとして光ディス
ク・ファイル等の情報処理３：４器への応用が進められ
ている。光デイスク用の半導体レーザにおいては、レー
ザ光のビームを小さく絞り込む必要があり、光学系を１
■単にすると云う点から硫本横モード発振で非点収差が
小さいことが要求される。また、光ディスクに応用する
点から次のような問題点のあることが明らかになってい
る。すなわち、光ディスク・ファイル等においては、デ
ィスクに当てた光の反射光・の強度を検出して情報を読
み出すと云う機構上。
反射光の一部が半導体レーザに戻っていくのは避けられ
ない。このため、上記半導体レーザは該レーザの両端面
が作る共振器の他に、レーザ端面とディスク面とで形成
される共振器も存在することになり、２重共振器を持っ
レーザとなる。そして、ディスク面が回転中に振動する
と。
ない。このため、上記半導体レーザは該レーザの両端面
が作る共振器の他に、レーザ端面とディスク面とで形成
される共振器も存在することになり、２重共振器を持っ
レーザとなる。そして、ディスク面が回転中に振動する
と。
後者の共振器長が変化することになり、スペクトルや光
出力等に変動が生じ、所謂戻り光ノイズが発生する。
出力等に変動が生じ、所謂戻り光ノイズが発生する。
ここで、戻り光ノイズを抑制すると云う観点から半導体
レーザの導波路構造を見直してみる。
レーザの導波路構造を見直してみる。
半導体レーザの導波路構造は、一般に利得導波路構造と
屈折率導波路構造との２つに大別される。これらの構造
において、非点収差を小さくすることと尖り光ノイズを
少なくすることとシよトレード・オフの関係にある、す
なわち、屈折率導波路構造においては、非点収差は５〔
μｍ〕以下と小さく横モードが安定しているために縦モ
ードも単一モードで発振するが、スもクトル線幅が狭い
ために戻り光ノイズによる出力変動μはｌＯＣ％〕以七
と大きい。一方、利得導波路構造においては、Ｋ（（モ
ードが多モード化しスペクトル線幅が広いために戻り光
ノイズによる出力変動駄はｌ［％］以下となるが、非点
収差は２０〔μｍ〕以」−と大きくなる。したがって、
非点収差と戻り光ノイズの特性を同時に高定させるため
には、屈折率導波路（＾Ｙ造と利得導波路構造との双方
の性ａを兼ね（ｉｉｉｉえたものでなければならない。
屈折率導波路構造との２つに大別される。これらの構造
において、非点収差を小さくすることと尖り光ノイズを
少なくすることとシよトレード・オフの関係にある、す
なわち、屈折率導波路構造においては、非点収差は５〔
μｍ〕以下と小さく横モードが安定しているために縦モ
ードも単一モードで発振するが、スもクトル線幅が狭い
ために戻り光ノイズによる出力変動μはｌＯＣ％〕以七
と大きい。一方、利得導波路構造においては、Ｋ（（モ
ードが多モード化しスペクトル線幅が広いために戻り光
ノイズによる出力変動駄はｌ［％］以下となるが、非点
収差は２０〔μｍ〕以」−と大きくなる。したがって、
非点収差と戻り光ノイズの特性を同時に高定させるため
には、屈折率導波路（＾Ｙ造と利得導波路構造との双方
の性ａを兼ね（ｉｉｉｉえたものでなければならない。
ところで、利得分布に関係する電流狭Ｙ描造と作り付は
屈折率導波路構造とが自動的に形成されるような構造の
レーザを自己整合型レーザと云うが、特に市１流狭°ｑ
溝造が結晶表面に出ていないものは内部ストライブ自己
整合型レーザと云う。この型のレーザは、製造プロセス
が容易で商歩留り及び高生産性が期待されると同時に、
活性層を結晶内部に持ってくることができるため、電極
表面からの欠陥の影響を受けにくいこと、マウントに起
因する劣化の影い９を少なくできること、全百電極とし
て接触抵抗を減少させることによって亜鉛拡散等のプロ
セスを省けること、さらに表面を平坦にできるためマウ
ントに有利である等の利点を有する。
屈折率導波路構造とが自動的に形成されるような構造の
レーザを自己整合型レーザと云うが、特に市１流狭°ｑ
溝造が結晶表面に出ていないものは内部ストライブ自己
整合型レーザと云う。この型のレーザは、製造プロセス
が容易で商歩留り及び高生産性が期待されると同時に、
活性層を結晶内部に持ってくることができるため、電極
表面からの欠陥の影響を受けにくいこと、マウントに起
因する劣化の影い９を少なくできること、全百電極とし
て接触抵抗を減少させることによって亜鉛拡散等のプロ
セスを省けること、さらに表面を平坦にできるためマウ
ントに有利である等の利点を有する。
従来の内部ストライブ自己整合型レーザとしては、電流
阻止１蛸にＶ溝を設けたＶＳＩＳ（Ｖ −ｃｌ＋ａｎｎ
ｅｌｅｄ ８ｕｂｓｔｒａｔｅ ＩｎｎｅｒＳｔｒｉｐ
ｅ）レーザが知られており、このレーザはモード制イ囲
されており戻り光特性も良いことが判っている。しかし
、Ｖ８Ｉ８レーザには、Ｌ Ｐ Ｅ法に化して大面積で
均一性の良い結晶成長が１１能なＭ Ｏ−ＣＶ ］）法
では製造できないと云う間ｊ（１１１がある、この問題
は、光ディスク川レーザとしで犬■生産時代を迎えた半
導体レーザ製造において数台的な欠点となる。
阻止１蛸にＶ溝を設けたＶＳＩＳ（Ｖ −ｃｌ＋ａｎｎ
ｅｌｅｄ ８ｕｂｓｔｒａｔｅ ＩｎｎｅｒＳｔｒｉｐ
ｅ）レーザが知られており、このレーザはモード制イ囲
されており戻り光特性も良いことが判っている。しかし
、Ｖ８Ｉ８レーザには、Ｌ Ｐ Ｅ法に化して大面積で
均一性の良い結晶成長が１１能なＭ Ｏ−ＣＶ ］）法
では製造できないと云う間ｊ（１１１がある、この問題
は、光ディスク川レーザとしで犬■生産時代を迎えた半
導体レーザ製造において数台的な欠点となる。
そこで最ａｊ１Ｍｕ−ＣＶＩ）法で弾ｉす−できる同伸
の内ｆり１ストライブ自己整合型レーザとして、第１１
゛＜１に示す如く活性層」二部に内部ストラ・イブ構造
をｎする半う！７．休レーザが提案された。なお、図中
ＩはＮ −Ｇａ Ａ ｓ基板、２はＮ −Ｇａ Ａ、／
、Ａｓクラッド層、３はＧ ａ Ａ Ｚ Ａ ８活性層
、４はＰ −Ｇ ａ Ａ ｓクラッド層、５はＮ Ｕ
ａ Ａ ｓ ’ｒｆＴ、流阻止層、６はストライブ状の
溝部、７はＰ −（Ｊ ａ Ａ Ａ Ａ ”被覆層、８
はＰ−（ｊａＡｓ コｙタクト層、９，１θは金属′電
極を示している。この構造では、ストライプ状の溝部６
が形成された電流阻止層５によって、活性層３への′川
流注入がストライプ状に限定されると共に、活性層３に
導波された光がクラッド層４反び電流阻止層５にまでし
み出し、その結果ストライブ直下部分に導波されたモー
ドが形成されることになる。
の内ｆり１ストライブ自己整合型レーザとして、第１１
゛＜１に示す如く活性層」二部に内部ストラ・イブ構造
をｎする半う！７．休レーザが提案された。なお、図中
ＩはＮ −Ｇａ Ａ ｓ基板、２はＮ −Ｇａ Ａ、／
、Ａｓクラッド層、３はＧ ａ Ａ Ｚ Ａ ８活性層
、４はＰ −Ｇ ａ Ａ ｓクラッド層、５はＮ Ｕ
ａ Ａ ｓ ’ｒｆＴ、流阻止層、６はストライブ状の
溝部、７はＰ −（Ｊ ａ Ａ Ａ Ａ ”被覆層、８
はＰ−（ｊａＡｓ コｙタクト層、９，１θは金属′電
極を示している。この構造では、ストライプ状の溝部６
が形成された電流阻止層５によって、活性層３への′川
流注入がストライプ状に限定されると共に、活性層３に
導波された光がクラッド層４反び電流阻止層５にまでし
み出し、その結果ストライブ直下部分に導波されたモー
ドが形成されることになる。
このため、利得導波路構造及び屈折率導波路構造が同時
に実現される。
に実現される。
しかしながら、この神のレーザにあっては次のような問
題があった。すなわち、電流阻止層５のストライブ状溝
部６の幅で利得分布及び屈折率分布の幅が一為的に決ま
ってしまい、各分布の幅は等しいものとなる、この場合
、屈折率差が十分大きくついてしまい、利得導波路の特
徴はでてこない。したがって、光デイスク用レーザとし
ては、モード制御効果は十分であるが。
題があった。すなわち、電流阻止層５のストライブ状溝
部６の幅で利得分布及び屈折率分布の幅が一為的に決ま
ってしまい、各分布の幅は等しいものとなる、この場合
、屈折率差が十分大きくついてしまい、利得導波路の特
徴はでてこない。したがって、光デイスク用レーザとし
ては、モード制御効果は十分であるが。
戻り光特性に関しては十分子ｆ’ｉｉ足できる結果を得
ることはできなかった。
ることはできなかった。
本発明の目的は、基本横モード発振で非点収差が小さい
と云う特長を失うことなく、戻り光ノイズによる悪影響
を十分小さくすることができ、光デイスク用光源として
極めて有用な半導体１ノ−ザ装置を１１１１−供するこ
とにある。
と云う特長を失うことなく、戻り光ノイズによる悪影響
を十分小さくすることができ、光デイスク用光源として
極めて有用な半導体１ノ−ザ装置を１１１１−供するこ
とにある。
本発明の彊子は、前記、第１図に示す構造における「：
（流β１１１１一層に改良を加え、実効屈折率分布の幅
を利得分布の幅よりも広く［ることにある。
（流β１１１１一層に改良を加え、実効屈折率分布の幅
を利得分布の幅よりも広く［ることにある。
すなわち本発明は、化合物半導体１Ａ料からなりダブル
・ヘテロ接合構造を有する半導体レーザ装置において、
活性層に対し基板と反対側に位置するクララＦＩＭｈに
該クラッド層とは逆導電型でｔ記活性層よりバンドギャ
ップの広い電流１（［Ｊ、 ＋ｈ層を設け、かつこの電
流阻止層に上記クラッド層まで至るストライブ状の溝部
を設け、この七に１記りラッド層及び電流阻止１−より
屈折率の大きい光吸収に’ｔを設け、かつこのうし吸収
層の上記溝部」二にＭＥ（７：・’ｆ ｊ’３１Δより
幅の広いストライプ状の溝部を設け、さらにこの上に−
に記りラツドバ４と同導濱型で上ｆｌ［２活性層より屈
折率の小さい被覆１１チを設けるようにしたものである
、〔発明の効果〕 本発明によれは、光吸収；！・１による毘吸＋＋Ｖによ
って、ストライブ部とそれ以夕１のＢＩＳ ３）との実
効的な屈折率差がつき、屈折率導波路構造によるモード
制御が行われる。また、電流限ｔｔ−＋ｖ”ｑによる″
屯流狭°Ｙ（＝よって、活性層への７５流注入がストラ
イプ状に限定される、そしてこの場合、電流阻止層によ
る電流ストライプ幅より）゛ａ吸収層による光吸収スト
ライブ幅の方が広いので、利得分布の幅が実効屈折率分
布の幅よりも狭くなる。したがって、利得専波路借造及
び屈折率分布導波路構造の特長が同時に迂成されること
になり、非点収差が小さいと云う特長を失うことなく戻
り光ノイズによる悪影響を十分小さくすることができる
。
・ヘテロ接合構造を有する半導体レーザ装置において、
活性層に対し基板と反対側に位置するクララＦＩＭｈに
該クラッド層とは逆導電型でｔ記活性層よりバンドギャ
ップの広い電流１（［Ｊ、 ＋ｈ層を設け、かつこの電
流阻止層に上記クラッド層まで至るストライブ状の溝部
を設け、この七に１記りラッド層及び電流阻止１−より
屈折率の大きい光吸収に’ｔを設け、かつこのうし吸収
層の上記溝部」二にＭＥ（７：・’ｆ ｊ’３１Δより
幅の広いストライプ状の溝部を設け、さらにこの上に−
に記りラツドバ４と同導濱型で上ｆｌ［２活性層より屈
折率の小さい被覆１１チを設けるようにしたものである
、〔発明の効果〕 本発明によれは、光吸収；！・１による毘吸＋＋Ｖによ
って、ストライブ部とそれ以夕１のＢＩＳ ３）との実
効的な屈折率差がつき、屈折率導波路構造によるモード
制御が行われる。また、電流限ｔｔ−＋ｖ”ｑによる″
屯流狭°Ｙ（＝よって、活性層への７５流注入がストラ
イプ状に限定される、そしてこの場合、電流阻止層によ
る電流ストライプ幅より）゛ａ吸収層による光吸収スト
ライブ幅の方が広いので、利得分布の幅が実効屈折率分
布の幅よりも狭くなる。したがって、利得専波路借造及
び屈折率分布導波路構造の特長が同時に迂成されること
になり、非点収差が小さいと云う特長を失うことなく戻
り光ノイズによる悪影響を十分小さくすることができる
。
本発明者等の実験によれば、本発明構造のレーザは、非
点収１１０（μｔｎ １以下で基本横モード発振と云う
屈折率導波路構造的特性を示す一方、縦モードは多モー
ド発振となり戻り光ノイズによる出力変動計は１〔チ〕
以下で利得導波路構造的特性をも示した。このように横
モード制御と戻り光特性とに優れると云う効果は。
点収１１０（μｔｎ １以下で基本横モード発振と云う
屈折率導波路構造的特性を示す一方、縦モードは多モー
ド発振となり戻り光ノイズによる出力変動計は１〔チ〕
以下で利得導波路構造的特性をも示した。このように横
モード制御と戻り光特性とに優れると云う効果は。
光デイスク用レーザ等への応用を考えた場合極めて大き
いものとなる。
いものとなる。
第２図（ａ）〜（山は本発明の一実施例に係わる半導体
レーザ装置の製造１稈を示す…ｊ面図である。
レーザ装置の製造１稈を示す…ｊ面図である。
まず、第２図（ａ）に示す如＜Ｎ−ＧａＡＲ基板ＩＪ（
Ｓｉ ドープ、 ｎ ＝ １〜２ Ｘ ｌ （１” ｃ
ｍ−３）（ｎ ＝ ｌ ｘ ｌ Ｕ ｃｍ、＋厚み１．
５ ｔｔｍ ） 、 ７ｙ Ｆ−プＧａ ＡＡ Ａｓ活
性層１３（１％１み０．０８０ 、８５ ０．１４Ｉ Ｉｔｍ）、Ｐ−Ｇａ Ａｅ Ａｓクラッド層１４（Ｐ
＝ ｌ ［）”〜ｌ Ｏ”ｃｍ、−’ 、 ）ｊｉみＵ
、 ２ μｍ ） 。
Ｓｉ ドープ、 ｎ ＝ １〜２ Ｘ ｌ （１” ｃ
ｍ−３）（ｎ ＝ ｌ ｘ ｌ Ｕ ｃｍ、＋厚み１．
５ ｔｔｍ ） 、 ７ｙ Ｆ−プＧａ ＡＡ Ａｓ活
性層１３（１％１み０．０８０ 、８５ ０．１４Ｉ Ｉｔｍ）、Ｐ−Ｇａ Ａｅ Ａｓクラッド層１４（Ｐ
＝ ｌ ［）”〜ｌ Ｏ”ｃｍ、−’ 、 ）ｊｉみＵ
、 ２ μｍ ） 。
Ｎ −（−＋ ｎ Ａ Ａ Ａ ” 電流阻止ハ□ｊ
Ｊ ｓ （ｎ 〜０゜５６ ０，４１１ １０ 〜１０ ｃｍ、、ｌ？、み０．３ ｔｔ ｍ ）
及びＮ′−ＱａＡ８光吸収ＩＭＪｉｎ＝ｌＯ’８〜Ｉ
Ｏ” ｃｍ−”。
Ｊ ｓ （ｎ 〜０゜５６ ０，４１１ １０ 〜１０ ｃｍ、、ｌ？、み０．３ ｔｔ ｍ ）
及びＮ′−ＱａＡ８光吸収ＩＭＪｉｎ＝ｌＯ’８〜Ｉ
Ｏ” ｃｍ−”。
厚み０．５μｍ ）を順次成長形成した。この帛１回目
の結晶成長にはＭＯ−ＣＶ １）法を用い、成長条件は
温度７５０〔℃〕、Ｖ／ｌｌ−２０，ギヤ！Ｊ ７カス
（Ｈ，）ノ３ｉｊ：；ｔ 〜ｉ ０ ［ｔｂ／ｍｉｒ＋
〕、原料はトリメチルガリウム（Ｔ ＭＯ： （ＣＨ
）、 （）ａ ）。
の結晶成長にはＭＯ−ＣＶ １）法を用い、成長条件は
温度７５０〔℃〕、Ｖ／ｌｌ−２０，ギヤ！Ｊ ７カス
（Ｈ，）ノ３ｉｊ：；ｔ 〜ｉ ０ ［ｔｂ／ｍｉｒ＋
〕、原料はトリメチルガリウム（Ｔ ＭＯ： （ＣＨ
）、 （）ａ ）。
トリメチルアルミニウム（’ｒＭＡ： （（′、８３）
、Ａｇ）。
、Ａｇ）。
アルシン（Ａｓｌ−Ｌ、）、ｐドーパント：ジエチル亜
鉛（ＤＥＺ ： （Ｃ，Ｈ５）、Ｚｎ ）、ｎ）’−パ
ント：セレン化水素（１１□Ｓｅ）で、成長速度は０．
２５ （μｎｌ／ｍｉｎ 〕であった。なお、第１回目
の結晶成長では必ずしもＩ＜、１０− ＣＶ Ｄ法を用
いる必要はないが、大面積で均一性の良い結晶成長が可
能なＭ Ｏ−ＣＶ Ｄ法を用いることは。
鉛（ＤＥＺ ： （Ｃ，Ｈ５）、Ｚｎ ）、ｎ）’−パ
ント：セレン化水素（１１□Ｓｅ）で、成長速度は０．
２５ （μｎｌ／ｍｉｎ 〕であった。なお、第１回目
の結晶成長では必ずしもＩ＜、１０− ＣＶ Ｄ法を用
いる必要はないが、大面積で均一性の良い結晶成長が可
能なＭ Ｏ−ＣＶ Ｄ法を用いることは。
機序化を考えたｊｙｊ合Ｌ Ｊ） Ｅ法に比べて有利で
ある。
ある。
次に、第２図（ｂ）に示す如く光吸収層ｘ６ｋにソオト
レジヌ）７７を塗布し、該レジスト１７を幅３〔μｍ〕
、ピッチ３ （１０Ｃμｍ ）のストライブ状に抜きレ
ジヌトマスクを形成した。続いて、リン酸系エッチャン
ト（温間２０℃）を月１い、」１記しジヌト１７をマス
クとして光吸収層１６及び？ｉ’ｉ、流１り１１止層Ｉ
５を、クラット層１４に達するまで約４０秒エツチング
１．た。次いで。
レジヌ）７７を塗布し、該レジスト１７を幅３〔μｍ〕
、ピッチ３ （１０Ｃμｍ ）のストライブ状に抜きレ
ジヌトマスクを形成した。続いて、リン酸系エッチャン
ト（温間２０℃）を月１い、」１記しジヌト１７をマス
クとして光吸収層１６及び？ｉ’ｉ、流１り１１止層Ｉ
５を、クラット層１４に達するまで約４０秒エツチング
１．た。次いで。
Ｌ’ ｔｙエッチ−Ｖントを用い光吸収層Ｉ６のみを４
°シ２図ＦＣ＋に示す如く１両側０．５ （ｐ Ｉｌｌ
）ずつ約１（）秒間−リーイドエツプーングした。こ
のとき、岐路ｆｌ’１７′ｒニスドライブ幅はＩｉ！、
７Ａｆ、 ｌ！１１止層１５のハ１３分でＷ＋−２Ｃ
ｒｔ Ｉｌｌ ）、光吸収層１６の部５分でｖｖ 。
°シ２図ＦＣ＋に示す如く１両側０．５ （ｐ Ｉｌｌ
）ずつ約１（）秒間−リーイドエツプーングした。こ
のとき、岐路ｆｌ’１７′ｒニスドライブ幅はＩｉ！、
７Ａｆ、 ｌ！１１止層１５のハ１３分でＷ＋−２Ｃ
ｒｔ Ｉｌｌ ）、光吸収層１６の部５分でｖｖ 。
＝ ４ Ｃ７１ｍ ］とした、
次に、レジスト１７を除去し、有ｔ４洗浄及び表面の酸
化物を除くためのＨＣＡ処理を行ったのち、直ちに試料
を炉内に入れ第２回目の結晶成長をＭ Ｏ−ＣＶ Ｉ）
法で行った。すなわち、第２１’＜ （（１１に示す如
く全面にＰ−（）ａＡＡＡ８０−５ ０．４８ 被用層２７ （ｔ）＝ｌＯｃｍ ＋厚み１．２μｍ）。
化物を除くためのＨＣＡ処理を行ったのち、直ちに試料
を炉内に入れ第２回目の結晶成長をＭ Ｏ−ＣＶ Ｉ）
法で行った。すなわち、第２１’＜ （（１１に示す如
く全面にＰ−（）ａＡＡＡ８０−５ ０．４８ 被用層２７ （ｔ）＝ｌＯｃｍ ＋厚み１．２μｍ）。
Ｐ−ＵａＡｓコｙタクト層、ｌ’２（ｐ＝ｌＯｃｒｎ
。
。
厚み２１１ Ｉｌｌ ）を順次成長形成した。このとき
、霧出しているクラッドＩ？Ｊ Ｊ ４及び電流阻止層
１５は共にＡ 、４濃度が０．４５であるから。
、霧出しているクラッドＩ？Ｊ Ｊ ４及び電流阻止層
１５は共にＡ 、４濃度が０．４５であるから。
ＬＰＥ法では成長できず、ＭＯ−ＣＶＩ）法或いはＭ
Ｂ Ｅ法（分子線エピタキシャル法ンが必要とされる。
Ｂ Ｅ法（分子線エピタキシャル法ンが必要とされる。
次いで、Ｐ側電極としてＣｒ −Ａ ｕ層２３、ＩＮ側
電極としてＡ ｕ −Ｏｃ層２４をリレペした。この試
料をへき開によって、共振器長２５０〔μｍ〕、幅３
（１０（μｒｎ ：）のチップにして半導体レーザを完
成した。
電極としてＡ ｕ −Ｏｃ層２４をリレペした。この試
料をへき開によって、共振器長２５０〔μｍ〕、幅３
（１０（μｒｎ ：）のチップにして半導体レーザを完
成した。
かくして作成されたレーザの特性を測定したところ１次
のような結果が得られた。ｔなわち、発振しきい値は７
０（ＩｎＡ）す、下、非ノｊさ、収差は１（ＢμＩＴＩ
′３以下で茫木横モード発ｉ辰し、５Ｃｍ Ｗ ：］
まで酸多モード発振Ｃ１戻り光ノイズによる出力変動用
は１〔チ〕以下であった。この特性は、光デイスク用レ
ーザとして十分！１ｌｌｆｊ足できる範囲である。
のような結果が得られた。ｔなわち、発振しきい値は７
０（ＩｎＡ）す、下、非ノｊさ、収差は１（ＢμＩＴＩ
′３以下で茫木横モード発ｉ辰し、５Ｃｍ Ｗ ：］
まで酸多モード発振Ｃ１戻り光ノイズによる出力変動用
は１〔チ〕以下であった。この特性は、光デイスク用レ
ーザとして十分！１ｌｌｆｊ足できる範囲である。
このように本実施例によれば、茫本横モード発振で非点
収差を十分小さくすることができ。
収差を十分小さくすることができ。
かつ戻り光ノイズによるｌｉｉ力ｇｙハｅも十分小さく
することができる。このため、光デイスク用光源として
用いるのに極めてｎ幼である。また。
することができる。このため、光デイスク用光源として
用いるのに極めてｎ幼である。また。
Ｍ Ｏ−ＣＶ Ｌ）法で形成できるので、人眼生産にも
極めて有功である。さらに、光吸収層１６を電流阻止層
１５と同じ導電型（Ｎ型）としているので、屯流狭°り
がより確実になる等の利点がある。
極めて有功である。さらに、光吸収層１６を電流阻止層
１５と同じ導電型（Ｎ型）としているので、屯流狭°り
がより確実になる等の利点がある。
なお１本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記各層の成長方法はＭ （Ｊ −ＣＶ
Ｄ法に限らず、 Ｉｖｉ Ｂ Ｅ法であってもよい。ま
た、各層の組成比は何ら実施例に限定されるものではな
く、仕様に応じて適宜変ｊｌｌｌｕ ＝Ｊ能である。例
えば、前記クラッド層のＡ１組成を０．３５として、光
ガイド層としての効果を持たせた高出力レーザとするこ
ともｉＪ能である。
い。例えば、前記各層の成長方法はＭ （Ｊ −ＣＶ
Ｄ法に限らず、 Ｉｖｉ Ｂ Ｅ法であってもよい。ま
た、各層の組成比は何ら実施例に限定されるものではな
く、仕様に応じて適宜変ｊｌｌｌｕ ＝Ｊ能である。例
えば、前記クラッド層のＡ１組成を０．３５として、光
ガイド層としての効果を持たせた高出力レーザとするこ
ともｉＪ能である。
さらに、ＧａＡ／４Ａｓ系の材料の代りに、Ｃ１ａｌｎ
Ｐ−ｊＧａＡＡＡ８Ｐ系の化合物半導体材料を用いるこ
とも可能である。また、前記光吸収層の導電型はＮ型に
限るものではなくＰ型であっても何ら差し支えない。さ
らに、基板とし７てＮ型の代りにＰ型基板を用い、各層
の導電型を逆にすることも”Ｊ’ ｈ！？である。その
他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で１種々変形して実
施することができる。
Ｐ−ｊＧａＡＡＡ８Ｐ系の化合物半導体材料を用いるこ
とも可能である。また、前記光吸収層の導電型はＮ型に
限るものではなくＰ型であっても何ら差し支えない。さ
らに、基板とし７てＮ型の代りにＰ型基板を用い、各層
の導電型を逆にすることも”Ｊ’ ｈ！？である。その
他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で１種々変形して実
施することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の内部ストライブ自己整合型レーザの概略
構造を示すｌ断面図、第２図（ａｌ〜（ｄｉは本発明の
一実施例に係わる半導体レーザの製造工程を示す断面図
である。 １１−Ｎ−（ＪａＡｓ基板。 Ｊ ｘ −＝Ｎ−Ｇａ ｉｅ Ａｓクラッド層、Ｏ４０
０，４５ １３・・・アンドープｔＪ ａ Ａ −１＝ Ａ ｓ活
性層、０．８５ ０．ｉｓ １４−−−Ｐ−Ｇａ Ａ、＃ Ａｓクラッド層、（１，
５！Ｉ Ｏ，４Ｂ １５−Ｎ−（ｌａ Ａ、Ｉ！−Ａｓ電流阻止層。 ０、Ｓｆｉ Ｏ，４！１ １６−Ｎ−ＧａＡｓ光吸収層、 ｚ Ｚ−Ｐ−Ｏａ Ａｅ Ａｓ被覆層、２２・・・Ｐ−
ＧａＡ８コンタクト層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ］０ 第２図 （ａ） ６ 第２図
構造を示すｌ断面図、第２図（ａｌ〜（ｄｉは本発明の
一実施例に係わる半導体レーザの製造工程を示す断面図
である。 １１−Ｎ−（ＪａＡｓ基板。 Ｊ ｘ −＝Ｎ−Ｇａ ｉｅ Ａｓクラッド層、Ｏ４０
０，４５ １３・・・アンドープｔＪ ａ Ａ −１＝ Ａ ｓ活
性層、０．８５ ０．ｉｓ １４−−−Ｐ−Ｇａ Ａ、＃ Ａｓクラッド層、（１，
５！Ｉ Ｏ，４Ｂ １５−Ｎ−（ｌａ Ａ、Ｉ！−Ａｓ電流阻止層。 ０、Ｓｆｉ Ｏ，４！１ １６−Ｎ−ＧａＡｓ光吸収層、 ｚ Ｚ−Ｐ−Ｏａ Ａｅ Ａｓ被覆層、２２・・・Ｐ−
ＧａＡ８コンタクト層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ］０ 第２図 （ａ） ６ 第２図
Claims (2)
- （１） 化合物半導体材料からなりダブル・ヘテロ接合
（トマ造をイ１する半導１入レーザ装置において、活性
層の基板と反対側面上に成長形成された該活性層より屈
折率の小さいクラッド層と、このクラッド層上に成長形
成され、かつストライブ状の１１ｈ部が形成された上記
クラッド層とは逆導長形成され、かつ１配溝部上に該溝
部より幅の広いストライプ状の溝部が形成された前記ク
ラッド層及び／［、ＩＡＥ阻止層より屈折率の大きい光
吸収層と、前記各６部を含み光吸収層上に成長形成され
た耐１記クラッド層と同所電型で前記活性１・ηより屈
折率の小さい被覆層とを具備してなることを特徴とする
半導体レーザ装置。 - （２） 前記光吸収層は、１１Ｊ記電流阻止層と同導電
型であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11137683A JPS603181A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11137683A JPS603181A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS603181A true JPS603181A (ja) | 1985-01-09 |
Family
ID=14559614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11137683A Pending JPS603181A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS603181A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01302886A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPH03209897A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| JPH03268471A (ja) * | 1990-03-19 | 1991-11-29 | Sharp Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| JPH03296290A (ja) * | 1990-04-13 | 1991-12-26 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| US6465144B2 (en) | 2000-03-08 | 2002-10-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic toner, process for production thereof, and image forming method, apparatus and process cartridge using the toner |
| EP1039600A3 (en) * | 1999-03-24 | 2003-10-15 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method of fabricating the same |
| US7043175B2 (en) | 2000-11-15 | 2006-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming method and apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5638885A (en) * | 1979-09-07 | 1981-04-14 | Fujitsu Ltd | Light emission semiconductor device |
| JPS56135994A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Fujitsu Ltd | Semiconductor light emitting device |
-
1983
- 1983-06-21 JP JP11137683A patent/JPS603181A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5638885A (en) * | 1979-09-07 | 1981-04-14 | Fujitsu Ltd | Light emission semiconductor device |
| JPS56135994A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Fujitsu Ltd | Semiconductor light emitting device |
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| EP1039600A3 (en) * | 1999-03-24 | 2003-10-15 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method of fabricating the same |
| US6904071B1 (en) | 1999-03-24 | 2005-06-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method of fabricating the same |
| US6465144B2 (en) | 2000-03-08 | 2002-10-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic toner, process for production thereof, and image forming method, apparatus and process cartridge using the toner |
| US7043175B2 (en) | 2000-11-15 | 2006-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming method and apparatus |
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