JPS6033264A - 炭化ケイ素焼結体の製造方法 - Google Patents
炭化ケイ素焼結体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6033264A JPS6033264A JP58141413A JP14141383A JPS6033264A JP S6033264 A JPS6033264 A JP S6033264A JP 58141413 A JP58141413 A JP 58141413A JP 14141383 A JP14141383 A JP 14141383A JP S6033264 A JPS6033264 A JP S6033264A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- sintered body
- carbide sintered
- silicon
- manufacturing silicon
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- Granted
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- Ceramic Products (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は炭化ケイ素焼結体の製造方法に係り、特に高耐
圧電気絶縁性に優れた炭化ケイ素焼結体の製造方法に関
する。
圧電気絶縁性に優れた炭化ケイ素焼結体の製造方法に関
する。
炭化ケイ素焼結体は、一般に炭化ケイ素粉に酸化ベリリ
ウムを2重量%程度混合し、緻密に焼結して得られてい
る。このようにして(Gられた炭化ケイ素焼結体は10
0v/cn1の電界強度で1013Ωcrn(R,T)
の抵抗率を有し、100OV/mの電界強度で1 gl
lΩtM(几、T)程度の抵抗率を有している。しかし
、近年、炭化ケイ素焼結体についてはより高耐圧電気絶
縁性の性能を有するものが要望されているが、従来の炭
化ケイ素焼結体は耐電圧の点で改善の余地が残されてい
た。
ウムを2重量%程度混合し、緻密に焼結して得られてい
る。このようにして(Gられた炭化ケイ素焼結体は10
0v/cn1の電界強度で1013Ωcrn(R,T)
の抵抗率を有し、100OV/mの電界強度で1 gl
lΩtM(几、T)程度の抵抗率を有している。しかし
、近年、炭化ケイ素焼結体についてはより高耐圧電気絶
縁性の性能を有するものが要望されているが、従来の炭
化ケイ素焼結体は耐電圧の点で改善の余地が残されてい
た。
本発明の目的は、耐電圧性に優れた電気絶縁性炭化ケイ
素焼結体の製造方法を提供することにある。
素焼結体の製造方法を提供することにある。
本発明者らは、原料炭化ケイ素粉に合成条件が異なるも
のや、微量の添加物を混合するなど、焼結体原料組成が
電気絶縁特性に及ばず影響を検討し、遊離ケイ素の割合
が焼結体の耐電圧に顕著な影響を及ぼすことを見い出し
た。
のや、微量の添加物を混合するなど、焼結体原料組成が
電気絶縁特性に及ばず影響を検討し、遊離ケイ素の割合
が焼結体の耐電圧に顕著な影響を及ぼすことを見い出し
た。
すなわち、従来、炭化ケイ累焼結体の製造に用いられる
炭化ケイ素粉は遊離ケイ素が0,27重量%程度のもの
が用いられているが、遊離ケイ素の割合が0.3〜0.
8重量%の炭化ケイ素粉を用いると、100OV/口の
電界強度で1013Ωm以上(几、T)の耐電圧性に優
れた炭化ケイ素焼結体が得られる。
炭化ケイ素粉は遊離ケイ素が0,27重量%程度のもの
が用いられているが、遊離ケイ素の割合が0.3〜0.
8重量%の炭化ケイ素粉を用いると、100OV/口の
電界強度で1013Ωm以上(几、T)の耐電圧性に優
れた炭化ケイ素焼結体が得られる。
本発明において、炭化ケイ素粉は0.5〜20μmの平
均粒径をもつのが望ましい。炭化ケイ素粉の平均粒径を
0.5μmより小さくしても炭化ケイ素焼結体の性能は
実質的に変らず、又は粒径を必要以上に小さくすること
は実用的ではなく、一方平均粒径が20μmよりも太き
いと、緻密な焼結体が得られず、所定の性能(高制圧電
気絶縁性)が得られない。
均粒径をもつのが望ましい。炭化ケイ素粉の平均粒径を
0.5μmより小さくしても炭化ケイ素焼結体の性能は
実質的に変らず、又は粒径を必要以上に小さくすること
は実用的ではなく、一方平均粒径が20μmよりも太き
いと、緻密な焼結体が得られず、所定の性能(高制圧電
気絶縁性)が得られない。
また焼結方法はホットプレス法に限らず、従来公知の焼
結手段がいずれも適用しつる。また炭化ケイ素粉中の遊
離ケイ素量の調整は炭化ケイ素粉の合成粂件等によりて
行うことができる。
結手段がいずれも適用しつる。また炭化ケイ素粉中の遊
離ケイ素量の調整は炭化ケイ素粉の合成粂件等によりて
行うことができる。
実施例
原料割合や合成栄件を制御してアチソン法で作った遊離
ケイ素割合が異なるαタイグ炭化ケイ素粉(第1表のA
1〜屋8であって、溶解性鉄分、酸化ケイ素、および遊
離ケイ素以外の不純物は、3.5重量%以下である)を
粉砕して平均粒径的2μmのものを作製した。この粉末
500gに対しベリリア10gを混合し圧粉体としたも
のを黒鉛型に充填、真空容器中で2100C,300に
9/cr&。
ケイ素割合が異なるαタイグ炭化ケイ素粉(第1表のA
1〜屋8であって、溶解性鉄分、酸化ケイ素、および遊
離ケイ素以外の不純物は、3.5重量%以下である)を
粉砕して平均粒径的2μmのものを作製した。この粉末
500gに対しベリリア10gを混合し圧粉体としたも
のを黒鉛型に充填、真空容器中で2100C,300に
9/cr&。
に1時間ホットプレスして焼結体を作製した。
(図中、数値は重量%を示す)
得られた焼結体の電圧−電流特性の例を第1図に示す。
第1図において、1は第1表の墓2の焼結体、2は墓1
の焼結体、3はA8の焼結体である。第1図から明らか
なように本実施例の屋2(遊離ケイ素0.30重量%)
は高耐電圧を示している。
の焼結体、3はA8の焼結体である。第1図から明らか
なように本実施例の屋2(遊離ケイ素0.30重量%)
は高耐電圧を示している。
第2図は、M1表の41〜A8の焼結体の電界強度、1
000 V / cntにおける抵抗率を示している。
000 V / cntにおける抵抗率を示している。
第2図から明らかなように原料として用いる炭化ケイ素
が0.3〜0.8重量%では1000 V / cmの
電界強度で1013ΩcIn(RoT)以上となってい
る。
が0.3〜0.8重量%では1000 V / cmの
電界強度で1013ΩcIn(RoT)以上となってい
る。
以上のように本発明によれば、原料として用いる炭化ケ
イ素粉中の遊離ケイ素量を調整するのみで高耐電圧性に
優れた電気絶縁性炭化ケイ素焼結体を製造することがで
きる。
イ素粉中の遊離ケイ素量を調整するのみで高耐電圧性に
優れた電気絶縁性炭化ケイ素焼結体を製造することがで
きる。
第1図は遊離ケイ素量が異なる炭化ケイ素粉を用いた焼
結体の常温における電圧−電流特性図、第2図は電界強
度1000■10nにおける常温の抵抗率と遊離ケイ素
量との関係図である。 代理人 弁理士 鵜沼辰之
結体の常温における電圧−電流特性図、第2図は電界強
度1000■10nにおける常温の抵抗率と遊離ケイ素
量との関係図である。 代理人 弁理士 鵜沼辰之
Claims (1)
- 1、炭化ケイ素粉にベリリウム又はベリリウム化合物を
少なくとも1種以上混合した原料組成物を焼結する炭化
ケイ素焼結体の製造方法において、前記炭化ケイ素粉中
の遊離ケイ素量がα3〜0.8重量%であることを特徴
とする炭化ケイ素焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58141413A JPS6033264A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | 炭化ケイ素焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58141413A JPS6033264A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | 炭化ケイ素焼結体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6033264A true JPS6033264A (ja) | 1985-02-20 |
| JPS6359987B2 JPS6359987B2 (ja) | 1988-11-22 |
Family
ID=15291422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58141413A Granted JPS6033264A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | 炭化ケイ素焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6033264A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5016320A (ja) * | 1973-05-31 | 1975-02-20 | ||
| JPS5585469A (en) * | 1978-12-15 | 1980-06-27 | Hitachi Ltd | Silicon carbide sintered body and its manufacture |
-
1983
- 1983-08-02 JP JP58141413A patent/JPS6033264A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5016320A (ja) * | 1973-05-31 | 1975-02-20 | ||
| JPS5585469A (en) * | 1978-12-15 | 1980-06-27 | Hitachi Ltd | Silicon carbide sintered body and its manufacture |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6359987B2 (ja) | 1988-11-22 |
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