JPS6032331A - 油封均圧形半導体装置 - Google Patents
油封均圧形半導体装置Info
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- JPS6032331A JPS6032331A JP58141193A JP14119383A JPS6032331A JP S6032331 A JPS6032331 A JP S6032331A JP 58141193 A JP58141193 A JP 58141193A JP 14119383 A JP14119383 A JP 14119383A JP S6032331 A JPS6032331 A JP S6032331A
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- JP
- Japan
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- external electrode
- flange
- pressure
- semiconductor element
- sealed
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07331—Connecting techniques
- H10W72/07337—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy
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- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、油封均圧形半導体装置に係り、特に外部雰囲
気圧の＾い状況下での使用に適した構造を有する？ｌＩ
Ｉ封均圧形半導体装置に関するものである０３０００〜
１００００ｍ 級の大深度海中で使用する潜水船、無人
機等は、その電源を効率的に制御するためにインパーク
、コンバータ、チョッパー等の電力制御装置を必要とす
る。これらの装置をこのような深海中で使用するには、
耐圧容器中に収納する必要がある。大深度の水圧に耐え
る耐圧容器は、その重置が大きくなり、潜水船、無人機
等を重くする。このため浮力を大きくしようとすると、
耐圧容器自体が大きくなり、所定の大きさの潜水船等を
組立てられなくなる。そこで、この様な条件下使用され
る半導体装置は、大圧力に耐えると同時に、小型軽量で
あることが強く要求される。従来一般に製造されている
半導体装置では、３００ｋｆ；／ｆ／Ｃｍ２〜１００
ｏ＃ｔｆｙ侃程度の外部圧力下で使用に耐えるものはな
かった。
気圧の＾い状況下での使用に適した構造を有する？ｌＩ
Ｉ封均圧形半導体装置に関するものである０３０００〜
１００００ｍ 級の大深度海中で使用する潜水船、無人
機等は、その電源を効率的に制御するためにインパーク
、コンバータ、チョッパー等の電力制御装置を必要とす
る。これらの装置をこのような深海中で使用するには、
耐圧容器中に収納する必要がある。大深度の水圧に耐え
る耐圧容器は、その重置が大きくなり、潜水船、無人機
等を重くする。このため浮力を大きくしようとすると、
耐圧容器自体が大きくなり、所定の大きさの潜水船等を
組立てられなくなる。そこで、この様な条件下使用され
る半導体装置は、大圧力に耐えると同時に、小型軽量で
あることが強く要求される。従来一般に製造されている
半導体装置では、３００ｋｆ；／ｆ／Ｃｍ２〜１００
ｏ＃ｔｆｙ侃程度の外部圧力下で使用に耐えるものはな
かった。
第１図は従来の平形半導体装１紅のシｒ面描造図であり
、心中、ノは、七２ミック等からなる絶縁体筒である。
、心中、ノは、七２ミック等からなる絶縁体筒である。
絶縁体筒ｌ内には、所定の手Ｍｊ体素子２が収容されて
いる。半導体素子２は、その周側面と絶縁体筒ｌの内壁
面間に位置決めリング３を介して固定されている。半導
体素子２の上下の両主面には、外部電極４．４が圧接さ
れている〇外部電極４，４と絶縁体筒１間には、上部フ
ランジ５ａ及び下部フランジ５ｂが夫々ろう付され、半
導体素子２の収納容器６を構成している◎このようにし
て半導体素子２を気密状態で収納した収納容器６内には
、不活性ガス７が勤人されている。
いる。半導体素子２は、その周側面と絶縁体筒ｌの内壁
面間に位置決めリング３を介して固定されている。半導
体素子２の上下の両主面には、外部電極４．４が圧接さ
れている〇外部電極４，４と絶縁体筒１間には、上部フ
ランジ５ａ及び下部フランジ５ｂが夫々ろう付され、半
導体素子２の収納容器６を構成している◎このようにし
て半導体素子２を気密状態で収納した収納容器６内には
、不活性ガス７が勤人されている。
この様な半導体装置では、高い外部圧力が加わった場合
、装置外装を構成する材料の調性が低いために、外部圧
力に耐えることができず。
、装置外装を構成する材料の調性が低いために、外部圧
力に耐えることができず。
例えばフランジ部分などが変形破断し、装置の気密が損
なわれて初期の電気的特性が劣化する。
なわれて初期の電気的特性が劣化する。
即ちこの様な半導体装置は、烏い外部雰囲気圧の下で使
用することはできない。第２図は、従来の半導体装置内
部に、電気絶縁油を封入した改良形の半導体装置を示す
。図中８は′電気絶縁油である。又、第１図と同−査号
は、同等の構成部分を示す。この様な半導体装置におい
ては、外部圧力の増加に伴って内部の電気絶縁油の圧力
も増加するので、外装の変形が緩和される均圧形パッケ
ージを得ることができる。しかし。
用することはできない。第２図は、従来の半導体装置内
部に、電気絶縁油を封入した改良形の半導体装置を示す
。図中８は′電気絶縁油である。又、第１図と同−査号
は、同等の構成部分を示す。この様な半導体装置におい
ては、外部圧力の増加に伴って内部の電気絶縁油の圧力
も増加するので、外装の変形が緩和される均圧形パッケ
ージを得ることができる。しかし。
絶縁油であっても圧力による体積変化や、温度による体
積変化を起こすので、ある程１（以上の外部圧力の下で
は単に油を充てんしたのみの構造では圧力の急激な変化
に対して劇え得ないことがわかった。即ち、高い夕１部
雰囲気圧の下でに変形し、収納容器６が破損する。その
結果、半導体素子２の電気的特性を損う問題があった。
積変化を起こすので、ある程１（以上の外部圧力の下で
は単に油を充てんしたのみの構造では圧力の急激な変化
に対して劇え得ないことがわかった。即ち、高い夕１部
雰囲気圧の下でに変形し、収納容器６が破損する。その
結果、半導体素子２の電気的特性を損う問題があった。
装置の外部にベローズを伺加して、圧力変化に対する絶
縁油の体積変化を吸収しようとする試みは例えは第４図
の様に油料式均圧形モーターなどで実用化されている。
縁油の体積変化を吸収しようとする試みは例えは第４図
の様に油料式均圧形モーターなどで実用化されている。
図中２１はロータであり、その回転軸２２を軸受け２３
を介して７Ｌ／−ム２４から外部に導出している。フレ
ーム２４の内周面には、ロータ２１ ＶＣ対向１′るよ
うにしてステーター２５が取付けられている。
を介して７Ｌ／−ム２４から外部に導出している。フレ
ーム２４の内周面には、ロータ２１ ＶＣ対向１′るよ
うにしてステーター２５が取付けられている。
フレーム２４の後端部に回転軸２２の端部は、均圧ベロ
ーズ２６で囲まれている。均圧ベローズ２６及びフレー
ム２４に囲まれた内部には。
ーズ２６で囲まれている。均圧ベローズ２６及びフレー
ム２４に囲まれた内部には。
均圧油２７が封入されている。前述の油封式均圧形モー
ターにおいてはベローズとして１例えばゴム等のやわら
かい材質のベローズを取り伺けることも可能であるが、
半導体装置の場合には、容器内に収納される半導体素子
が、非雷に構造敏感性であるために、極めて高い密封度
と不活性な内部雰囲気が要求される。従って一般に金属
およびセラミック壁による気密封止がなされている。又
、耐腐食性を考慮１−るとあまり薄い金属壁を使用する
ことも困難である。従って第５図の様に外部にベローズ
を伺加しようとした場合装置の内容積が大きくなりすぎ
て、逆に刺入オイルの量を増やさねばならなくなり。
ターにおいてはベローズとして１例えばゴム等のやわら
かい材質のベローズを取り伺けることも可能であるが、
半導体装置の場合には、容器内に収納される半導体素子
が、非雷に構造敏感性であるために、極めて高い密封度
と不活性な内部雰囲気が要求される。従って一般に金属
およびセラミック壁による気密封止がなされている。又
、耐腐食性を考慮１−るとあまり薄い金属壁を使用する
ことも困難である。従って第５図の様に外部にベローズ
を伺加しようとした場合装置の内容積が大きくなりすぎ
て、逆に刺入オイルの量を増やさねばならなくなり。
従って体積変化振が増大するので、大型のベローズを必
要とする。この様な構造は先に述べたシステム全体から
の大きさの制約や取り扱い上の問題、さらには製造コス
トの観点がら見ても実現性が低い。
要とする。この様な構造は先に述べたシステム全体から
の大きさの制約や取り扱い上の問題、さらには製造コス
トの観点がら見ても実現性が低い。
本発明は、かがる点に鑑みてなされたものでありｔ電気
絶縁油の容槓没化をフランジ部の弾性変形及びそのＵ′
４−形溝によって吸収せしめて。
絶縁油の容槓没化をフランジ部の弾性変形及びそのＵ′
４−形溝によって吸収せしめて。
半導体素子の優れた％性をツシむＩＩさせると共Ｖ（５
、簡単なイイゼ造で高耐圧を有１−る油封均圧形牛４１
２体装置と提供するものである。
、簡単なイイゼ造で高耐圧を有１−る油封均圧形牛４１
２体装置と提供するものである。
即ち、本発明は、少７Ｌりとも２つの土面を持つ半導体
素子と、該半梶体訟子をその１ＩＩｏＳＩｕｌｉｉＪ′
ＩＩて支持して収容した絶縁体筒と、＠：ｊ配王［Ｕの
夫々に接触して設置られた外部１ｉ；； ｎメと、Ｆ’
Ｊ’ｌＪ記牛魯体素子を夕本気から遮〜１密日”−ｊす
るようＶＣ前記外も１５ｔシ極と前記絶縁体筒間に取伺
けられ、がっ、ＯｉＪ記外部電極を囲む付根郡に藺顛略
（Ｊ字形６′ｔ・をイ」−３ると共に、夕を部の雰囲気
の圧力変化に追従して弾性変形するフランジ部と、該フ
ランジ部、前記外部電極及び前記絶縁体筒で囲まれたＰ
Ｊ部に前記半畳体累子を封止するようＶＬ鮎人された電
気絶縁油とを具備する藺的均圧形半導体装置である。
素子と、該半梶体訟子をその１ＩＩｏＳＩｕｌｉｉＪ′
ＩＩて支持して収容した絶縁体筒と、＠：ｊ配王［Ｕの
夫々に接触して設置られた外部１ｉ；； ｎメと、Ｆ’
Ｊ’ｌＪ記牛魯体素子を夕本気から遮〜１密日”−ｊす
るようＶＣ前記外も１５ｔシ極と前記絶縁体筒間に取伺
けられ、がっ、ＯｉＪ記外部電極を囲む付根郡に藺顛略
（Ｊ字形６′ｔ・をイ」−３ると共に、夕を部の雰囲気
の圧力変化に追従して弾性変形するフランジ部と、該フ
ランジ部、前記外部電極及び前記絶縁体筒で囲まれたＰ
Ｊ部に前記半畳体累子を封止するようＶＬ鮎人された電
気絶縁油とを具備する藺的均圧形半導体装置である。
以下、本発明の実施例について図面を参照し“〔説明す
る。
る。
第６図は、本発明の一実施例の断面図である。
図中３０は、半導体素子である。半導体素子３０は、セ
ラミック等からなる絶縁体筒３）内に耐容されている。
ラミック等からなる絶縁体筒３）内に耐容されている。
半導体素子３０は、七〇側端面と絶縁体筒３１の内壁面
間に介在された位置決めリング３２によって固定されて
いる。半導体素子３０の表裏面主面には、外部電極３３
ａ。
間に介在された位置決めリング３２によって固定されて
いる。半導体素子３０の表裏面主面には、外部電極３３
ａ。
３３ｂが取付けられている。絶縁体筒３ノの下端部と裏
面側の外部電極３３ｂ間には、下部フランジ３４ ｂが
取付けられている。絶縁体筒３ノの上端部と表面側の外
部電極３３ａ間には、上部フランジ３４２が取付けられ
ている。上部フランジ３４ａは、外部電極３３ａと絶縁
体筒３ノの間で折曲し、この折曲部によって半導体素子
３０を囲む領域と連通ずる中空部３３Ｃを形成している
。更に、上部フランジ３４ａの外部Ｔ４極３３ａの付根
部には、外部電極３３ａを囲むようにして断面略Ｕ字形
Ｓ ３４ ｃが形成されている。上部フランジ３４ａは
、このＵ字形婢Ｓ ４Ｃ及び中空部３３Ｃによって、外
力を受けた際に弾性変形するようになっている。外部電
極３３ａと絶縁体筒３１及びこれらに取付けられた上部
フランジ３４ａ１下部フランジ３４ｂ（以下、単にフラ
ンジ部３４と記す。）によって、収納容器３５が構成さ
れている。収納容器３５内には、半導体素子３０を密封
して刺止するように、電気絶縁油３６が封入されている
。
面側の外部電極３３ｂ間には、下部フランジ３４ ｂが
取付けられている。絶縁体筒３ノの上端部と表面側の外
部電極３３ａ間には、上部フランジ３４２が取付けられ
ている。上部フランジ３４ａは、外部電極３３ａと絶縁
体筒３ノの間で折曲し、この折曲部によって半導体素子
３０を囲む領域と連通ずる中空部３３Ｃを形成している
。更に、上部フランジ３４ａの外部Ｔ４極３３ａの付根
部には、外部電極３３ａを囲むようにして断面略Ｕ字形
Ｓ ３４ ｃが形成されている。上部フランジ３４ａは
、このＵ字形婢Ｓ ４Ｃ及び中空部３３Ｃによって、外
力を受けた際に弾性変形するようになっている。外部電
極３３ａと絶縁体筒３１及びこれらに取付けられた上部
フランジ３４ａ１下部フランジ３４ｂ（以下、単にフラ
ンジ部３４と記す。）によって、収納容器３５が構成さ
れている。収納容器３５内には、半導体素子３０を密封
して刺止するように、電気絶縁油３６が封入されている
。
電気絶縁油３６としては、例えはシリコン油が使用され
ている。絶縁体筒３１の側部には、電気絶縁油３６の封
入管３７が導出されており、その先端部は封口されてい
る。
ている。絶縁体筒３１の側部には、電気絶縁油３６の封
入管３７が導出されており、その先端部は封口されてい
る。
このように構成された油封均圧形半導体装置４０によれ
ば、特に上部７２ンジ３４ａの部分に０字形溝３４Ｃが
形成されていると共に、上部フランジ３４Ｈによって中
空部３３Ｃが形成されているので、外部から高圧力が加
っても上部フランジ３４ａが％身２７図に二点鎖線４１
で示す如く弾性変形してその圧力を吸収する。同様に電
気絶縁油３６の容積が温度変化或は圧力変化によって変
化しても上部フランジ３４ａによって吸収される。その
結果、半導体素子３０に不均一な出力が加わるのを阻止
して、優れた素子特性を発揮させることができる。しか
も、収納容器３５は、内部に電気絶縁油３６を封入した
状態になっているので、耐圧の向上を達成できる。
ば、特に上部７２ンジ３４ａの部分に０字形溝３４Ｃが
形成されていると共に、上部フランジ３４Ｈによって中
空部３３Ｃが形成されているので、外部から高圧力が加
っても上部フランジ３４ａが％身２７図に二点鎖線４１
で示す如く弾性変形してその圧力を吸収する。同様に電
気絶縁油３６の容積が温度変化或は圧力変化によって変
化しても上部フランジ３４ａによって吸収される。その
結果、半導体素子３０に不均一な出力が加わるのを阻止
して、優れた素子特性を発揮させることができる。しか
も、収納容器３５は、内部に電気絶縁油３６を封入した
状態になっているので、耐圧の向上を達成できる。
なお、スタック構造の電力制御装置を組立てる場合には
、第８図に示す如く、油封均圧形半導体装置４０の外部
電極３３ａ、３３ｂにスタック板４２を数百〜数千ｋｙ
ｆで圧接することにより、容易に構成することができる
。
、第８図に示す如く、油封均圧形半導体装置４０の外部
電極３３ａ、３３ｂにスタック板４２を数百〜数千ｋｙ
ｆで圧接することにより、容易に構成することができる
。
以上説明した如く、本発明に係る油封均圧形半導体装置
によれは、電気絶縁油の容積変化をフランジ部の弾性変
形及びそのＵ字形溝によって吸収せしめて、半導体素子
の優れた特性を発揮させると共に、簡単な構造で高耐圧
を有するものである。
によれは、電気絶縁油の容積変化をフランジ部の弾性変
形及びそのＵ字形溝によって吸収せしめて、半導体素子
の優れた特性を発揮させると共に、簡単な構造で高耐圧
を有するものである。
第１図及び第２図は、それぞれ従来の均圧形半導体装置
の断面図、第３図は５泥２図にンバす半導体装置のフラ
ンジ部が外部圧力によって変形している状態を示す説明
図、第５図は、従来の油封均圧形半導体装置の断面図、
第４図は、油封式均圧形モータの断面図、挑６図は、本
発明の一実施例の断面図、第７図は、同実施例の油封均
圧形半導体装置のフランジ部の変形状態を示す説明図、
第８図は、同実施例の油封均圧形半導体装置を組込んだ
スタック構造のものを示す説明図である。 ３０・・・半導体素子、３１・・・絶縁体筒、３２ ・
位置決めリング、３３ａ、３ｓｂ・・・外部電極、３３
Ｃ・・・中望部、３４ａ・・・上部フランジ、３４ｂ・
・・下部フランジ５３４Ｃ・・・Ｕ字形面、３５・・・
収納容器、３６・・電気絶縁油、３７・・・剣入管、４
０・・・油封均圧形半導体装置、４２・・スタック板。 出願人復代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第３図 ｎ 第４ 図 ７ 第５ 図 オ６図 矛８図 ４１ ｊｊＤ ｊ４Ｄ
の断面図、第３図は５泥２図にンバす半導体装置のフラ
ンジ部が外部圧力によって変形している状態を示す説明
図、第５図は、従来の油封均圧形半導体装置の断面図、
第４図は、油封式均圧形モータの断面図、挑６図は、本
発明の一実施例の断面図、第７図は、同実施例の油封均
圧形半導体装置のフランジ部の変形状態を示す説明図、
第８図は、同実施例の油封均圧形半導体装置を組込んだ
スタック構造のものを示す説明図である。 ３０・・・半導体素子、３１・・・絶縁体筒、３２ ・
位置決めリング、３３ａ、３ｓｂ・・・外部電極、３３
Ｃ・・・中望部、３４ａ・・・上部フランジ、３４ｂ・
・・下部フランジ５３４Ｃ・・・Ｕ字形面、３５・・・
収納容器、３６・・電気絶縁油、３７・・・剣入管、４
０・・・油封均圧形半導体装置、４２・・スタック板。 出願人復代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第３図 ｎ 第４ 図 ７ 第５ 図 オ６図 矛８図 ４１ ｊｊＤ ｊ４Ｄ
Claims (1)
- 少なくとも２つの主面を持つ半導体素子と、該半導体素
子をそり側端面で支持して収容した絶縁体筒と、前記主
面の夫々に接触して設けられた外部電極と、前記半導体
素子を外気から遮断密閉するように繭記外部電極と前記
絶縁体筒間に取付けられ、かつ、前記外部電極を囲む付
根部に断面略Ｕ字形溝を有すると共に、外部の雰囲気の
圧力変化に追従して弾性変形するフランジ部と・該フラ
ンジ部、前記外部電極及び前記絶縁体筒で囲まれた内部
に前記半導体素子を封止するように封入された電気絶縁
油とを具備することを特徴とする油封均圧形半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58141193A JPS6032331A (ja) | 1983-08-03 | 1983-08-03 | 油封均圧形半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58141193A JPS6032331A (ja) | 1983-08-03 | 1983-08-03 | 油封均圧形半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6032331A true JPS6032331A (ja) | 1985-02-19 |
Family
ID=15286320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58141193A Pending JPS6032331A (ja) | 1983-08-03 | 1983-08-03 | 油封均圧形半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032331A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49108976A (ja) * | 1972-05-15 | 1974-10-16 | ||
| JPS5621352A (en) * | 1979-07-28 | 1981-02-27 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1983
- 1983-08-03 JP JP58141193A patent/JPS6032331A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49108976A (ja) * | 1972-05-15 | 1974-10-16 | ||
| JPS5621352A (en) * | 1979-07-28 | 1981-02-27 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
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