JPS6032355B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6032355B2 JPS6032355B2 JP53145905A JP14590578A JPS6032355B2 JP S6032355 B2 JPS6032355 B2 JP S6032355B2 JP 53145905 A JP53145905 A JP 53145905A JP 14590578 A JP14590578 A JP 14590578A JP S6032355 B2 JPS6032355 B2 JP S6032355B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- resin
- thin copper
- copper pipe
- copper wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/117—Shapes of semiconductor bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/60—Strap connectors, e.g. thick copper clips for grounding of power devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/076—Connecting or disconnecting of strap connectors
- H10W72/07651—Connecting or disconnecting of strap connectors characterised by changes in properties of the strap connectors during connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/761—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of strap connectors
- H10W90/764—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of strap connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はメサ型ガラスパシベーションの、例えばシリ
コンサイリスタ、トライアツクチツプを構成要素とする
樹脂モールド型半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
コンサイリスタ、トライアツクチツプを構成要素とする
樹脂モールド型半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
一般に半導体素子は外部の影響を非常に受け易いために
、所定の電気的特性を保持して正確な動作を行なわせる
のには、この半導体素子を絶縁体により完全に密封保護
する必要があり、その一方法を適用した半導体装置とし
ては、無機ガラスにより半導体素子表面を保護させたシ
リコンサィリスタ、トライアックチップを構成要素とす
る樹脂モールド型の中電力用サイリスタ、トライアツク
がある。
、所定の電気的特性を保持して正確な動作を行なわせる
のには、この半導体素子を絶縁体により完全に密封保護
する必要があり、その一方法を適用した半導体装置とし
ては、無機ガラスにより半導体素子表面を保護させたシ
リコンサィリスタ、トライアックチップを構成要素とす
る樹脂モールド型の中電力用サイリスタ、トライアツク
がある。
この樹脂モールド型中電力用サィリスタ、トライアック
は、小型、軽量、高信頼性、長寿命、絶縁性、保守容易
などの数多くの長所を持つ半導体スイッチであり、この
ような特徴をいかして、近年、保護回路、点滅器、小型
モータ制御、ＳＳリレーなど多方面に使用されているの
であるが、このメサ型の無機ガラスを表面保護膜とする
樹脂モールド型中電力用サィリスタ、トライアックの組
立ては、プレーナ型のシリコン酸化膜を表面保護膜とす
る樹脂モールド型小電力用サィリスタ、トライアックの
組立てに比較して種々の困難さがある。
は、小型、軽量、高信頼性、長寿命、絶縁性、保守容易
などの数多くの長所を持つ半導体スイッチであり、この
ような特徴をいかして、近年、保護回路、点滅器、小型
モータ制御、ＳＳリレーなど多方面に使用されているの
であるが、このメサ型の無機ガラスを表面保護膜とする
樹脂モールド型中電力用サィリスタ、トライアックの組
立ては、プレーナ型のシリコン酸化膜を表面保護膜とす
る樹脂モールド型小電力用サィリスタ、トライアックの
組立てに比較して種々の困難さがある。
すなわち前者中電力用のものは１０〜１３Ａ程度の電流
容量を扱うためにシリコンチップの電極面積がかなり大
きなものとなり、従って後者小電力用のものの外部引出
し電極の結線が、Ａｕ紬線の熱圧着とか、ＡＩ紐線の超
音波ボンディングですむのに、この前者中電力用のもの
は半田付けによらなければならす、またゲート感度をよ
くするために、後者小電力用のものがコーナーゲート方
式でよいのに、前者中電力用のものはセンターゲート方
式となって、そのゲート部はチップ電極の中央部の限ら
れた小領域となり、これによってゲート電極の外部への
引出しが極めて困難となものであつた。
容量を扱うためにシリコンチップの電極面積がかなり大
きなものとなり、従って後者小電力用のものの外部引出
し電極の結線が、Ａｕ紬線の熱圧着とか、ＡＩ紐線の超
音波ボンディングですむのに、この前者中電力用のもの
は半田付けによらなければならす、またゲート感度をよ
くするために、後者小電力用のものがコーナーゲート方
式でよいのに、前者中電力用のものはセンターゲート方
式となって、そのゲート部はチップ電極の中央部の限ら
れた小領域となり、これによってゲート電極の外部への
引出しが極めて困難となものであつた。
この発明は従来のこのような実情に鑑み、メサ型ガラス
パシベーションチップを構成要素とする樹脂モールド型
中電力用サィリスタ、トライアックなどの半導体装置の
製造に際し、外部引出し電極の取出しを効果的かつ良好
に行なえるようにした手段を提供しようとするものであ
って、以下この発明方法の実施例につき、添付図面を参
照して詳細に説明する。
パシベーションチップを構成要素とする樹脂モールド型
中電力用サィリスタ、トライアックなどの半導体装置の
製造に際し、外部引出し電極の取出しを効果的かつ良好
に行なえるようにした手段を提供しようとするものであ
って、以下この発明方法の実施例につき、添付図面を参
照して詳細に説明する。
第１図ａおよびｂは無機ガラスにより表面処理を施した
メサ型中電力用トライアックチップの平面およびその拡
大断面を示している。
メサ型中電力用トライアックチップの平面およびその拡
大断面を示している。
この第１図ａおよびｂにおいて、１はシリコン基体、２
はそのガラス保護膜、３および４はシリコン基体１のＴ
，およびＴ２電極、５は同様にシリコン基体１のゲート
電極である。ここで前記Ｔ．電極３の中央部にあって、
いわゆるセンターゲートを形成しているゲート電極５は
、図からも明らかなようにＴ，電極３に比較して非常に
小さな面積を占めており、このゲート電極５からのりー
ドの引出し‘ま一般に困難なものであった。
はそのガラス保護膜、３および４はシリコン基体１のＴ
，およびＴ２電極、５は同様にシリコン基体１のゲート
電極である。ここで前記Ｔ．電極３の中央部にあって、
いわゆるセンターゲートを形成しているゲート電極５は
、図からも明らかなようにＴ，電極３に比較して非常に
小さな面積を占めており、このゲート電極５からのりー
ドの引出し‘ま一般に困難なものであった。
この実施例では前記構成のトライアックチップを、まず
第２図に示したように、組立て治具を使用して、ヒート
シンク用銅ブロック６、絶縁用セラミック基板７、Ｔ，
電極板８、Ｔ２電極板９およびゲートリードとなる銅細
線１０と各々半田付けして接続させる。
第２図に示したように、組立て治具を使用して、ヒート
シンク用銅ブロック６、絶縁用セラミック基板７、Ｔ，
電極板８、Ｔ２電極板９およびゲートリードとなる銅細
線１０と各々半田付けして接続させる。
すなわち、いわゆる石付け作業を行なう。この場合、前
記ゲート電極５からのりードとしては、Ｎｉメッキとか
Ａｇメッキなどの表面処理を施した銅細線１０を使用し
て、チップ上方にほぼ垂直に引出すことにより、その組
立てが非常に容易となるもので、このように石付けを終
了したチップとその各接続部とを、チップ保護のために
ゲル状の樹脂ワニスあるいはシリコンゴム１１により被
覆させる。ついで次に第３図に示したように、前記鋼紬
線１０に対して、同様にＮｉメッキとかＡｇメッキなど
の表面処理を施した銅パイプ１２を慎重に挿入させた上
で、この構成の周囲に樹脂ケース１３を装置させる。
記ゲート電極５からのりードとしては、Ｎｉメッキとか
Ａｇメッキなどの表面処理を施した銅細線１０を使用し
て、チップ上方にほぼ垂直に引出すことにより、その組
立てが非常に容易となるもので、このように石付けを終
了したチップとその各接続部とを、チップ保護のために
ゲル状の樹脂ワニスあるいはシリコンゴム１１により被
覆させる。ついで次に第３図に示したように、前記鋼紬
線１０に対して、同様にＮｉメッキとかＡｇメッキなど
の表面処理を施した銅パイプ１２を慎重に挿入させた上
で、この構成の周囲に樹脂ケース１３を装置させる。
このとき、前記銅パイプ１２は、銅細線１０をその内部
に収納可能な、該銅細線と同じ長さかそれより５〜１仇
協短い長さの銅パイプからなる。ここで銅細線１０への
銅パイプ１２の挿入に際して、前記ゲル状の樹脂ワニス
あるいはシリコンゴム１１はチップを保護するクッショ
ンとなる。そして更に前記樹脂ケース１３の内部には、
この銅パイプ１２の挿入基部を含めたチップ体をモール
ドするようにして、熱硬化型あるいは自然硬化型の流動
性樹脂１４を流し込んで硬化させ、この銅パイプ１２を
強固に結合させたのち、最後にこれらの銅細線１０と銅
パイプ１２とを機械的にかしめ付けて電気的に接続する
ことにより、外部引出し電極１５を形成させ、目的とす
るメサ型ガラスパシべ−ションチップによる樹脂モール
ド型中電力用トライアツクを得るものである。従って以
上詳述したようにこの発明方法によるときは、従来困難
とされていたセンターゲート方式でのメサ型ガラスパシ
ベーションチップによる樹脂モールド型中電力用トライ
アツクの組立てを容易に行なうことができ、特にセンタ
ーゲートの引出し電極を正確かつ強固に取出し得るもの
であり、その結果として組立て治臭の簡素化も可能にな
るなどの特長を有する。
に収納可能な、該銅細線と同じ長さかそれより５〜１仇
協短い長さの銅パイプからなる。ここで銅細線１０への
銅パイプ１２の挿入に際して、前記ゲル状の樹脂ワニス
あるいはシリコンゴム１１はチップを保護するクッショ
ンとなる。そして更に前記樹脂ケース１３の内部には、
この銅パイプ１２の挿入基部を含めたチップ体をモール
ドするようにして、熱硬化型あるいは自然硬化型の流動
性樹脂１４を流し込んで硬化させ、この銅パイプ１２を
強固に結合させたのち、最後にこれらの銅細線１０と銅
パイプ１２とを機械的にかしめ付けて電気的に接続する
ことにより、外部引出し電極１５を形成させ、目的とす
るメサ型ガラスパシべ−ションチップによる樹脂モール
ド型中電力用トライアツクを得るものである。従って以
上詳述したようにこの発明方法によるときは、従来困難
とされていたセンターゲート方式でのメサ型ガラスパシ
ベーションチップによる樹脂モールド型中電力用トライ
アツクの組立てを容易に行なうことができ、特にセンタ
ーゲートの引出し電極を正確かつ強固に取出し得るもの
であり、その結果として組立て治臭の簡素化も可能にな
るなどの特長を有する。
なお前記実施例はセンターゲート方式でのメサ型ガラス
パシベーションチップによる樹脂モールド型中電力用ト
ライアックについて説明したが、この発明の適用範囲は
単にこのトライアックに限定されるものではなく、同様
にコーナーゲート方式でのメサ型ガラスパシべ−ション
サィリスタのゲートあるいは力ソード引出し電極の組立
てにも応用できることは勿論である。
パシベーションチップによる樹脂モールド型中電力用ト
ライアックについて説明したが、この発明の適用範囲は
単にこのトライアックに限定されるものではなく、同様
にコーナーゲート方式でのメサ型ガラスパシべ−ション
サィリスタのゲートあるいは力ソード引出し電極の組立
てにも応用できることは勿論である。
第１図ａ，ｂはセンターゲート方式でのメサ型ガラスパ
シベーショントライアツクチップを示す平面図、拡大断
面図、第２図および第３図はこの発明方法の一実施例に
よる第１図トライアックチツプのゲート電極を外部に引
出す工程を順次に示す各々断面図である。 １……シリコン基体、２……ガラス保護膜、３，４・…
・・Ｔ，、Ｌ電極、５…・・・ゲート電極、６．．…．
ヒートシンク用銅ブロック、７・・・・・・セラミック
基板、８，９…・・・Ｔ，、Ｔ２外部引出し電極、１０
・・・・・・銅細線、１１・…・・樹脂ワニスあるいは
シリコンゴム、１２……銅パイプ、１３……樹脂ケース
、１４・・・・・・熱硬化型あるいは自然硬化型の流動
性樹脂、１５・・・・・・ゲート外部引出し電極。 第１図第２図 第３図
シベーショントライアツクチップを示す平面図、拡大断
面図、第２図および第３図はこの発明方法の一実施例に
よる第１図トライアックチツプのゲート電極を外部に引
出す工程を順次に示す各々断面図である。 １……シリコン基体、２……ガラス保護膜、３，４・…
・・Ｔ，、Ｌ電極、５…・・・ゲート電極、６．．…．
ヒートシンク用銅ブロック、７・・・・・・セラミック
基板、８，９…・・・Ｔ，、Ｔ２外部引出し電極、１０
・・・・・・銅細線、１１・…・・樹脂ワニスあるいは
シリコンゴム、１２……銅パイプ、１３……樹脂ケース
、１４・・・・・・熱硬化型あるいは自然硬化型の流動
性樹脂、１５・・・・・・ゲート外部引出し電極。 第１図第２図 第３図
Claims (1)
- １ 樹脂モールド型の中電力用サイリスタ、トライアツ
クの製造において、メサ型ガラスパシペーシヨンシリコ
ンチツプの外部引出し電極を、まずリードとなる銅細線
によつてチツプ上方にほぼ垂直に引出す工程と、ゲル状
の樹脂ワニス、シリコンゴムなどの保護剤により前記チ
ツプを被覆させて保護する工程と、ついで前記銅細線に
該銅細線を収納可能な長さの銅パイプを挿入する工程と
、この銅パイプの挿入基部を含めてチツプ全体を熱硬化
型あるいは自然硬化型の流動性樹脂によりモールドする
工程と、最後に前記銅細線と銅パイプとを機械的にかし
め付ける工程とからなることを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53145905A JPS6032355B2 (ja) | 1978-11-22 | 1978-11-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53145905A JPS6032355B2 (ja) | 1978-11-22 | 1978-11-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5571048A JPS5571048A (en) | 1980-05-28 |
| JPS6032355B2 true JPS6032355B2 (ja) | 1985-07-27 |
Family
ID=15395762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53145905A Expired JPS6032355B2 (ja) | 1978-11-22 | 1978-11-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032355B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02263565A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-10-26 | Plibrico Gmbh | 冶金容器用ガス吹込み装置 |
-
1978
- 1978-11-22 JP JP53145905A patent/JPS6032355B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02263565A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-10-26 | Plibrico Gmbh | 冶金容器用ガス吹込み装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5571048A (en) | 1980-05-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3341649A (en) | Modular package for semiconductor devices | |
| JPS59198740A (ja) | 樹脂封止形半導体複合素子 | |
| US6396138B1 (en) | Chip array with two-sided cooling | |
| GB2337636A (en) | Semiconductor wafer fabrication of inside-wrapped contacts for electronic devices | |
| JP2002076197A (ja) | 半導体装置用基板及び半導体装置 | |
| US4209358A (en) | Method of fabricating a microelectronic device utilizing unfilled epoxy adhesive | |
| KR102199360B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
| GB2199988A (en) | Multi-layer molded plastic ic package | |
| GB1377930A (en) | Semiconductor devices and process for making the same | |
| JPS6032355B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2988589B2 (ja) | 比較的高い電圧に適した表面実装用半導体装置及びその製造方法 | |
| US3278813A (en) | Transistor housing containing packed, earthy, nonmetallic, electrically insulating material | |
| JPH0567697A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS6084845A (ja) | 封止半導体装置 | |
| JP4150508B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
| JP3234614B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH06302734A (ja) | 電力用半導体モジュール | |
| KR102378171B1 (ko) | 커플드 반도체 패키지 | |
| JPS59188947A (ja) | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 | |
| JPS6236299Y2 (ja) | ||
| JP2726555B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS6218054Y2 (ja) | ||
| JPH08107179A (ja) | 電力用半導体装置 | |
| KR100192970B1 (ko) | 고내압 절연 구조를 가지는 스위치 모드 전원장치 | |
| JPH0142347Y2 (ja) |