JPS6244706B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6244706B2 JPS6244706B2 JP54120638A JP12063879A JPS6244706B2 JP S6244706 B2 JPS6244706 B2 JP S6244706B2 JP 54120638 A JP54120638 A JP 54120638A JP 12063879 A JP12063879 A JP 12063879A JP S6244706 B2 JPS6244706 B2 JP S6244706B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- semiconductor region
- shielding film
- photodiode
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
- H10F30/221—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a PN homojunction
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体基板表面にダイオードを形成
し、そのダイオード部分に光が照射された場合に
ダイオードに発生するキヤリアを電気信号として
検知するホトセンサに関するものである。
し、そのダイオード部分に光が照射された場合に
ダイオードに発生するキヤリアを電気信号として
検知するホトセンサに関するものである。
ホトセンサにおいて受光部（ダイオード部）以
外の部分に入射された光によつて発生したキヤリ
アが受光部に拡散し、その結果出力レベルが変化
するという問題がある。これは一種の雑音であ
り、正確な光検知の妨げとなるので、できるだけ
小さくする必要がある。
外の部分に入射された光によつて発生したキヤリ
アが受光部に拡散し、その結果出力レベルが変化
するという問題がある。これは一種の雑音であ
り、正確な光検知の妨げとなるので、できるだけ
小さくする必要がある。
そのため、受光部周辺に設ける遮光膜（一般に
アルミニウム膜）の形成する領域をできるだけ広
くし、雑音の原因となる光の入射を防止する試み
がなされた。しかし、少なくともボンデイングパ
ツド部とアルミニウムからなる遮光膜との間に間
隙（例えば50μｍ程度の間隙）を設ける必要があ
るので、その間隙部分を通じて入射される光に基
づく雑音の発生を防止することができない。
アルミニウム膜）の形成する領域をできるだけ広
くし、雑音の原因となる光の入射を防止する試み
がなされた。しかし、少なくともボンデイングパ
ツド部とアルミニウムからなる遮光膜との間に間
隙（例えば50μｍ程度の間隙）を設ける必要があ
るので、その間隙部分を通じて入射される光に基
づく雑音の発生を防止することができない。
本発明はこのような問題を解決すべくなされた
もので、受光部以外の部分に入射される光に基づ
く雑音の発生を防止することを目的とするもので
ある。
もので、受光部以外の部分に入射される光に基づ
く雑音の発生を防止することを目的とするもので
ある。
上記目的を達成するための本発明の一実施態様
は、半導体基板表面に半導体領域を形成すること
によりホトダイオードを構成し、このホトダイオ
ード上に受光用開口部を設けてなるホトセンサに
おいて、半導体基板上に設けた電極取出用各パツ
ド部又はその近傍の下方に上記半導体領域と同導
電型であつて基板側が接続される電源端子と逆の
極性の電源端子に接続される寄生キヤリア吸収用
半導体領域を形成し、かつ上記電極取出用パツド
及びその周辺と受光用開口部を除き、フイールド
領域を全面的に被う遮光膜を形成したことを特徴
とするものである。
は、半導体基板表面に半導体領域を形成すること
によりホトダイオードを構成し、このホトダイオ
ード上に受光用開口部を設けてなるホトセンサに
おいて、半導体基板上に設けた電極取出用各パツ
ド部又はその近傍の下方に上記半導体領域と同導
電型であつて基板側が接続される電源端子と逆の
極性の電源端子に接続される寄生キヤリア吸収用
半導体領域を形成し、かつ上記電極取出用パツド
及びその周辺と受光用開口部を除き、フイールド
領域を全面的に被う遮光膜を形成したことを特徴
とするものである。
以下本発明を実施例により説明する。第１図乃
至第４図は本発明の一実施例を示すもので、第１
図は半導体ペレツトの全体を示す平面図、第２図
はボンデイングパツド部を拡大する部分拡大平面
図、第３図はボンデイング部におけるＡ―Ａ視断
面図、第４図はＢ―Ｂ視断面図である。
至第４図は本発明の一実施例を示すもので、第１
図は半導体ペレツトの全体を示す平面図、第２図
はボンデイングパツド部を拡大する部分拡大平面
図、第３図はボンデイング部におけるＡ―Ａ視断
面図、第４図はＢ―Ｂ視断面図である。
図面において、１はＰ型半導体基板、２は基板
上の受光部、ボンデイングパツド部及びその周辺
を除きフイールド領域を全面的に被うアルミニウ
ムからなる遮光膜、３は遮光膜２に設けた受光用
開口部、４はアルミニウム膜からなるボンデイン
グパツド部、５はアルミニウム配線膜、６はホト
ダイオードを構成するn+型半導体領域で、各領
域は対応するボンデイングパツドとアルミニウム
配線膜５を介して接続される。７は寄生キヤリア
を吸収するためのn+型半導体領域、８はシリコ
ン半導体基板１の表面を加熱酸化することにより
形成したシリコン酸化物膜、９は層間絶縁用シリ
コン酸化物膜である。
上の受光部、ボンデイングパツド部及びその周辺
を除きフイールド領域を全面的に被うアルミニウ
ムからなる遮光膜、３は遮光膜２に設けた受光用
開口部、４はアルミニウム膜からなるボンデイン
グパツド部、５はアルミニウム配線膜、６はホト
ダイオードを構成するn+型半導体領域で、各領
域は対応するボンデイングパツドとアルミニウム
配線膜５を介して接続される。７は寄生キヤリア
を吸収するためのn+型半導体領域、８はシリコ
ン半導体基板１の表面を加熱酸化することにより
形成したシリコン酸化物膜、９は層間絶縁用シリ
コン酸化物膜である。
このホトセンサは、第１図に示すように受光用
開口部及びボンデイングパツド部４を除きほぼ全
面的にフイールド領域をアルミニウムからなる遮
光膜が被つている。ただ、遮光膜２がアルミニウ
ムからなるので、これをボンデイングパツド部と
電気的に接触することを絶対に避けるため第２図
に示すように遮光膜２とボンデイングパツド部４
との間に一定の間隔ｄがおかれている。この間隔
ｄは50μｍ程度が適当である。
開口部及びボンデイングパツド部４を除きほぼ全
面的にフイールド領域をアルミニウムからなる遮
光膜が被つている。ただ、遮光膜２がアルミニウ
ムからなるので、これをボンデイングパツド部と
電気的に接触することを絶対に避けるため第２図
に示すように遮光膜２とボンデイングパツド部４
との間に一定の間隔ｄがおかれている。この間隔
ｄは50μｍ程度が適当である。
そして、その間隙を通じて光が半導体基板に照
射され、それに基づいて基板中に発生するキヤリ
アを吸収するためボンデイングパツド部の下部に
キヤリア吸収用n+型半導体領域７が形成されて
いる。このキヤリア吸収用n+型半導体領域７は
＋ＶDD端子に電気的に接続され、寄生キヤリアを
吸収できるようにしてある。
射され、それに基づいて基板中に発生するキヤリ
アを吸収するためボンデイングパツド部の下部に
キヤリア吸収用n+型半導体領域７が形成されて
いる。このキヤリア吸収用n+型半導体領域７は
＋ＶDD端子に電気的に接続され、寄生キヤリアを
吸収できるようにしてある。
第５図、第６図は本発明の他の実施例を示すも
ので、第５図が平面図、第６図がＣ―Ｃ視断面図
である。この実施例はボンデイングパツドと、遮
光用Al膜の間の間隙下にあり、かつ、上記のパ
ツド及び遮光膜と重なりあう部分を有するリング
状のキヤリア吸収用n+型半導体領域７を形成し
てなるものである。この実施例においても間隙部
を通じて半導体基板表面に光が照射された結果発
生するマイナス電荷が、陽極にバイアスされたリ
ング状のキヤリア吸収用n+型半導体領域７に吸
収されるので、ホトダイオード部に到達すること
はない。
ので、第５図が平面図、第６図がＣ―Ｃ視断面図
である。この実施例はボンデイングパツドと、遮
光用Al膜の間の間隙下にあり、かつ、上記のパ
ツド及び遮光膜と重なりあう部分を有するリング
状のキヤリア吸収用n+型半導体領域７を形成し
てなるものである。この実施例においても間隙部
を通じて半導体基板表面に光が照射された結果発
生するマイナス電荷が、陽極にバイアスされたリ
ング状のキヤリア吸収用n+型半導体領域７に吸
収されるので、ホトダイオード部に到達すること
はない。
このように本発明によれば、受光部、ボンデイ
ング部及びその周辺を除き半導体基板表面を全面
的に遮光膜で被い、かつ雑音の原因となる光の照
射される余地のあるボンデイングパツド周辺部附
近においては半導体基板の表面にキヤリア吸収用
半導体領域が設けてあるので雑音の原因となる大
部分のキヤリアを、吸収し、ホトダイオードに到
達するのを回避することができる。したがつて、
ホトセンサの雑音が小さくなる。
ング部及びその周辺を除き半導体基板表面を全面
的に遮光膜で被い、かつ雑音の原因となる光の照
射される余地のあるボンデイングパツド周辺部附
近においては半導体基板の表面にキヤリア吸収用
半導体領域が設けてあるので雑音の原因となる大
部分のキヤリアを、吸収し、ホトダイオードに到
達するのを回避することができる。したがつて、
ホトセンサの雑音が小さくなる。
第１図乃至第４図は本発明の一実施例を示すも
ので、第１図が半導体ペレツトの全体を示す平面
図、第２図が部分拡大平面図、第３図が第１図の
Ａ―Ａ視断面図、第４図が第１図のＢ―Ｂ視断面
図である。第５図、第６図は本発明の他の実施例
を示すもので、第５図が部分拡大平面図、第６図
が第５図のＣ―Ｃ視断面図である。 １…ｐ型半導体基板、３…受光部、２…遮光
膜、４…ボンデイングパツド部、５…アルミニウ
ム配線膜、６…ホトダイオードを構成するn+型
半導体領域、７…寄生キヤリア吸収用n+型半導
体領域、８，９…シリコン酸化部膜。
ので、第１図が半導体ペレツトの全体を示す平面
図、第２図が部分拡大平面図、第３図が第１図の
Ａ―Ａ視断面図、第４図が第１図のＢ―Ｂ視断面
図である。第５図、第６図は本発明の他の実施例
を示すもので、第５図が部分拡大平面図、第６図
が第５図のＣ―Ｃ視断面図である。 １…ｐ型半導体基板、３…受光部、２…遮光
膜、４…ボンデイングパツド部、５…アルミニウ
ム配線膜、６…ホトダイオードを構成するn+型
半導体領域、７…寄生キヤリア吸収用n+型半導
体領域、８，９…シリコン酸化部膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板表面に半導体領域からなるホトダ
イオードを形成し、このホトダイオード上に受光
用開口部を設けてなるホトセンサにおいて、半導
体基板上に設けた電極取出用各パツド部又はその
近傍の下方に上記半導体領域と同導電型であつて
基板側が接続される電源端子と逆の極性の電源端
子に接続される寄生キヤリア吸収用半導体領域を
形成し、かつ上記電極取出用パツド及びその周辺
と受光用開口部を除き、フイールド領域を全面的
に被う遮光膜を形成したことを特徴とするホトセ
ンサ。 ２ 該寄生キヤリア吸収用半導体領域は、該パツ
ド部及び該遮光膜と重なり合う部分を有し、かつ
リング状に形成されてなることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のホトセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12063879A JPS5645086A (en) | 1979-09-21 | 1979-09-21 | Photosensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12063879A JPS5645086A (en) | 1979-09-21 | 1979-09-21 | Photosensor |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61197149A Division JPS6276570A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | ホトセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5645086A JPS5645086A (en) | 1981-04-24 |
| JPS6244706B2 true JPS6244706B2 (ja) | 1987-09-22 |
Family
ID=14791165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12063879A Granted JPS5645086A (en) | 1979-09-21 | 1979-09-21 | Photosensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5645086A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03116779A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-05-17 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 受光素子内蔵集積回路装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6010671A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-19 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPS61127165A (ja) * | 1984-11-24 | 1986-06-14 | Sharp Corp | 半導体装置 |
| KR101016121B1 (ko) | 2008-10-29 | 2011-02-17 | 경북대학교 산학협력단 | 스트립 광센서 및 이를 이용한 방사선 2차원 위치정보 및 에너지 검출장치 |
| JP7412740B2 (ja) * | 2019-12-13 | 2024-01-15 | コーデンシ株式会社 | 半導体集積回路装置及び光センサ |
-
1979
- 1979-09-21 JP JP12063879A patent/JPS5645086A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03116779A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-05-17 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 受光素子内蔵集積回路装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5645086A (en) | 1981-04-24 |
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