JPS6032361B2 - 電流通過型高周波信号減衰器の使用方法 - Google Patents
電流通過型高周波信号減衰器の使用方法Info
- Publication number
- JPS6032361B2 JPS6032361B2 JP52002023A JP202377A JPS6032361B2 JP S6032361 B2 JPS6032361 B2 JP S6032361B2 JP 52002023 A JP52002023 A JP 52002023A JP 202377 A JP202377 A JP 202377A JP S6032361 B2 JPS6032361 B2 JP S6032361B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- frequency signal
- current passing
- frequency
- type high
- Prior art date
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- Attenuators (AREA)
- Noise Elimination (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高周波電圧を減衰させるための減衰器の使用
方方法に関するものである。
方方法に関するものである。
従来より、例えばテレビ信号（４加ＭＨＺ〜１００瓜Ｍ
Ｈ２）回路（高周波信号の伝送線路とも呼ばれる）に介
設して用いられる電流通過形固定減衰器にあっては、高
周波電圧を衰させる回路の他に直流ないいま低周波分の
みを減衰させる事なく通過させるためのチョークコイル
を必要とする関係上、減衰器が大型になるばかりでなく
、減衰回路素子と上記チョークコイルとの間の高周波カ
ップリングを避けるためには、チョークコイルの取付位
置が制限されると言う欠点があった。
Ｈ２）回路（高周波信号の伝送線路とも呼ばれる）に介
設して用いられる電流通過形固定減衰器にあっては、高
周波電圧を衰させる回路の他に直流ないいま低周波分の
みを減衰させる事なく通過させるためのチョークコイル
を必要とする関係上、減衰器が大型になるばかりでなく
、減衰回路素子と上記チョークコイルとの間の高周波カ
ップリングを避けるためには、チョークコイルの取付位
置が制限されると言う欠点があった。
また使用周波数の上昇につれてチョークコイル巻線間の
漂遊容量が原因となって実際の減衰量が、減衰回路の設
計値からずれると言う問題点もある。本発明は上記のよ
うな問題点の解決に役立たせることのできる減衰器の使
用方法を提供しようとするものである。
漂遊容量が原因となって実際の減衰量が、減衰回路の設
計値からずれると言う問題点もある。本発明は上記のよ
うな問題点の解決に役立たせることのできる減衰器の使
用方法を提供しようとするものである。
以下本願実施例の構成を例図につき説明する。
第１図において、１は高周波抵抗器の全体、２は中空筒
状の強磁性体、４はその透孔３に挿通した導線である。
次に第２図に示す減衰器において、Ｚは上記高周波抵抗
器、Ｒ，，Ｒ２は通常の抵抗素子でこれらが減衰回路を
構成する。なおＣは直流及び低周波遮断用のコンデンサ
ー、ａ．ａ′は入力端子、ｂ，ｂ′は出力端子である。
次に上記構成の作用につき説明する。
状の強磁性体、４はその透孔３に挿通した導線である。
次に第２図に示す減衰器において、Ｚは上記高周波抵抗
器、Ｒ，，Ｒ２は通常の抵抗素子でこれらが減衰回路を
構成する。なおＣは直流及び低周波遮断用のコンデンサ
ー、ａ．ａ′は入力端子、ｂ，ｂ′は出力端子である。
次に上記構成の作用につき説明する。
まず直流ないいま低周波のみが入力端子ａ，ａ′に入っ
たぱあし・には、高周波抵抗器Ｚの強磁性体２の存在は
入出力端子間の回路に何ら影響せずその等価回路は第３
図のようになる。次に入力端子ａ，ａ′に高周波が重畳
して入ると、導線４と強磁性体２との間に電磁的な結合
が生じ、高周波抵抗器Ｚの両端から見るとインピーダン
スが生じる。このインピーダンスは、実験によればきわ
めて僅かなィンダクタンスを伴なう抵抗で、事実上は高
周波における純抵抗とみなされる。従って高周波成分に
対し減衰器の等価回路は第４図のようになり、チョーク
コイルを有しない減衰器と等価になる。ここで、上記イ
ンピーダンスが生じることは、次の様な理論式によって
理解される。
たぱあし・には、高周波抵抗器Ｚの強磁性体２の存在は
入出力端子間の回路に何ら影響せずその等価回路は第３
図のようになる。次に入力端子ａ，ａ′に高周波が重畳
して入ると、導線４と強磁性体２との間に電磁的な結合
が生じ、高周波抵抗器Ｚの両端から見るとインピーダン
スが生じる。このインピーダンスは、実験によればきわ
めて僅かなィンダクタンスを伴なう抵抗で、事実上は高
周波における純抵抗とみなされる。従って高周波成分に
対し減衰器の等価回路は第４図のようになり、チョーク
コイルを有しない減衰器と等価になる。ここで、上記イ
ンピーダンスが生じることは、次の様な理論式によって
理解される。
まず第５図において中心導体に電流１を流したとき、強
磁性体内の中心導体から任意の距離ｒの点における磁界
日はＨ；； 従ってこの点における磁束密度Ｂは、山ｏを真空中にお
ける透磁率、山ｓをこの強磁性体の比透磁率として、Ｂ
＝」ＯＡＳＨ＝ム毒若さ１ すると内半径ｒ，、外半径ｒ２、長さその強磁性体内を
通る全磁束数■は■＝′〒２８とｄｒ ＝伯半券生Ｌｄｒ −Ａ雌１りｎ害 ２汀 従ってＴ，一Ｔ２端子間のインピーダンスＺはのを角周
波数としてＺ小子 比透磁率ｒ３ を 山Ｓニ山Ｓ一ＪＡｒＳ と置けば Ｚ小四だ−化並仇害 ２ｍ 純抵抗である美都とィンダクタンスである虚部とを分け
、またムｏ＝４ｍ×１０‐７を代入すればＺ＝Ｒ＋ふＬ
である故Ｒ：と。
磁性体内の中心導体から任意の距離ｒの点における磁界
日はＨ；； 従ってこの点における磁束密度Ｂは、山ｏを真空中にお
ける透磁率、山ｓをこの強磁性体の比透磁率として、Ｂ
＝」ＯＡＳＨ＝ム毒若さ１ すると内半径ｒ，、外半径ｒ２、長さその強磁性体内を
通る全磁束数■は■＝′〒２８とｄｒ ＝伯半券生Ｌｄｒ −Ａ雌１りｎ害 ２汀 従ってＴ，一Ｔ２端子間のインピーダンスＺはのを角周
波数としてＺ小子 比透磁率ｒ３ を 山Ｓニ山Ｓ一ＪＡｒＳ と置けば Ｚ小四だ−化並仇害 ２ｍ 純抵抗である美都とィンダクタンスである虚部とを分け
、またムｏ＝４ｍ×１０‐７を代入すればＺ＝Ｒ＋ふＬ
である故Ｒ：と。
−世〃Ｓ叱仇羊２中
：く４中ｆそｒｒＳとｎ害）Ｘ・『７……【・｝Ｌこと
処′Ｓらｎ害２中 ＝（２夕一′Ｓそｎ害）Ｘ・〇−７……｛２１なおここ
でｆは周波数を表わしｗとはｆ：歩 の関係である。
処′Ｓらｎ害２中 ＝（２夕一′Ｓそｎ害）Ｘ・〇−７……｛２１なおここ
でｆは周波数を表わしｗとはｆ：歩 の関係である。
強磁性体としては、損失が多いものすなわちねｎ６（損
失を示す）の大きいものを使用する。
失を示す）の大きいものを使用する。
〇ｎ６は柵＝巻〉＞１
であり一ｓ″＞＞ｒｓ′となり、■式の虚数部は無視す
ることが出来る。
ることが出来る。
従って【１｝式は高周波における純抵抗となり、第５図
に示す様な構造で磁性体内に導線を通すとＴ，一Ｔ２間
のインピーダンスは実部１で与えられ、これが高周波純
抵抗値を示す。第６図に一ｓ′，ムｓ″の特性曲線を示
す。強磁性体の純抵抗としての使用可能領域は斜線には
さまれた部分である。そしてこの高周波抵抗値は、強磁
性体２の長さ、透孔３の径、導線４の太さ、導線を透孔
３の貫通させる回数により変化させる事ができる。次に
、上記高周波抵抗器の強磁性体における比透磁率ムｓの
うちの損失項ムｓ″（比透磁率ムｓは周知の如くまた前
にも示した如く複数形式により無損失項Ａｓ′と損失項
仏ｓ″とによって表わされる）と、通過させるべき高周
波信号の角周波数のとの積の一例を示すと第７図のよう
になり、４仙川ｚから１０００ＭＨｚの領域においてほ
ぼ一定の値となっている。
に示す様な構造で磁性体内に導線を通すとＴ，一Ｔ２間
のインピーダンスは実部１で与えられ、これが高周波純
抵抗値を示す。第６図に一ｓ′，ムｓ″の特性曲線を示
す。強磁性体の純抵抗としての使用可能領域は斜線には
さまれた部分である。そしてこの高周波抵抗値は、強磁
性体２の長さ、透孔３の径、導線４の太さ、導線を透孔
３の貫通させる回数により変化させる事ができる。次に
、上記高周波抵抗器の強磁性体における比透磁率ムｓの
うちの損失項ムｓ″（比透磁率ムｓは周知の如くまた前
にも示した如く複数形式により無損失項Ａｓ′と損失項
仏ｓ″とによって表わされる）と、通過させるべき高周
波信号の角周波数のとの積の一例を示すと第７図のよう
になり、４仙川ｚから１０００ＭＨｚの領域においてほ
ぼ一定の値となっている。
尚これは強磁性体の一例として日本フェライト製のＯＬ
−３なる品番の強磁性体（寸法ｒ，＝０．５風、ｒ２＝
１．７う 燭、夕７側）について実測して得た値である
。また上記高周波抵抗器１を第２図に示される減衰回路
の第１の抵抗素子Ｚとして用いた減衰器の減衰特性の実
測値を第８図に実線で示す。図から明らかな如く、４肌
町ｚから１００瓜ＭＨｚの広い周波数帯域において各周
波数ともほぼ一定の減衰値を示している。以上のように
この発明にあっては、入力端子ａ，ａ′と出力端子ｂ，
ｂ′とを第１及至第３の抵抗素子Ｚ，Ｒ，，Ｒ２を介し
て接続しているから、線路を一方向へ向けて通過しよう
としている高周波信号が上記入力端子ａ，ａ′から該減
衰器に入釆するときには、その高周波信号を該減衰器内
を通して出力端子ｂ，ｂ′から線路に送り出すことので
きる特長がある。
−３なる品番の強磁性体（寸法ｒ，＝０．５風、ｒ２＝
１．７う 燭、夕７側）について実測して得た値である
。また上記高周波抵抗器１を第２図に示される減衰回路
の第１の抵抗素子Ｚとして用いた減衰器の減衰特性の実
測値を第８図に実線で示す。図から明らかな如く、４肌
町ｚから１００瓜ＭＨｚの広い周波数帯域において各周
波数ともほぼ一定の減衰値を示している。以上のように
この発明にあっては、入力端子ａ，ａ′と出力端子ｂ，
ｂ′とを第１及至第３の抵抗素子Ｚ，Ｒ，，Ｒ２を介し
て接続しているから、線路を一方向へ向けて通過しよう
としている高周波信号が上記入力端子ａ，ａ′から該減
衰器に入釆するときには、その高周波信号を該減衰器内
を通して出力端子ｂ，ｂ′から線路に送り出すことので
きる特長がある。
しかもこの場合、上記入力端子と出力端子との間におい
ては上記第１乃至第３の抵抗素子Ｚ，Ｒ，，Ｒ２によっ
て減衰回路を構成しているから、上記線路を一方向に向
けて通過している高周波信号をその線路中におけるこの
減衰器の介設箇所で所定量の減衰をさせることができ、
上記高周波信号を次段へ向け所定のレベルで送出できる
効果がある。
ては上記第１乃至第３の抵抗素子Ｚ，Ｒ，，Ｒ２によっ
て減衰回路を構成しているから、上記線路を一方向に向
けて通過している高周波信号をその線路中におけるこの
減衰器の介設箇所で所定量の減衰をさせることができ、
上記高周波信号を次段へ向け所定のレベルで送出できる
効果がある。
その上そのように線路を一方向に向け通過している信号
を該減衰器の入力端子と出力端子との間で減衰させる場
合、本発明にあっては、強磁性体に透孔を穿設しこの透
孔に導線を挿通して構成した高周波抵抗器１を上記入出
力端子間に接続する第１の抵抗素子Ｚとして用い、しか
もそのような高周波抵抗器を用いた減衰器を上記高周波
抵抗器の強磁性体における比透磁率〃ｓのうちの損失仏
ｓ″と、通過させるべき高周波信号の角周波数のとの積
が常に一定となる高周波の周波数領域で用いるから、前
記第８図においても示されたように上記高周波の周波数
領域において各周波数とも一定の減衰量で減衰させるこ
とができる特長がある。このことは、従来のチョークコ
イルを用いた減衰器にあっては、第８図に破線で示され
るように一部の周波数城においてその減衰特性に山が生
じる為、そこらの周波数の高周波信号が異常に弱められ
てしまう欠点があったのに対し、本発明の場合にあって
は上記領域において高い周波数域の高周波信号も、中位
の周波数域の高周波信号も、低い周波数城の高周波信号
もどれも皆均一なしベルで出力できる効果がある。更に
また本発明においては、上記構成の高周波抵抗器をその
導線４の一端（例えば端子Ｔ，）を入力端子ａに、他端
（例えば端子Ｔ２）を出力端子ｂに夫々接続して使用す
るものであるから、上記線路に上記のような高周波信号
の外に直流ないいま低周波数をも重畳させ、これらを線
路に沿って送る場合、上記の如く線路の一方向に向けて
高周波信号を通過させかつその通過の過程でその高周波
信号を減衰させるものであっても、それと同方向（ある
いは逆方向）に送る直流ないしは低周波は、これを殆ん
ど減衰させることなく通過させることができ、上記直流
ないいま低周波（一般に電源として用いられる）の電圧
に何ら悪影響を及ぼすことなくそれらを伝送できる効果
がある。
を該減衰器の入力端子と出力端子との間で減衰させる場
合、本発明にあっては、強磁性体に透孔を穿設しこの透
孔に導線を挿通して構成した高周波抵抗器１を上記入出
力端子間に接続する第１の抵抗素子Ｚとして用い、しか
もそのような高周波抵抗器を用いた減衰器を上記高周波
抵抗器の強磁性体における比透磁率〃ｓのうちの損失仏
ｓ″と、通過させるべき高周波信号の角周波数のとの積
が常に一定となる高周波の周波数領域で用いるから、前
記第８図においても示されたように上記高周波の周波数
領域において各周波数とも一定の減衰量で減衰させるこ
とができる特長がある。このことは、従来のチョークコ
イルを用いた減衰器にあっては、第８図に破線で示され
るように一部の周波数城においてその減衰特性に山が生
じる為、そこらの周波数の高周波信号が異常に弱められ
てしまう欠点があったのに対し、本発明の場合にあって
は上記領域において高い周波数域の高周波信号も、中位
の周波数域の高周波信号も、低い周波数城の高周波信号
もどれも皆均一なしベルで出力できる効果がある。更に
また本発明においては、上記構成の高周波抵抗器をその
導線４の一端（例えば端子Ｔ，）を入力端子ａに、他端
（例えば端子Ｔ２）を出力端子ｂに夫々接続して使用す
るものであるから、上記線路に上記のような高周波信号
の外に直流ないいま低周波数をも重畳させ、これらを線
路に沿って送る場合、上記の如く線路の一方向に向けて
高周波信号を通過させかつその通過の過程でその高周波
信号を減衰させるものであっても、それと同方向（ある
いは逆方向）に送る直流ないしは低周波は、これを殆ん
ど減衰させることなく通過させることができ、上記直流
ないいま低周波（一般に電源として用いられる）の電圧
に何ら悪影響を及ぼすことなくそれらを伝送できる効果
がある。
図面は本願の実施例を示すもので、第１図は高周波抵抗
器の斜視図、第２図は減衰器の電気結線図、第３図は第
２図の減衰器の低周波及び直流分に対する等価回路、第
４図に高周波に対する第３図と同様な図、第５図は高周
波抵抗器の斜視図、第６図は比透磁率と周波数との関係
を示す図、第７図は損失項と角周波数の積の一例を示す
グラフ、第８図は減衰特性の一例を示すグラフ。 ２・・…・強磁性体、３・・・・・・・・・透孔、４・
・・・・・導線、１，Ｚ・・・・・・高周波抵抗器。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図
器の斜視図、第２図は減衰器の電気結線図、第３図は第
２図の減衰器の低周波及び直流分に対する等価回路、第
４図に高周波に対する第３図と同様な図、第５図は高周
波抵抗器の斜視図、第６図は比透磁率と周波数との関係
を示す図、第７図は損失項と角周波数の積の一例を示す
グラフ、第８図は減衰特性の一例を示すグラフ。 ２・・…・強磁性体、３・・・・・・・・・透孔、４・
・・・・・導線、１，Ｚ・・・・・・高周波抵抗器。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図
Claims (1)
- １ 強磁性体に透孔を穿設し、この透孔に導線を挿通し
て構成した高周波抵抗器を、電流通過型高周波信号減衰
器における後述の第１の抵抗素子として用い、しかも上
記電流通過型高周波信号減衰器は、一対の入力端子と一
対の出力端子とを有し、更に上記一対の入力端子のうち
の一方の端子と一対の出力端子のうちの一方の端子との
間には減衰回路構成用の第１の抵抗素子を接続してある
と共に、それらの端子間には更に夫々減衰回路構成用の
第２の抵抗素子と第３抵抗素子との直列回路を接続して
あり、更に上記一対の入力端子のうちの他方の端子と一
対の出力端子のうちの他方の端子とは相互に直接に接続
してあると共に、その接続点と上記第２及び第３の抵抗
素子相互の接続点との間には直流及び低周波遮断用のコ
ンデンサーを接続して構成してあり、しかも上記高周波
抵抗器は上記導線の一端を上記一対の入力端子のうちの
上記の一方の端子に、他端を上記一対の出力端子のうち
の上記の一方の端子に夫々接続して用い、更に上記電流
通過型高周波信号減衰器は、直流ないしは低周波と高周
波信号とが重畳した状態で通過する線路に介設して用い
、しかも上記電流通過型高周波信号減衰器は、上記高周
波抵抗器の強磁性体における比透磁率μ＿３のうちの損
失項μ＿５″と、通過させるべき高周波信号の角周波数
ωとの積が常に一定となる高周波の周波数領域で用いる
ことを特徴とする電流通過型高周波信号減衰器の使用方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52002023A JPS6032361B2 (ja) | 1977-01-12 | 1977-01-12 | 電流通過型高周波信号減衰器の使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52002023A JPS6032361B2 (ja) | 1977-01-12 | 1977-01-12 | 電流通過型高周波信号減衰器の使用方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5292401A JPS5292401A (en) | 1977-08-03 |
| JPS6032361B2 true JPS6032361B2 (ja) | 1985-07-27 |
Family
ID=11517723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52002023A Expired JPS6032361B2 (ja) | 1977-01-12 | 1977-01-12 | 電流通過型高周波信号減衰器の使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032361B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6224520U (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-14 | ||
| JP5660258B2 (ja) * | 2012-08-24 | 2015-01-28 | 株式会社村田製作所 | 高周波デバイス及び方向性結合器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4877390A (ja) * | 1972-01-22 | 1973-10-17 |
-
1977
- 1977-01-12 JP JP52002023A patent/JPS6032361B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5292401A (en) | 1977-08-03 |
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