JPS6033006B2 - 半導体発振器 - Google Patents
半導体発振器Info
- Publication number
- JPS6033006B2 JPS6033006B2 JP3381678A JP3381678A JPS6033006B2 JP S6033006 B2 JPS6033006 B2 JP S6033006B2 JP 3381678 A JP3381678 A JP 3381678A JP 3381678 A JP3381678 A JP 3381678A JP S6033006 B2 JPS6033006 B2 JP S6033006B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- terminal
- dielectric resonator
- oscillator
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1864—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator
- H03B5/187—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1876—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、小形で高効率な温度補償機構付の半導体発
振器に関するものである。
振器に関するものである。
第１図は、従来のこの種装置の断面図である。
一端を短絡板１で終端した導波管２にバイアス電圧を供
給できる構造の同軸導波管変換器３を設け、上記同軸導
波管変換器３の同軸４内にＦＥＴ５を装荷し、ドレィン
端子６とゲート端子７とを同軸４内導体に、またソース
端子８を同軸４の外導体にそれぞれ接続し、ゲート端子
７側の同軸の所定長さの位置で高周波的に短絡し、かつ
、バイアス電圧を供給できる構造にしたものである。主
にゲート側同軸線路長で発振周波数を調整し、短絡板１
の位置で発振出力を調整する。この例においては発振器
の共振器は、同軸で構成してあるため、Ｑが低く、発振
器の電圧変動、負荷変動に対する安定性が悪く、また周
囲温度変化による周波数安定性をよくすることがむずか
しい。また、発振効率のよい動作点で動作させるには、
上記の調整法だけでは不十分であり、ドレィン側からゲ
ート側への帰還量を調整する必要がある。更にＦＥＴを
導波管部から突起した同藤部に装荷しているため、縦方
向の寸法が大きくなる。この発明はこれ等の欠点を除去
するためＦＥＴ等の三端子増幅発振半導体素子と誘電体
共振器とを導波管中に装荷したもので、以下詳細に説明
する。
給できる構造の同軸導波管変換器３を設け、上記同軸導
波管変換器３の同軸４内にＦＥＴ５を装荷し、ドレィン
端子６とゲート端子７とを同軸４内導体に、またソース
端子８を同軸４の外導体にそれぞれ接続し、ゲート端子
７側の同軸の所定長さの位置で高周波的に短絡し、かつ
、バイアス電圧を供給できる構造にしたものである。主
にゲート側同軸線路長で発振周波数を調整し、短絡板１
の位置で発振出力を調整する。この例においては発振器
の共振器は、同軸で構成してあるため、Ｑが低く、発振
器の電圧変動、負荷変動に対する安定性が悪く、また周
囲温度変化による周波数安定性をよくすることがむずか
しい。また、発振効率のよい動作点で動作させるには、
上記の調整法だけでは不十分であり、ドレィン側からゲ
ート側への帰還量を調整する必要がある。更にＦＥＴを
導波管部から突起した同藤部に装荷しているため、縦方
向の寸法が大きくなる。この発明はこれ等の欠点を除去
するためＦＥＴ等の三端子増幅発振半導体素子と誘電体
共振器とを導波管中に装荷したもので、以下詳細に説明
する。
第２図は、この発明になる半導体発振器の一実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
主導波管９に所要発振器動作周波数で遮断領域となる遮
断導波管１０を接続し、この接続点Ｃから所定長さのと
ころに短絡板１を設置する。接続点Ｃの近傍にＦＥＴ５
を置き、ソース端子８を導波管日面壁に接続するととも
に主導波管９のＨ面にほぼ垂直に挿入したバイアス端子
ＡＩＩを介してドレィン端子６を接続し、また遮断導波
管１０中に設けた譲露体板１２を支持体としてゲート端
子を所定寸法分伸ばし、同じく譲竜体板上に設けたバイ
アス回路に接続して、バイアス電圧を印加する。またバ
イアス端子ＡＩＩから主導波管関口側の所定位置に譲竜
体共振器１３を装荷する。この発振器の発振周波数はほ
ぼ誘電体共振器Ｉ３で決まる誘電体共振器の共振周波数
の温度依存性をほぼ零ないし、ＦＥＴおよび発振器構成
部品の温度変化による発振周波数変化寄与分を相殺する
ような温度依存性にすることで高○化周波数安定化が計
れる。
断導波管１０を接続し、この接続点Ｃから所定長さのと
ころに短絡板１を設置する。接続点Ｃの近傍にＦＥＴ５
を置き、ソース端子８を導波管日面壁に接続するととも
に主導波管９のＨ面にほぼ垂直に挿入したバイアス端子
ＡＩＩを介してドレィン端子６を接続し、また遮断導波
管１０中に設けた譲露体板１２を支持体としてゲート端
子を所定寸法分伸ばし、同じく譲竜体板上に設けたバイ
アス回路に接続して、バイアス電圧を印加する。またバ
イアス端子ＡＩＩから主導波管関口側の所定位置に譲竜
体共振器１３を装荷する。この発振器の発振周波数はほ
ぼ誘電体共振器Ｉ３で決まる誘電体共振器の共振周波数
の温度依存性をほぼ零ないし、ＦＥＴおよび発振器構成
部品の温度変化による発振周波数変化寄与分を相殺する
ような温度依存性にすることで高○化周波数安定化が計
れる。
また発振出力は、ゲート側回路のリアクタンス量、主導
波管高さ、バイアス端子ＡＩＩの管軸中心からの偏移等
で調整できるほか、ＦＥＴ５を接続点Ｃから遮断導波管
側にずらすことでドレィンーゲート間帰還量を調整でき
、高効率動作が可能となる。第３図はこの発明になる半
導体発振器の他の実施例の断面図である。
波管高さ、バイアス端子ＡＩＩの管軸中心からの偏移等
で調整できるほか、ＦＥＴ５を接続点Ｃから遮断導波管
側にずらすことでドレィンーゲート間帰還量を調整でき
、高効率動作が可能となる。第３図はこの発明になる半
導体発振器の他の実施例の断面図である。
ゲート側リアクタンス回路の構成法として遮断導波管１
０中にバイアス端子ＡＩＩと同様に構造のバイアス端子
Ｂ１４を挿入し、その先端にゲート端子７を接続すると
ともに誘電体片１５で固定してある。更に主導波管９の
導波管閉口側に結合窓１６を設けて、空胴１７を構成し
電界の比較的強い位置に支持樺１８を介して誘電体共振
器１３を装荷したものである。導波管空胴共振周波数は
誘電体共振器の挿入で所要発振周波数より下げ得るので
、誘電体共振器共振周波数で良好動作させるように結合
窓１６の大きさを調整し、適当な負荷インピーダンスと
することができる。また発振周波数の徴調機構として誘
電体共振器に対向する導波管壁にネジ機構等で挿入寸法
を可変できネジ１９を挿入し、誘電体共振器共振周波数
を変えることは実用上有意義である。更に上記ネジの誘
電体共振器１３に対向する面に温度補償調整用誘電体２
０を装着することで温度補償量の徴調が可能となる。以
上は、ＦＥＴを使用した場合について説明したが、この
発明はこれに限らずバィポーラトランジスタのような別
の三端子増幅発振半導体素子を用いてもよい。
０中にバイアス端子ＡＩＩと同様に構造のバイアス端子
Ｂ１４を挿入し、その先端にゲート端子７を接続すると
ともに誘電体片１５で固定してある。更に主導波管９の
導波管閉口側に結合窓１６を設けて、空胴１７を構成し
電界の比較的強い位置に支持樺１８を介して誘電体共振
器１３を装荷したものである。導波管空胴共振周波数は
誘電体共振器の挿入で所要発振周波数より下げ得るので
、誘電体共振器共振周波数で良好動作させるように結合
窓１６の大きさを調整し、適当な負荷インピーダンスと
することができる。また発振周波数の徴調機構として誘
電体共振器に対向する導波管壁にネジ機構等で挿入寸法
を可変できネジ１９を挿入し、誘電体共振器共振周波数
を変えることは実用上有意義である。更に上記ネジの誘
電体共振器１３に対向する面に温度補償調整用誘電体２
０を装着することで温度補償量の徴調が可能となる。以
上は、ＦＥＴを使用した場合について説明したが、この
発明はこれに限らずバィポーラトランジスタのような別
の三端子増幅発振半導体素子を用いてもよい。
また、ソース端子を高周波的にのみ接地し、適当なバイ
アス供給回路でバイアス電圧を印加する一般のトランジ
スタ増幅器で一電源駆動すると同様の手段を用いること
ができることは云うまでもない。以上のようにこの発明
に係る半導体発振器では、三端子増幅発振半導体素子を
導波管中に装荷し、同じく導波管中に挿入した誘電体共
振器を含む負荷と遮断導波管で構成したりアクタンス回
路とに接続することで、端子間帰還量の調整可能な高Ｑ
安定化した効率のよい半導体発振器が構成できる。
アス供給回路でバイアス電圧を印加する一般のトランジ
スタ増幅器で一電源駆動すると同様の手段を用いること
ができることは云うまでもない。以上のようにこの発明
に係る半導体発振器では、三端子増幅発振半導体素子を
導波管中に装荷し、同じく導波管中に挿入した誘電体共
振器を含む負荷と遮断導波管で構成したりアクタンス回
路とに接続することで、端子間帰還量の調整可能な高Ｑ
安定化した効率のよい半導体発振器が構成できる。
第１図は従来のこの種装置の断面図、第２図はこの発明
装置の一実施例を示す断面図、第３図はこの発明装置の
他の実施例の断面図である。 図中、１は短絡板、２は導波管、３は同軸導波管変換器
、４は同軸、５はＦＥＴ、６はドレィン端子、７はゲー
ト端子、８はソース端子、９は主導波管、１０は遮断導
波管、１１はバイアス端子Ａ、１２は誘電体板、１３は
誘電体共振器 １４はバイアス端子Ｂ、１５は誘電体片
、１６は結合窓、１７は空胴、１８は支持体、１９はネ
ジ、２川ま温度補償量調整用誘電体である。なお図中同
一あるいは相当部分には同一符号を付して示してある。
第２図 第３図 第７図
装置の一実施例を示す断面図、第３図はこの発明装置の
他の実施例の断面図である。 図中、１は短絡板、２は導波管、３は同軸導波管変換器
、４は同軸、５はＦＥＴ、６はドレィン端子、７はゲー
ト端子、８はソース端子、９は主導波管、１０は遮断導
波管、１１はバイアス端子Ａ、１２は誘電体板、１３は
誘電体共振器 １４はバイアス端子Ｂ、１５は誘電体片
、１６は結合窓、１７は空胴、１８は支持体、１９はネ
ジ、２川ま温度補償量調整用誘電体である。なお図中同
一あるいは相当部分には同一符号を付して示してある。
第２図 第３図 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所要動作周波数において通過特性を呈する主動波管
としや断特性を呈するしや断導波管とを接続し、接続点
近傍に三端子増幅発振半導体素子を装荷し、上記三端子
増幅発振半導体素子の第１の端子を導波管Ｈ面壁に接続
し、第２の端子を主導波管Ｈ面壁にほぼ垂直に所定長さ
挿入したバイアス電圧を供給できる構造の金属ポストの
先端に接続し、第３の端子をしや断導波管中に所定長さ
伸ばし、かつ、バイアス電圧を供給できる回路に接続し
上記三端子増幅発振半導体素子より主導波管開口側所定
の位置に誘電体共振器を装荷したことを特徴とする半導
体発振器。 ２ 誘電体共振器より所定の距離主導波管開口側の位置
に結合窓を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の半導体発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3381678A JPS6033006B2 (ja) | 1978-03-24 | 1978-03-24 | 半導体発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3381678A JPS6033006B2 (ja) | 1978-03-24 | 1978-03-24 | 半導体発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54126450A JPS54126450A (en) | 1979-10-01 |
| JPS6033006B2 true JPS6033006B2 (ja) | 1985-07-31 |
Family
ID=12396993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3381678A Expired JPS6033006B2 (ja) | 1978-03-24 | 1978-03-24 | 半導体発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6033006B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5797709A (en) * | 1980-12-10 | 1982-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid oscillating device with stabilized frequency |
| US4540955A (en) * | 1983-03-28 | 1985-09-10 | Ford Aerospace & Communications Corporation | Dual mode cavity stabilized oscillator |
-
1978
- 1978-03-24 JP JP3381678A patent/JPS6033006B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54126450A (en) | 1979-10-01 |
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