JPS6032339B2 - 貫通孔を有する磁器コンデンサの電極形成方法 - Google Patents
貫通孔を有する磁器コンデンサの電極形成方法Info
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- JPS6032339B2 JPS6032339B2 JP5560177A JP5560177A JPS6032339B2 JP S6032339 B2 JPS6032339 B2 JP S6032339B2 JP 5560177 A JP5560177 A JP 5560177A JP 5560177 A JP5560177 A JP 5560177A JP S6032339 B2 JPS6032339 B2 JP S6032339B2
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は貫通孔を有する磁器コンデンサの電極形成方法
に関する。
に関する。
一般に、貫通孔を有する磁器コンデンサにおいては、そ
の構造上電極部に熱歪が集中し易いことから、従来の暁
付け法や無電解〆ッキ法により形成した一層の電極では
、リード線を取付ける際のハンダ付け等によって電極剥
離現象が発生し、静電容量その他の電気的特性が大きく
変化する問題があった。
の構造上電極部に熱歪が集中し易いことから、従来の暁
付け法や無電解〆ッキ法により形成した一層の電極では
、リード線を取付ける際のハンダ付け等によって電極剥
離現象が発生し、静電容量その他の電気的特性が大きく
変化する問題があった。
この問題を解決する電極形成方法として、近年、磁器か
らなるコンデンサ素体表面に無電解ニッケルメッキを施
し、形成されたニッケル層を酸化処理した後、その上に
電解銀メッキをする方法が提案されている。この方法は
、初層のニッケル層を酸化処理することによって酸化層
を形成し、この酸化層によってニッケル層と銀層との密
着強度を弱めて電極部に集中する歪を緩和し、上記剥離
現象を防止しようとするものである。この方法によれば
、従来の競付け法が無電解〆ッキ法に比べ磁器コンデン
サの特性変化を少なくすることができるが、二層目の銀
層を形成する手段として電解メッキを使用しているため
、電流密度が均一にならず素体の角部及び端部に金属折
出が集中し、内部電極層を形成すべき素体紬孔表面のよ
うに電流密度の小さい部分ではメッキが不能になったり
均一化できないなどの問題がある。この問題は、特に、
素体紬孔の直径が１柳以下の場合や紬孔の長さが５肋以
上の場合に著しい。また、電解メッキはその機構上密着
強度が大きいことから、酸化層による初層と第二層との
密着弱化効果が小さくなるという問題がある他、ハンダ
浴に浸薄時第二層の銀がハンダ中へ移行する問題もあっ
た。本発明は、上記の問題を鱗決すべ〈なされたもので
あって、熱歪に起因する電極剥離現象を防止し、熱によ
りコンデンサの電気的特性が変化しない電極を形成する
ことができ、しかも素体の紬孔の大きさに無関係に均一
な電極を形成することができる貫通孔を有する磁器コン
デンサの電極形成方法を得ることを目的とする。
らなるコンデンサ素体表面に無電解ニッケルメッキを施
し、形成されたニッケル層を酸化処理した後、その上に
電解銀メッキをする方法が提案されている。この方法は
、初層のニッケル層を酸化処理することによって酸化層
を形成し、この酸化層によってニッケル層と銀層との密
着強度を弱めて電極部に集中する歪を緩和し、上記剥離
現象を防止しようとするものである。この方法によれば
、従来の競付け法が無電解〆ッキ法に比べ磁器コンデン
サの特性変化を少なくすることができるが、二層目の銀
層を形成する手段として電解メッキを使用しているため
、電流密度が均一にならず素体の角部及び端部に金属折
出が集中し、内部電極層を形成すべき素体紬孔表面のよ
うに電流密度の小さい部分ではメッキが不能になったり
均一化できないなどの問題がある。この問題は、特に、
素体紬孔の直径が１柳以下の場合や紬孔の長さが５肋以
上の場合に著しい。また、電解メッキはその機構上密着
強度が大きいことから、酸化層による初層と第二層との
密着弱化効果が小さくなるという問題がある他、ハンダ
浴に浸薄時第二層の銀がハンダ中へ移行する問題もあっ
た。本発明は、上記の問題を鱗決すべ〈なされたもので
あって、熱歪に起因する電極剥離現象を防止し、熱によ
りコンデンサの電気的特性が変化しない電極を形成する
ことができ、しかも素体の紬孔の大きさに無関係に均一
な電極を形成することができる貫通孔を有する磁器コン
デンサの電極形成方法を得ることを目的とする。
本発明に係る貫通孔を有する磁器コンデンサの電極形成
方法は、磁器からなるコンデンサ素体表面に無電解〆ッ
キ法によりニッケルメッキ層を形成し、その後該メッキ
層を酸化処理し、次いでその上に無電隊メッキによりニ
ッケルメッキ層を形成することを特徴とするものである
。
方法は、磁器からなるコンデンサ素体表面に無電解〆ッ
キ法によりニッケルメッキ層を形成し、その後該メッキ
層を酸化処理し、次いでその上に無電隊メッキによりニ
ッケルメッキ層を形成することを特徴とするものである
。
初層および第二層のニッケルメッキ膜の形成には、通常
使用される次亜リン酸塩を還元剤とする無電鱗ニッケル
メッキ液の他、水素化ホウ素化合物またはヒドラジンを
還元剤とするアルカリ性無電解ニッケルメッキ液を使用
することができる。
使用される次亜リン酸塩を還元剤とする無電鱗ニッケル
メッキ液の他、水素化ホウ素化合物またはヒドラジンを
還元剤とするアルカリ性無電解ニッケルメッキ液を使用
することができる。
初層のニッケルメッキ膜の酸化処理は、酸化性雰囲気中
、例えば空気中、２００〜４０００Ｃ、好ましく２５０
〜３５０００で５〜４晩ご行なうのが望まい、。これは
、処理温度が２００午０禾満では容量変化率が大きく、
４００００を越えると容量変化率はさほど大きくならな
いが、品質の均一化が計り難くなるからである。また、
４００００以上の温度で処理した場合、急袷すると素体
にクラックが入りコンヂンサの電気的特性が劣化する恐
れがあるので徐冷しなければならす、そのため生産速度
が低下する問題もあるからである。上記のようにして初
層のニッケルメッキ膜上に酸化層を形成することにより
、初層とニッケルメッキ層間の密着強度を弱める効果を
得ることができる。次に、本発明の実施例に基づいて本
発明を説明する。
、例えば空気中、２００〜４０００Ｃ、好ましく２５０
〜３５０００で５〜４晩ご行なうのが望まい、。これは
、処理温度が２００午０禾満では容量変化率が大きく、
４００００を越えると容量変化率はさほど大きくならな
いが、品質の均一化が計り難くなるからである。また、
４００００以上の温度で処理した場合、急袷すると素体
にクラックが入りコンヂンサの電気的特性が劣化する恐
れがあるので徐冷しなければならす、そのため生産速度
が低下する問題もあるからである。上記のようにして初
層のニッケルメッキ膜上に酸化層を形成することにより
、初層とニッケルメッキ層間の密着強度を弱める効果を
得ることができる。次に、本発明の実施例に基づいて本
発明を説明する。
実施例
磁器からなる円筒状コンデンサ素体の表面を常法により
活性化した後、硫酸ニッケルを次亜燐酸ナトリウムを主
成分とするメッキ液に浸潰して無電解ニッケルメッキ膜
を形成し、次いでこの秦体を空気中、１６０〜４５００
０の温度範囲で１０分〜６００分間酸化処理し、更に上
言己〆ッキ液と同組成のメッキ液中に浸潰して無電解ニ
ッケルメッキ膜を形成することにより、素体表面に第一
および第二の無電鱗ニッケルメッキ膜からなる内部電極
および外部電極を形成する。
活性化した後、硫酸ニッケルを次亜燐酸ナトリウムを主
成分とするメッキ液に浸潰して無電解ニッケルメッキ膜
を形成し、次いでこの秦体を空気中、１６０〜４５００
０の温度範囲で１０分〜６００分間酸化処理し、更に上
言己〆ッキ液と同組成のメッキ液中に浸潰して無電解ニ
ッケルメッキ膜を形成することにより、素体表面に第一
および第二の無電鱗ニッケルメッキ膜からなる内部電極
および外部電極を形成する。
このようにして得られた各々の試料の紬孔にリード線を
挿入し、ハンダ付けで固定して円筒状貫通型コンデンサ
を作成し、一２５００〜十８５００の温度範囲に変化さ
せる工程を１サイクルとして、これを５回線返し、各コ
ンデンサの温度サイクル試験を行ない、試験前後の各コ
ンデンサの容量を測定してその変化率を求めた。
挿入し、ハンダ付けで固定して円筒状貫通型コンデンサ
を作成し、一２５００〜十８５００の温度範囲に変化さ
せる工程を１サイクルとして、これを５回線返し、各コ
ンデンサの温度サイクル試験を行ない、試験前後の各コ
ンデンサの容量を測定してその変化率を求めた。
第１図を第一無電鱗ニッケルメッキ膜の酸化処理温度と
コンデンサの容量変化率との関係を、第２図に第一のニ
ッケルメッキ膜の外観色と容量変化率の関係をそれぞれ
示す。なお、容量変化率はそれぞれ５Ｍ固の試料につい
て調べたもので、第１図中、試料２を例にとれば、直線
ａは容量変化率のバラッキ範囲を示し、曲線ｂはバラツ
キ量を示す。第１図から明らかなように、酸化処理温度
が２００ｑ○未満では容量変化率が大きく、品質も一定
せず、４００午０を越えると容量変化率は小さいがバラ
ツキ量が増大する傾向があり品質の均一化を維持し難く
なることから、酸化処理温度は２００〜４００℃が好適
である。
コンデンサの容量変化率との関係を、第２図に第一のニ
ッケルメッキ膜の外観色と容量変化率の関係をそれぞれ
示す。なお、容量変化率はそれぞれ５Ｍ固の試料につい
て調べたもので、第１図中、試料２を例にとれば、直線
ａは容量変化率のバラッキ範囲を示し、曲線ｂはバラツ
キ量を示す。第１図から明らかなように、酸化処理温度
が２００ｑ○未満では容量変化率が大きく、品質も一定
せず、４００午０を越えると容量変化率は小さいがバラ
ツキ量が増大する傾向があり品質の均一化を維持し難く
なることから、酸化処理温度は２００〜４００℃が好適
である。
また、第２図から明らかなように、第一メッキ膜の外観
色が褐色あるいは黄色のものは容量変化率が小さいこと
から、外観色を容量変化量の目安とすることができる。
色が褐色あるいは黄色のものは容量変化率が小さいこと
から、外観色を容量変化量の目安とすることができる。
さらに、上記実施例とは別に、直径０．３〜２側、長さ
１仇咳の貫通孔を有する種々の円筒状コンデンサ素体を
メッキ俗に、温度６０００で３０分間浸潰してその表面
に第一のニッケルメッキ膜を形成し、空気中３００００
で１び分酸化処理した後、上記した条件と同じ条件でメ
ッキ俗に浸潰して第二のニッケルメッキ膜を形成し、内
部電極および外部電極を形成したところ、貫通孔の大小
に無関係に均一な厚みの電極を形成することができた。
また、このようにして得られた試料の貫通孔にリード線
を挿通し、２４０００に保持したハンダ宇谷中に５秒浸
潰して固定し、貫通型コンデンサを作成したところ、ハ
ンダ付け処理前後の容量変化率は極めて小さく０．５％
以下であった。このように本発明方法により電極を形成
すると、容量変化率が極めて小さい貫通型磁器コンデン
サを製造することができるが、これは第二層が無電鱗ニ
ッケルメッキ膜であるため、第一と第二のニッケルメッ
キ膜間の密着度が調節され、これによって電極部に集中
する熱歪が著しく緩和され、剥離現象が防止されるため
であると推測される。
１仇咳の貫通孔を有する種々の円筒状コンデンサ素体を
メッキ俗に、温度６０００で３０分間浸潰してその表面
に第一のニッケルメッキ膜を形成し、空気中３００００
で１び分酸化処理した後、上記した条件と同じ条件でメ
ッキ俗に浸潰して第二のニッケルメッキ膜を形成し、内
部電極および外部電極を形成したところ、貫通孔の大小
に無関係に均一な厚みの電極を形成することができた。
また、このようにして得られた試料の貫通孔にリード線
を挿通し、２４０００に保持したハンダ宇谷中に５秒浸
潰して固定し、貫通型コンデンサを作成したところ、ハ
ンダ付け処理前後の容量変化率は極めて小さく０．５％
以下であった。このように本発明方法により電極を形成
すると、容量変化率が極めて小さい貫通型磁器コンデン
サを製造することができるが、これは第二層が無電鱗ニ
ッケルメッキ膜であるため、第一と第二のニッケルメッ
キ膜間の密着度が調節され、これによって電極部に集中
する熱歪が著しく緩和され、剥離現象が防止されるため
であると推測される。
上記実施例では円筒状貫通型コンデンサについて説明し
たが、貫通孔を有する磁器コンデンサ、たとえば円板貫
通型磁器コンデンサに適用しても同様な効果を有するこ
とは云うまでもない。
たが、貫通孔を有する磁器コンデンサ、たとえば円板貫
通型磁器コンデンサに適用しても同様な効果を有するこ
とは云うまでもない。
第１図は本発明方法における酸化処理温度とコンデンサ
の容量変化率との関係を示すグラフ、第２図は第一のニ
ッケルメッキ膜の外観色と容量変化率との関係を示すグ
ラフである。 １，２，３，４，５，６〜試料番号。 第１図 第２図
の容量変化率との関係を示すグラフ、第２図は第一のニ
ッケルメッキ膜の外観色と容量変化率との関係を示すグ
ラフである。 １，２，３，４，５，６〜試料番号。 第１図 第２図
Claims (1)
- １ 貫通孔を有する磁器コンデンサ素体表面に無電解メ
ツキ法によりニツケルメツキ層を形成し、その後該メツ
キ層を酸化処理し、次いでその上に無電解メツキ法によ
りニツケルメツキ層を形成することを特徴とする貫通孔
を有する磁器コンデンサの電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5560177A JPS6032339B2 (ja) | 1977-05-13 | 1977-05-13 | 貫通孔を有する磁器コンデンサの電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5560177A JPS6032339B2 (ja) | 1977-05-13 | 1977-05-13 | 貫通孔を有する磁器コンデンサの電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53140561A JPS53140561A (en) | 1978-12-07 |
| JPS6032339B2 true JPS6032339B2 (ja) | 1985-07-27 |
Family
ID=13003288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5560177A Expired JPS6032339B2 (ja) | 1977-05-13 | 1977-05-13 | 貫通孔を有する磁器コンデンサの電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032339B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4870853B1 (ja) * | 2011-08-05 | 2012-02-08 | 順一 川田 | 雪道凹凸路面用教習装置 |
-
1977
- 1977-05-13 JP JP5560177A patent/JPS6032339B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53140561A (en) | 1978-12-07 |
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