JPS60262303A - Ｐｔｃセラミツク組成物 - Google Patents

Ｐｔｃセラミツク組成物

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JPS60262303A
JPS60262303A JP59118207A JP11820784A JPS60262303A JP S60262303 A JPS60262303 A JP S60262303A JP 59118207 A JP59118207 A JP 59118207A JP 11820784 A JP11820784 A JP 11820784A JP S60262303 A JPS60262303 A JP S60262303A
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JP
Japan
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ptc
ceramic composition
ptc ceramic
present
low
Prior art date
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JP59118207A
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English (en)
Inventor
福島　伸
芳野　久士
俊自 野村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
    • H01C7/022—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances

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  • Thermistors And Varistors (AREA)
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  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はＰＴＣ抵抗体用セラミック組成物に関する。さ
らに詳しくはその低抵抗状態において比抵抗が小さいこ
とを特徴とするＰＴＣ抵抗体用セラミック組成物に関す
る。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来よ））　ＰＴＣ抵抗体材料として用すられる代表的
なものに各種不純物を添加したＢａＴｉＯ３セラミック
がある。これらはその低抵抗状態における電気抵抗が通
常１０００倒以上と大きくまたそのＰＴＣ現象が粒界層
に起因する機構によっているため大電力用途に用いるこ
とは困難である。
ＣｒあるいはＡｌを添加したｖ２０３においては、室温
から２００℃付近の温度領域で金属〜絶縁体転移に起因
する比抵抗のＰＴＣ特性が存在することが知られている
。しかしながら同材料は大型の単結晶を得ることは困難
である。またその多結晶焼結体は焼結性が低く高密度の
セラミックスを得ることは困難で、ＰＴＣ特性の低抵抗
状態の比抵抗は単結晶試料で得られる値の１０倍種度も
高く、したがって高いＰＴＣ倍率を得ることは困難であ
った。さらに、低密度に起因する強度、の低さのため、
大電流用途に本適合しないものであった。
〔発明の目的〕
本発明は上記の問題点を考慮してなされたもので、ｖ２
０３を主体とするＰＴＣ抵抗体用セラミック組成物にお
いてその焼結性を向上し、ＰＴＣ特性の改善することを
目的とする。
〔発明の概要〕
本発明は（Ｖｌ−ｘ　Ａｘ　）　２０ａただしく０くｘ
≦０．０３゜Ａ？′ｉ、Ｃｒ及びＭの少なくとも一種）
なる組成ＫＳｎを１＝２５重量％含有したＰＴＣ抵抗体
用セラミツ、り組成物であυ（Ｖｌ　−ｘ　Ｃｒ工）２
０３にＳｎを添加することにより、焼結性を高めるとと
もにＰＴＣ％性を改善するものである。　Ｓｎは１４０
０℃〜１６００℃の焼結温度及び・焼結雰囲気中におい
ては金属として安定であり（ｖｉ　−ｘ　Ｃｒｘ）２０
３の粒間に液相として介在し焼結促進の効果を有するも
のである。また焼結ののち得られ念焼結体においては、
Ｓｎ析出相−は、ＰＴＣ特性における低抵抗領域の比抵
抗を低減し、また電流容験を拡大する効果がある。
本発明におけるセラミック組成物を用いたＰＴＣ素子は
以下のようにして製造することができる。
Ｖ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｊ９２０３　、８ｎ０２粉末
を秤量の後。
例えば湿式ボールミルで混合・粉砕の後、還元する。Ｖ
２Ｏ５はこの還元により、Ｖ２Ｏ３まで還元し、１、・
　０゛°“ｚＯａｔ−′１″”Ｏ＃ｆｆ！ｏｒ″１′効
果的である。さらに錫を８ｎ０２として添加し混合する
ことにより同様に、均質性の向上をもたらす。
又、添加した５ｎ０２は大部分が金属錫の状態まで還元
される。得られた粉末に有機バインダーを加えて加圧成
形の後水素気流中等の還元性雰囲気中で焼結する。
このようにして得られるセラミック素体は緻密に焼結さ
れ、低抵抗状態における比抵抗値が低く、非常に優れた
ものとなる。
なお本発明における組成成分の限定理由は以下の如くで
ある。Ａ添加′ｔｘはＰＴＣ特性に直接影響より少ない
場合は焼結性向上の効果はなく、−＊た２５重量％を超
える場合にはＰＴＣ特性における比抵抗の最大値が著し
く低下し比抵抗変化の倍率が低下し望ましくない。
なお、ＮはＣｒ及び／又は人！であるが％Ｃｒ、Ｎｌの
総和が前記Ｘの範囲内であれば、そめ比率は適宜決定で
きる。
〔発明の効果〕
以上の如く本発明組成を選択する事によシ低抵抗状態で
電気抵抗が小さく優れたＰＴＣ特性を有する高密度のｖ
２０３基ＰＴＣ抵抗体用セラミ、ソクスが得られる。
〔発明の実施例〕
本発明の実施例を以下に説明する。
市販のＶ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３及び５ｎ０２
粉末を準備し嬉１表に示す組成となるよう各々秤量した
後侵式ボールミルで４５時間混合・粉砕をおこなったの
ち、水素気流中で６００℃２時間のちに１０００℃３時
間保持して還元をおこなった。得られた粉末如有機バイ
ンダーを加えて加圧成形後水素気流中１４００℃４時間
の焼結をおこない試料とした６電気抵抗率の測定はＨＰ
社インピーダンスメータを用いておこなった。また第１
表に示す如く比較例として８ｎを添加しない試料、また
Ｓｎ過剰の組成をもつ試料を同様の方法で作製し測定し
た。
以Ｔ−喀白 第　１　表 第１表に示す如く本発明によるＳｎの添加にょシ焼結体
の高密度化がなさ九ることかわかる。
また第１図に示すが如〈実施例においては高密度化によ
り低抵抗状態の比抵抗が大幅に低減し、したがって大き
なＰＴＣ倍率が得られるが比較例６では低密度に起因し
て低抵抗状態の比抵抗は太きな値を示しＰＴＣ倍率は小
さいものである。ｔた比較例７においては過剰なＳｎ含
有九より比抵抗の最大値が低下してＰＴＣ倍率が低下し
ていることがわかる。
【図面の簡単な説明】
第１図は実施例及び比較例における試料の電気抵抗率の
温度依存性を示す曲線図。 代理人弁理士　則近憲佑　（ほか１名）・、Ｆ 第１図 １１

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （Ｖｌ−ｘ　ＡＸ）２０３　０≦Ｘ≦０．０２の組成式
    で表わされる基本組成に対し、１〜２５重量％の錫を含
    有したことを特徴とするＰＴＣセラミック組成物。
JP59118207A 1984-06-11 1984-06-11 Ｐｔｃセラミツク組成物 Pending JPS60262303A (ja)

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KR1019840006718A KR900004816B1 (ko) 1984-06-11 1984-10-29 Ptc 세라믹 조성물
US06/699,302 US4642136A (en) 1984-06-11 1985-02-07 PTC ceramic composition
DE8585101632T DE3564884D1 (en) 1984-06-11 1985-02-14 Ptc ceramic composition
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KR900004816B1 (ko) 1990-07-07
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