JPS6032487A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPS6032487A JPS6032487A JP58141669A JP14166983A JPS6032487A JP S6032487 A JPS6032487 A JP S6032487A JP 58141669 A JP58141669 A JP 58141669A JP 14166983 A JP14166983 A JP 14166983A JP S6032487 A JPS6032487 A JP S6032487A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- film
- solid
- state image
- edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
- H10F77/331—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H10F77/334—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers or cold shields for infrared detectors
Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不元明は受光部以外への光入射を防止づ−る事によりダ
イナミックレンジを大きくできる固体撮１致累子に関す
る。
イナミックレンジを大きくできる固体撮１致累子に関す
る。
従来、固体撮像素子では、ダイナミックレンジ即ち光入
射信号ＳＩと光遮蔽信号ＳＤ との比を大きく取る必要
がある。その為、受光部以外で発生する光生成キャリア
が受光部へ翻れ込んで光既蔽倍号ＳＴ）が大きくならな
い様に、配線間の光入射がする様な所には、グランド線
などを形成して、なるべく隙間のない様にしていた。父
、それでもダイナミックレンジが確保川床ない場合は、
第１層目の導電体で配線を形成し、絶線層ケ挾んで第２
層目の導電体を受光部以外の素子上に設けて遮光膜とし
ていた。
射信号ＳＩと光遮蔽信号ＳＤ との比を大きく取る必要
がある。その為、受光部以外で発生する光生成キャリア
が受光部へ翻れ込んで光既蔽倍号ＳＴ）が大きくならな
い様に、配線間の光入射がする様な所には、グランド線
などを形成して、なるべく隙間のない様にしていた。父
、それでもダイナミックレンジが確保川床ない場合は、
第１層目の導電体で配線を形成し、絶線層ケ挾んで第２
層目の導電体を受光部以外の素子上に設けて遮光膜とし
ていた。
この構造全第１図によって説明する。
第１図は、従来の２１曽金属専体層ケ使用したＣＣＩ）
固体撮像素子の一例である。１はＰ型半導体基板、２は
Ｐ チャイ、ルスト、パ幀域、３はフィールド酸化膜、
４はゲート酸化膜、５はＣＣＤのＮ−チャネル領域、６
はＣＣＩ）の蓄積ゲート電極、７−１転送ゲート電極、
８はｐ１２基板１との接合でノオトダイオード金形成す
るＮ＋領領域９は例えばＡノなとからなる第１層の金属
配線層、１０はやはり第１層の金属層か１つなる外部リ
ード接続用電極パッド、１１は層間絶れ膜、１２はａ／
Ｚ ２ ｗ４のＡｅなどからなる金属層で遮光膜である
。迦几膜１２はＮ＋領域８り上と電惨バッド１０の周囲
で開Ｄ ｌ、ている、電極パッドｌＯの周囲で開口して
いるのは。
固体撮像素子の一例である。１はＰ型半導体基板、２は
Ｐ チャイ、ルスト、パ幀域、３はフィールド酸化膜、
４はゲート酸化膜、５はＣＣＤのＮ−チャネル領域、６
はＣＣＩ）の蓄積ゲート電極、７−１転送ゲート電極、
８はｐ１２基板１との接合でノオトダイオード金形成す
るＮ＋領領域９は例えばＡノなとからなる第１層の金属
配線層、１０はやはり第１層の金属層か１つなる外部リ
ード接続用電極パッド、１１は層間絶れ膜、１２はａ／
Ｚ ２ ｗ４のＡｅなどからなる金属層で遮光膜である
。迦几膜１２はＮ＋領域８り上と電惨バッド１０の周囲
で開Ｄ ｌ、ている、電極パッドｌＯの周囲で開口して
いるのは。
固体撮像素子の場合は比較的′電極パッドが少なく従っ
て電極パッドｌＯと遮）′ｔ、膜１２との隙間がチップ
全体に占める割合が少なく、従っててこから入射する元
によって生成丁ゐキャリアが特注に悪影響ケ及はすこと
は少ない為である。ところが。
て電極パッドｌＯと遮）′ｔ、膜１２との隙間がチップ
全体に占める割合が少なく、従っててこから入射する元
によって生成丁ゐキャリアが特注に悪影響ケ及はすこと
は少ない為である。ところが。
今後固体撮像系子上に様々な周辺回路を設けて多機能化
を目指す場合、必然的に電極パッドは多くならさる全得
ず、従って前１己した隙間が占める割合は多くなって、
そこから入射した元による生成キャリアがＮ−チャイル
領域青に多数到達することによりダイナミック・レンジ
ケ劣化させてし′まうＯ 不発明の目的は、受光部以外への元人躬葡兄全に防止で
き、従ってダイナミ、り・レンジを大きく出来る構造の
ｌｉ＋ｉ’１体撮像索子全撮像索子全提供ある。
を目指す場合、必然的に電極パッドは多くならさる全得
ず、従って前１己した隙間が占める割合は多くなって、
そこから入射した元による生成キャリアがＮ−チャイル
領域青に多数到達することによりダイナミック・レンジ
ケ劣化させてし′まうＯ 不発明の目的は、受光部以外への元人躬葡兄全に防止で
き、従ってダイナミ、り・レンジを大きく出来る構造の
ｌｉ＋ｉ’１体撮像索子全撮像索子全提供ある。
不発明によるＩｉＩ！Ｊ捧撮像素子ｔよ、配線層と、前
記配線層の上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の上に
設けられた遮光膜とを有し、前記遮光膜の縁端部は前記
配線層の一部である外部リード接続用電極パッド上に延
在している事ケ％徴とする。
記配線層の上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の上に
設けられた遮光膜とを有し、前記遮光膜の縁端部は前記
配線層の一部である外部リード接続用電極パッド上に延
在している事ケ％徴とする。
次に１本発明を図面全参照して説明する。
第２図及び第３図は各々不発明の一実施例を下す固体ゴ
液腺素子のＷ、ｌｒ面図及び電極バッドの平面図である
。第１図と同一のものＫは同一符号を符した。不発明の
構造は、層間絶線膜１２葡電極パッド１０上に設けて、
外部リード線を接続する部分だけ開口し、更に遮光膜１
２を電極パッド１０上に設け、遮光膜１２が例えば冴電
層であっても電４龜パッド１０と接フ］虫する事のない
（手に、その＃、端部１３が層間絶縁膜の縁端部１４か
ら外側方向にル１を間して形成している。
液腺素子のＷ、ｌｒ面図及び電極バッドの平面図である
。第１図と同一のものＫは同一符号を符した。不発明の
構造は、層間絶線膜１２葡電極パッド１０上に設けて、
外部リード線を接続する部分だけ開口し、更に遮光膜１
２を電極パッド１０上に設け、遮光膜１２が例えば冴電
層であっても電４龜パッド１０と接フ］虫する事のない
（手に、その＃、端部１３が層間絶縁膜の縁端部１４か
ら外側方向にル１を間して形成している。
従って、不発明に依れば遮光１＠１２で、固体撮悸素子
上ＣＱ受）′Ｃ部ケ除いて全ての部分を覆うことが出来
る。不発明の構造における時間といえは遮光ｊ換１２と
電極パッド１０との縦方向の隙間だけであるが、これも
遮光膜１２の縁端部１３と電極ハツト１０の縁端部１５
との距１？１２ｏμｍｎも保てＱ」、充分である。
上ＣＱ受）′Ｃ部ケ除いて全ての部分を覆うことが出来
る。不発明の構造における時間といえは遮光ｊ換１２と
電極パッド１０との縦方向の隙間だけであるが、これも
遮光膜１２の縁端部１３と電極ハツト１０の縁端部１５
との距１？１２ｏμｍｎも保てＱ」、充分である。
不発明によれば、固体撮像素子上で光が入射するのは受
光部だけでろり、その他の部分は遮光膜によって全て覆
われている為、余分な光生成キャリアの発生がなく従っ
て特性の大幅な同上金笑現する事がｉｉＪ能である。
光部だけでろり、その他の部分は遮光膜によって全て覆
われている為、余分な光生成キャリアの発生がなく従っ
て特性の大幅な同上金笑現する事がｉｉＪ能である。
不実施例において遮光膜１２はＡＩ！、 Ｍｏ、 Ｗ
等の４電層ヤ、又黒巴弄に酒色した剌］脂などでも良い
。更に最も使用し易いＡＩではフレア防止の面から、Ｅ
−ガン蒸着のものより反射率の小さいスパッタ蒸着のも
のが良く＆Ａｌの上に蒸庸シリコン等があると更に良い
。
等の４電層ヤ、又黒巴弄に酒色した剌］脂などでも良い
。更に最も使用し易いＡＩではフレア防止の面から、Ｅ
−ガン蒸着のものより反射率の小さいスパッタ蒸着のも
のが良く＆Ａｌの上に蒸庸シリコン等があると更に良い
。
第１図は従来の固体撮像素子の［す［面図、４２図。
第３図は各々不発明による固体撮像素子の一実Ｍｌｊ例
を示す断面図及び平面図である。 なお図において。 １・・・・・Ｐ型半纏体基板、２・・・・・・Ｐ＋チャ
イルストッパ領域、３・・・フィールド１救化膜、４
・−・−ゲ−））変化膜、５・・・・・Ｎ−チャネル領
域、６・・・・・・蓄積ゲート電極、７ ・・・転送ゲ
ート電極、８・・・Ｎ＋領領域９ ・・配晦層、１ｏ・
・・・ 電極パッド、１１、・・・層間絶縁膜％ １２
・・−・・遮光膜％ １３・・・遮光膜の縁端部、１４
−・・・層間絶縁膜の縁端部、１５・・−電極パッドの
線端部、である。 代理人 弁Ｊｊｉｊ士 内 原 ｊｌ゛−□゛゛・“１
１、・”
を示す断面図及び平面図である。 なお図において。 １・・・・・Ｐ型半纏体基板、２・・・・・・Ｐ＋チャ
イルストッパ領域、３・・・フィールド１救化膜、４
・−・−ゲ−））変化膜、５・・・・・Ｎ−チャネル領
域、６・・・・・・蓄積ゲート電極、７ ・・・転送ゲ
ート電極、８・・・Ｎ＋領領域９ ・・配晦層、１ｏ・
・・・ 電極パッド、１１、・・・層間絶縁膜％ １２
・・−・・遮光膜％ １３・・・遮光膜の縁端部、１４
−・・・層間絶縁膜の縁端部、１５・・−電極パッドの
線端部、である。 代理人 弁Ｊｊｉｊ士 内 原 ｊｌ゛−□゛゛・“１
１、・”
Claims (1)
- 配線層と、前記配線層の上に設けられた絶縁膜と、前記
絶縁膜の上に設けられた遮光膜とを有し、前記遮光膜の
縁端部は前記配線層の一部である外部リード接続用電極
パッド上に延在している事全特１ａとする固体撮像素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58141669A JPS6032487A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58141669A JPS6032487A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6032487A true JPS6032487A (ja) | 1985-02-19 |
Family
ID=15297430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58141669A Pending JPS6032487A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032487A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02285676A (ja) * | 1989-04-27 | 1990-11-22 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子 |
| US8066086B2 (en) | 2004-10-07 | 2011-11-29 | Atlas Copco Rock Drills Ab | Sleeve arrangement |
-
1983
- 1983-08-02 JP JP58141669A patent/JPS6032487A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02285676A (ja) * | 1989-04-27 | 1990-11-22 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子 |
| US8066086B2 (en) | 2004-10-07 | 2011-11-29 | Atlas Copco Rock Drills Ab | Sleeve arrangement |
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