JPS6033004B2 - トランジスタ発振器 - Google Patents

トランジスタ発振器

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Publication number
JPS6033004B2
JPS6033004B2 JP1212978A JP1212978A JPS6033004B2 JP S6033004 B2 JPS6033004 B2 JP S6033004B2 JP 1212978 A JP1212978 A JP 1212978A JP 1212978 A JP1212978 A JP 1212978A JP S6033004 B2 JPS6033004 B2 JP S6033004B2
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JP
Japan
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coaxial
terminal
waveguide
transistor
bias voltage
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JP1212978A
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English (en)
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JPS54105452A (en
Inventor
弘司 小木曾
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS54105452A publication Critical patent/JPS54105452A/ja
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Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
    • H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
    • H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
    • H03B5/1852—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は小形軽量にして、かつ周波数安定性のよいト
ランジスタ発振器に関するものである。
従来のこの種装置は第１図に示す通りであって、一端を
短絡板１で終端した導波管２にバイアス電圧を供給でき
る構造の同軸導波管変換器３を設け、上記同軸導波管変
換器３の同軸４内にＦＥＴトランジスタ５を挿入し、ド
レィン端子６とゲート端子７を同軸４の内導体に、ソー
ス端子８を同軸４の外導体にそれぞれ接続し、ゲート端
子７個の同軸を所定長さで高周波帯では端絡し、かつゲ
ート端子にバイアス電圧を供給できる構造にしたもので
、ゲート側同軸線路長で発振周波数を調整するとともに
、同軸導波管変換器３と短絡板１位置とで発振出力を調
整するものである。しかしこの発振器の共振系は同軸で
構成しているため発振器のＱが低く、周波数安定性がよ
くない。高Ｑ化のためにＱの高い空腕を装荷する等の手
段が必要である。また同軸導波管変換器３を介してＦＥ
Ｔトランジスタをマウントするため、この部分が導波管
から突起し、寸法的に大きくなる。この発明はこれ等の
問題点を解決するためにＦＥＴトランジスタを導波管空
胸中にマゥントしたもので、以下詳細に説明する。第２
図はこの発明によるトランジスタ発振器の実施例で、結
合窓９と短絡板１１とで導波管２を終補してできる空胴
１０中に、結合窓９から所要動作周波数で約１／折管内
波長距離にバイアス電圧を供給できる同軸４を所要長さ
挿入し、同軸４の先端の外導体にドレィン端子６を、ま
た内導体にゲート端子７を接続できる同軸パッケージタ
イプのＦＥＴトランジスタ５を挿入するとともに同軸を
挿入した導波管面と対向する面からバイアス電圧を供給
できる金属ポスト１１を挿入し、ソース端子８を接続し
たものである。
発振周波数は主に結合窓９と同軸４との距離で決まり、
発振出力はゲート端子７に接続する同軸長、導波管２に
挿入する同軸長、結合窓の大きさ、同軸挿入点の管軸方
向への偏移等で調整できる。発振周波数の徴調は結合窓
９と同軸４との中間距離にネジ機構で挿入長を変えられ
る金属または誘電体棒１２を挿入して行う。第３図はこ
の発明になるトランジスタ発振器の値の実施例である。
金属ポスト１１を挿入する代りに同軸４と導波管２との
間にバイアス電圧を印加する構造にしたものである。な
お以上はＦＥＴトランジスタを用いた場合について説明
したが、この発明はこれに限らず、バィポーラトランジ
スタ等のトランジスタを用いてもよい。
またパッケージスタイルとして同軸形を用いて説明した
が、第１図に示したようなストリップライン形でもよい
。さらに、同軸内導体、外導体および金属ポストに接続
するＦＥＴトランジスタの各端子を上記説明の場合と変
えてもよい。以上のようにこの発明に係るトランジスタ
発振器では、導波管空耳同中に同軸を挿入することで発
振器を小形化でき、かつ、共振系として導波管空８同を
用いるため、同軸形共振器を用いる場合より発振器の高
Ｑ化が計れ、また空８同内に譲露体樺等を挿入して発振
周波数が簡単に調整できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のトランジスタ発振器の構造を示す図、第
２図はこの発明になるトランジスタ発振器の構造例を示
す図、第３図はこの発明になるトランジスタ発振器の他
の構造例を示す図である。 図中１は短絡板、２は導波管、３は同軸導波管変換器、
４は同軸、５はＦＥＴトランジスタ、６はドレイン端子
、７はゲート端子、８はソース端子、９は結合窓、１０
は空且同、１１は金属ポスト、１２は金属または誘電体
棒である。なお図中同一あるいは相当部分には同一符号
を付して示してある。多１図 ゑＺ図 そう鍵

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 矩形導波管の一端を短絡板で、他方を結合窓で終端
    してなる空胴中の所定位置に導波管Ｈ面壁にほぼ垂直に
    所定長さの同軸線路を挿入するとともにこの同軸線路の
    一端にはＦＥＴトランジスタを取付け、上記ＦＥＴトラ
    ンジスタの第１の端子を同軸外導体端面に、第２の端子
    を同軸内導体にそれぞれ接続し、さらには同軸線路を挿
    入した面と対向するＨ面壁からバイアス電圧を印加でき
    る構造の金属ポストを挿入して第３の端子に接続し、同
    軸内導体の第２の端子から所定の長さの点でマイクロ波
    帯で高インピーダンスまたは低インピーダンスとなりか
    つバイアス電圧が印加できるように構成したことを特徴
    とするトランジスタ発振器。
JP1212978A 1978-02-06 1978-02-06 トランジスタ発振器 Expired JPS6033004B2 (ja)

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JPS54105452A JPS54105452A (en) 1979-08-18
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JPS59204289A (ja) * 1983-05-09 1984-11-19 Toshiba Corp ２端子負性抵抗素子

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JPS54105452A (en) 1979-08-18

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