JPS6033170B2 - 加熱炉制御装置 - Google Patents

加熱炉制御装置

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JPS6033170B2
JPS6033170B2 JP14891980A JP14891980A JPS6033170B2 JP S6033170 B2 JPS6033170 B2 JP S6033170B2 JP 14891980 A JP14891980 A JP 14891980A JP 14891980 A JP14891980 A JP 14891980A JP S6033170 B2 JPS6033170 B2 JP S6033170B2
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JP
Japan
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heating furnace
temperature
extraction
time
control device
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Expired
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JP14891980A
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English (en)
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JPS5773130A (en
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芳治 浜崎
正▲き▼ 沓沢
宜範 若宮
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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  • Control Of Heat Treatment Processes (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は加熱炉燃焼制御における抽出目標温度を抽出
後の実測表面温度を用いて予測する制御装置に関するも
のである。
加熱炉抽出直後の材料表面には加熱炉内における鉄の酸
化により発生するスケールと称する酸化鉄の被覆がつい
ている。
したがって加熱炉出側に温度計を設置し温度を測定して
もスケール表面の温度を測定することになり真の材料表
面温度を実測したことにならず、しかも抽出直后の材料
の内部温度分布は明らかではないので仮に抽出直后の表
面温度が実測できたとしてもこの測定値を抽出温度と考
えると加熱炉制御そのものを誤ったものにする。すなわ
ち加熱炉制御においては加熱炉内における熱収支を考え
るがこの場合抽出スラブの顔熱Qを知る必要があるが、
この顕熱QはQ=W・C・T^v
…IW=スラブの重量C= 〃 比熱 T^v= 〃 平均温度 であり、スラブの表面温度ではなくスラブの平均温度を
知ることが必要である。
一方抽出直后のスラブの内部温度分布は当然のことなが
ら加熱炉内では表面から加熱されるので表面温度は内部
温度よりも高くなっておりその偏差も加熱炉の燃焼状態
により一様ではない。したがって抽出直後のスラブ表面
温度を実測しようとすることは有意義ではない。
この発明は上記のような実情に鑑みて成されたもので加
熱炉抽出後所定時間を経過した材料の表面温度を実測す
る温度計と、上記表面温度と上記加熱炉抽出から上記表
面温度測定までに要する所要時間および上記材料の板厚
とから上記材料の加熱炉抽出時点における平均温度を演
算する演算装置とを備え、上記平均温度により加熱炉の
燃焼制御を行うことにより良好な精度で運転可能な加熱
炉制御装置を提供することを目的としたものである。
以下、この発明の一実施例における加熱炉制御装置の構
成を第1図に基づいて説明する。
図において、1は加熱炉2により加熱后抽出された材料
、3は材料が抽出されたことを検出する検出器、4は材
料を被覆しているスケールを除去するためのスケールブ
レーカー、5は材料の表面温度を実測する温度計であり
、6は演算装置、7は加熱炉燃焼制御装置である。いま
加熱炉2から材料1が抽出されたタイミングを時刻t=
0とし、抽出された材料は搬送され、スケールブレーカ
ー4において高圧水によりスケールを吹き飛ばすと同時
に水冷により材料を冷却されてながら温度計5直下まで
搬送されるとする。
第2図に示すようにTAv=加熱炉2抽出時材料平均温
度予測値T,=スケールブレーカー4入口における材料
平均温度予測値L=スケールブレーカー4出口における
材料平均温度予測値T3=温度計5により測定した材料
表面温度T3=温度計5の位置での材料平均温度予測値
ィ.=加熱炉抽出からスケールブレーカー4入口までの
材料搬送所要時間72=スケールブレーカー4入口から
出口までの材料搬送所要時間73=スケールブレーカー
4出口から温度計5直下までの所要時間とする。
このとき温度計5で実測した材料表面温度Tsからどの
ようにして加熱炉抽出時の平均温度TAvを予測するか
以下に述べる。いま温度計5にて材料表面温度を実測し
た時の内部温度分布は加熱炉抽出およびスケールブレー
カー4通過后ある時間以上経過していればほ)、空冷状
態での定常分布をしていると考えて良い。
したがって実測した材料表面温度Tsより平均温度T3
はT3=Ts+△T
…2△T=K・日(Ts+274)4
…3と求めることができる。
ただし式3においてKは材料の熱伝導率や韓射率より求
まる定数であり、印ま材料板厚である。したがってスケ
ールブレーカー4出口での材料平均温度はとし、最初d
L=0とおいて式4を数回くり返し計算して予測するこ
とができる。
ただし式4においてK3は定数である。スケールブレー
カー4内部においては高圧水を材料表面に噴射し、スケ
ールを飛散させるので同時に材料は水冷されることにな
る。
輯射による放熱も含めてスケールブレーカー4内部にお
ける熱流束(単位時間の放熱量)をQwとするとT.三
T2十青QW.丁2 …5と表わされる。
ただしK2は定数である。また加熱炉抽出時の材料平均
温度TAvはスケールブレーカー4入口での材料平均温
度T,からとし、最初dT,=0とおいて式6を数回く
り返し計算することにより予測することができる。
したがって式2,3,4,5,6よりT^V=h+{K
.日(TS+273)4十筈〈T′+273)47,十
帯M2十台(T″+273となり、結局加熱炉抽出時の
材料平均温度T^vを温度計5により測定した材料表面
温度Tsおよび加熱炉抽出から温度計まで搬送されるま
でそれぞれの搬送所要時間ヶ,,?2および73と材料
厚板印こより予測的に求めることができる。
したがって先に述べた加熱炉制御において抽出スラブ顕
熱、Qを予測的に知ることができると共に、次のような
ことを行うことができる。
すなわち加熱炉燃焼制御装置7において加熱炉2に装入
された材料を与えられた在炉時間で目標抽出温度T^v
に厚み方向の温度偏差がある範囲内に収まるように焼き
上げるように加熱炉に吹き込む燃料流量を制御している
しかしながら加熱炉燃焼制御装置7に何んらかの誤差を
生じて、前述したような方法で温度計5の実測表面温度
を用いて逆算した抽出平均温度TAvが目標抽出温度T
Avと異ることが発生する。この場合加熱炉燃焼制御装
置7において目標抽出温度T^vをT^v:T′^v−
Q(T^v−T′^v) …8と補正する。
式8においてrAvは補正前の目標抽出温度、Q‘ま定
数でOSQSIを範囲の適当な値とする。このような補
正を行うことにより精度良い加熱炉燃焼制御を行うこと
ができる。
以上のように、この発明によれば加熱炉抽出後所定時間
を経過した材料の表面温度を実測する温度計と、上記表
面温度と上記加熱炉抽出から上記表面温度測定までに要
する所要時間および上記材料の板厚とから上記材料の加
熱炉抽出時点における平均温度を演算する演算装置とを
備え、上記平均温度により加熱炉の燃焼制御を行うこと
により良好な精度で運転可能な加熱炉制御装置を提供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例における加熱炉制御装置の
概略構成を示すブロック図、第2図は加熱炉抽出時にお
ける材料平均温度予測値と、温度計により実測された材
料表面温度との関係を示すための曲線図である。 図中、1は材料、2は加熱炉、5は温度計、6は演算装
置、7は加熱炉燃焼制御装置である。 第1図第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 加熱炉抽出後所定時間を経過した材料の表面温度を
    実測する温度計と、上記表面温度と上記加熱炉抽出から
    上記表面温度測定までに要する所要時間および上記材料
    の板厚とから上記材料の加熱炉抽出時点における平均温
    度を演算する演算装置とを備え、上記平均温度により加
    熱炉の燃焼制御を行うようにしたことを特徴とする加熱
    炉制御装置。
JP14891980A 1980-10-23 1980-10-23 加熱炉制御装置 Expired JPS6033170B2 (ja)

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JP14891980A JPS6033170B2 (ja) 1980-10-23 1980-10-23 加熱炉制御装置

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JPS5773130A JPS5773130A (en) 1982-05-07
JPS6033170B2 true JPS6033170B2 (ja) 1985-08-01

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