JPS6032277B2 - 磁気バブル記憶システム制御装置 - Google Patents
磁気バブル記憶システム制御装置Info
- Publication number
- JPS6032277B2 JPS6032277B2 JP53007147A JP714778A JPS6032277B2 JP S6032277 B2 JPS6032277 B2 JP S6032277B2 JP 53007147 A JP53007147 A JP 53007147A JP 714778 A JP714778 A JP 714778A JP S6032277 B2 JPS6032277 B2 JP S6032277B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- page
- bubble
- data
- magnetic
- storage device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/007—Digital input from or digital output to memories of the shift register type
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Memory System Of A Hierarchy Structure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブル記憶システム制御装置に関するもの
であり、より詳しくは磁気ドメィンチップの様々なバブ
ルアフェクティング機能を調整し、またさらにマルチペ
ージな読み取りおよび書き出し操作を考慮に入れた制御
装置に関するものである。
であり、より詳しくは磁気ドメィンチップの様々なバブ
ルアフェクティング機能を調整し、またさらにマルチペ
ージな読み取りおよび書き出し操作を考慮に入れた制御
装置に関するものである。
近年電子データ処理のための技術の開発において非常な
進歩がみられたので、今日高速で確かなハードウェアが
データ処理設計者にとって得られるようになっている。
進歩がみられたので、今日高速で確かなハードウェアが
データ処理設計者にとって得られるようになっている。
新しく開発された電子的構成部分、特に集積回路を使う
ものは、データを処理するための最新の電子データ処理
装置のキャパシティを大きく増大させた。処理の速度お
よびキャパシティが増加するにつれ、データ記憶要求も
また増大した。現在、パンチカード、パンチテープ、磁
気テープ、磁気ドラム、磁気ディスク、および磁気コア
を含む大量のディジタルデータを記憶するための幾つか
の異なる技術が存在する。これらの全ての記憶のタイプ
において、磁気コアおよびそのソリッドステート記憶の
カウンターパーツを除き、データの任意の特定なビット
を呼び出すために比較的長い時間が要求される。一方、
磁気コアおよびそのセミコソダクタカウンターパーッに
より提供されるような等速呼び出し記憶装置いおいては
、メモリーに記憶された任意の特定なビットあるいはワ
ードはきわめて遠く検索され、情報の任意の記憶された
ビットを読み取るのに必要な時間は電子回路が動作する
のに必要な時間のみである。
ものは、データを処理するための最新の電子データ処理
装置のキャパシティを大きく増大させた。処理の速度お
よびキャパシティが増加するにつれ、データ記憶要求も
また増大した。現在、パンチカード、パンチテープ、磁
気テープ、磁気ドラム、磁気ディスク、および磁気コア
を含む大量のディジタルデータを記憶するための幾つか
の異なる技術が存在する。これらの全ての記憶のタイプ
において、磁気コアおよびそのソリッドステート記憶の
カウンターパーツを除き、データの任意の特定なビット
を呼び出すために比較的長い時間が要求される。一方、
磁気コアおよびそのセミコソダクタカウンターパーッに
より提供されるような等速呼び出し記憶装置いおいては
、メモリーに記憶された任意の特定なビットあるいはワ
ードはきわめて遠く検索され、情報の任意の記憶された
ビットを読み取るのに必要な時間は電子回路が動作する
のに必要な時間のみである。
しかしながら、速度の増大はまたコストの増大をも引き
起こす。従って、一般に上述のメモリーを考えると、記
憶された情報の1ビットあたりのコストは最も遅い装置
において最も安くなり、また最も遠い装置において最も
高くなる。それゆえに、長いデータ検索時間を特徴とす
るが、磁気コアおよびソリッドステート記憶配列よりも
安価な大きいキャパシティのメモリーを開発する努力が
なされてきた。このことについて、一般に磁気ドメィン
装置あるいは「磁気バブル」と呼ばれる一種の磁気装置
における重要性が最近明きらかになった。
起こす。従って、一般に上述のメモリーを考えると、記
憶された情報の1ビットあたりのコストは最も遅い装置
において最も安くなり、また最も遠い装置において最も
高くなる。それゆえに、長いデータ検索時間を特徴とす
るが、磁気コアおよびソリッドステート記憶配列よりも
安価な大きいキャパシティのメモリーを開発する努力が
なされてきた。このことについて、一般に磁気ドメィン
装置あるいは「磁気バブル」と呼ばれる一種の磁気装置
における重要性が最近明きらかになった。
これらの装置は例え ばlEEE Transacti
on ofN艦gneticsのVol.MAG一5,
No.3(1969),pp.544一553,“Ap
pljcationof○r比ofeniにs toD
omain−WallDevic〆に記述されている。
これらの磁気ドメィン装置は一般に平面状で、機構の平
面に実質的に垂直な、磁気的に容易な方向を持つ材料で
構成されている。磁化のアンアィソトロピー、保磁性、
および移動度などの磁気的性質は装置の平面に実質的に
垂直な方向の磁化による磁気的な飽和を維持し、全体的
な分極方向に反対にそろえられた磁化の小さな局部的な
単一の領域を維持することを可能にする。一般に円筒形
の形状をなすこれらの局部的な領域は二進法のメモリー
ビットを表わす。これらの装置における重要性の大部分
は円筒形磁気ドメインの獲得可能な高密度およびそれが
形成される平面における磁気材料の境界に依存しない能
力によりバブルが様々なデータ処理操作を果すために磁
気材料の平面のどこにでも移動することができるという
ことに基礎をおいている。磁気ドメィンは、磁気材料に
隣接して位置しているあるパターの導線に通じる電流の
プログラミングによるかまたは周囲の磁場を変化させる
ことにより巧みに処理することができる。
on ofN艦gneticsのVol.MAG一5,
No.3(1969),pp.544一553,“Ap
pljcationof○r比ofeniにs toD
omain−WallDevic〆に記述されている。
これらの磁気ドメィン装置は一般に平面状で、機構の平
面に実質的に垂直な、磁気的に容易な方向を持つ材料で
構成されている。磁化のアンアィソトロピー、保磁性、
および移動度などの磁気的性質は装置の平面に実質的に
垂直な方向の磁化による磁気的な飽和を維持し、全体的
な分極方向に反対にそろえられた磁化の小さな局部的な
単一の領域を維持することを可能にする。一般に円筒形
の形状をなすこれらの局部的な領域は二進法のメモリー
ビットを表わす。これらの装置における重要性の大部分
は円筒形磁気ドメインの獲得可能な高密度およびそれが
形成される平面における磁気材料の境界に依存しない能
力によりバブルが様々なデータ処理操作を果すために磁
気材料の平面のどこにでも移動することができるという
ことに基礎をおいている。磁気ドメィンは、磁気材料に
隣接して位置しているあるパターの導線に通じる電流の
プログラミングによるかまたは周囲の磁場を変化させる
ことにより巧みに処理することができる。
例えば、磁気ドメィンは薄い板であって板に垂直な容易
な磁軸を伴う単一軸のアンアィソトロピーを持ち、希士
オーソフェリテス、希士アルミニウムおよびガリウムで
置換された鉄ガーネットおよび希士コバルトあるいは鉄
の非結晶質合金のような材料を含んでいる板の形にする
ことができる。磁気バブルはデータ処理操作を行なうた
めに伝搬したり消したり、レプリケートしたり操縦した
りすることができ、またバブルの存在および不在は検知
されるので、これらのバブルは記憶操作に必須の基本的
な機能を果たすために使用することができる。実施可能
な磁気ドメィンの多くの構造上の機構が文献に開示され
ている。最も普及しているものの1つは、米国特許第3
,61& 054に開示されているメージャー・マイナ
ー記憶機構である。メージャ−・マイナー・ループ記憶
機構はその実行および操作と同様当業者にはよく知られ
ている。メージヤーマィナーループ記憶機構は、例えば
希士オーソフェラィトの板の上のTバーのパーマロィ回
路の配列により通常設置される閉じたメージヤーループ
を含む。磁気ドメィンは平面内で回転している磁場の作
用によりループのまわりを伝搬される。メージヤールー
プは一般に多数のマイナーループをその横に並べること
を許容するために引き伸ばされる。二股の転送ゲートは
磁気ドメィンがマイナーループからメージヤーループへ
、またメージヤ−ループからマイナーループへ移行する
のを許す。メージャーループのより以上の検索はそこへ
の検知および読み取り接続、分離書き出し接続およびと
り消し接続により成し遂げられる。上述の機構はループ
における伝搬が平面内の場の回転と同期しているので同
期されたドメィンパターンを許す。即ち、複数のマイナ
ーループからのデータドメィンの平行はメージヤールー
プと同時になされる。さらに、複数のデータチップは、
各々メージャーループと複数の関連するマイナーループ
と共に、一諸に扱うことができる。通常このようなデー
タチップを何列かに配列し、それからコンプレックスメ
モリー機構を得るために何列ものデータチップを時間多
重層に積みかさね、すべてのループおよびすべてのチッ
プのデータドメィンは、平面内回転に同期させられる。
通常、チップの中のすべてのマイナーループは命令によ
ってバブルをそれらの対応する位置からメージャールー
プに平行に移動させる。
な磁軸を伴う単一軸のアンアィソトロピーを持ち、希士
オーソフェリテス、希士アルミニウムおよびガリウムで
置換された鉄ガーネットおよび希士コバルトあるいは鉄
の非結晶質合金のような材料を含んでいる板の形にする
ことができる。磁気バブルはデータ処理操作を行なうた
めに伝搬したり消したり、レプリケートしたり操縦した
りすることができ、またバブルの存在および不在は検知
されるので、これらのバブルは記憶操作に必須の基本的
な機能を果たすために使用することができる。実施可能
な磁気ドメィンの多くの構造上の機構が文献に開示され
ている。最も普及しているものの1つは、米国特許第3
,61& 054に開示されているメージャー・マイナ
ー記憶機構である。メージャ−・マイナー・ループ記憶
機構はその実行および操作と同様当業者にはよく知られ
ている。メージヤーマィナーループ記憶機構は、例えば
希士オーソフェラィトの板の上のTバーのパーマロィ回
路の配列により通常設置される閉じたメージヤーループ
を含む。磁気ドメィンは平面内で回転している磁場の作
用によりループのまわりを伝搬される。メージヤールー
プは一般に多数のマイナーループをその横に並べること
を許容するために引き伸ばされる。二股の転送ゲートは
磁気ドメィンがマイナーループからメージヤーループへ
、またメージヤ−ループからマイナーループへ移行する
のを許す。メージャーループのより以上の検索はそこへ
の検知および読み取り接続、分離書き出し接続およびと
り消し接続により成し遂げられる。上述の機構はループ
における伝搬が平面内の場の回転と同期しているので同
期されたドメィンパターンを許す。即ち、複数のマイナ
ーループからのデータドメィンの平行はメージヤールー
プと同時になされる。さらに、複数のデータチップは、
各々メージャーループと複数の関連するマイナーループ
と共に、一諸に扱うことができる。通常このようなデー
タチップを何列かに配列し、それからコンプレックスメ
モリー機構を得るために何列ものデータチップを時間多
重層に積みかさね、すべてのループおよびすべてのチッ
プのデータドメィンは、平面内回転に同期させられる。
通常、チップの中のすべてのマイナーループは命令によ
ってバブルをそれらの対応する位置からメージャールー
プに平行に移動させる。
それからバブルは読み取り位置を通って伝搬される時に
連続的に検知される。新しいデータもまたあとで適当な
時間(メージャーループ磁気ドメイン伝搬がデータの移
動のために整列させられる時)にマイナーループの中へ
の平行移動のために書き出し位置にそう入することがで
きる。この操作はデータの1ページ、即ち任意の時間に
おいてメージャーループのデータの1ページのみの移動
として特徴づけられる。関連したメージャーループのグ
ルーピングへのデータの同時読み取り/書き出し‘ま関
連した磁気ドメインをディジタルあるいは他のコード化
されたワードとして扱う能力を与える。
連続的に検知される。新しいデータもまたあとで適当な
時間(メージャーループ磁気ドメイン伝搬がデータの移
動のために整列させられる時)にマイナーループの中へ
の平行移動のために書き出し位置にそう入することがで
きる。この操作はデータの1ページ、即ち任意の時間に
おいてメージャーループのデータの1ページのみの移動
として特徴づけられる。関連したメージャーループのグ
ルーピングへのデータの同時読み取り/書き出し‘ま関
連した磁気ドメインをディジタルあるいは他のコード化
されたワードとして扱う能力を与える。
データチップの時間多重グループは全メモリーデータレ
ートを1つのチップにおける磁気ドメィン伝搬により許
容されるものより大きく許容するための、データの読み
取りおよび書き出しのタイムシェアリング様式を許容す
る。メージャーマィナーループ機構はバブル情報の1ペ
ージ以上を保有するに十分大きい。
ートを1つのチップにおける磁気ドメィン伝搬により許
容されるものより大きく許容するための、データの読み
取りおよび書き出しのタイムシェアリング様式を許容す
る。メージャーマィナーループ機構はバブル情報の1ペ
ージ以上を保有するに十分大きい。
1つのページは全てのマイナーループの同じ実際上の位
置からメージヤー伝搬通路の上へ1ビットの中からの同
時移動により限定される。
置からメージヤー伝搬通路の上へ1ビットの中からの同
時移動により限定される。
しかしながら、この技術においては上述の様に任意の時
間においてバブルメージャー伝搬通路の範囲内の情報の
1べージを提供することがこれまで一般に行なわれてき
た。バブル機能を起こすために、例えばバブルチップか
らの読み取りおよび書き出しに関していえば、必要なバ
ブル機能を可能にするために、バブルユーザーからバブ
ルメモリー装置への命令信号をフィルタするための制御
機構を持つ必要がある。
間においてバブルメージャー伝搬通路の範囲内の情報の
1べージを提供することがこれまで一般に行なわれてき
た。バブル機能を起こすために、例えばバブルチップか
らの読み取りおよび書き出しに関していえば、必要なバ
ブル機能を可能にするために、バブルユーザーからバブ
ルメモリー装置への命令信号をフィルタするための制御
機構を持つ必要がある。
これまで用いられてきた制御装置は主にバフル機能を簡
単に起こすための単純なタイプのものであった。ユーザ
ーシステムとのインタフェースとしてより適切に動作す
るために、磁気バブルメモリー装置と結合したより高度
な制御装置が強く望まれる。またチップがその最適レベ
ルで動作することを可能にするために調節する機能を持
つ有効な装置を提供するに加えて、制御装置が磁気バブ
ルメモリー装置の置き換えを扱うことができるに十分高
度なものであることも必要である。本発明に従った磁気
ドメィンメモリー制御装置システムの好ましい実施例は
、ユーザーシステムからの命令を受け入れ、またこれら
の命令をシーケンスタイミングシステムに伝えるインタ
フェース制御回路を含む。シーケンサーは必要な操作条
件に関する記憶されたデータを持つプログラム可能なメ
モリー、当面のバブル状態を特定の操作条件と比較する
ための比較器、およびユーザーが満たしたいと望むよう
な、現行の条件に基づくどんな新しい操作条件をも指行
するアドレスレジスターから成っている。制御装置はさ
らにバブルがデータのどのページを現在検索あるいは書
き出しをしているかをユーザーが監視することを可能に
する、カウンタとしジスタのページロケーテイング結合
を含んでいる。このページロケーテイング結合はそれか
ら現在のページを、ユーザーが読み取りあるいは書き出
しを望んでいるページと対照する。それから出力ラツチ
バッフアを通じて記憶装置にバブル機能を可能にする信
号を送ることによって記憶装置の働きを制御するシーケ
ンスタィミング機能を可能にする1つの信号が提供され
る。制御装置はバブルから連続的に読み出しされるよう
にデータを記憶しておくためのデータレジスタおよび揮
発性メモリーによってデータを交換するための磁気バブ
ル記憶装置とインターフェースする。このデータは平行
フオーマットでブロックアウトされ、それから続いてユ
ーザーシステムにより検索される。磁気バブルメモリー
チップもまた全てのキーバブル機能のファンクッション
タイミングを可能にする出力バッファラツチによって制
御装置にインターフェースされる。バブルイベントの固
有タイミングを決定するために、メージヤーループシフ
トカウンタが、例えば検知器からアナィァレィタへ移動
するように、磁気バブルがひとつのファンクッションタ
イミング装置からもう1つの方へ移動するために必要な
バブル伝搬時間を示す数の形の情報を負荷される。磁気
バブルメモリーシステム制御装置がより有効に読み取り
および書き出し操作を実行するようにするために、アク
セシングデータのマルチべ−ジ方式を用いることができ
る。
単に起こすための単純なタイプのものであった。ユーザ
ーシステムとのインタフェースとしてより適切に動作す
るために、磁気バブルメモリー装置と結合したより高度
な制御装置が強く望まれる。またチップがその最適レベ
ルで動作することを可能にするために調節する機能を持
つ有効な装置を提供するに加えて、制御装置が磁気バブ
ルメモリー装置の置き換えを扱うことができるに十分高
度なものであることも必要である。本発明に従った磁気
ドメィンメモリー制御装置システムの好ましい実施例は
、ユーザーシステムからの命令を受け入れ、またこれら
の命令をシーケンスタイミングシステムに伝えるインタ
フェース制御回路を含む。シーケンサーは必要な操作条
件に関する記憶されたデータを持つプログラム可能なメ
モリー、当面のバブル状態を特定の操作条件と比較する
ための比較器、およびユーザーが満たしたいと望むよう
な、現行の条件に基づくどんな新しい操作条件をも指行
するアドレスレジスターから成っている。制御装置はさ
らにバブルがデータのどのページを現在検索あるいは書
き出しをしているかをユーザーが監視することを可能に
する、カウンタとしジスタのページロケーテイング結合
を含んでいる。このページロケーテイング結合はそれか
ら現在のページを、ユーザーが読み取りあるいは書き出
しを望んでいるページと対照する。それから出力ラツチ
バッフアを通じて記憶装置にバブル機能を可能にする信
号を送ることによって記憶装置の働きを制御するシーケ
ンスタィミング機能を可能にする1つの信号が提供され
る。制御装置はバブルから連続的に読み出しされるよう
にデータを記憶しておくためのデータレジスタおよび揮
発性メモリーによってデータを交換するための磁気バブ
ル記憶装置とインターフェースする。このデータは平行
フオーマットでブロックアウトされ、それから続いてユ
ーザーシステムにより検索される。磁気バブルメモリー
チップもまた全てのキーバブル機能のファンクッション
タイミングを可能にする出力バッファラツチによって制
御装置にインターフェースされる。バブルイベントの固
有タイミングを決定するために、メージヤーループシフ
トカウンタが、例えば検知器からアナィァレィタへ移動
するように、磁気バブルがひとつのファンクッションタ
イミング装置からもう1つの方へ移動するために必要な
バブル伝搬時間を示す数の形の情報を負荷される。磁気
バブルメモリーシステム制御装置がより有効に読み取り
および書き出し操作を実行するようにするために、アク
セシングデータのマルチべ−ジ方式を用いることができ
る。
任意の時間にメージャー伝搬通路に1ページ以上読み取
りあるいは書き出しするために、上に示したように磁気
ドメィンメモリー制御装置によって操作の分離方式が創
始される。この方法はユーザーの望む最初のページの、
メージャーループの中への移動およびバブル操作が始め
られる(読み取りおよび書き出し)ある適当な点への移
動を含んでいる。
りあるいは書き出しするために、上に示したように磁気
ドメィンメモリー制御装置によって操作の分離方式が創
始される。この方法はユーザーの望む最初のページの、
メージャーループの中への移動およびバブル操作が始め
られる(読み取りおよび書き出し)ある適当な点への移
動を含んでいる。
第1の移動に続いて、伝搬時間dの後に、データの第2
の望まれたページがメージャーループの中に移動される
。それから両方のページは第2のページの上にバフル操
作を始めるためにメージャーループ内で移動され、その
間に第1のページの上の操作を完了する。最後に両方の
ページはマイナーループへの移動のために第1のページ
をマイナーループと共に並べるために移動される。第1
の移動の後時間幻の間のある時点で、第3の望むページ
をメージャーループに移動することができる。この操作
方式は全ての望まれるページが読み取りあるいは書き出
しされる時間まで続行される。制御装置 さて図面を参照し、特に第1図を見ると、本発明の好ま
しい実施例である磁気ドメィンメモリーシステム制御装
置機構10が図解されている。
の望まれたページがメージャーループの中に移動される
。それから両方のページは第2のページの上にバフル操
作を始めるためにメージャーループ内で移動され、その
間に第1のページの上の操作を完了する。最後に両方の
ページはマイナーループへの移動のために第1のページ
をマイナーループと共に並べるために移動される。第1
の移動の後時間幻の間のある時点で、第3の望むページ
をメージャーループに移動することができる。この操作
方式は全ての望まれるページが読み取りあるいは書き出
しされる時間まで続行される。制御装置 さて図面を参照し、特に第1図を見ると、本発明の好ま
しい実施例である磁気ドメィンメモリーシステム制御装
置機構10が図解されている。
テキサス州ダラ スのTexas l順tmmentl
ncorporated により製造されたTMS80
80あるいはTMS9900の形のユーザーシステム(
図示されていない)は、アドレスバス12により磁気ド
メィンメモリーシステム制御装置10とィンタフェース
している。アドレスバスには制御装置10に4本の情報
ラインを送り、それはテキサス州ダラスのTexasl
nsVmments l比orpoのted により市
販されているアドレスレコーダモデルMJSN741払
のようなアドレスレコーダにより適切に符号解読される
と、制御回路に15の分離したラインによって命令を伝
える。コンディショナル信号16〜21はユーザーシス
テムが、磁気バブルメモリーチップ(示されていない)
のどの操作モードが望まれているかを識別するために、
アドレスレコーダ14からくる制御命令によってインタ
ーフェースコントロール14aにインタフェースされる
。外部信号16、SYNC は、命令シーケンスが開始
することを示す、制御装置10への同期信号である。外
部制御信号17、CS は命令デコードロジツク14を
得させる、制御装置へのチップ選択入力である。外部制
御信号18、WRは、マイクロプロセッサあるいはユー
ザーが書き出し命令を実行していることを示す、制御装
置への書き出し信号である。外部信号19、DBIMま
ユーザーが読み取り命令を実行していることを示す、制
御装置のバスーィン信号である。外部制御装置20およ
び21、RDYおよびINTはデータが望まれる操作の
モードに従って読み取りあるいは書き出しされる用意が
できた事を示すために、ユーザーあるいは制御インタフ
ェースからの非同期命令を与えるために制御装置により
発生させられた信号である。内部制御信号22一28は
バブルシーケンス装置46に続いて送られる。
ncorporated により製造されたTMS80
80あるいはTMS9900の形のユーザーシステム(
図示されていない)は、アドレスバス12により磁気ド
メィンメモリーシステム制御装置10とィンタフェース
している。アドレスバスには制御装置10に4本の情報
ラインを送り、それはテキサス州ダラスのTexasl
nsVmments l比orpoのted により市
販されているアドレスレコーダモデルMJSN741払
のようなアドレスレコーダにより適切に符号解読される
と、制御回路に15の分離したラインによって命令を伝
える。コンディショナル信号16〜21はユーザーシス
テムが、磁気バブルメモリーチップ(示されていない)
のどの操作モードが望まれているかを識別するために、
アドレスレコーダ14からくる制御命令によってインタ
ーフェースコントロール14aにインタフェースされる
。外部信号16、SYNC は、命令シーケンスが開始
することを示す、制御装置10への同期信号である。外
部制御信号17、CS は命令デコードロジツク14を
得させる、制御装置へのチップ選択入力である。外部制
御信号18、WRは、マイクロプロセッサあるいはユー
ザーが書き出し命令を実行していることを示す、制御装
置への書き出し信号である。外部信号19、DBIMま
ユーザーが読み取り命令を実行していることを示す、制
御装置のバスーィン信号である。外部制御装置20およ
び21、RDYおよびINTはデータが望まれる操作の
モードに従って読み取りあるいは書き出しされる用意が
できた事を示すために、ユーザーあるいは制御インタフ
ェースからの非同期命令を与えるために制御装置により
発生させられた信号である。内部制御信号22一28は
バブルシーケンス装置46に続いて送られる。
制御命令22、州IT、は磁気バブルメモリーチップの
ィニシャリゼーションのためのユーザー命令である。
ィニシャリゼーションのためのユーザー命令である。
ィニシャリゼーションは回転磁場の助けによるバブルの
回転の開始およびメージャー伝搬通路からどの古いデー
タも一掃するためのアナイアレィタへの動力供V給を含
んでいる。制御命令信号RDPG、23およびWRPG
、24は各々磁気バブルメモリーの中の1ページを読み
取りおよび書き出しするためのユーザー命令を表わし、
ここで1ページは各々のマイナーループの同じ実際上の
位置からの1ビットの情報として定義される。制御装置
命令25および28はユーザーが望むオペレーションの
モードを表している。即ち、マルチページあるいはシン
グルページオペレーションである。マルチページオペレ
ーションはユーザーがメージヤー伝搬通路における2ペ
ージの情報を同時にオベレートすることを許す。この概
念は後でより詳細に述べる。制御命令信号26、テスト
モードはコントロール固定記憶装置(ROM)42の内
容の確認を可能し、一方命令信号27SW リセットは
ソフトウェアシステムリセットパルスである。ユーザー
がマイナーループの特定のページについて有効に読み取
りあるいは書き込みをするためには、常時バブルチップ
転送、あるいは読み取りあるいは書き込みを可能にする
スワップレプリケートゲートに関するそのページの位置
を知っている必要がある。この情報は、テキサス州ダラ
スのTexaslmtrmmentIncorpora
tedにより製造および市販されているhexDータイ
プレジスターModelSN 74174に類似のペー
ジ選択レジス夕30に望むページの数を置き、そのペー
ジを現在のページの位置と比較することにより得られる
。現在のページの位置はTexas l船tmment
slncorporatedにより市販されている3つ
の負荷可能カウンタModel船.SN74197のよ
うなページ位贋カゥンタ32により記憶される。カウン
タ32はバブルチップの伝搬時間の数を監視することに
よりページの運転カウントを可能にするバブルゲートシ
フトクロック34からの信号を受信する。(各々のバブ
ル伝搬時間について各々のバブルゲートシフトクロック
の1サイクルが対応する)。さらにページ選択レジスタ
3川こ類似のマイナーループサイズレジスタ36に記憶
されているマイナーループサイズについて考察する。ペ
ージ位置カゥンタ32がマイナーループサイズに達した
後にそれを0に置き直す。比較機38はページ選択レジ
スタ30に見られる望むページ位置と、ページ位置カウ
ソタ32に見られる現在のページとを比較して、望むペ
ージが得られる時に、アドレスページ獲得可能信号33
でユーザーに信号を発する。望むページが得られる時、
適当な転送信号が記憶装置に伝えられる。制御装置のシ
ーケンス機能をより完全に記述するために、今度は第1
図〜第3図を参照する。
回転の開始およびメージャー伝搬通路からどの古いデー
タも一掃するためのアナイアレィタへの動力供V給を含
んでいる。制御命令信号RDPG、23およびWRPG
、24は各々磁気バブルメモリーの中の1ページを読み
取りおよび書き出しするためのユーザー命令を表わし、
ここで1ページは各々のマイナーループの同じ実際上の
位置からの1ビットの情報として定義される。制御装置
命令25および28はユーザーが望むオペレーションの
モードを表している。即ち、マルチページあるいはシン
グルページオペレーションである。マルチページオペレ
ーションはユーザーがメージヤー伝搬通路における2ペ
ージの情報を同時にオベレートすることを許す。この概
念は後でより詳細に述べる。制御命令信号26、テスト
モードはコントロール固定記憶装置(ROM)42の内
容の確認を可能し、一方命令信号27SW リセットは
ソフトウェアシステムリセットパルスである。ユーザー
がマイナーループの特定のページについて有効に読み取
りあるいは書き込みをするためには、常時バブルチップ
転送、あるいは読み取りあるいは書き込みを可能にする
スワップレプリケートゲートに関するそのページの位置
を知っている必要がある。この情報は、テキサス州ダラ
スのTexaslmtrmmentIncorpora
tedにより製造および市販されているhexDータイ
プレジスターModelSN 74174に類似のペー
ジ選択レジス夕30に望むページの数を置き、そのペー
ジを現在のページの位置と比較することにより得られる
。現在のページの位置はTexas l船tmment
slncorporatedにより市販されている3つ
の負荷可能カウンタModel船.SN74197のよ
うなページ位贋カゥンタ32により記憶される。カウン
タ32はバブルチップの伝搬時間の数を監視することに
よりページの運転カウントを可能にするバブルゲートシ
フトクロック34からの信号を受信する。(各々のバブ
ル伝搬時間について各々のバブルゲートシフトクロック
の1サイクルが対応する)。さらにページ選択レジスタ
3川こ類似のマイナーループサイズレジスタ36に記憶
されているマイナーループサイズについて考察する。ペ
ージ位置カゥンタ32がマイナーループサイズに達した
後にそれを0に置き直す。比較機38はページ選択レジ
スタ30に見られる望むページ位置と、ページ位置カウ
ソタ32に見られる現在のページとを比較して、望むペ
ージが得られる時に、アドレスページ獲得可能信号33
でユーザーに信号を発する。望むページが得られる時、
適当な転送信号が記憶装置に伝えられる。制御装置のシ
ーケンス機能をより完全に記述するために、今度は第1
図〜第3図を参照する。
第1図はテキサス州ダラスのTexas l船tmme
ntslncorporatedにより製造および市販
されているROMModelM.TMS−4700のよ
うなコントロール固定記憶装置、ROM、42を有する
マイクロシーケンサ40を示している。コントロールR
OM42は第2図および表1に示されている30ビット
のストリングからなる37の状態を含んでいる。各々の
コントロールワードは6つの個々の欄割り当てから成っ
ている。第2図に示されているように、コントロールワ
ード100は10皿HZの湯の回転をカウントするため
に用いる10ビットの欄を有するディスプレースメント
フィールド110を含んでいる。第2の欄割り当てであ
る、第2図に示されている操作は内部制御信号として働
くほかにバブルモジュールに対するイネーブリングメカ
ニズムとして働く5ビットから成っているオペレーショ
ン欄割り当て112の5ビットはジェネレータ/検知器
ビット、アナィアレータ/レプリケートビツト、トラン
スフアーインビツト、トランスファーアウトビットを表
わし、そのほかにバブルスタートシフティング機能を表
わしている。コントロールワード100の第3の欄割り
当ては分岐条件114であり、それは8つある条件のど
れに、その条件が任意の時間に真であるかを決定するた
めに分岐条件セレクトロジックが質問するかを決めるた
めの3ビットから成っている。8つある条件とは。
ntslncorporatedにより製造および市販
されているROMModelM.TMS−4700のよ
うなコントロール固定記憶装置、ROM、42を有する
マイクロシーケンサ40を示している。コントロールR
OM42は第2図および表1に示されている30ビット
のストリングからなる37の状態を含んでいる。各々の
コントロールワードは6つの個々の欄割り当てから成っ
ている。第2図に示されているように、コントロールワ
ード100は10皿HZの湯の回転をカウントするため
に用いる10ビットの欄を有するディスプレースメント
フィールド110を含んでいる。第2の欄割り当てであ
る、第2図に示されている操作は内部制御信号として働
くほかにバブルモジュールに対するイネーブリングメカ
ニズムとして働く5ビットから成っているオペレーショ
ン欄割り当て112の5ビットはジェネレータ/検知器
ビット、アナィアレータ/レプリケートビツト、トラン
スフアーインビツト、トランスファーアウトビットを表
わし、そのほかにバブルスタートシフティング機能を表
わしている。コントロールワード100の第3の欄割り
当ては分岐条件114であり、それは8つある条件のど
れに、その条件が任意の時間に真であるかを決定するた
めに分岐条件セレクトロジックが質問するかを決めるた
めの3ビットから成っている。8つある条件とは。
‘1)(INIT+RDPG+WRPG)notini
tializing,読み取りあるいは書き込み、‘2
}(川IT)not initializing ‘3
1(ADDR PAGEAVAIL)アドレスページ獲
得可能、【4)(WRPG)書き込み、‘51マルチペ
ージ、‘61シングルページ、【7’power 舷d
power 留めd、および、■ページカウント=0
。コントロールワールド100の第4の欄は1ビットの
ィンヒビット欄116である。もしこのビットが存在し
、かつバブル装置において他の機能はなにも遂行されて
いないなら、バブル装置は同じ状態に留まる。即ち、分
岐条件選択ロジックは不能である。分岐アドレス欄割り
当て1 18は全ての37ROM状態の位置を含む6ビ
ットの欄である。制御欄120は制御装置10に読み取
りあるいは書き込みの開始における操作、ページ位置カ
ウンタのクリアー、メージヤーループカウンタビツトの
負荷、コントロールROMアドレスレジスタ44および
適当な内部ロジックのリセット、およびバブルメモリー
を知られている位置に止めるための任意の読み取りある
いは書き込みシーケンスの後の運転停止、をさせるため
に必要な制御を実行する5ビットを有する。 マイクロ
シーケンサ40もまたテキサス州ダラスのTexasl
nsmmentsIncmporatedにより製造さ
れているModelSN7425151のような比較器
の形の分岐条件選択ロジック46を含んでいる。アドレ
スレジスタ44は分岐条件選択ロジック46からの2つ
の信号(LOADおよびINC)のうちの1つを受信す
る。もししOAD信号が有効であれば続いてコントロー
ルROMラツチ42aがアドレスレジスタ44に負荷さ
れる。もし…C信号が有効であればアドレスレジスタ4
4の内容は1だけ(2進数)増加する。アドレスデコー
ダ45はコントロールROM42の37の状態の1つを
アドレスするために、アドレスレジスタ44からの6ビ
ットを符号解読する。コントロールROM42が任意の
与えられた状態にある時、5ビットを有する6番目の欄
割り当て、制御、は内部制御のための信号43b〜43
eおよびリダンダンシィロジツクを開始するために内部
的および外部的に用いることのできるINITR/W、
43aを提供するためにディスクリートコントロールゲ
ーティング回路43とインタフェースする。信号CLR
PPR、43bはページ位置レジスタ32をリセツトし
、一方LMLSC43cは以下に操作的に記述するよう
に、コントロールROM42のディスプレイースメント
フイールドをメージヤーループシフトカウンタ481こ
負荷する。リセット信号43dは制御装置10の内部の
一連のレジスタをリセットする開始信号である。運転停
止、43eは磁気バブル記憶装置の運転停止を信号する
。バイト選択。ジック41は制御装置10のテストモー
ド‘こおいて、確認の目的のためにコントロールROM
42の内容を読み取るために用いられる。操作的に、制
御装置10のマイクロシーケンサ4川ま基本的には単純
化された同期シーケンシャルマシンであってその状態は
コントロールROM42における明確なメモリーロケー
ションである。
tializing,読み取りあるいは書き込み、‘2
}(川IT)not initializing ‘3
1(ADDR PAGEAVAIL)アドレスページ獲
得可能、【4)(WRPG)書き込み、‘51マルチペ
ージ、‘61シングルページ、【7’power 舷d
power 留めd、および、■ページカウント=0
。コントロールワールド100の第4の欄は1ビットの
ィンヒビット欄116である。もしこのビットが存在し
、かつバブル装置において他の機能はなにも遂行されて
いないなら、バブル装置は同じ状態に留まる。即ち、分
岐条件選択ロジックは不能である。分岐アドレス欄割り
当て1 18は全ての37ROM状態の位置を含む6ビ
ットの欄である。制御欄120は制御装置10に読み取
りあるいは書き込みの開始における操作、ページ位置カ
ウンタのクリアー、メージヤーループカウンタビツトの
負荷、コントロールROMアドレスレジスタ44および
適当な内部ロジックのリセット、およびバブルメモリー
を知られている位置に止めるための任意の読み取りある
いは書き込みシーケンスの後の運転停止、をさせるため
に必要な制御を実行する5ビットを有する。 マイクロ
シーケンサ40もまたテキサス州ダラスのTexasl
nsmmentsIncmporatedにより製造さ
れているModelSN7425151のような比較器
の形の分岐条件選択ロジック46を含んでいる。アドレ
スレジスタ44は分岐条件選択ロジック46からの2つ
の信号(LOADおよびINC)のうちの1つを受信す
る。もししOAD信号が有効であれば続いてコントロー
ルROMラツチ42aがアドレスレジスタ44に負荷さ
れる。もし…C信号が有効であればアドレスレジスタ4
4の内容は1だけ(2進数)増加する。アドレスデコー
ダ45はコントロールROM42の37の状態の1つを
アドレスするために、アドレスレジスタ44からの6ビ
ットを符号解読する。コントロールROM42が任意の
与えられた状態にある時、5ビットを有する6番目の欄
割り当て、制御、は内部制御のための信号43b〜43
eおよびリダンダンシィロジツクを開始するために内部
的および外部的に用いることのできるINITR/W、
43aを提供するためにディスクリートコントロールゲ
ーティング回路43とインタフェースする。信号CLR
PPR、43bはページ位置レジスタ32をリセツトし
、一方LMLSC43cは以下に操作的に記述するよう
に、コントロールROM42のディスプレイースメント
フイールドをメージヤーループシフトカウンタ481こ
負荷する。リセット信号43dは制御装置10の内部の
一連のレジスタをリセットする開始信号である。運転停
止、43eは磁気バブル記憶装置の運転停止を信号する
。バイト選択。ジック41は制御装置10のテストモー
ド‘こおいて、確認の目的のためにコントロールROM
42の内容を読み取るために用いられる。操作的に、制
御装置10のマイクロシーケンサ4川ま基本的には単純
化された同期シーケンシャルマシンであってその状態は
コントロールROM42における明確なメモリーロケー
ションである。
ステートマシンとして、マイクロシーケンサ40は任意
の現在の状態からこれらの3つの状態の1つに移行する
ことができる。ローダブルカウンタModel船.SN
74197の形の、テキサス州ダラスのTe滋s L
船tmmentsIncorporated により製
造されている型のメージヤーループシフトカワンタ48
は、マイクロシーケンサ401こ接続されている。
の現在の状態からこれらの3つの状態の1つに移行する
ことができる。ローダブルカウンタModel船.SN
74197の形の、テキサス州ダラスのTe滋s L
船tmmentsIncorporated により製
造されている型のメージヤーループシフトカワンタ48
は、マイクロシーケンサ401こ接続されている。
メージャーループシフトカウンタ48は磁気バブルメモ
リーにおいて1つの機能装置からもう1つへ行くのに必
要な伝搬時間の数に関する数を負荷される。この1つの
例は、これらの図には示されていないが、マイナールー
プ転送ボートから検知器素子へのバブルの移動である。
第3図に示されているように、1つの状態からもう1つ
の状態への移動において、メージャーループカワンタ4
8に記憶された数が0に等しくなく、またインヒビツト
用のビツド116があるような条件の時には、ループ7
5におけるように、状態は変化しない。
リーにおいて1つの機能装置からもう1つへ行くのに必
要な伝搬時間の数に関する数を負荷される。この1つの
例は、これらの図には示されていないが、マイナールー
プ転送ボートから検知器素子へのバブルの移動である。
第3図に示されているように、1つの状態からもう1つ
の状態への移動において、メージャーループカワンタ4
8に記憶された数が0に等しくなく、またインヒビツト
用のビツド116があるような条件の時には、ループ7
5におけるように、状態は変化しない。
ループ75はSiがバブル装置の現在の状態を表わして
いるこの条件を表示している。しかしながら、もしメー
ジヤーループシフトカウンタ48に記憶されている数が
0に等しくかつィンヒビット欄ビット116が1である
時には、磁気バブルの現在の条件が、コントロールRO
M42のファームウエアにセットアウトされたその状態
の分岐条件に等しいかどうかに関するテストがさらにな
される。この比較は分岐条件選択比較器46によってな
され、コントロールROM欄割り当てにセットアウトさ
れた分岐条件をユーザーおよび制御装置の内部条件から
受信した現在の条件と比較する。コントロールワードか
ら決められた分岐条件が選択された現在の条件に等しけ
れば、新しい状態を指示するためにコントロールROM
42のアドレスレジスタ44は分岐アドレスの値を負荷
される。この条件は第3図のフローチャートにおいて新
しい状態Siへの通路77として示されてる。しかしな
がら、もしこれらの条件のどれも真でないなら、アドレ
スレジスタ44は次のROM42ロケーション、第3図
における、状態Sj+1へのフローパス79を指向する
ために増加される。コントロールROM42のどの状態
をシステムが現在用いているかによって、第2図に示さ
れているコントロールROM42の欄割り当ての残りは
、ユーザーシステムおよび磁気バブルメモリーの両方に
ィンタフェースしている他の内部および外部条件を決定
する。さて表1を参照すると、コントロールROM42
における30ビットの長さの11/37の状態が示され
、各々の状態は第2図に記述されたまた図解された1つ
のコントロールワードを表わしている。
いるこの条件を表示している。しかしながら、もしメー
ジヤーループシフトカウンタ48に記憶されている数が
0に等しくかつィンヒビット欄ビット116が1である
時には、磁気バブルの現在の条件が、コントロールRO
M42のファームウエアにセットアウトされたその状態
の分岐条件に等しいかどうかに関するテストがさらにな
される。この比較は分岐条件選択比較器46によってな
され、コントロールROM欄割り当てにセットアウトさ
れた分岐条件をユーザーおよび制御装置の内部条件から
受信した現在の条件と比較する。コントロールワードか
ら決められた分岐条件が選択された現在の条件に等しけ
れば、新しい状態を指示するためにコントロールROM
42のアドレスレジスタ44は分岐アドレスの値を負荷
される。この条件は第3図のフローチャートにおいて新
しい状態Siへの通路77として示されてる。しかしな
がら、もしこれらの条件のどれも真でないなら、アドレ
スレジスタ44は次のROM42ロケーション、第3図
における、状態Sj+1へのフローパス79を指向する
ために増加される。コントロールROM42のどの状態
をシステムが現在用いているかによって、第2図に示さ
れているコントロールROM42の欄割り当ての残りは
、ユーザーシステムおよび磁気バブルメモリーの両方に
ィンタフェースしている他の内部および外部条件を決定
する。さて表1を参照すると、コントロールROM42
における30ビットの長さの11/37の状態が示され
、各々の状態は第2図に記述されたまた図解された1つ
のコントロールワードを表わしている。
表1を用い、かつ枕態0から始めて、操作の通路を概説
することができる。表2は分岐条件を表わすコードを表
わしている。制御装置の状態が開始、読み取り、バブル
記憶装置への、あるいはそれからの書き出しのどれでも
なければ、分岐条件000は現在の条件に等しく、また
制御装置は同じ状態、即ち状態0に留まる。しかしなが
ら、ューザーが読み取り信号を出すと、現在の条件は分
条件に等しくなくなり、アドレスコーダは次のステップ
、即ち表1に示されている状態1を指向するために増加
される。さらに分岐条件を“notinitializ
a−tion’’であり、現在の状態に等しい、状態1
と比較している時に、分岐アドレス6がアドレスレジス
タ44に負荷され、状態6を指向する。さらに、現在の
条件が分岐条件に等しいかどうかに関する同じテストを
し、また読み取り命令を仮定すると、分岐条件は「アド
レスページ獲得不可能」である。望むページのアドレス
が得られると仮定するとき、つまり条件が真でないとす
るとき、第3図の状態移行フローチャートは、1だけ増
加し、次の続きの状態、即ち状態7を指向し、そこでは
コントロールビット、即ちLMLSCが存在し、第1図
に示されているメージャールーブシフトカウンタ48に
第2図のディスプレースメントフィールドを負荷するよ
う指令する。オペレーションコントロールビットもまた
状態7に存在し、バブルシフトのスタートおよび転送ゲ
ートの形のバブル機能の転送がこの時にセットされるよ
う指令する。状態7の分岐条件はィニシャリゼーション
ではなく、読み取りの現在の条件に等しく、それ故アド
レスレコーダは状態7の分岐アドレスを負荷され、状態
10を指向する。この時、メージャーループシフトカウ
ンタ48は0に等しくなく、また状態10はィンヒビッ
ト用のビット欄116則ちコントロールワードにおける
30の中のビット18が存在することを示す。従って制
御装置はメージヤーループシフトカウンタ48が0に減
少する時まで状態10に留まる。第1図に示されている
メージヤーループシフトカウンタ48は、バブル伝搬時
間を表わしているバブルゲートシフトクロック34から
のパルスによって第1のバブルが磁気バブルレプリケー
タに達するまで減少し、またバブル制御装置はその同じ
機能的状態に留まる。出力バッファラツチ62はバブル
モジュール機館ィネィブルズものを含む。これらのィネ
ィブリング信号はQn/Det64を除いて外部ピン6
2a〜62fに導かれ、バブルモジュール機能を扱うた
めに制御装置チップ10の外部の機能タイミングロジッ
クによって用いられる。これらの機能はバブル検知(D
et62a)、レプリケーション(Rep62b)、消
去(価jh62c)、トランスファーイン(Bxin6
2d)およびトランスファーアウト(Bxout62d
)を含む。制御装置10が適当な状態へ移行し、また磁
気バブルメモリを機能的に操作するために操作における
適当な制御ビットをセットすることにより読み取り操作
を完了した時の後に、データが得られ、またユーザーシ
ステムにより請求することができる。読み取り操作の間
、データはテキサス州ダラスのTexasLnstmm
entslmorporated により製造および市
販されている、連続的なデータを8ビットのワードにブ
。ツクアウトする、Model肺.74 S299のよ
うなバブルデータレジスタ50へピン49を用いて連続
的に置かれる。データバイトは信号のクロック分布網か
ら取られたRWCLKクロック信号51を用いてバブル
データレジスタへ、あるいはバブルデータレジスタから
転送される。全ての制御装置タイミングは2MHZ2位
相システムクロック70から導かれる。この2MHZク
ロツク70は10雌HZで900位相のずれている他の
2つの位相71、8・および72、82を生ずるために
分割される。8・、71は制御装置の内部で用いられる
バブルゲーテツドシフトクロツク(BGCC)34を生
ずるために、マイクロシーケンサ40からのバブルスタ
ートシフト信号(既S)62fとゲートされる。
することができる。表2は分岐条件を表わすコードを表
わしている。制御装置の状態が開始、読み取り、バブル
記憶装置への、あるいはそれからの書き出しのどれでも
なければ、分岐条件000は現在の条件に等しく、また
制御装置は同じ状態、即ち状態0に留まる。しかしなが
ら、ューザーが読み取り信号を出すと、現在の条件は分
条件に等しくなくなり、アドレスコーダは次のステップ
、即ち表1に示されている状態1を指向するために増加
される。さらに分岐条件を“notinitializ
a−tion’’であり、現在の状態に等しい、状態1
と比較している時に、分岐アドレス6がアドレスレジス
タ44に負荷され、状態6を指向する。さらに、現在の
条件が分岐条件に等しいかどうかに関する同じテストを
し、また読み取り命令を仮定すると、分岐条件は「アド
レスページ獲得不可能」である。望むページのアドレス
が得られると仮定するとき、つまり条件が真でないとす
るとき、第3図の状態移行フローチャートは、1だけ増
加し、次の続きの状態、即ち状態7を指向し、そこでは
コントロールビット、即ちLMLSCが存在し、第1図
に示されているメージャールーブシフトカウンタ48に
第2図のディスプレースメントフィールドを負荷するよ
う指令する。オペレーションコントロールビットもまた
状態7に存在し、バブルシフトのスタートおよび転送ゲ
ートの形のバブル機能の転送がこの時にセットされるよ
う指令する。状態7の分岐条件はィニシャリゼーション
ではなく、読み取りの現在の条件に等しく、それ故アド
レスレコーダは状態7の分岐アドレスを負荷され、状態
10を指向する。この時、メージャーループシフトカウ
ンタ48は0に等しくなく、また状態10はィンヒビッ
ト用のビット欄116則ちコントロールワードにおける
30の中のビット18が存在することを示す。従って制
御装置はメージヤーループシフトカウンタ48が0に減
少する時まで状態10に留まる。第1図に示されている
メージヤーループシフトカウンタ48は、バブル伝搬時
間を表わしているバブルゲートシフトクロック34から
のパルスによって第1のバブルが磁気バブルレプリケー
タに達するまで減少し、またバブル制御装置はその同じ
機能的状態に留まる。出力バッファラツチ62はバブル
モジュール機館ィネィブルズものを含む。これらのィネ
ィブリング信号はQn/Det64を除いて外部ピン6
2a〜62fに導かれ、バブルモジュール機能を扱うた
めに制御装置チップ10の外部の機能タイミングロジッ
クによって用いられる。これらの機能はバブル検知(D
et62a)、レプリケーション(Rep62b)、消
去(価jh62c)、トランスファーイン(Bxin6
2d)およびトランスファーアウト(Bxout62d
)を含む。制御装置10が適当な状態へ移行し、また磁
気バブルメモリを機能的に操作するために操作における
適当な制御ビットをセットすることにより読み取り操作
を完了した時の後に、データが得られ、またユーザーシ
ステムにより請求することができる。読み取り操作の間
、データはテキサス州ダラスのTexasLnstmm
entslmorporated により製造および市
販されている、連続的なデータを8ビットのワードにブ
。ツクアウトする、Model肺.74 S299のよ
うなバブルデータレジスタ50へピン49を用いて連続
的に置かれる。データバイトは信号のクロック分布網か
ら取られたRWCLKクロック信号51を用いてバブル
データレジスタへ、あるいはバブルデータレジスタから
転送される。全ての制御装置タイミングは2MHZ2位
相システムクロック70から導かれる。この2MHZク
ロツク70は10雌HZで900位相のずれている他の
2つの位相71、8・および72、82を生ずるために
分割される。8・、71は制御装置の内部で用いられる
バブルゲーテツドシフトクロツク(BGCC)34を生
ずるために、マイクロシーケンサ40からのバブルスタ
ートシフト信号(既S)62fとゲートされる。
外部ピン73で50KHZクロック(GC50)が得ら
れ、記憶装置のメージヤーループのデータレートを表わ
す。(第4図に示されている)データは5皿HZ読み取
り/書き出しクロック(RWCLK)51によって連続
的に制御装置1 0へ、あるいは制御装置10へシフト
される。このクロックは、制御装置10が記憶装置の不
完全なマイナーループを無視するようにさせる外部機能
イネイブル(FUNCEN)信号74によりゲートされ
る。これらの8ビットのワードはそれからテキサ ス州
ダ ラ ス のTe松s lmtmmentsInco
■orated により市販されているModelM.
SN74197のようなページサイズカウンタ54によ
り制御される揮発性メモリーに転送される。このページ
サイズカウンタ54はテキサス州ダラスのTexas
lnstmmenG Incorporaにd によっ
て市販されているModelSN74174のような型
のページサイズレジスタ56、およびさらにテキサス州
ダラスのTexas lnsUmments Inco
てpo的ted により市販されているカウンタのよ
うな、ビットの数を監視するカウン夕55からのページ
サイズの入出を受け取る。このようにして、ユーザーは
バブル記憶装置から要求されるフルベージの情報を構成
するこれらの8ビットのワードのみを検索することがで
きる。この8ビットのワードは内部データバス57によ
って、テキサス州ダラスのTexas lnstmme
nはIncorporaにd により市販されているバ
ッファModel恥.SN7山S243のような複指向
式の入力−出力バッファ58へ送られる。それからユー
ザーシステムは外部データバス6川こよって1/0バッ
ファ58からのデータを検索することができる。以下に
記述するマルチページモードーこおいては、ページ読み
取りあるいは書き込み命令のもとに転送されるべき、望
むブロックサイズを保つために、外部プロセッサへのペ
ージ転送においてページカウントレジスタ66が用いら
れる。制御装置10のステイタスは外部プロセッサによ
る読み取り可能なステイタスレジスタ80‘こより維持
される。
れ、記憶装置のメージヤーループのデータレートを表わ
す。(第4図に示されている)データは5皿HZ読み取
り/書き出しクロック(RWCLK)51によって連続
的に制御装置1 0へ、あるいは制御装置10へシフト
される。このクロックは、制御装置10が記憶装置の不
完全なマイナーループを無視するようにさせる外部機能
イネイブル(FUNCEN)信号74によりゲートされ
る。これらの8ビットのワードはそれからテキサ ス州
ダ ラ ス のTe松s lmtmmentsInco
■orated により市販されているModelM.
SN74197のようなページサイズカウンタ54によ
り制御される揮発性メモリーに転送される。このページ
サイズカウンタ54はテキサス州ダラスのTexas
lnstmmenG Incorporaにd によっ
て市販されているModelSN74174のような型
のページサイズレジスタ56、およびさらにテキサス州
ダラスのTexas lnsUmments Inco
てpo的ted により市販されているカウンタのよ
うな、ビットの数を監視するカウン夕55からのページ
サイズの入出を受け取る。このようにして、ユーザーは
バブル記憶装置から要求されるフルベージの情報を構成
するこれらの8ビットのワードのみを検索することがで
きる。この8ビットのワードは内部データバス57によ
って、テキサス州ダラスのTexas lnstmme
nはIncorporaにd により市販されているバ
ッファModel恥.SN7山S243のような複指向
式の入力−出力バッファ58へ送られる。それからユー
ザーシステムは外部データバス6川こよって1/0バッ
ファ58からのデータを検索することができる。以下に
記述するマルチページモードーこおいては、ページ読み
取りあるいは書き込み命令のもとに転送されるべき、望
むブロックサイズを保つために、外部プロセッサへのペ
ージ転送においてページカウントレジスタ66が用いら
れる。制御装置10のステイタスは外部プロセッサによ
る読み取り可能なステイタスレジスタ80‘こより維持
される。
この8ビットカウンタにおける1ビットにより表わされ
るステイタスコンディションの1例は、制御装置がふさ
がっている時、つまり読み取りあるいは記憶装置への書
き込みをしている時である。シングルページ操作 適当な時点にユーザーは彼がシングルあるいはマルチペ
ージ操作を用いることを望むかどうか決める。
るステイタスコンディションの1例は、制御装置がふさ
がっている時、つまり読み取りあるいは記憶装置への書
き込みをしている時である。シングルページ操作 適当な時点にユーザーは彼がシングルあるいはマルチペ
ージ操作を用いることを望むかどうか決める。
シングルあるいはマルチページ操作の記述を容易にする
ために第4図、メージヤー/マイナーループ配列を有す
る磁気バブル記憶装置を参照する。第1図に図解され、
また上述された制御装置10はコントロールROM42
にファームウエアとして記憶された、適当な制御および
操作ビットを持っている。このファームウエアはインタ
ーフェス制御14aを用いて望まれる現在の条件をセツ
ティングしてユーザー命令に応答する。シングルページ
読み取り操作においては、1つのページは各々のマイナ
ーループの同じ実際上の位置から1ビットとして定めら
れ、1つのページは転送ボート204によって複数のマ
イナーループ202からメージャーループ206へ転送
される。転送されたバブルは2部に複写して、1部をメ
ージャーループ206内で回転させ、もう1部を検知器
208へ伝搬するレプリケートポートに達するまでメー
ジャーループ206のまわりを伝搬する。磁気バブルは
それから複数のマイナーループ202の上の各々の位置
へ回転して戻り、そこでこれらのマイナーループへ転送
して戻される。第1図に示された制御装置チップはメー
ジャー/マィナ”ループ配列の周囲の装置、即ち転送ボ
ート204読み取りボート208、レブリケータノアナ
イアレータ210およびジエネレータ212を起動する
。
ために第4図、メージヤー/マイナーループ配列を有す
る磁気バブル記憶装置を参照する。第1図に図解され、
また上述された制御装置10はコントロールROM42
にファームウエアとして記憶された、適当な制御および
操作ビットを持っている。このファームウエアはインタ
ーフェス制御14aを用いて望まれる現在の条件をセツ
ティングしてユーザー命令に応答する。シングルページ
読み取り操作においては、1つのページは各々のマイナ
ーループの同じ実際上の位置から1ビットとして定めら
れ、1つのページは転送ボート204によって複数のマ
イナーループ202からメージャーループ206へ転送
される。転送されたバブルは2部に複写して、1部をメ
ージャーループ206内で回転させ、もう1部を検知器
208へ伝搬するレプリケートポートに達するまでメー
ジャーループ206のまわりを伝搬する。磁気バブルは
それから複数のマイナーループ202の上の各々の位置
へ回転して戻り、そこでこれらのマイナーループへ転送
して戻される。第1図に示された制御装置チップはメー
ジャー/マィナ”ループ配列の周囲の装置、即ち転送ボ
ート204読み取りボート208、レブリケータノアナ
イアレータ210およびジエネレータ212を起動する
。
第1図に示されている出力バッファラッチ62はバブル
モジュール機能ィネィブルズを含む。ジェネレー夕/検
知器信号64を除く全ての信号は制御チップ10の外部
の機能タイミングロジックによる使用のために外部ピン
に導かれる。書き取りモードーこおけるジェネレート信
号は制御装置出力データによって内部的にゲートされる
。このようにしてシングルページ操作定義することによ
り、磁気バブルメモリーのデータレートを計算すること
ができる。
モジュール機能ィネィブルズを含む。ジェネレー夕/検
知器信号64を除く全ての信号は制御チップ10の外部
の機能タイミングロジックによる使用のために外部ピン
に導かれる。書き取りモードーこおけるジェネレート信
号は制御装置出力データによって内部的にゲートされる
。このようにしてシングルページ操作定義することによ
り、磁気バブルメモリーのデータレートを計算すること
ができる。
1ページのデータの読み取りあるいは書き込みのための
シングルページ操作について、最小時間は1つのマイナ
ーループレボリューションである。
シングルページ操作について、最小時間は1つのマイナ
ーループレボリューションである。
2ページのデータについては、最小時間は2つのマイナ
ーループレボリューションプラス第1ページから第2ペ
ージへ行くための検索時間である。
ーループレボリューションプラス第1ページから第2ペ
ージへ行くための検索時間である。
この検索時間は最小限の1バブル伝搬時間である。nペ
ージについては、n個のレボリューションプラス最小限
のn個のバブル伝搬ステップである。第4図は常時メー
ジャーループ206にある複数のページを持つ磁気バブ
ル記憶装置200を示している。複数のマイナーループ
およびメージャーループ206の両方のからの円は磁気
ドメィンを支持することのできる、これらの両方のパス
の上の位置を示している。埋められた円、四角形および
三角形は磁気バブルを表わしている。しかしながら、各
々の異なる形は、マイナーループ202の各々から1つ
ずっの5つの一連の磁気ドメィンによって示されている
ページと共に、データの特定のページを表わしている。
マルチページ操作 マルチページ操作は2ページあるいはそれ以上のデータ
を、シングルページアプローチによって得られるものを
越える、有効データレートの大幅な増加をもたらすよう
な方法で処理する方式である。
ージについては、n個のレボリューションプラス最小限
のn個のバブル伝搬ステップである。第4図は常時メー
ジャーループ206にある複数のページを持つ磁気バブ
ル記憶装置200を示している。複数のマイナーループ
およびメージャーループ206の両方のからの円は磁気
ドメィンを支持することのできる、これらの両方のパス
の上の位置を示している。埋められた円、四角形および
三角形は磁気バブルを表わしている。しかしながら、各
々の異なる形は、マイナーループ202の各々から1つ
ずっの5つの一連の磁気ドメィンによって示されている
ページと共に、データの特定のページを表わしている。
マルチページ操作 マルチページ操作は2ページあるいはそれ以上のデータ
を、シングルページアプローチによって得られるものを
越える、有効データレートの大幅な増加をもたらすよう
な方法で処理する方式である。
この方式は、これをメージャーループに一時に2ページ
あるいはそれ以上のデータを置くことにより成し遂げる
。この成果を、メージヤーループ内でオーバーラップす
る2ページのデータが衝突することなく達成するための
操作の順序は以下の如くである。
あるいはそれ以上のデータを置くことにより成し遂げる
。この成果を、メージヤーループ内でオーバーラップす
る2ページのデータが衝突することなく達成するための
操作の順序は以下の如くである。
m第1の望むページをメージャールーブへ転送する。‘
2)適当な点へシフトし、また操作(読み取りあるいは
書き出し)を開始する、‘3’転送の後のあるポイント
d伝搬時間において、データの第2ページをメージャー
ループへ転送する。■両方のページを適当な点へシフト
し、また第2ページへの操作を開始する、{5}第1の
転送のあるポイント(M−1)クロツクサイクルにおい
て、ここでMはメージャーループポジションの数に等し
いが、第1ページをマイナーループへ転送する、■ 第
1の転送のあとのあるポイントが周期において、第3ペ
ージをメージャーループへ転送する。この方式は要求さ
れるページ数が操作されてしまうまで続行することがで
きる。さらに、この方式はページ数の重複が起きる前に
全てのページを検索するようにデータのあらゆるページ
を特定の順序で操作する機会を与える。また、ページは
マイナーループへ、それらが何らかの操作がなされる前
にあったのと同じ日頃序でもとの所へ戻る。つまり、ペ
ージ0は操作の後に物理的にマイナーループの同じ位置
へ帰する。マイナーページベースの磁気バブルの操作を
可能にするためにはページをある距離dだけ分離する必
要がある。
2)適当な点へシフトし、また操作(読み取りあるいは
書き出し)を開始する、‘3’転送の後のあるポイント
d伝搬時間において、データの第2ページをメージャー
ループへ転送する。■両方のページを適当な点へシフト
し、また第2ページへの操作を開始する、{5}第1の
転送のあるポイント(M−1)クロツクサイクルにおい
て、ここでMはメージャーループポジションの数に等し
いが、第1ページをマイナーループへ転送する、■ 第
1の転送のあとのあるポイントが周期において、第3ペ
ージをメージャーループへ転送する。この方式は要求さ
れるページ数が操作されてしまうまで続行することがで
きる。さらに、この方式はページ数の重複が起きる前に
全てのページを検索するようにデータのあらゆるページ
を特定の順序で操作する機会を与える。また、ページは
マイナーループへ、それらが何らかの操作がなされる前
にあったのと同じ日頃序でもとの所へ戻る。つまり、ペ
ージ0は操作の後に物理的にマイナーループの同じ位置
へ帰する。マイナーページベースの磁気バブルの操作を
可能にするためにはページをある距離dだけ分離する必
要がある。
この距離dはバブル伝搬のd周期を表わしている。操作
の制御を簡単にするために、dは正の偶数であることが
望ましい。バフルはメージャー伝搬ループへ一つおきの
場所に読み取られるので、これらのバブルは操作が続行
される。すなわち一つおきのサイクルで検知され、消去
され、ィプリケートされ、あるいは生成される。各々の
次のページが同じ一つおきのサイクルで操作されること
を保証するためには、これらのページの第1のバブルを
偶数の距離だけ離して分離する必要がある。その上に要
求されることは、ページのトータルナンバーが検索され
る前に任意のページの反復を避けるために距離dおよび
マイナーループポジションの数を相互にプライムするこ
とである。
の制御を簡単にするために、dは正の偶数であることが
望ましい。バフルはメージャー伝搬ループへ一つおきの
場所に読み取られるので、これらのバブルは操作が続行
される。すなわち一つおきのサイクルで検知され、消去
され、ィプリケートされ、あるいは生成される。各々の
次のページが同じ一つおきのサイクルで操作されること
を保証するためには、これらのページの第1のバブルを
偶数の距離だけ離して分離する必要がある。その上に要
求されることは、ページのトータルナンバーが検索され
る前に任意のページの反復を避けるために距離dおよび
マイナーループポジションの数を相互にプライムするこ
とである。
これらの要求に加えて、最小のdが最も遠い有効データ
レートをもたらすということは明きらかである。即ち我
々は物理的に上の全ての要求を満たす、連続するページ
の間の最小のギャップのために努力している。データの
マルチページ転送における含蓄的な弱点は、検索された
データが二進数的な意味で順次式でないことである。
レートをもたらすということは明きらかである。即ち我
々は物理的に上の全ての要求を満たす、連続するページ
の間の最小のギャップのために努力している。データの
マルチページ転送における含蓄的な弱点は、検索された
データが二進数的な意味で順次式でないことである。
つまり、検索された第1ページと検索された第2ページ
は距離Dだけ離れている。即ち、もし検索された第1ペ
ージがページ0でかつ距離Dが322であれば、検索さ
れた第2ページは322であり、ページ1ではない。こ
の弱点はバブルに書き込まれたページの連続がマルチペ
ージ様式であって、上の例においてページアドレス32
2に書き込まれたページ1を持つ時にはより重要でなく
なる。本発明は特定の実施例に関して記述されてきたが
、本発明の精神あるいは範囲を逸脱することなく、様々
な変更が可能であることは当業者には明きらかであろう
。
は距離Dだけ離れている。即ち、もし検索された第1ペ
ージがページ0でかつ距離Dが322であれば、検索さ
れた第2ページは322であり、ページ1ではない。こ
の弱点はバブルに書き込まれたページの連続がマルチペ
ージ様式であって、上の例においてページアドレス32
2に書き込まれたページ1を持つ時にはより重要でなく
なる。本発明は特定の実施例に関して記述されてきたが
、本発明の精神あるいは範囲を逸脱することなく、様々
な変更が可能であることは当業者には明きらかであろう
。
例えば、上述の制御装置は磁気ドメィンタィプのほかの
直列−並列−直列メモリーとの使用にも適用できる。表
1 制御状態 ディスプレースメントフィールド ォベレーション 分
岐条件 分岐アドレス 制 御墓 隼
q q雪卓識 のq q電卓員の の
qZH○q の の の ZA2凸工A
2 0<XXq 」 2 」日〇A
Oの0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
11121314 151617 1819202
12223凶 25伍力 凶29000000000
0000000000000000〇〇〇〇〇〇100
0000000000000001000011000
0002000000010101001101001
01110110030000000000001ol
oo01ooolooooooo4000000000
000oolol0ooooloooo。
直列−並列−直列メモリーとの使用にも適用できる。表
1 制御状態 ディスプレースメントフィールド ォベレーション 分
岐条件 分岐アドレス 制 御墓 隼
q q雪卓識 のq q電卓員の の
qZH○q の の の ZA2凸工A
2 0<XXq 」 2 」日〇A
Oの0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
11121314 151617 1819202
12223凶 25伍力 凶29000000000
0000000000000000〇〇〇〇〇〇100
0000000000000001000011000
0002000000010101001101001
01110110030000000000001ol
oo01ooolooooooo4000000000
000oolol0ooooloooo。
o150000000000000000010000
0000001060000000000000ooo
l0oooloooooooo71000000000
000110○1000101○○○1○○80000
000000000010100001ooooooo
o91000000000000110000001o
loooloo100000000000 00011
0001○○1○11○○○○○表2分岐条件 000○○T斗靴曲ADH柄肝虹TE1OOMULTI
PAGEOOIINIT IOIMU
LTIPAGBOIOADDR.PAGEAVAILI
IOPOW四R職の011WRITE I
IIP判G800t瓜m=○
0000001060000000000000ooo
l0oooloooooooo71000000000
000110○1000101○○○1○○80000
000000000010100001ooooooo
o91000000000000110000001o
loooloo100000000000 00011
0001○○1○11○○○○○表2分岐条件 000○○T斗靴曲ADH柄肝虹TE1OOMULTI
PAGEOOIINIT IOIMU
LTIPAGBOIOADDR.PAGEAVAILI
IOPOW四R職の011WRITE I
IIP判G800t瓜m=○
第la図、第lb図は本発明による磁気バブルメモリー
制御装置のブロック線図である。 第2図は第1図のりードオンリーメモリー(ROM)に
あるコントロールワードのフイールドアサインメントの
ブロック線図である。第3図は第1図のマイクロシーケ
ンサの機能を表わす状態転移のフローチャートである。
第4図はマルチページモードで動作している磁気バブル
メモリードメィンの構造を説明するための鴇鞠略図であ
る。符号の説明、10・・…・磁気ドメィンメモリーシ
ステム制御装置機構、12・・・・・・アドレスバス、
14a……IF 制御、30……ページ選択レジスタ、
32・・・・・・ページ位置カウン夕、33…・・・ア
ドレスPg アベール、36……マイナーループサイズ
レジスタ、38・・・・・・比較器、40・・・・・・
スィクロシーケンサ、41・・・・・・バイト選択、4
2・・・…コントロール固定記憶装置、42a・・・・
・・ラツチ、43・・・・・・個別制御ゲート、44・
・・・・・アドレスレジスタ、45・・・・・・デコー
ド、46・・・・・・分岐条件選択、48・・・・・・
メージヤーループシフトカウンタ、49……データイソ
、50……バブルデータレジスタ、54……ページサイ
ズ制御、55……バイトカウンタ、56……ページサイ
ズ、57……内部データバス、58……1/0バツフア
、60……データバス、62……出力バッファラツチ、
202…・・・マイナーループ、204・・・・・・転
送ボート、206……メージャールーブ、208……読
み取りボート、210……レプリケータ/アナイアレー
タ、212……ジエネレータ。 打ダ′仏 ‘ね′2 〆ノタ′〆 ‘杉.〆 (り′仏
制御装置のブロック線図である。 第2図は第1図のりードオンリーメモリー(ROM)に
あるコントロールワードのフイールドアサインメントの
ブロック線図である。第3図は第1図のマイクロシーケ
ンサの機能を表わす状態転移のフローチャートである。
第4図はマルチページモードで動作している磁気バブル
メモリードメィンの構造を説明するための鴇鞠略図であ
る。符号の説明、10・・…・磁気ドメィンメモリーシ
ステム制御装置機構、12・・・・・・アドレスバス、
14a……IF 制御、30……ページ選択レジスタ、
32・・・・・・ページ位置カウン夕、33…・・・ア
ドレスPg アベール、36……マイナーループサイズ
レジスタ、38・・・・・・比較器、40・・・・・・
スィクロシーケンサ、41・・・・・・バイト選択、4
2・・・…コントロール固定記憶装置、42a・・・・
・・ラツチ、43・・・・・・個別制御ゲート、44・
・・・・・アドレスレジスタ、45・・・・・・デコー
ド、46・・・・・・分岐条件選択、48・・・・・・
メージヤーループシフトカウンタ、49……データイソ
、50……バブルデータレジスタ、54……ページサイ
ズ制御、55……バイトカウンタ、56……ページサイ
ズ、57……内部データバス、58……1/0バツフア
、60……データバス、62……出力バッファラツチ、
202…・・・マイナーループ、204・・・・・・転
送ボート、206……メージャールーブ、208……読
み取りボート、210……レプリケータ/アナイアレー
タ、212……ジエネレータ。 打ダ′仏 ‘ね′2 〆ノタ′〆 ‘杉.〆 (り′仏
Claims (1)
- 1 各々が磁気ドメインの有無により表わされるデータ
を記憶するための複数のビツト位置を有する複数のデー
タ記憶ループを備えた磁気バブル記憶装置を機能的に動
作させる制御装置であり、該制御装置は、 外部プロセ
ツサからの命令情報を伝達するためのインタフエース制
御手段と、 命令情報を受けとるため前記インタフエー
ス制御手段に機能上接続され前記磁気バブル記憶装置の
一の機能状態から他の状態への移行に同期するためのシ
ーケンス手段と、 前記複数の記憶ループにわたる複数
のビツト位置で規定されると共に前記各記憶ループ中の
一ビツト位置で編成され磁気バブル記憶装置の各記憶ル
ープの共通する同一の仮想ビツト位置に配列されたデー
タのページへのアクセスの可否を定めるため前記インタ
フエース手段と前記シーケンス手段との間に設けられた
ページ位置手段と、 前記シーケンス手段に機能上接続
されており磁気バブル記憶装置内のバブルに影響を与え
る一の機能的イベントから他の機能的イベントへ磁気ド
メインの有無により表わされるデータの移動を示すバブ
ルの伝播期間情報を有するカウンタ手段と、 前記磁気
バブル記憶装置と外部プロセツサとの間で複数ビツト語
のデータを交換するために前記インタフエース制御手段
とシーケンス手段とページ位置手段とに機能上接続され
たデータバツフア手段と、 前記磁気バブル記憶装置に
バブル機能イネーブル命令を出力するため前記シーケン
ス手段と機能上接続されている出力バツフア手段と を
備えており、前記シーケンス手段は磁気バブル記憶装置
の機能状態の変化を潜在的に生ぜしめるため、また前記
出力バツフア手段にバブル機能イネーブル命令の出力を
命令するため、前記磁気バブル記憶装置からのいずれの
データのページが現在アクセスされ、または書き込まれ
ているかを同定する前記ページ位置手段と、磁気バブル
記憶装置内の一のバブルに影響を与える機能的イベント
から他の機能的イベントへの特定のデータビツトの移動
を表示する所定カウントに達する前記カウンタ手段とに
より条件付けされることを特徴とする制御装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/789,390 US4161788A (en) | 1977-04-21 | 1977-04-21 | Bubble memory controller with multipage data handling |
| US789390 | 1977-04-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53132235A JPS53132235A (en) | 1978-11-17 |
| JPS6032277B2 true JPS6032277B2 (ja) | 1985-07-26 |
Family
ID=25147502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53007147A Expired JPS6032277B2 (ja) | 1977-04-21 | 1978-01-25 | 磁気バブル記憶システム制御装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4161788A (ja) |
| JP (1) | JPS6032277B2 (ja) |
| DE (1) | DE2817559A1 (ja) |
| GB (3) | GB1598087A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6269461U (ja) * | 1985-10-23 | 1987-05-01 | ||
| JPS631764U (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5811714B2 (ja) * | 1975-02-17 | 1983-03-04 | 日本電気株式会社 | ジキバブルメモリソウチ |
| IT1108375B (it) * | 1978-03-09 | 1985-12-09 | Cselt Centro Studi Lab Telecom | Memoria di massa allo stato solido con autocorrezione e organizzata a parole per un sistema di controllo a programma registrato |
| USRE31153E (en) * | 1979-03-01 | 1983-02-15 | Kearney & Trecker Corporation | Mass memory access method and apparatus |
| JPS5629881A (en) * | 1979-08-15 | 1981-03-25 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory unit |
| JPS5758292A (en) * | 1980-09-25 | 1982-04-07 | Fanuc Ltd | File deleting method for bubble cassette memory |
| US4439837A (en) * | 1981-06-16 | 1984-03-27 | Ncr Corporation | Non-volatile memory system for intelligent terminals |
| US4479178A (en) * | 1981-07-02 | 1984-10-23 | Texas Instruments Incorporated | Quadruply time-multiplex information bus |
| US4470128A (en) * | 1981-09-29 | 1984-09-04 | International Business Machines Corporation | Control arrangement for magnetic bubble memories |
| JPS59127288A (ja) * | 1982-12-06 | 1984-07-23 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ装置 |
| JPS63153623A (ja) * | 1987-09-10 | 1988-06-27 | Hitachi Ltd | 記憶装置及び記憶装置のアクセス方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3919701A (en) * | 1973-04-16 | 1975-11-11 | Ibm | Symmetric switching functions using magnetic bubble domains |
| US3916397A (en) * | 1973-07-12 | 1975-10-28 | Nippon Electric Co | Circulating access memory device |
| US3909799A (en) * | 1973-12-18 | 1975-09-30 | Honeywell Inf Systems | Microprogrammable peripheral processing system |
| US3997877A (en) * | 1975-03-03 | 1976-12-14 | Texas Instruments Incorporated | Timing control means for a magnetic domain memory |
-
1977
- 1977-04-21 US US05/789,390 patent/US4161788A/en not_active Expired - Lifetime
- 1977-12-20 GB GB52953/77A patent/GB1598087A/en not_active Expired
- 1977-12-20 GB GB25431/80A patent/GB1598089A/en not_active Expired
- 1977-12-20 GB GB25430/80A patent/GB1598088A/en not_active Expired
-
1978
- 1978-01-25 JP JP53007147A patent/JPS6032277B2/ja not_active Expired
- 1978-04-21 DE DE19782817559 patent/DE2817559A1/de not_active Ceased
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6269461U (ja) * | 1985-10-23 | 1987-05-01 | ||
| JPS631764U (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4161788A (en) | 1979-07-17 |
| GB1598088A (en) | 1981-09-16 |
| GB1598087A (en) | 1981-09-16 |
| JPS53132235A (en) | 1978-11-17 |
| DE2817559A1 (de) | 1978-11-02 |
| GB1598089A (en) | 1981-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1241763A (en) | Data processor system having look-ahead control | |
| CN111679785A (zh) | 用于处理操作的存储器装置及其操作方法、数据处理系统 | |
| TWI297435B (en) | Method and machine readable medium for obtaining data mask mapping information | |
| JPS6338794B2 (ja) | ||
| JPH08227377A (ja) | 異なったサイクルで異なる速度のメモリデバイスにアクセスできるメモリ制御器 | |
| US4161788A (en) | Bubble memory controller with multipage data handling | |
| US4159412A (en) | Magnetic bubble memory chip synchronization and redundancy | |
| US6748482B1 (en) | Multiple non-contiguous block erase in flash memory | |
| US3339183A (en) | Copy memory for a digital processor | |
| US4354253A (en) | Bubble redundancy map storage using non-volatile semiconductor memory | |
| US6292852B1 (en) | High-performance multiple-media duplicating system | |
| JPS62102497A (ja) | ランダム・アクセス・メモリ | |
| US4090251A (en) | Bubble memory redundancy storage | |
| AU619088B2 (en) | A partially storing control circuit used in a memory unit | |
| US6928494B1 (en) | Method and apparatus for timing-dependant transfers using FIFOs | |
| JP3360849B2 (ja) | データ情報保持装置 | |
| US4468757A (en) | Method of operating magnetic bubble memory device in multipage mode | |
| US4458334A (en) | Redundancy map storage for bubble memories | |
| US3971005A (en) | Dual access magnetic domain memory | |
| US5276853A (en) | Cache system | |
| EP0398191A2 (en) | Quadruple word, multiplexed, paged mode and cache memory | |
| US4519049A (en) | Magnetic bubble memory having auxiliary storage loops | |
| KR100865828B1 (ko) | 플래시 메모리의 뱅크 분할 방법 및 플래시 메모리의 뱅크분할 장치 | |
| US4301516A (en) | Bubble memory storage unit | |
| US4149267A (en) | Associative memories using magnetic bubbles |