JPS6032318A - ド−ピング装置 - Google Patents
ド−ピング装置Info
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- JPS6032318A JPS6032318A JP58141037A JP14103783A JPS6032318A JP S6032318 A JPS6032318 A JP S6032318A JP 58141037 A JP58141037 A JP 58141037A JP 14103783 A JP14103783 A JP 14103783A JP S6032318 A JPS6032318 A JP S6032318A
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- Japan
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- gas
- pulp
- pressure
- flow rate
- control
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3438—Doping during depositing
- H10P14/3441—Conductivity type
- H10P14/3442—N-type
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C13/00—Details of vessels or of the filling or discharging of vessels
- F17C13/02—Special adaptations of indicating, measuring, or monitoring equipment
- F17C13/023—Special adaptations of indicating, measuring, or monitoring equipment having the mass as the parameter
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3438—Doping during depositing
- H10P14/3441—Conductivity type
- H10P14/3444—P-type
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C2205/00—Vessel construction, in particular mounting arrangements, attachments or identifications means
- F17C2205/03—Fluid connections, filters, valves, closure means or other attachments
- F17C2205/0302—Fittings, valves, filters, or components in connection with the gas storage device
- F17C2205/0323—Valves
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C2250/00—Accessories; Control means; Indicating, measuring or monitoring of parameters
- F17C2250/04—Indicating or measuring of parameters as input values
- F17C2250/0404—Parameters indicated or measured
- F17C2250/0421—Mass or weight of the content of the vessel
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/32—Hydrogen storage
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はドーピング装置に関し、さらに詳述すれば、ド
ーピングガスの流量制御を行なって広範囲な流量制御全
可能とするものである。
ーピングガスの流量制御を行なって広範囲な流量制御全
可能とするものである。
従来、ドーピングガスの流量制御装置としてマスフロメ
ータを用いているが、その制御範囲は最大流量の１％程
度までである。このためドーピング濃度が２桁以上達う
実験では、濃度の異なるボンベを２本用意するか、ある
いはマスフローメータを２台用意する必要があった。
ータを用いているが、その制御範囲は最大流量の１％程
度までである。このためドーピング濃度が２桁以上達う
実験では、濃度の異なるボンベを２本用意するか、ある
いはマスフローメータを２台用意する必要があった。
本発明の目的は、従来にない広範囲なガス流量制御を可
能とするドーピング装置を提供することにある。
能とするドーピング装置を提供することにある。
上記目的を達成するための本発明の構成は、パルプの開
閉によってガスを断続的に流せしめたことにある。以下
、従来例との比較の上で本発明を説明する。
閉によってガスを断続的に流せしめたことにある。以下
、従来例との比較の上で本発明を説明する。
半導体装置では、ドーピング不純物の濃度を広範囲に変
える必要のあることが多い。例えば、ｐｉｎ形アモルフ
ァスシリコン太陽電池の製造においては、ｉ層の製造時
に微量のジボラン等のｐ形不純物を混入するが、この場
合モノシランとの割合は１０−５〜１０−７程度であり
、一方ｐ形層の場合は１０−２〜１０−３である。この
様に製造する層によって不純物のドーピング割合が非常
に異なる場合、従来は異なるガス濃度のボンベを用意す
るか、あるいは希釈装置を用いていた。これは、従来の
流量制御装置の制御範囲が狭く、最大流量の１００分の
１程度までしか取れないためである。
える必要のあることが多い。例えば、ｐｉｎ形アモルフ
ァスシリコン太陽電池の製造においては、ｉ層の製造時
に微量のジボラン等のｐ形不純物を混入するが、この場
合モノシランとの割合は１０−５〜１０−７程度であり
、一方ｐ形層の場合は１０−２〜１０−３である。この
様に製造する層によって不純物のドーピング割合が非常
に異なる場合、従来は異なるガス濃度のボンベを用意す
るか、あるいは希釈装置を用いていた。これは、従来の
流量制御装置の制御範囲が狭く、最大流量の１００分の
１程度までしか取れないためである。
本発明は、流量計を用いずにガスを断続的に流すことに
より、制御範囲を史に広くできるものである。第１図は
、時間に対するガスの流れを示したものであり、Ｔ＝１
秒、ｔ＝１ミリ秒とすれば継続的にガスが流れている時
の１０００分の１の流量に相当する。ここで問題となる
のは、ガスを断続的に流すことでミクロ的に見ればガス
の濃淡ができることになるが、断続の周期全３秒以下と
すれば実際上はとんど問題にならない。
より、制御範囲を史に広くできるものである。第１図は
、時間に対するガスの流れを示したものであり、Ｔ＝１
秒、ｔ＝１ミリ秒とすれば継続的にガスが流れている時
の１０００分の１の流量に相当する。ここで問題となる
のは、ガスを断続的に流すことでミクロ的に見ればガス
の濃淡ができることになるが、断続の周期全３秒以下と
すれば実際上はとんど問題にならない。
この方法はドーピングの場合の他、ガスの混合比全便え
ることを目的とする希釈装置に対しても有効である。
ることを目的とする希釈装置に対しても有効である。
実施例１
本発明の実施例を第２図および第３図により説明する。
第２図はアモルファスシリコン気相成長装置の構成図で
おる。１および２には、０．１％に水素希釈されたジボ
ラン（Ｂ２Ｈ６）およびホスフィン（ＰＨｓ）がそれぞ
れ接続され、３にはモノシラン（８ｉＨ４） が接続さ
れている。それぞれのガスは４，５および６の圧力調整
器により所定の圧力に設定されている。流儀制御をジボ
ランはパルプ７の開閉により、他のガスはマスフローメ
ーク８および９によって行ない、反応炉１１に送られる
。
おる。１および２には、０．１％に水素希釈されたジボ
ラン（Ｂ２Ｈ６）およびホスフィン（ＰＨｓ）がそれぞ
れ接続され、３にはモノシラン（８ｉＨ４） が接続さ
れている。それぞれのガスは４，５および６の圧力調整
器により所定の圧力に設定されている。流儀制御をジボ
ランはパルプ７の開閉により、他のガスはマスフローメ
ーク８および９によって行ない、反応炉１１に送られる
。
これらのガスは質量分析計１０により混合状態を観測す
ることができる。ジボラン１は、パルプ７によって第１
図に示す１時間だけガスが流れる。
ることができる。ジボラン１は、パルプ７によって第１
図に示す１時間だけガスが流れる。
第３図Ａは、反応炉１１内の圧力をｌ ｍｂａｒとして
モノシラン（ＳｉＨ４）ｋ２００ｃｃ／―流した状態で
ジボラン（Ｂ２Ｈ６１を流した時、Ｔｋ１秒間としてｔ
’６変えた場合のシリコン（８ｉ）’にポロン（Ｂｌ原
子量の割合を質量分析計１０によって測定したもので、
パルプの開放時間とガス流量が比例していることが確認
された。
モノシラン（ＳｉＨ４）ｋ２００ｃｃ／―流した状態で
ジボラン（Ｂ２Ｈ６１を流した時、Ｔｋ１秒間としてｔ
’６変えた場合のシリコン（８ｉ）’にポロン（Ｂｌ原
子量の割合を質量分析計１０によって測定したもので、
パルプの開放時間とガス流量が比例していることが確認
された。
第４図は２周期Ｔの長さによるボロン原子量の変動の割
合をＴ：ｔをパラメータとして質量分析計１０で測定し
たもので、周期が長いほど、またＴ：ｔの割合が大きい
場合はどボロン原子量の変動が大きく、周期が３秒以上
では実用上問題となることがわかった。
合をＴ：ｔをパラメータとして質量分析計１０で測定し
たもので、周期が長いほど、またＴ：ｔの割合が大きい
場合はどボロン原子量の変動が大きく、周期が３秒以上
では実用上問題となることがわかった。
これらの関係をもとに、反応炉１１内に透明導電膜付き
ガラス基板を装着し、２５０ｔｌ’の温度に加熱して反
応ガスを流し、プラズマを印加してアモルファスシリコ
ンｉを形成した。まず、モノシランとドーピングガスの
割合をＢ／Ｓ ｉ＝ １ｏ” とするためにＴ＝１秒、
ｔ；０．５秒として５０秒間、次いでＢ／５ｉ＝１０−
ａ とするためにＴ＝１秒、ｔ＝０．５ミリ秒として１
５分間、最後にＰ／Ｓ ｉ ＝１０′″３ として１２
５秒間プラズマを印加しｐｉｎ各層をそれぞれ１０ｎｍ
、４００ｎｍ、２５ａｍの厚さに順次形成した。その後
他の装置を用いてＡ４・電極を蒸着法により形成して太
陽電池を作成し、光！変換効率６．５％に得た。従来の
マスフローメータによる流量制御ではＢ／Ｓｉが１０−
３から１０−６といった広範な制御は困難であり、本発
明の有効性が明らかとなった。
ガラス基板を装着し、２５０ｔｌ’の温度に加熱して反
応ガスを流し、プラズマを印加してアモルファスシリコ
ンｉを形成した。まず、モノシランとドーピングガスの
割合をＢ／Ｓ ｉ＝ １ｏ” とするためにＴ＝１秒、
ｔ；０．５秒として５０秒間、次いでＢ／５ｉ＝１０−
ａ とするためにＴ＝１秒、ｔ＝０．５ミリ秒として１
５分間、最後にＰ／Ｓ ｉ ＝１０′″３ として１２
５秒間プラズマを印加しｐｉｎ各層をそれぞれ１０ｎｍ
、４００ｎｍ、２５ａｍの厚さに順次形成した。その後
他の装置を用いてＡ４・電極を蒸着法により形成して太
陽電池を作成し、光！変換効率６．５％に得た。従来の
マスフローメータによる流量制御ではＢ／Ｓｉが１０−
３から１０−６といった広範な制御は困難であり、本発
明の有効性が明らかとなった。
また、マスフローメータ制御における最大の欠点は、モ
ノシランを流す場合にその反応物が細い管内につまり、
しばしば使用不能となることであるが、本発明のパルプ
開閉方式ではこの様な問題が全く起こらない長所がある
。
ノシランを流す場合にその反応物が細い管内につまり、
しばしば使用不能となることであるが、本発明のパルプ
開閉方式ではこの様な問題が全く起こらない長所がある
。
実施例２
第５図は、プラズマＣＶＤアモルファスシリコン成長装
置の構成図であり、１および２には０１％に水素希釈さ
れたジボラン（Ｂ２Ｈ６）およびホスフィン（ＰＨｓ）
がそれぞれ接続され、３にはモノシラン（ＳｉＨ４）が
接続されている。それぞれのガスは、４，５および６の
圧力調整器により所定の圧力に設定され、パルプ７．１
３，１４．１５により流量制御される。全てのパルプは
マイクロコンピュータ１９によって開閉の時間を制御す
ることができる。排気ポンプ１８によって反応炉１１お
よびパルプ７．１３の手前が真全引きされ、圧力計２０
．１９の出力からマイクロコンピュータ制御で圧力調整
パルプ１７．１９ｉ開閉させることによって圧力を一定
に保つことができる。また、反応炉中のガスは質量分析
計１０によってその混合状態を観測することができる。
置の構成図であり、１および２には０１％に水素希釈さ
れたジボラン（Ｂ２Ｈ６）およびホスフィン（ＰＨｓ）
がそれぞれ接続され、３にはモノシラン（ＳｉＨ４）が
接続されている。それぞれのガスは、４，５および６の
圧力調整器により所定の圧力に設定され、パルプ７．１
３，１４．１５により流量制御される。全てのパルプは
マイクロコンピュータ１９によって開閉の時間を制御す
ることができる。排気ポンプ１８によって反応炉１１お
よびパルプ７．１３の手前が真全引きされ、圧力計２０
．１９の出力からマイクロコンピュータ制御で圧力調整
パルプ１７．１９ｉ開閉させることによって圧力を一定
に保つことができる。また、反応炉中のガスは質量分析
計１０によってその混合状態を観測することができる。
ジポランのラインにはパルプ７と１３の２つが並列に設
置されているが、パルプ１３はパルプ７のｌ／１６の断
面積金持ち、小流量制御をする場合に用いられる。
置されているが、パルプ１３はパルプ７のｌ／１６の断
面積金持ち、小流量制御をする場合に用いられる。
まず、パルプの開放時間とガス流量との対応を調べた。
ガスは圧力調整器４，５および６により０．２に９／ｃ
ｍ２に調整されている。モノシランのパルプ１９を第１
図におけるＴ＝１秒、ｔ＝０．５秒とし、反応炉１１内
の圧力ｆ ｌ ｍｂａｒに設定した状態で、ジポランを
パルプ１３を用いて、ここの圧力ｋ ０．２ Ｋｑ／ｃ
ｍ２のままＴ＝１秒としてｔ６変えた時の質量分析器１
０によるＢ／Ｓ ｉの結果が第３図Ａであった。次に、
圧力調整バルブ１６を開けここの圧力ｆ ２０ ｍｂａ
ｒとしてｔｌ変えた時の結果が同図Ｂであり、流量調整
バルブ１３０前後の圧力を調整することによっても流量
を制御できることが確認された。
ｍ２に調整されている。モノシランのパルプ１９を第１
図におけるＴ＝１秒、ｔ＝０．５秒とし、反応炉１１内
の圧力ｆ ｌ ｍｂａｒに設定した状態で、ジポランを
パルプ１３を用いて、ここの圧力ｋ ０．２ Ｋｑ／ｃ
ｍ２のままＴ＝１秒としてｔ６変えた時の質量分析器１
０によるＢ／Ｓ ｉの結果が第３図Ａであった。次に、
圧力調整バルブ１６を開けここの圧力ｆ ２０ ｍｂａ
ｒとしてｔｌ変えた時の結果が同図Ｂであり、流量調整
バルブ１３０前後の圧力を調整することによっても流量
を制御できることが確認された。
これらの関係をもとに、反応炉１１内に透明導電膜付き
ガラス基板を装着し、２５０Ｃの温度に加熱して反応ガ
スを流し、プラズマ金印加してアモルファスシリコン膜
を形成した。
ガラス基板を装着し、２５０Ｃの温度に加熱して反応ガ
スを流し、プラズマ金印加してアモルファスシリコン膜
を形成した。
まず、圧力調整器４および５を０．２ Ｋｇ／ｃｍ２に
調整し、パルプ１４をＴ＝１秒、ｔ＝０．５秒とした状
態でパルプ１３および１６を閉じ、パルプ７をＴ＝１秒
、ｔ＝０．５秒としてＢ／５ｉ＝１０−３、反応炉内圧
力ｆ ｌ ｍｂａｒに設定して５０秒間プラズマを印加
した。次に、モノシラン全同一条件のままパルプ７を閉
じ、圧力調整パルプ１６によりバルブ１３０手前の圧力
を５ Ｑ ｍｂａｒからｌ Ｑ ｍｂａｒ。
調整し、パルプ１４をＴ＝１秒、ｔ＝０．５秒とした状
態でパルプ１３および１６を閉じ、パルプ７をＴ＝１秒
、ｔ＝０．５秒としてＢ／５ｉ＝１０−３、反応炉内圧
力ｆ ｌ ｍｂａｒに設定して５０秒間プラズマを印加
した。次に、モノシラン全同一条件のままパルプ７を閉
じ、圧力調整パルプ１６によりバルブ１３０手前の圧力
を５ Ｑ ｍｂａｒからｌ Ｑ ｍｂａｒ。
パルプ１３の開放時間ｔ ’ｉ １０ ミリ秒から１ミ
リ秒としだいに変え、第６図Ａの様にして１５分間プラ
ズマを印加し、ボロンヲ９量１頃斜ドーピングしたｉ層
を形成した。最後に、モノシランを同一条件のままパル
プ１ｓ７ｉ−’ｒ＝ｉ秒、ｔ＝０．５秒とすることによ
りＰ／５ｉ＝１０″′３とし、１ ｍｂａｒ＋／）圧力
で１２５秒間プラズマを印加してｎ層を形成した。
リ秒としだいに変え、第６図Ａの様にして１５分間プラ
ズマを印加し、ボロンヲ９量１頃斜ドーピングしたｉ層
を形成した。最後に、モノシランを同一条件のままパル
プ１ｓ７ｉ−’ｒ＝ｉ秒、ｔ＝０．５秒とすることによ
りＰ／５ｉ＝１０″′３とし、１ ｍｂａｒ＋／）圧力
で１２５秒間プラズマを印加してｎ層を形成した。
別の試料についてはｉ層のボロンドーピングを第６図Ｂ
およびＣの様にしてこれらについて太陽電池特性の比較
を行なった。その結果、Ｂの傾斜ドーピングを行なった
ものが、他より短絡電流で８％多い結果が得られた。
およびＣの様にしてこれらについて太陽電池特性の比較
を行なった。その結果、Ｂの傾斜ドーピングを行なった
ものが、他より短絡電流で８％多い結果が得られた。
本装置では圧力およびガス流量、ガス組成等がマイクロ
コンピュータによって精密に制御されているが、パルプ
により流量制御するためにマスフローメータに比べ格段
に広い範囲で流量制御できるばかりでなく、バルブ自体
の価格が非常に安いために、安価なシステムとなる。
コンピュータによって精密に制御されているが、パルプ
により流量制御するためにマスフローメータに比べ格段
に広い範囲で流量制御できるばかりでなく、バルブ自体
の価格が非常に安いために、安価なシステムとなる。
パルプの構造例を以下に示す。第７図（１）は平形バル
ブの一例、第７図（２）は円錐形バルブの一例、第７図
（３）はパルプにガス通路用の穴をもった一例である。
ブの一例、第７図（２）は円錐形バルブの一例、第７図
（３）はパルプにガス通路用の穴をもった一例である。
ここで、２１は１７８インチの直径をもったガス通路、
２２はパルプ、２３はパルプを駆動するための磁石であ
り、パルプに接続されている。（３）−２および（３）
−３は、（３）−１の部分図であり、パルプの上下動が
小さくてすむように１／８インチの径をもったガス通路
２１は先端で１ミリ×７ミリとなり、パルプ２２にも１
ミリ×７ミリの穴が開いている。
２２はパルプ、２３はパルプを駆動するための磁石であ
り、パルプに接続されている。（３）−２および（３）
−３は、（３）−１の部分図であり、パルプの上下動が
小さくてすむように１／８インチの径をもったガス通路
２１は先端で１ミリ×７ミリとなり、パルプ２２にも１
ミリ×７ミリの穴が開いている。
パルプは、第８図（１）に示す様なパルプの上部に設け
られた電磁石２４によって上下に駆動する。
られた電磁石２４によって上下に駆動する。
電磁石には、第８図（２）に示すような矩形波電圧を印
加することにより電磁石の極性を任意に変えることがで
きる。
加することにより電磁石の極性を任意に変えることがで
きる。
第９図は、円筒回転形パルプの一例であり、第９図（１
）は平面図を示し、第９図（２）は正面図である。
）は平面図を示し、第９図（２）は正面図である。
第９図（３）はバルブ金駆動するための″電磁石の関係
を示し、第９図（４ンは電磁石に印加される矩形波電圧
である。円形バルブにおいては、ガスの流れの立上げを
早くするためにガス通路２１の幅全広くしている。
を示し、第９図（４ンは電磁石に印加される矩形波電圧
である。円形バルブにおいては、ガスの流れの立上げを
早くするためにガス通路２１の幅全広くしている。
本発明によれば、パルプの開閉時間を制御することによ
りガス流量を広範囲に制御することができる。従来の流
量計では、最大流量の１％程度までの制御しかできない
が、本発明によれば０．１％程度までの制御が可能であ
り、制御装置の簡略化。
りガス流量を広範囲に制御することができる。従来の流
量計では、最大流量の１％程度までの制御しかできない
が、本発明によれば０．１％程度までの制御が可能であ
り、制御装置の簡略化。
低価格下ができる。
第１図は、本発明に使用したパルプの開閉によるパルプ
真近での時間とガス流量の関係を示す特性図、第２図お
よび第５図は本発明を使用したプラズマＣＶ、、Ｄアモ
ルファスシリコン成長装置の構成図、第３図はパルプの
開放時間とシリコン対ボロン原子の割合を示す特性図、
第４図は１バルブ断続の周期とボロン原子の変動金示し
た特性図、第６図ｒｌ：ｉＭ形成時間に対するシリコン
対ボロン原子の割合の変化を示した特性図、第７図〜第
゛９図は本発明に使用したパルプ形状および特性図であ
る。 １・・・ジボランガスボンベ、２・・・ホスフィンガス
ボンベ％３・・・モノシランボンベ、４，５．６・・・
圧力調整器、７，１３，１４．１５・・・パルプ％ １
２゜２０・・・圧力計、１０・・・質量分析計、１１・
・・反応炉、１６．１７・・・圧力調整パルプ％１８・
・・排気ポンプ。
真近での時間とガス流量の関係を示す特性図、第２図お
よび第５図は本発明を使用したプラズマＣＶ、、Ｄアモ
ルファスシリコン成長装置の構成図、第３図はパルプの
開放時間とシリコン対ボロン原子の割合を示す特性図、
第４図は１バルブ断続の周期とボロン原子の変動金示し
た特性図、第６図ｒｌ：ｉＭ形成時間に対するシリコン
対ボロン原子の割合の変化を示した特性図、第７図〜第
゛９図は本発明に使用したパルプ形状および特性図であ
る。 １・・・ジボランガスボンベ、２・・・ホスフィンガス
ボンベ％３・・・モノシランボンベ、４，５．６・・・
圧力調整器、７，１３，１４．１５・・・パルプ％ １
２゜２０・・・圧力計、１０・・・質量分析計、１１・
・・反応炉、１６．１７・・・圧力調整パルプ％１８・
・・排気ポンプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ガスを流すドーピング装置において、上記ガスは
バルブの断続的開閉手段によってガスを流すことを特徴
とするドーピング装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、上記ガスは２糧類
あるいはそれ以上の種類のガスの混合であって、１棟類
以上のガスを断続的に流すガス混合装置を有したことを
特徴とするドーピング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58141037A JPS6032318A (ja) | 1983-08-03 | 1983-08-03 | ド−ピング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58141037A JPS6032318A (ja) | 1983-08-03 | 1983-08-03 | ド−ピング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6032318A true JPS6032318A (ja) | 1985-02-19 |
Family
ID=15282760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58141037A Pending JPS6032318A (ja) | 1983-08-03 | 1983-08-03 | ド−ピング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032318A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61229319A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-13 | Hitachi Ltd | 薄膜形成方法 |
| JPH01191411A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-08-01 | Nec Corp | 化学蒸着法による薄膜形成装置 |
| JPH04189698A (ja) * | 1987-12-28 | 1992-07-08 | Ppg Ind Inc | 透明な付加物 |
| JP2755369B2 (ja) * | 1992-02-25 | 1998-05-20 | エージー．アソシェーツ、インコーポレイテッド | 放射加熱された冷壁リアクタにおける減圧下での半導体材料の気相ドーピング |
-
1983
- 1983-08-03 JP JP58141037A patent/JPS6032318A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61229319A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-13 | Hitachi Ltd | 薄膜形成方法 |
| JPH04189698A (ja) * | 1987-12-28 | 1992-07-08 | Ppg Ind Inc | 透明な付加物 |
| JPH01191411A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-08-01 | Nec Corp | 化学蒸着法による薄膜形成装置 |
| JP2755369B2 (ja) * | 1992-02-25 | 1998-05-20 | エージー．アソシェーツ、インコーポレイテッド | 放射加熱された冷壁リアクタにおける減圧下での半導体材料の気相ドーピング |
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