JPS6033190B2 - 金属基体表面に密着性のすぐれた炭化けい素被膜を形成する方法 - Google Patents
金属基体表面に密着性のすぐれた炭化けい素被膜を形成する方法Info
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- JPS6033190B2 JPS6033190B2 JP4065481A JP4065481A JPS6033190B2 JP S6033190 B2 JPS6033190 B2 JP S6033190B2 JP 4065481 A JP4065481 A JP 4065481A JP 4065481 A JP4065481 A JP 4065481A JP S6033190 B2 JPS6033190 B2 JP S6033190B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
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- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はプラズマ化学蒸着法を用いて金属基体表面に
密着性のすぐれた炭化けし、素皮膜を形成する方法に関
するものである。
密着性のすぐれた炭化けし、素皮膜を形成する方法に関
するものである。
従来、一般に木工用ドリルやノコ刃などの切削工具、ダ
イス、軸受、および繊維機械のガイドなどの耐摩部品に
は耐摩耗性を付与する目的で、またメカニカルシールな
どには酸およびアルカ川こ対する耐食性を付与する目的
で、さらに磁気テープのガイドピンやヘッド面には非磁
性と耐摩耗性を付与する目的で、それぞれその表面に、
高硬度を有し、かつ耐摩耗性および耐食性にすぐれた炭
化けし、素（以下ＳＩＣで示す）を被覆することが行な
われている。
イス、軸受、および繊維機械のガイドなどの耐摩部品に
は耐摩耗性を付与する目的で、またメカニカルシールな
どには酸およびアルカ川こ対する耐食性を付与する目的
で、さらに磁気テープのガイドピンやヘッド面には非磁
性と耐摩耗性を付与する目的で、それぞれその表面に、
高硬度を有し、かつ耐摩耗性および耐食性にすぐれた炭
化けし、素（以下ＳＩＣで示す）を被覆することが行な
われている。
このＳＩＣ被膜は、通常反応温度が低く、かつ被覆付着
性の良好なプラズマ化学蒸着法、すなわち０．１〜数ト
ルの減圧雰囲気中でグロー放電を利用して金属基体表面
に化合物を蒸着させる方法により形成されている。しか
し、ＳＩＣは、熱膨張係数が４×１０‐６加‐１℃‐１
と、鋼やＡＩなどの金属の熱膨張係数：１０〜２５×１
０‐６肌‐１℃‐１に比して低いために、ＳＩＣ被膜の
形成を、特に良質のものを得る目的で高温反応温度で行
なわなければならない場合、熱膨張係数のかかる差によ
ってＳＩＣ被膜にクラツクが入ったり、著しい場合には
剥離を生じたりすることがいましば発生するものであっ
た。
性の良好なプラズマ化学蒸着法、すなわち０．１〜数ト
ルの減圧雰囲気中でグロー放電を利用して金属基体表面
に化合物を蒸着させる方法により形成されている。しか
し、ＳＩＣは、熱膨張係数が４×１０‐６加‐１℃‐１
と、鋼やＡＩなどの金属の熱膨張係数：１０〜２５×１
０‐６肌‐１℃‐１に比して低いために、ＳＩＣ被膜の
形成を、特に良質のものを得る目的で高温反応温度で行
なわなければならない場合、熱膨張係数のかかる差によ
ってＳＩＣ被膜にクラツクが入ったり、著しい場合には
剥離を生じたりすることがいましば発生するものであっ
た。
そこで、本発明者等は、上述のような観点から、クラッ
クや剥離などの発生のない、密着性のぐれたＳＩＣ被膜
を金属基体表面に形成すべく研究を行なった結果、プラ
ズマ化学蒸着法によりＳＩＣ被膜を形成するに先だって
、Ｓｉ被膜を金属基体表面に予め蒸着形成してやると、
このＳｉ被膜は結晶化していない無定形（アモルファス
状）のものであるため、結晶状のＳｉの熱膨張係数：６
〜７ｘｌｏ‐６肌‐１℃‐１より大きい熱膨張係数：７
〜８×１０‐６伽‐１℃‐１をもち、この熱膨張係数は
ＳＩＣ被膜と金属基体との中間のものであるため、ＳＩ
Ｃ被膜と金属基体との間にＳＩＣ被膜形成時に熱膨張差
により発生する歪が緩和されるようになることから、ク
ラックや剥離の発生が著しく抑制されるようになり、ま
た、このＳｉ被膜はＳＩＣに比して硬さは低いが、金属
的展延性に富むものであるため、機械的衝撃に対して緩
衝材としての作用を果し、さらにＳｉ被膜とＳＩＣ被膜
の形成が連続的に行なわれるため、Ｓｉ被膜とＳＩＣ被
膜との付着力は強く、かつＳｉ被膜と金属基体表面との
付着力もすぐれたものであることから、全体として金属
基体表面に強固なＳＩＣ被膜を形成することができると
いう知見を得たのである。
クや剥離などの発生のない、密着性のぐれたＳＩＣ被膜
を金属基体表面に形成すべく研究を行なった結果、プラ
ズマ化学蒸着法によりＳＩＣ被膜を形成するに先だって
、Ｓｉ被膜を金属基体表面に予め蒸着形成してやると、
このＳｉ被膜は結晶化していない無定形（アモルファス
状）のものであるため、結晶状のＳｉの熱膨張係数：６
〜７ｘｌｏ‐６肌‐１℃‐１より大きい熱膨張係数：７
〜８×１０‐６伽‐１℃‐１をもち、この熱膨張係数は
ＳＩＣ被膜と金属基体との中間のものであるため、ＳＩ
Ｃ被膜と金属基体との間にＳＩＣ被膜形成時に熱膨張差
により発生する歪が緩和されるようになることから、ク
ラックや剥離の発生が著しく抑制されるようになり、ま
た、このＳｉ被膜はＳＩＣに比して硬さは低いが、金属
的展延性に富むものであるため、機械的衝撃に対して緩
衝材としての作用を果し、さらにＳｉ被膜とＳＩＣ被膜
の形成が連続的に行なわれるため、Ｓｉ被膜とＳＩＣ被
膜との付着力は強く、かつＳｉ被膜と金属基体表面との
付着力もすぐれたものであることから、全体として金属
基体表面に強固なＳＩＣ被膜を形成することができると
いう知見を得たのである。
この発明は、上記知見にもとづいてなされたものである
が、Ｓｉ被膜の厚さは０．５〜ｌｏＡｍとするのが望ま
しく、これは、その厚さが０．５仏ｍ未満では所望の効
果を得ることができず、一方１０ムｍを越えた厚さにす
ると、Ｓｉのもつ軟質に原因する問題点、例えば塑性変
形などが生じ易くなるという理由によるものである。
が、Ｓｉ被膜の厚さは０．５〜ｌｏＡｍとするのが望ま
しく、これは、その厚さが０．５仏ｍ未満では所望の効
果を得ることができず、一方１０ムｍを越えた厚さにす
ると、Ｓｉのもつ軟質に原因する問題点、例えば塑性変
形などが生じ易くなるという理由によるものである。
つぎに、この発明の方法を実施例により具体的に説明す
る。
る。
実施例 １
第１図に概略図で示されるプラズマ化学葵着装暦を用い
て実施した。
て実施した。
第１図に示される装置は、外周側面をヒーター６により
取り巻かれた真空チャンバー７と、この真空チャンバー
内に収納され、絶縁物５を通って電源（高周波または直
流）４のｅ側に連結された電極２と、真空チャンバー内
に開孔する排気ポンプ３と、同じく流量計８を介して真
空チャンバ−内に開孔するＣ２日２源，Ａｒ源，日２源
，およびＳｉＨ４源とを備えたものからなっている。す
なわち、第１図に示される装置において、まず、電極２
の上にＳＵＳ３０４製コンテナを介して金属基体たるＳ
ＫＤ−１１製ダィスーを置いた後、真空チャンバー７内
の温度を３００００に上昇させると共に、排気ポンプ３
にて５×１０‐４トルまで減圧脱気し、ついでＡｒを流
入させて真空チャンバ−内の圧力を５×１０‐２トルと
すると共に、電極２に負の電圧で−７００Ｖを印加して
グロー放電を発生させて、ダイス表面を５分間エッチン
グし、引続いて〜を排気することなく真空チャンバー内
にＳｉＨ４と日２とを流入させてチャンバ−内の圧力を
０．３トルに調節した状態で、一４５０Ｖの電圧を印カ
ロしてグロー放電を発生させ、３０分間の反応を行なう
ことによつてダィスーの表面にＳｉ被膜を蒸着形成し、
さらに引続いて真空チャンバー内にＣ２日２を、Ｓｉ比
：Ｃ２日２のモル比を１：２に調節しながら流入させて
２時間の反応を行ない、Ｓｉ被膜の上にＳＩＣ被膜を蒸
着形成した。この結果、金属基体たるダイス表面に形成
された被覆は、厚さ：１りｍのＳ三層と同４払ｍのＳＩ
Ｃ層からなると共に、結晶化していない無定形（アモル
ファス状）のものであり、マイクロビツカース硬さ（Ｈ
ｖ：１０雌荷重）：３２００ｋ９／地を示すものであっ
た。また、上記チャンバー内に同時に挿入した上記ダイ
スと同じ材質のＳＫＤ−１１製試験片を用い、この試験
片の彼膜蒸着面にェポキシ系接着材にて同寸法にして同
材質の試験片を接着し、引張試験を行なったところ、５
００ｋ９／孫の引張強ごで接着材と被覆との境界面で剥
離が生じた。
取り巻かれた真空チャンバー７と、この真空チャンバー
内に収納され、絶縁物５を通って電源（高周波または直
流）４のｅ側に連結された電極２と、真空チャンバー内
に開孔する排気ポンプ３と、同じく流量計８を介して真
空チャンバ−内に開孔するＣ２日２源，Ａｒ源，日２源
，およびＳｉＨ４源とを備えたものからなっている。す
なわち、第１図に示される装置において、まず、電極２
の上にＳＵＳ３０４製コンテナを介して金属基体たるＳ
ＫＤ−１１製ダィスーを置いた後、真空チャンバー７内
の温度を３００００に上昇させると共に、排気ポンプ３
にて５×１０‐４トルまで減圧脱気し、ついでＡｒを流
入させて真空チャンバ−内の圧力を５×１０‐２トルと
すると共に、電極２に負の電圧で−７００Ｖを印加して
グロー放電を発生させて、ダイス表面を５分間エッチン
グし、引続いて〜を排気することなく真空チャンバー内
にＳｉＨ４と日２とを流入させてチャンバ−内の圧力を
０．３トルに調節した状態で、一４５０Ｖの電圧を印カ
ロしてグロー放電を発生させ、３０分間の反応を行なう
ことによつてダィスーの表面にＳｉ被膜を蒸着形成し、
さらに引続いて真空チャンバー内にＣ２日２を、Ｓｉ比
：Ｃ２日２のモル比を１：２に調節しながら流入させて
２時間の反応を行ない、Ｓｉ被膜の上にＳＩＣ被膜を蒸
着形成した。この結果、金属基体たるダイス表面に形成
された被覆は、厚さ：１りｍのＳ三層と同４払ｍのＳＩ
Ｃ層からなると共に、結晶化していない無定形（アモル
ファス状）のものであり、マイクロビツカース硬さ（Ｈ
ｖ：１０雌荷重）：３２００ｋ９／地を示すものであっ
た。また、上記チャンバー内に同時に挿入した上記ダイ
スと同じ材質のＳＫＤ−１１製試験片を用い、この試験
片の彼膜蒸着面にェポキシ系接着材にて同寸法にして同
材質の試験片を接着し、引張試験を行なったところ、５
００ｋ９／孫の引張強ごで接着材と被覆との境界面で剥
離が生じた。
このことから、ダイス基体に対する上記被膜の付着強度
は５００ｋ９／の以上であることが明らかである。さら
に、この結果のＳｊ被膜およびＳＩＣ被膜形成のダイス
を粉末冶金における圧粉体成形に用いたところ、Ｓｉ被
膜を介在させない以外は同条件で、直接Ｓｉｃ被膜を形
成したダイスに比して約３倍の使用寿命を示した。なお
、前記Ｓｉ被膜の介在がないダイスにおいては、ＳＩＣ
被膜とダイス基体表面との付着強度はわずかに２００ｋ
９／地を示すにすぎなかつた。実施例 ２ 金属基体の材質をＴｉとし、かＣＳｉＣ被膜形成のため
の反応時間を３時間として、その厚さを６仏ｍとする以
外は、実施例１におけると同一の条件でＴｉ材の表面に
厚さ６ムｍのＳＩＣ被膜を厚さ：１仏ｍのＳｉ被膜を介
して形成した。
は５００ｋ９／の以上であることが明らかである。さら
に、この結果のＳｊ被膜およびＳＩＣ被膜形成のダイス
を粉末冶金における圧粉体成形に用いたところ、Ｓｉ被
膜を介在させない以外は同条件で、直接Ｓｉｃ被膜を形
成したダイスに比して約３倍の使用寿命を示した。なお
、前記Ｓｉ被膜の介在がないダイスにおいては、ＳＩＣ
被膜とダイス基体表面との付着強度はわずかに２００ｋ
９／地を示すにすぎなかつた。実施例 ２ 金属基体の材質をＴｉとし、かＣＳｉＣ被膜形成のため
の反応時間を３時間として、その厚さを６仏ｍとする以
外は、実施例１におけると同一の条件でＴｉ材の表面に
厚さ６ムｍのＳＩＣ被膜を厚さ：１仏ｍのＳｉ被膜を介
して形成した。
この場合も前記被膜は５００ｋ９／雌以上の付着強度を
示した。実施例 ３金属基体を山製繊維機械ガイドとし
、真空チャンバ−内の加熱温度を２００ｑ０とする以外
は、実施例１におけると同一の条件で前記ガイド表面に
厚さ：０．８仏ｍのＳｉ層と厚さ：３．５山ｍのＳＩＣ
層とを蓮続蒸着形成した。
示した。実施例 ３金属基体を山製繊維機械ガイドとし
、真空チャンバ−内の加熱温度を２００ｑ０とする以外
は、実施例１におけると同一の条件で前記ガイド表面に
厚さ：０．８仏ｍのＳｉ層と厚さ：３．５山ｍのＳＩＣ
層とを蓮続蒸着形成した。
この結果形成された被膜は、ピッカース硬さ：３０００
ｋ９／域を示し、かつ５００ｋ９／鮒以上の付着強度を
示した。なお、Ｓｉ層を形成しない以外は同一の条件で
ＳＩＣ層の形成を試みたが、剥離が生じ、満足なＳＩＣ
層を形成することができなかった。また、このＳｉ被膜
およびＳＩＣ被膜形成のＡＩ製繊維機械ガイドを実機に
組み込み使用したところ、アルミナ（ＡＩ２０３）溶射
のものに比して約３倍の使用寿命を示した。実施例 ４ 金属基体をゲートバルブの摺動プレート （ＳＵＳ３０４製）とし、電極には１３．５８ＭＨＺの
高周波を印加し、かつエッチング出力を２００Ｗ、被膜
形成のための反応出力を７０Ｗとする以外は、実施例１
におけると同一の条件にて、前記摺動プレートの表面に
厚さ：２仏ｍのＳｉ層と厚さ：６仏ｍのＳＩＣ層とから
なる被膜を蓮続蒸着形成した。
ｋ９／域を示し、かつ５００ｋ９／鮒以上の付着強度を
示した。なお、Ｓｉ層を形成しない以外は同一の条件で
ＳＩＣ層の形成を試みたが、剥離が生じ、満足なＳＩＣ
層を形成することができなかった。また、このＳｉ被膜
およびＳＩＣ被膜形成のＡＩ製繊維機械ガイドを実機に
組み込み使用したところ、アルミナ（ＡＩ２０３）溶射
のものに比して約３倍の使用寿命を示した。実施例 ４ 金属基体をゲートバルブの摺動プレート （ＳＵＳ３０４製）とし、電極には１３．５８ＭＨＺの
高周波を印加し、かつエッチング出力を２００Ｗ、被膜
形成のための反応出力を７０Ｗとする以外は、実施例１
におけると同一の条件にて、前記摺動プレートの表面に
厚さ：２仏ｍのＳｉ層と厚さ：６仏ｍのＳＩＣ層とから
なる被膜を蓮続蒸着形成した。
この被膜も５００ｋ９／雌以上の付着強度を有し、かつ
ビッカース硬さ：３２００ｋ９／柵を示すものであった
。この結果の摺動プレートを徴粉炭輸送管に用いたとこ
ろ、従来の表面窒化したものに比して約３倍の使用寿命
を示した。実施例 ５ 被膜形成のための反応ガスとして日２を使用せず、かつ
被膜形成時の真空チャンバー内の圧力を０．２トルとす
る以外は、実施例１におけると同一の条件にて、金属基
体たるＳＫＤ−１１製ダイス表面に、厚さ：０．８仏ｍ
のＳｉ層と厚さ：３．５仏ｍのＳＩＣ層とからなる被膜
を蒸着形成した。
ビッカース硬さ：３２００ｋ９／柵を示すものであった
。この結果の摺動プレートを徴粉炭輸送管に用いたとこ
ろ、従来の表面窒化したものに比して約３倍の使用寿命
を示した。実施例 ５ 被膜形成のための反応ガスとして日２を使用せず、かつ
被膜形成時の真空チャンバー内の圧力を０．２トルとす
る以外は、実施例１におけると同一の条件にて、金属基
体たるＳＫＤ−１１製ダイス表面に、厚さ：０．８仏ｍ
のＳｉ層と厚さ：３．５仏ｍのＳＩＣ層とからなる被膜
を蒸着形成した。
この結果の被膜は５００ｋ９／仇以上の付着強度と３０
００ｋ９／磯のビッカース硬さを有するものであった。
実施例 ６ 被膜形成のための反応ガスとしてＡｒを使用せず、すな
わちエッチング処理後、真空チャンバーからＡｒを完全
に排気する以外は、実施例４におけると同一の条件にて
、金属基体たるゲートバルブの摺動プレート表面に、厚
さ：０．８仏ｍのＳｉ層と厚さ：３．５仏ｍのＳＩＣ層
とからなる被膜を形成した。
００ｋ９／磯のビッカース硬さを有するものであった。
実施例 ６ 被膜形成のための反応ガスとしてＡｒを使用せず、すな
わちエッチング処理後、真空チャンバーからＡｒを完全
に排気する以外は、実施例４におけると同一の条件にて
、金属基体たるゲートバルブの摺動プレート表面に、厚
さ：０．８仏ｍのＳｉ層と厚さ：３．５仏ｍのＳＩＣ層
とからなる被膜を形成した。
この結果の被膜は、５００ｋｇ／の以上の付着強度と３
１００ｋ９／柵のビッカース硬さを示した。実施例 ７
金属基体をＳＫＨ−９製木工用ドリルとし、かつ、ＳＩ
Ｃ層形成に際しては、当初の３０分間の反応ガス組成を
Ｓｉ比：Ｃ２日２のモル比を１：１とし、引続いてＣ２
日２の流入量を増加させてゆき、１．５時間後には同１
：３となるように変化させる以外は、実施例１における
と同一の条件にて、前記木工用ドリルお表面に、厚さ：
１仏ｍのＳｉ層と厚さ：４仏ｍのＳＩＣ層からなる被膜
を形成した。
１００ｋ９／柵のビッカース硬さを示した。実施例 ７
金属基体をＳＫＨ−９製木工用ドリルとし、かつ、ＳＩ
Ｃ層形成に際しては、当初の３０分間の反応ガス組成を
Ｓｉ比：Ｃ２日２のモル比を１：１とし、引続いてＣ２
日２の流入量を増加させてゆき、１．５時間後には同１
：３となるように変化させる以外は、実施例１における
と同一の条件にて、前記木工用ドリルお表面に、厚さ：
１仏ｍのＳｉ層と厚さ：４仏ｍのＳＩＣ層からなる被膜
を形成した。
なお、この結果形成された被膜のＳＩＣ層においては、
Ｓｉ層との境界付近でビッカース硬さ：１５００ｋ９／
地の硬さを示し、この硬さは被膜表面部に向うにしたが
って増大し、その表面でビッカース硬さ：３６００ｋ９
／磯を示した。また、前記被膜も５００ｋ９／地の付着
強度をもつものであった。さらに、この表面被膜ドリル
を実用に供したところ、被膜形成のないドリルに比して
４倍の使用寿命を示した。上述のように、この発明の方
法によれば、被膜形成時にクラツクや剥離の発生がなく
、かつきわめてすぐれた密着度を有するＳＩＣ被膜を金
属基体表面に形成することができるのである。
Ｓｉ層との境界付近でビッカース硬さ：１５００ｋ９／
地の硬さを示し、この硬さは被膜表面部に向うにしたが
って増大し、その表面でビッカース硬さ：３６００ｋ９
／磯を示した。また、前記被膜も５００ｋ９／地の付着
強度をもつものであった。さらに、この表面被膜ドリル
を実用に供したところ、被膜形成のないドリルに比して
４倍の使用寿命を示した。上述のように、この発明の方
法によれば、被膜形成時にクラツクや剥離の発生がなく
、かつきわめてすぐれた密着度を有するＳＩＣ被膜を金
属基体表面に形成することができるのである。
第１図はプラズマ化学黍着装置の概略図である。
図面において、１・・・・・・金属基体、２・・・・・
・電極、３・・・・・・排気ポンプ、４…・・・電源、
５……絶縁物、６……ヒーター、７……真空チヤンバー
、８・・・・・・流量計。
・電極、３・・・・・・排気ポンプ、４…・・・電源、
５……絶縁物、６……ヒーター、７……真空チヤンバー
、８・・・・・・流量計。
Claims (1)
- １ 金属基体表面にプラズマ化学蒸着法により炭化けい
素皮膜を形成するに際して、まずＳｉ被膜を蒸着形成し
、ついで炭化けい素皮膜を蒸着形成することを特徴とす
る金属基体表面に密着性のすぐれた炭化けい素皮膜を形
成する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4065481A JPS6033190B2 (ja) | 1981-03-20 | 1981-03-20 | 金属基体表面に密着性のすぐれた炭化けい素被膜を形成する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4065481A JPS6033190B2 (ja) | 1981-03-20 | 1981-03-20 | 金属基体表面に密着性のすぐれた炭化けい素被膜を形成する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57155365A JPS57155365A (en) | 1982-09-25 |
| JPS6033190B2 true JPS6033190B2 (ja) | 1985-08-01 |
Family
ID=12586533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4065481A Expired JPS6033190B2 (ja) | 1981-03-20 | 1981-03-20 | 金属基体表面に密着性のすぐれた炭化けい素被膜を形成する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6033190B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4704339A (en) * | 1982-10-12 | 1987-11-03 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Infra-red transparent optical components |
| JPS6075577A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-27 | Toshiba Corp | 黒色装飾品 |
| JPS60177179A (ja) * | 1984-02-23 | 1985-09-11 | Toshiba Corp | 黒色装飾品 |
| JPS60213838A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-26 | Tokyo Electric Co Ltd | ロ−ドセル |
| US4869929A (en) * | 1987-11-10 | 1989-09-26 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for preparing sic protective films on metallic or metal impregnated substrates |
| JPS6418161U (ja) * | 1988-07-13 | 1989-01-30 | ||
| DE4429380C1 (de) * | 1994-08-15 | 1996-04-25 | Biotronik Mess & Therapieg | Verfahren zur Herstellung einer nichtkollabierenden intravasalen Gefäßprothese (Stent) |
| US5664504A (en) * | 1994-10-27 | 1997-09-09 | Kobayashi; Shizuo | Combustion apparatus having inverse temperature distribution by forced convection |
| US9663374B2 (en) * | 2011-04-21 | 2017-05-30 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Situ grown SiC coatings on carbon materials |
-
1981
- 1981-03-20 JP JP4065481A patent/JPS6033190B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57155365A (en) | 1982-09-25 |
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