JPS6032403A - マイクロ波帯用半導体装置 - Google Patents

マイクロ波帯用半導体装置

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Publication number
JPS6032403A
JPS6032403A JP58141674A JP14167483A JPS6032403A JP S6032403 A JPS6032403 A JP S6032403A JP 58141674 A JP58141674 A JP 58141674A JP 14167483 A JP14167483 A JP 14167483A JP S6032403 A JPS6032403 A JP S6032403A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
input
semiconductor
output
lead terminal
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58141674A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Wasa
憲治 和佐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP58141674A priority Critical patent/JPS6032403A/ja
Publication of JPS6032403A publication Critical patent/JPS6032403A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/02Coupling devices of the waveguide type with invariable factor of coupling
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/753Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between laterally-adjacent chips

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、マイクロ波帯域で使用される半導体装置の構
造に関するものである。
近年マイクロ波帯で動作するトランジスタヤFETの需
要が高まり、その生産量の増大にはめざましいものがあ
る。しかし、マイクロ波領域で用いる半導体素子におい
ては、半導体ペレットの高性能化はもちろんのこと、半
導体素子用のパッケージにおいてもペレットと同等の高
性能化、すなわちマイクロ波領域において半導体ペレッ
トの特性″を十二分に引き出せるパッケージが必要であ
る。
そのため、パッケージの構造が制約され、部品点数も多
く、組立に少する時間もかかった。、%にマイクロ波帯
パワー素子に関しては、入出力インピーダンスが極めて
低くなるため、ペレットの特性を引き出すため入出力・
鉤にインピーダンス整合回路を必要としその素子の組立
構造も複雑である。
本発明の目的はマイクロ波パワー素子の組立上の機軸を
簡素化し、入出力リードの接続だけで高品質が得られる
半導体装置を提供することにある。
本発明の半導体装置は、半導体ベレットと入出力リード
端子を直接接続し、入出力リード端子に分布足数的な回
路を付加したことを特徴とし、別に付加されるインピー
ダンス整合回路の廃止とボンディング接続の間圧との両
方を確立したもので。
ある。
次に本発明の詳細について、図面を用いて説明する。
従来のマイクロ波パワー素子の断面図を第1図に示す。
1は放熱用の金属板、2はパッケージ測枳、3は入力リ
ード端子、4 Fi出力リード端子、5は出力側インピ
ーダンス整合回路、6は入力側インピーダンス整合回路
、7は半導体ペレット、8は接続用ボンディング線であ
る。
この様な従来構造の装置においては、各機能をもつ部品
すなわち、回路機能をもつ入出力整合回路、パッケージ
の内夕Iを接続する入出力リード幼子と半導体ぺL/ッ
t・とを接続するためのボンディング線が必要である。
従って、このような構造を使用する限り、その組立の部
品点数の削減及び組立に必要とする時間の短縮はおのず
がら困難と力る。
第2図aに断面図すに立面図、Cに入出力リード端子の
槌造図が示された本発明の一実施例につ(・て以下に説
明する。
■は放熱用の金属放熱板、2はバック−クチ11]壁、
3は入力リード端子、4は出力リード端子、5は半導体
ペレット、6&i!J−ド端子の所定の位置に付加され
た分布定数回路゛素子のスタブとしての機能を果す平板
である。
第2図に示した特徴は以下の如くである。
まず、第1点は、接続用ボンディング線を廃し、入出力
リード端子を半導体ベレットに直接接続することにある
。この構造の利点はパッケージ内に配する部品、入出力
インピーダンス整合用部品及びボンディング線を必要と
しなくなるためパッケージ内に位置するのは半導体ペレ
ットだけとなる。
次にマイクロ波帯パワー素子にお(・て、半導体ベレッ
トの特性を損なうとと々く十分に引き出すためには入出
力側にインピーダンス整合回路が不可決であることは一
般的によく知られて(・るところであるが、第1点で述
べたように入出力リード端子に予め整合回路の機能を付
加することによって余分な取り付は作業が不要である。
例えは図のように入出力リード端子に分布定数回路素子
としてのスタブの機能をもつ適当な形状の平板をリード
端子の所定の位置に付加することにより実現される。こ
こで(・う適当な形及び所定の位置とは、半導体素子と
して要求される種々の規格を満足するようにした形状お
よび位置という意味である。このような構造の入出力リ
ード端子は本発明による新規のものであり、従来一般的
に使用されて(・る入出力リード端子にはな(・機能で
ある。
以上示したように、発明による入出力ノード端子の半導
体ベレットへの直付けによる組立、及び入出力リード端
子に整合回路の機能を付加した構造を採用することによ
り、従来構造の半導体素子の性能と同等の性能を有しか
つ組立における部材の削減をはかりそのため半導体素子
の組立に必要とした時間を大幅に低減することか可能と
なった。
第1図は従来構造のマイクロ波半導体素子断面図である
1・・・放熱板、2・・・パッケージ側壁、3・・・入
力リード端子、4・・・出力リード端子、5・・・出力
側インピーダンス整合回路、6・・・入力側インピーダ
ンス整合回路、7・・・半導体ペレット、訃・・接続ボ
ンディング線 第2図は本発明の一実施例による半導体装置でaは断面
図、bは立面図、Cはリード端子の平面図である。
1・・・放熱板、2・・・パッケージ側壁、3・・・入
力リード端子、4・・・出力リード端子、5・・・半導
体ベレット、6・・・リード端子に付加されたスタブ機
能を果す部分1,7・・・リード端子 代理人 弁理士 内 原 NM ”:=”:・r3 1
′、 ’ i

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 外部へ導出される入出力リード端子が半導体ペレットに
    直接接続され、前記入出力リード端子には分布定数的回
    路が設けられて(・ること全特徴とするマイクロ波帯用
    半導体装置。
JP58141674A 1983-08-02 1983-08-02 マイクロ波帯用半導体装置 Pending JPS6032403A (ja)

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JP58141674A JPS6032403A (ja) 1983-08-02 1983-08-02 マイクロ波帯用半導体装置

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JP58141674A JPS6032403A (ja) 1983-08-02 1983-08-02 マイクロ波帯用半導体装置

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JPS6032403A true JPS6032403A (ja) 1985-02-19

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JP58141674A Pending JPS6032403A (ja) 1983-08-02 1983-08-02 マイクロ波帯用半導体装置

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