JPS6033005B2 - 半導体発振器 - Google Patents
半導体発振器Info
- Publication number
- JPS6033005B2 JPS6033005B2 JP3381478A JP3381478A JPS6033005B2 JP S6033005 B2 JPS6033005 B2 JP S6033005B2 JP 3381478 A JP3381478 A JP 3381478A JP 3381478 A JP3381478 A JP 3381478A JP S6033005 B2 JPS6033005 B2 JP S6033005B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- terminal
- cutoff
- bias voltage
- coaxial
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1864—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator
- H03B5/187—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1876—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は小形にして安定な半導体発振器に関するもの
である。
である。
従釆のこの種装置の例を第１図に示す。
一端を短絡板１で終端した導波管２にバイアス電圧を供
給できる構造の同軸導波管変換器３を設け、上記同軸導
波管変換器３の同軸４内にＦＥＴ５を挿入し、ドレィン
端子６とゲート端子７とを同軸導波管変換器４の内導体
にまたソース端子８を同軸導波管変換器４の外導体にそ
れぞれ接続し、ゲート端子７側の同軸を所定長さで高周
波的に短絡し、かつ、ゲート端子７にバイアス電圧を供
給できる構造にしたもので、主にゲート側同軸線路長で
発振周波を調整し、短絡板位置を変えて発振出力を調整
しようとするものである。しかし、この装置においては
ゲート側同軸で共振系を構成するため、共振器Ｑが低く
発振器安定性が悪い。またドレィンーソース間の電磁界
結合量を調整する手段をもたないので最適動作点で動作
させることがむずかしい。更に機構的に導波管から同軸
が飛び出しているため寸法的に大きくなる。この発明は
これらの欠点を除去するために、ＦＥＴを導波管中に装
荷したもので以下詳細に説明する。
給できる構造の同軸導波管変換器３を設け、上記同軸導
波管変換器３の同軸４内にＦＥＴ５を挿入し、ドレィン
端子６とゲート端子７とを同軸導波管変換器４の内導体
にまたソース端子８を同軸導波管変換器４の外導体にそ
れぞれ接続し、ゲート端子７側の同軸を所定長さで高周
波的に短絡し、かつ、ゲート端子７にバイアス電圧を供
給できる構造にしたもので、主にゲート側同軸線路長で
発振周波を調整し、短絡板位置を変えて発振出力を調整
しようとするものである。しかし、この装置においては
ゲート側同軸で共振系を構成するため、共振器Ｑが低く
発振器安定性が悪い。またドレィンーソース間の電磁界
結合量を調整する手段をもたないので最適動作点で動作
させることがむずかしい。更に機構的に導波管から同軸
が飛び出しているため寸法的に大きくなる。この発明は
これらの欠点を除去するために、ＦＥＴを導波管中に装
荷したもので以下詳細に説明する。
第２図はこの発明になる半導体発振器の一例を示すもの
で主導波管９に発振器動作周波数で遮断領域となる遮断
導波管１０を接続し、この接続点Ｃから所定長さのとこ
ろを短絡板１で終端する。
で主導波管９に発振器動作周波数で遮断領域となる遮断
導波管１０を接続し、この接続点Ｃから所定長さのとこ
ろを短絡板１で終端する。
接続点Ｃのの近傍にＦＥＴ５を置き、ソース端子８を導
波管日面壁に接続するとともに導波管日面にほぼ垂直に
挿入したバイアス端子１１を介してドレィン端子６を接
続し、また遮断導波管１０中に設けた誘電体板１２を支
持体としてゲート端子を所定寸法分伸ばし、誘電体板上
に設けたバイアス回路に接続してバイアス電圧を印加す
る。ドレィン−ソース間の電磁界結合量はＦＥＴ５を接
続点Ｃから遮断導波管１０側にずらすことによって調整
可能でありゲート様子に接続するりアクタンス量は、遮
断導波管１０中に伸ばす端子の長さにより調整できる。
ドレィン端子６に接続される負荷は主導波管９の高さお
よびバイアス端子１１の挿入点の管軸中心からの距離を
変えることで調整できる。また主共振系として遮断導波
管１０中に構成することのほか第３図に示すようにバイ
アス端子１ １から負荷側に約１／許管内波長の位置に
結合窓１３を設けて共振系を構成するとともに結合窓寸
法により負荷調整が可能となり、また発振器を高Ｑ化す
ることができる。また遮断導波管１０中のＩＪアクタン
ス回路を所定長さのゲート端子の端を誘電体片１４とバ
イアス端子１１とではさんで固定し、これにバイアス電
圧を印加するようにして構成することもできる。以上ま
での説明では、半導体素子としてＦＥＴを用いた場合に
ついて説明したが、この発明はこれに限らず、バィポー
ラトランジスタ等の他の３端子マイクロ波増幅発振素子
を用いてもよい。
波管日面壁に接続するとともに導波管日面にほぼ垂直に
挿入したバイアス端子１１を介してドレィン端子６を接
続し、また遮断導波管１０中に設けた誘電体板１２を支
持体としてゲート端子を所定寸法分伸ばし、誘電体板上
に設けたバイアス回路に接続してバイアス電圧を印加す
る。ドレィン−ソース間の電磁界結合量はＦＥＴ５を接
続点Ｃから遮断導波管１０側にずらすことによって調整
可能でありゲート様子に接続するりアクタンス量は、遮
断導波管１０中に伸ばす端子の長さにより調整できる。
ドレィン端子６に接続される負荷は主導波管９の高さお
よびバイアス端子１１の挿入点の管軸中心からの距離を
変えることで調整できる。また主共振系として遮断導波
管１０中に構成することのほか第３図に示すようにバイ
アス端子１ １から負荷側に約１／許管内波長の位置に
結合窓１３を設けて共振系を構成するとともに結合窓寸
法により負荷調整が可能となり、また発振器を高Ｑ化す
ることができる。また遮断導波管１０中のＩＪアクタン
ス回路を所定長さのゲート端子の端を誘電体片１４とバ
イアス端子１１とではさんで固定し、これにバイアス電
圧を印加するようにして構成することもできる。以上ま
での説明では、半導体素子としてＦＥＴを用いた場合に
ついて説明したが、この発明はこれに限らず、バィポー
ラトランジスタ等の他の３端子マイクロ波増幅発振素子
を用いてもよい。
以上のようにこの発明に係る半導体発振器では、遮断導
波管中にリアクタンス回路を構成でき、主導波管と遮断
導波管との接続点から遮断導波管側にトランジスタ装荷
点を変えることでトランジスタ端子間の結合量を可変で
き発振特性を調整することができる。また導波管で共振
系を構成したとき発振器の高Ｑ安定化が計れる。
波管中にリアクタンス回路を構成でき、主導波管と遮断
導波管との接続点から遮断導波管側にトランジスタ装荷
点を変えることでトランジスタ端子間の結合量を可変で
き発振特性を調整することができる。また導波管で共振
系を構成したとき発振器の高Ｑ安定化が計れる。
またトランジスタを導波管中に装荷するため、同軸導波
管変換器を介して装荷したものに較べて小形化が可能と
なる。
管変換器を介して装荷したものに較べて小形化が可能と
なる。
第１図は従来の導波管出力関口をもつトランジスタ発振
器の構造図、第２図はこの発明になる半導体発振器の一
例を示す図、第３図はこの発明になる半導体発振器の他
の構成を示す図である。 図中１は短絡板、２は導波管、３は同軸導波管変換器、
４は同軸、５はＦＥＴ、６はドレィン端子、７はゲート
端子、８はソース端子、９は主導波管、１０は遮断導波
管、１１はバイアス端子、１２は誘電体板、１３は結合
窓、１４は誘電体片である。なお図中同一あるいは相当
部分には同一符号を付して示してある。第７ 図． 第２図 第３図
器の構造図、第２図はこの発明になる半導体発振器の一
例を示す図、第３図はこの発明になる半導体発振器の他
の構成を示す図である。 図中１は短絡板、２は導波管、３は同軸導波管変換器、
４は同軸、５はＦＥＴ、６はドレィン端子、７はゲート
端子、８はソース端子、９は主導波管、１０は遮断導波
管、１１はバイアス端子、１２は誘電体板、１３は結合
窓、１４は誘電体片である。なお図中同一あるいは相当
部分には同一符号を付して示してある。第７ 図． 第２図 第３図
Claims (1)
- １ 所要動作周波数において通過特性を呈する主導波管
と遮断特性を呈する遮断導波管とを接続し、接続点近傍
にマイクロ波トランジスタを装荷し、上記トランジスタ
の第１の端子を導波管Ｈ面壁に接続し第２の端子を主導
波管Ｈ面にほぼ垂直に所定長さ挿入したバイアス電圧を
供給できる構造の金属ポストの先端に接続し、第３の端
子を遮断導波管中に所定長さ伸ばしかつバイアス電圧を
供給する回路に接続したことを特徴とする半導体発振器
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3381478A JPS6033005B2 (ja) | 1978-03-24 | 1978-03-24 | 半導体発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3381478A JPS6033005B2 (ja) | 1978-03-24 | 1978-03-24 | 半導体発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54125955A JPS54125955A (en) | 1979-09-29 |
| JPS6033005B2 true JPS6033005B2 (ja) | 1985-07-31 |
Family
ID=12396937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3381478A Expired JPS6033005B2 (ja) | 1978-03-24 | 1978-03-24 | 半導体発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6033005B2 (ja) |
-
1978
- 1978-03-24 JP JP3381478A patent/JPS6033005B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54125955A (en) | 1979-09-29 |
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