JPS603178A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS603178A JPS603178A JP11137383A JP11137383A JPS603178A JP S603178 A JPS603178 A JP S603178A JP 11137383 A JP11137383 A JP 11137383A JP 11137383 A JP11137383 A JP 11137383A JP S603178 A JPS603178 A JP S603178A
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- Japan
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- type
- active layer
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- active
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、つくシつけ導波路構造を備えた半導体レーザ
装置の改良に関する。
装置の改良に関する。
ディジタル・オーディオ・ディスク（ＤＡＤ ） 。
ビデオ・ディスク、ドキュメント・７アイル等の光デイ
スク装置や光通信用光源として半導体レーザの応用が開
けるにつれ、半導体レーザの量産化技術が必要となって
いる。従来、半導体レーデ用の澹膜多層へテロ接合結晶
製作技術としては、スライディング・ボート方式による
液相エピタキシャル成長法（ＬＰＥ法）が用いられてい
るが、ＬＰＥ法ではウェハ面積の大型化に限度がある。
スク装置や光通信用光源として半導体レーザの応用が開
けるにつれ、半導体レーザの量産化技術が必要となって
いる。従来、半導体レーデ用の澹膜多層へテロ接合結晶
製作技術としては、スライディング・ボート方式による
液相エピタキシャル成長法（ＬＰＥ法）が用いられてい
るが、ＬＰＥ法ではウェハ面積の大型化に限度がある。
このため、大面積で均−性及び制御性に優れた有機金属
気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）や分子線エピタキシー法（
ＭＢＥ法）等の結晶成長技術が注目されている。
気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）や分子線エピタキシー法（
ＭＢＥ法）等の結晶成長技術が注目されている。
ＭＯＣＶＤ法の特徴を住かした作９付は導波路レーザと
言えるものに、（アプライド・フィソックスレター誌、
第３７号３号２６２頁、１９８０年）に発表さｔた第１
図に示す如き半導体レーザがある。なお、図中１はＮ
−ＧａＡｓ基板、２はＮ−ＧａＡｔＡｓクラッド層、３
はＧａＡｔＡｓ活性層、４はＰ−ＧａＡｔＡｓクラッド
層、５はＮ−ＧａＡｓ ｉｔｊ流阻流層止層はＰ−Ｇａ
ＡｔＡｓ被覆層、７はＰ−ＧａＡ＋＋コンタクト層、８
．９は金属？１．極を示している。この構造においては
、ｉ＝電流阻止層によシ活性層への電流注入がストライ
プ状に限定されると同時に、活性層に導波芒れた光が電
流阻止層５及び′ｔＪ！；、覆層まで滲み出し、その結
果ストライプ直下とそれ以外の部分とで異った複屈折率
差を生じ、これによりストライプ直下ＨａＳ分に導波さ
れたモードが形成されることになる。すなわち、電流阻
止層５によって、電流狭窄による利得導波路構造と作シ
付は届す１率導波路構造とが自己整合的に形成されるこ
とになる。そして、著名等の報告によれは、室温パルス
発振では５０ ［ｍＡ ：Ｉ程度とかなｐ低いしきい値
か得られ、誠だ単一モード発振が達成され横モードが十
分良く制御はれることが示されている。
言えるものに、（アプライド・フィソックスレター誌、
第３７号３号２６２頁、１９８０年）に発表さｔた第１
図に示す如き半導体レーザがある。なお、図中１はＮ
−ＧａＡｓ基板、２はＮ−ＧａＡｔＡｓクラッド層、３
はＧａＡｔＡｓ活性層、４はＰ−ＧａＡｔＡｓクラッド
層、５はＮ−ＧａＡｓ ｉｔｊ流阻流層止層はＰ−Ｇａ
ＡｔＡｓ被覆層、７はＰ−ＧａＡ＋＋コンタクト層、８
．９は金属？１．極を示している。この構造においては
、ｉ＝電流阻止層によシ活性層への電流注入がストライ
プ状に限定されると同時に、活性層に導波芒れた光が電
流阻止層５及び′ｔＪ！；、覆層まで滲み出し、その結
果ストライプ直下とそれ以外の部分とで異った複屈折率
差を生じ、これによりストライプ直下ＨａＳ分に導波さ
れたモードが形成されることになる。すなわち、電流阻
止層５によって、電流狭窄による利得導波路構造と作シ
付は届す１率導波路構造とが自己整合的に形成されるこ
とになる。そして、著名等の報告によれは、室温パルス
発振では５０ ［ｍＡ ：Ｉ程度とかなｐ低いしきい値
か得られ、誠だ単一モード発振が達成され横モードが十
分良く制御はれることが示されている。
なお、上記構造のレーザは基板ｌから電流阻１１−Ｊ頓
５″！、での第１回目の結晶成長と、電流阻止層５の一
部をストライプ状にエツチングしたのちの被覆層６及び
コンタクト層７を形成する第２回目の結晶成長とち５２
段階の結晶成長プロセスによシ作成される。ここで、ｇ
ＰＪ２回目の結晶成長の開始時点におりるクラッド層７
への成長は、一旦表面が空気中に晒されたＧａＡｔＡｇ
面上への成長である。このため、従来のＬＰＥ法では成
長が難しく、ＧａＡｔＡｓ面上への成長が容易なＭＯＣ
ＶＤ法によって始めて制もＪ住良く制作できるようにな
ったものである。
５″！、での第１回目の結晶成長と、電流阻止層５の一
部をストライプ状にエツチングしたのちの被覆層６及び
コンタクト層７を形成する第２回目の結晶成長とち５２
段階の結晶成長プロセスによシ作成される。ここで、ｇ
ＰＪ２回目の結晶成長の開始時点におりるクラッド層７
への成長は、一旦表面が空気中に晒されたＧａＡｔＡｇ
面上への成長である。このため、従来のＬＰＥ法では成
長が難しく、ＧａＡｔＡｓ面上への成長が容易なＭＯＣ
ＶＤ法によって始めて制もＪ住良く制作できるようにな
ったものである。
ところで、この釉のレーザではＧａＡｓ基板としてＮ型
基板が用いら、ｆしるが、こねは電流阻止効果の点で電
流狭窄層５がＮ型と外る方が有利なためである。すなわ
ち、第１図に示す構造のレーザにおいては、電極部に垂
直なＫｌｒ ｒｉｒｉについて見たとき、電流狭窄層が
欠損したストライブ部分には単なるＰＮ接合があるのみ
であるのに対し、ストライプ部分両側にはＰＮＰＮ＆合
が形成されている。このため、順方向電圧を印加したと
き、ＰＮＰＮ接合の１つのＰＮ接合には逆バイアスが印
加されることになＪ、ＰＮＰＮ接合部を通して電流が流
れることは殆んどなく、ストライプ部分にのみ電流が流
れることになる。しかしながら、ＰＮＰＮ接合は一種の
サイリスタ構造となってお勺電流阻止層５が活性Ｎ３の
発光によって励起されたり、或いは高バイアス状態では
電流阻止層５に多数キャリアが注入されサイリスタがＯ
Ｎ状態となシ、電流阻止効果が消失する事態が発生する
。これを抑制するには、電流阻止層５における少数キャ
リアの拡散長に比べて電流阻止層５の厚みが十分大きい
条件が満たされる必侠がある。この場合、少数キャリア
が正孔で拡散長が１〔μｍ〕以下であるＮ−ＧａＡｇ層
の方が、少数キャリアがｔ子で拡散長が数〔μｍ〕と長
いｐ −ＧａＡｇ層よシも上記条件を満たし易い。以上
よシ、電流阻止層５がＰ型となるＰＭ基板を用いるより
もＮ型基板を用いた方が有利だと１える。
基板が用いら、ｆしるが、こねは電流阻止効果の点で電
流狭窄層５がＮ型と外る方が有利なためである。すなわ
ち、第１図に示す構造のレーザにおいては、電極部に垂
直なＫｌｒ ｒｉｒｉについて見たとき、電流狭窄層が
欠損したストライブ部分には単なるＰＮ接合があるのみ
であるのに対し、ストライプ部分両側にはＰＮＰＮ＆合
が形成されている。このため、順方向電圧を印加したと
き、ＰＮＰＮ接合の１つのＰＮ接合には逆バイアスが印
加されることになＪ、ＰＮＰＮ接合部を通して電流が流
れることは殆んどなく、ストライプ部分にのみ電流が流
れることになる。しかしながら、ＰＮＰＮ接合は一種の
サイリスタ構造となってお勺電流阻止層５が活性Ｎ３の
発光によって励起されたり、或いは高バイアス状態では
電流阻止層５に多数キャリアが注入されサイリスタがＯ
Ｎ状態となシ、電流阻止効果が消失する事態が発生する
。これを抑制するには、電流阻止層５における少数キャ
リアの拡散長に比べて電流阻止層５の厚みが十分大きい
条件が満たされる必侠がある。この場合、少数キャリア
が正孔で拡散長が１〔μｍ〕以下であるＮ−ＧａＡｇ層
の方が、少数キャリアがｔ子で拡散長が数〔μｍ〕と長
いｐ −ＧａＡｇ層よシも上記条件を満たし易い。以上
よシ、電流阻止層５がＰ型となるＰＭ基板を用いるより
もＮ型基板を用いた方が有利だと１える。
しかしながら、Ｎ型基板を用いた場合でも、確実な電流
狭窄効果を得ることは必ずしも容易ではない。これは、
上述した如く活性層の発光によって光励起されるＧａＡ
ｓを飛流狭窄層として弔いているからである。この観点
から、電流阻止層を活性層の発光に対して透明な結晶で
あるＮ −Ｇａ ｏ 、５ｓＡｔｏ、４５Ａ ８層で置
き換えた構造が考えられる。しかし、この構造では前記
第１図の構造に比較すれば電流狭窄効果は明らかになる
ものの、作シ付は導波路効果は全く異なったものとなる
。すなわち、第１図の構造では活性層に導波婆れた光が
クラッド層を通して電流明止層まで滲み出し吸収を受け
ることによって、接合面に水平方向に等測的複屈折率の
虚数分部分に差が形成され光がガイドされるわけである
が、電流阻止層を活性層の発光に対し透明な結晶とする
と、活性層に導波された光がクラッド層を通して電流阻
止層まで参み出し感じるのは複素屈折率の実数部分であ
り、その実数部分の差によって光がガイドされるが導波
路効果は電流限光層が光を吸収する場合とは大きく異な
る。例えは、電流阻止層が透明な場合には、ストライプ
状溝側面のへテロ界面の凹凸のために散乱されたレーザ
光が電流阻止層を通して放射され、レーザから出射され
たビームパターンに乱れを生じせしめる原因となってい
た。電流阻止層が光を吸収する場合にはこうした乱れは
生じない。
狭窄効果を得ることは必ずしも容易ではない。これは、
上述した如く活性層の発光によって光励起されるＧａＡ
ｓを飛流狭窄層として弔いているからである。この観点
から、電流阻止層を活性層の発光に対して透明な結晶で
あるＮ −Ｇａ ｏ 、５ｓＡｔｏ、４５Ａ ８層で置
き換えた構造が考えられる。しかし、この構造では前記
第１図の構造に比較すれば電流狭窄効果は明らかになる
ものの、作シ付は導波路効果は全く異なったものとなる
。すなわち、第１図の構造では活性層に導波婆れた光が
クラッド層を通して電流明止層まで滲み出し吸収を受け
ることによって、接合面に水平方向に等測的複屈折率の
虚数分部分に差が形成され光がガイドされるわけである
が、電流阻止層を活性層の発光に対し透明な結晶とする
と、活性層に導波された光がクラッド層を通して電流阻
止層まで参み出し感じるのは複素屈折率の実数部分であ
り、その実数部分の差によって光がガイドされるが導波
路効果は電流限光層が光を吸収する場合とは大きく異な
る。例えは、電流阻止層が透明な場合には、ストライプ
状溝側面のへテロ界面の凹凸のために散乱されたレーザ
光が電流阻止層を通して放射され、レーザから出射され
たビームパターンに乱れを生じせしめる原因となってい
た。電流阻止層が光を吸収する場合にはこうした乱れは
生じない。
本発明の目的は、複素屈拓率差による作シ付は導波効果
及び電流Ｉｊ１止層による電流狭窄効果の双方を確実に
得ることができ、しきい値電流の低下や電流−光出力特
性の向上等をはかシ得る半導体レーザ装置ｍ’ｌｒ＆供
することにある。
及び電流Ｉｊ１止層による電流狭窄効果の双方を確実に
得ることができ、しきい値電流の低下や電流−光出力特
性の向上等をはかシ得る半導体レーザ装置ｍ’ｌｒ＆供
することにある。
本発明の骨子は、クラッド層と被覆層との間に挿入する
電流阻止層を２層に分け、それぞれの層に光吸収と電流
狭窄との作用を独立に持たせることにめる。
電流阻止層を２層に分け、それぞれの層に光吸収と電流
狭窄との作用を独立に持たせることにめる。
すなわち木兄ＢＩＪは、活性層に対し基板と反対側のク
ラッド層上に電流狭窄及び光吸収のための異種層をスト
ライプ状部分を除いて形成し、かつこの上に被覆層を形
成してなシ、電流狭窄効果及び作シ付は導波効果を持た
せた半導体レーザ装置において、上記異利・層を少なく
とも２層に形成し、その活性層に近い側を該活性層よシ
パンド・ギヤソゲの小さい半導体層とし、かつ活性層に
遠い側を該活性層よシパンド・ギャップが大きく上記ク
ラッド層と導電型の異なる半導体層とするようにしたも
のである。
ラッド層上に電流狭窄及び光吸収のための異種層をスト
ライプ状部分を除いて形成し、かつこの上に被覆層を形
成してなシ、電流狭窄効果及び作シ付は導波効果を持た
せた半導体レーザ装置において、上記異利・層を少なく
とも２層に形成し、その活性層に近い側を該活性層よシ
パンド・ギヤソゲの小さい半導体層とし、かつ活性層に
遠い側を該活性層よシパンド・ギャップが大きく上記ク
ラッド層と導電型の異なる半導体層とするようにしたも
のである。
本発明によれば、異種層の活性層に近い側にクラッド層
とは複素屈折率が異なる層、つ１シ光吸収層が形成され
、活性層に遠い側にはクラッド層と逆導電型の層、つま
シ箪Ｍ（、阻止層が形成きれる。このため、活性層に導
波された光は上記光吸収層に滲み出すことになる。した
がつで、前記第１図に示す電流阻止層を活性層の発光に
対し透明な結晶層とした場合のように不要な反射光が放
射され、ビームパターンが乱れることもなく、第１図の
レーザと比較しても作シ付は導波効果が小きく力ること
もない。
とは複素屈折率が異なる層、つ１シ光吸収層が形成され
、活性層に遠い側にはクラッド層と逆導電型の層、つま
シ箪Ｍ（、阻止層が形成きれる。このため、活性層に導
波された光は上記光吸収層に滲み出すことになる。した
がつで、前記第１図に示す電流阻止層を活性層の発光に
対し透明な結晶層とした場合のように不要な反射光が放
射され、ビームパターンが乱れることもなく、第１図の
レーザと比較しても作シ付は導波効果が小きく力ること
もない。
また、本発明では活性層に遠い側の電流阻止層のバンド
・ギャソｆを活性層のそれより大きくしているので、活
性層の発光波長に対し透明な電流阻止層が光励起される
ことはない。このため、電流狭窄効果がよシ確実となシ
、しきい値電流の低下や高注入レベルでの電流−光出力
特性の異常現象を抑えることができる。
・ギャソｆを活性層のそれより大きくしているので、活
性層の発光波長に対し透明な電流阻止層が光励起される
ことはない。このため、電流狭窄効果がよシ確実となシ
、しきい値電流の低下や高注入レベルでの電流−光出力
特性の異常現象を抑えることができる。
第２図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザの概略
構造を示す断面図である。図中１１はＮ−ＧａＡｓ 、
２＋！：、板、１２はＮ’ −Ｇａ ｏ 、ｓ ５Ａｔ
ｏ、４５Ａ８クラッド層、１３はアンドープＧａｏ 、
ａｓＡｔｇ 、１５Ａ８活性層、１４はＰ−ＧａＯ，５
５ＡｔＯ，４５Ａｓクラッド層、１５はＮ−ＧａＡｓ光
吸収層、１６はＮ−Ｇａ００５５Ａｔｏ、４ｓＡ８ ｉ
１流阻止層、１７はＰ −Ｇａ Ｏ，５５ＡＺＯ，４５
Ａ ８被ａｍ、１８はＰ−ＧａＡｓ コンタクト層、１
９．２０は金ｈ％極全それぞれ示している。
構造を示す断面図である。図中１１はＮ−ＧａＡｓ 、
２＋！：、板、１２はＮ’ −Ｇａ ｏ 、ｓ ５Ａｔ
ｏ、４５Ａ８クラッド層、１３はアンドープＧａｏ 、
ａｓＡｔｇ 、１５Ａ８活性層、１４はＰ−ＧａＯ，５
５ＡｔＯ，４５Ａｓクラッド層、１５はＮ−ＧａＡｓ光
吸収層、１６はＮ−Ｇａ００５５Ａｔｏ、４ｓＡ８ ｉ
１流阻止層、１７はＰ −Ｇａ Ｏ，５５ＡＺＯ，４５
Ａ ８被ａｍ、１８はＰ−ＧａＡｓ コンタクト層、１
９．２０は金ｈ％極全それぞれ示している。
上記構造のレーザは第３図（、）〜（ｃ）に示す工程に
よって実現される。ます、第３図（ａ）に示す如く面方
位（１００）のＮ−ＧａＡｓ基板１ｚ（ｓｔドドーＩ
Ｘ １０１”ｃｍ−３）上に厚さ３〔μｍ〕のＮ−Ｇａ
０Ａ’ｉ”’ｎ、４５Ａ８り７ ｙド層１２（Ｓｅドー
ｆ ｌ ｘ Ｉ ９１７ｃｍ−３）、厚さ０．１〔μｍ
〕のＧａｏ、Ｂ５Ａｔｏ、１５Ａ８活性層１３、厚さ０
．４〔μｍ〕のＰ ”−Ｇａ ｏ 、５ｓＡＺｏ 、４
５Ａａクラッド層１４（Ｚｎドーｆ７×１０１８ｃｒｒ
Ｌ−３）、厚さｏ５〔μｍ〕のＮ−ＧａＡｓ光吸収層Ｊ
５（Ｓｅドドー５ Ｘ １０１８ｃａｔ−３）及び厚さ
０．５〔μｍ〕のＮ−Ｇａｏ、５５Ａ／−ｐ、４５Ａ８
電流阻止層１６（Ｓｅドー７０５×１０１８Ｃｒｎ−３
）を順次成長形成した。この第１回目の気相成長にはＭ
ＯＣＶＤ法を用い、成長条件は基板温度７５０［℃）、
Ｖ／ｍ−２０，キャリアガス（Ｈ２）の流’ＩＪ〜１０
（１３／ ｍ１ｎ）、原料はトリメチルガリウム（Ｔ
ＭＧ ： （ｃＨ）ｓ Ｇａ ）、トリメチルアルミニ
ウム（ＴＭＡ ： （ＣＨ３）３ｈｔ ）、アルシン（
ＡｓＦ３）、ｐドーパント：ジエチル亜鉛（ＤＥＺ 二
（Ｃ２Ｈ５）２Ｚｎ ）、ｎドーパント：セレン化水素
（Ｈ２Ｓ ｅ ）で、成長速度は０．２５ Ｃｋｍ／
ｍｉｎ 〕であった。なお、第１回目の結晶成長では必
ずしもＭＯ−ＣＶＤ法を用いる心太はないが、大面積で
均一性の良い結晶成長が可能なＭＯ−ＣＶＤ法を用いる
ことは、量産化を考えた場合ＬＰＥ法に比べて有利であ
る。
よって実現される。ます、第３図（ａ）に示す如く面方
位（１００）のＮ−ＧａＡｓ基板１ｚ（ｓｔドドーＩ
Ｘ １０１”ｃｍ−３）上に厚さ３〔μｍ〕のＮ−Ｇａ
０Ａ’ｉ”’ｎ、４５Ａ８り７ ｙド層１２（Ｓｅドー
ｆ ｌ ｘ Ｉ ９１７ｃｍ−３）、厚さ０．１〔μｍ
〕のＧａｏ、Ｂ５Ａｔｏ、１５Ａ８活性層１３、厚さ０
．４〔μｍ〕のＰ ”−Ｇａ ｏ 、５ｓＡＺｏ 、４
５Ａａクラッド層１４（Ｚｎドーｆ７×１０１８ｃｒｒ
Ｌ−３）、厚さｏ５〔μｍ〕のＮ−ＧａＡｓ光吸収層Ｊ
５（Ｓｅドドー５ Ｘ １０１８ｃａｔ−３）及び厚さ
０．５〔μｍ〕のＮ−Ｇａｏ、５５Ａ／−ｐ、４５Ａ８
電流阻止層１６（Ｓｅドー７０５×１０１８Ｃｒｎ−３
）を順次成長形成した。この第１回目の気相成長にはＭ
ＯＣＶＤ法を用い、成長条件は基板温度７５０［℃）、
Ｖ／ｍ−２０，キャリアガス（Ｈ２）の流’ＩＪ〜１０
（１３／ ｍ１ｎ）、原料はトリメチルガリウム（Ｔ
ＭＧ ： （ｃＨ）ｓ Ｇａ ）、トリメチルアルミニ
ウム（ＴＭＡ ： （ＣＨ３）３ｈｔ ）、アルシン（
ＡｓＦ３）、ｐドーパント：ジエチル亜鉛（ＤＥＺ 二
（Ｃ２Ｈ５）２Ｚｎ ）、ｎドーパント：セレン化水素
（Ｈ２Ｓ ｅ ）で、成長速度は０．２５ Ｃｋｍ／
ｍｉｎ 〕であった。なお、第１回目の結晶成長では必
ずしもＭＯ−ＣＶＤ法を用いる心太はないが、大面積で
均一性の良い結晶成長が可能なＭＯ−ＣＶＤ法を用いる
ことは、量産化を考えた場合ＬＰＥ法に比べて有利であ
る。
次に、第３図（ｂ）に示す如く電流阻止層１６上にフォ
トレジスト２１を塗布し、該レジスト２１に幅３〔μｍ
〕のストライプ状窓を形成し、これをマスクとして電流
阻止層１６及び光吸収層１５からなる異種層を選択エツ
チングし、ストライプ状の溝２２を形成した。次いで、
レジスト２１を除去し表面洗浄処理を施したのち、第２
回目の結晶成長をＭＯＣＶＤ法で行った。すなわち、第
３図（ｃ）に示す如く全面に厚さ２〔μｍ〕のＰ−Ｇａ
ｏ 、５ ｓＡＬｇ 、４５ Ａ８被覆層１７（ｚｎ
ドープ５×１０１８ｍ−３）及び厚さ２〔μｍ〕のＰ
−ＧａＡｓコンタクト層１８（ＺｎドドーｌＸｌ０．）
を順次成長形成した。
トレジスト２１を塗布し、該レジスト２１に幅３〔μｍ
〕のストライプ状窓を形成し、これをマスクとして電流
阻止層１６及び光吸収層１５からなる異種層を選択エツ
チングし、ストライプ状の溝２２を形成した。次いで、
レジスト２１を除去し表面洗浄処理を施したのち、第２
回目の結晶成長をＭＯＣＶＤ法で行った。すなわち、第
３図（ｃ）に示す如く全面に厚さ２〔μｍ〕のＰ−Ｇａ
ｏ 、５ ｓＡＬｇ 、４５ Ａ８被覆層１７（ｚｎ
ドープ５×１０１８ｍ−３）及び厚さ２〔μｍ〕のＰ
−ＧａＡｓコンタクト層１８（ＺｎドドーｌＸｌ０．）
を順次成長形成した。
これ以降は、通常の電極材は工程によシコンタクト層１
８上にＣｕ−Ａｒ’％：極層を、基板１１下面にＡｕ−
Ｇｅｔ４杉を波光した。かくして得られた試料を、へき
開によシ共振器長２５０〔μｍ〕の７アブリペロー型レ
ーザに切シ出した素子の特性は、しきい値電流５０ ［
ｍＡ］と低く微分・ｉ子効果も７０〔％〕と良好であっ
た。また、レーザ端面より放射されたレーザ光ビームの
接合面に水平方向、垂直方向のビームウェストの差は５
〔μｍ〕と小さく、ストライプ部分に良くモードが導波
されていることが確認できた。
８上にＣｕ−Ａｒ’％：極層を、基板１１下面にＡｕ−
Ｇｅｔ４杉を波光した。かくして得られた試料を、へき
開によシ共振器長２５０〔μｍ〕の７アブリペロー型レ
ーザに切シ出した素子の特性は、しきい値電流５０ ［
ｍＡ］と低く微分・ｉ子効果も７０〔％〕と良好であっ
た。また、レーザ端面より放射されたレーザ光ビームの
接合面に水平方向、垂直方向のビームウェストの差は５
〔μｍ〕と小さく、ストライプ部分に良くモードが導波
されていることが確認できた。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えは、前記光吸収層は電流阻止の観点からはＮ型
の方が好ましいが、その上部にＮ型驚流阻止層が存在す
るためＰ型であってもよい。また、構成羽科としてはＧ
ａＡｔＡｇに限るものではなく、ＩｎＧａＡｓＰ ＋Ａ
ｔＧａＩｎＰ等の化合物半導体材料を用いてもよい。さ
らに、結晶成長法として、ＭＯＣｖＤ法の代シにＭＢＥ
法を用いることも可能である。プだ、基板としてＰ型基
板を用い、各層の導電型を逆にすることも可能でおる。
い。例えは、前記光吸収層は電流阻止の観点からはＮ型
の方が好ましいが、その上部にＮ型驚流阻止層が存在す
るためＰ型であってもよい。また、構成羽科としてはＧ
ａＡｔＡｇに限るものではなく、ＩｎＧａＡｓＰ ＋Ａ
ｔＧａＩｎＰ等の化合物半導体材料を用いてもよい。さ
らに、結晶成長法として、ＭＯＣｖＤ法の代シにＭＢＥ
法を用いることも可能である。プだ、基板としてＰ型基
板を用い、各層の導電型を逆にすることも可能でおる。
その他、本発明の太旨を逸脱しない範囲で、種々変形し
て実施することができる。
て実施することができる。
第１図は従来の半導体レーザの概略構造を示す断面１図
、第２図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザの概
略構造葡示す断面図、第３図（−）〜（Ｃ）は上記実施
例レーザの製造工程を示す断面図である。 １１ ” Ｎ−ＧａＡｓ 表板、１２−’ Ｎ−Ｇａｏ
、５５Ａｊ、、４．Ａｓクラッド層、ｌ ３−・・アン
ドーグＧＩＬｏ、Ｂ５Ａｔｏ、１５ｋＢ活性層、１４
”’ Ｐ−Ｇａｏ、５５Ａｔｏ、４５Ａｓクラッド層、
１５−Ｎ−ＧａＡｓ 光吸収層、１６・” Ｎ−Ｇａｏ
、５５ＡＬ０．４５Ａ８電流阻止層、１７ ”’ Ｐ
−Ｇａｏ、５５ＡｔＯ，４５Ａ８ 被１１− 層、１８
・・・Ｐ−ＧａＡｓ コンタクト層。 出願人イ（埋入 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
、第２図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザの概
略構造葡示す断面図、第３図（−）〜（Ｃ）は上記実施
例レーザの製造工程を示す断面図である。 １１ ” Ｎ−ＧａＡｓ 表板、１２−’ Ｎ−Ｇａｏ
、５５Ａｊ、、４．Ａｓクラッド層、ｌ ３−・・アン
ドーグＧＩＬｏ、Ｂ５Ａｔｏ、１５ｋＢ活性層、１４
”’ Ｐ−Ｇａｏ、５５Ａｔｏ、４５Ａｓクラッド層、
１５−Ｎ−ＧａＡｓ 光吸収層、１６・” Ｎ−Ｇａｏ
、５５ＡＬ０．４５Ａ８電流阻止層、１７ ”’ Ｐ
−Ｇａｏ、５５ＡｔＯ，４５Ａ８ 被１１− 層、１８
・・・Ｐ−ＧａＡｓ コンタクト層。 出願人イ（埋入 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
Claims (1)
- 活性層に対し基板と反対側のクラッド層上に該クラッド
層とは導電型及び複素屈折率の異なる異種層をストライ
プ状部分を除いて形成し、かつこの上に上記クラッド層
と同導電型の被覆層を形成してなシ、電流狭窄効果及び
作シ付は導波路効果を持たせたダプロ・ヘテロ接合型の
半導体レーザ装置において、前記異種層は少なくとも２
層に形成され、前記活性層に近い側は該活性層よシバン
ドーギャップの／ｂさい半導体層で、前記活性層に遠い
側は該活性層よシバンド・ギヤラグが大きく前記クラッ
ド層とは逆導電型の半導体層であることを特徴とする半
導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11137383A JPS603178A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11137383A JPS603178A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS603178A true JPS603178A (ja) | 1985-01-09 |
Family
ID=14559543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11137383A Pending JPS603178A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS603178A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62183196A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ |
| JPH01302886A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPH03206679A (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-10 | Nec Corp | 半導体レーザー |
| JPH03227090A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-08 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| JPH03296290A (ja) * | 1990-04-13 | 1991-12-26 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5861695A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-12 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ素子 |
-
1983
- 1983-06-21 JP JP11137383A patent/JPS603178A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5861695A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-12 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ素子 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH03296290A (ja) * | 1990-04-13 | 1991-12-26 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| US5111470A (en) * | 1990-04-13 | 1992-05-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and a method of fabricating the same |
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