JPS6033268A - セラミツクス接合方法 - Google Patents

セラミツクス接合方法

Info

Publication number
JPS6033268A
JPS6033268A JP13810783A JP13810783A JPS6033268A JP S6033268 A JPS6033268 A JP S6033268A JP 13810783 A JP13810783 A JP 13810783A JP 13810783 A JP13810783 A JP 13810783A JP S6033268 A JPS6033268 A JP S6033268A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramics
joining
alloy
foil
bonding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP13810783A
Other languages
English (en)
Inventor
誠一 山田
神保 龍太郎
研 高橋
松下 安男
小杉 哲夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP13810783A priority Critical patent/JPS6033268A/ja
Publication of JPS6033268A publication Critical patent/JPS6033268A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、合金箔をインサート材として特に非酸化物系
セラミックスに金属を接合するに好適なセラミックスの
接合方法に関する。
〔発明の背景〕
炭化ケイ素(SiC)と硼化ジルコニウム(ZrBt)
を含んだs電性セラミックスに金属を接合する方法とし
て本発明等は先に銅−マンガy(Cu−Mn1合金箔(
板厚20〜50μm)を導電性セラミックスと金属との
間に置き、接合部を所定の加圧下で加熱し、加熱温度が
Cu−M1111合金点以上に達した時点で加熱を中止
し、接合部を自然放冷することを検討した。この接合方
法は、Cu −M n合金の融点が860Cである為、
接合部の耐熱温度は約700Cが限度である。しかし7
00C近傍の高温下で使用すると接合部のCu−Mn合
金属層が金属側に拡散し、最終的にはCu −M n層
が消失して接合部の接合強さが著しく低下するという難
点があった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、セラミックスと反応性のある金属合金
箔をインサート材としてセラミックス同志或いはセラミ
ックスと金属とを接合する方法を提供することにある。
〔発明の概要〕 本発明のも徴は、セラミックスと反応性のある金属箔を
接合物の両部材間に16き、両部材を加圧しつつ金属箔
の溶融温度以上に加熱して、両部材を化学的に接合する
点におる。lμに本発明に用いるに好適な被接合材料は
、酸化物系セラミックスと非酸化物系セラミックスとの
組合せ、或いは非酸化物系セラミックスと金属との組合
せである。
本発明のインサート用合金箔の最適な例は、融点が99
0〜1300Cのもの、マンガy(Mn)含有のもの、
ニッケル(Nil及び5it(C0)含有のもの、望ま
しくはCu −N i −M+i、及び/または全率固
溶体である。
非酸化物系セラミックスとしては例えばSiC。
5iC−硼化ジルコニウム(ZrBzl系導電性セラミ
ックスが挙げられる。
本発明による接合方法は、例えば非酸化物系セラミック
スと金属の間にCu−N i −M n合金箔を置き接
合部を所定圧力(0,1〜2 K9 / van ” 
)で加圧しながら接合部を所定温度(1000〜140
0C)に加熱してcu−Ni−Mn合金箔を溶融させ、
直ちに加熱を中止して接合部を自然放冷して接合を完成
する・ものである。接合は、合金箔の酸化を防止するた
めに、不活性ガス雰囲気下で行うことが望ましい。
ここでCu−Mn合金の共晶温度は860Cであるのに
対して、Cu −N i−Mn合金は約1000Cであ
ることがらCu−へ10合金よりも接合部の耐熱温度を
高く設定できる。
接合機構をMnとSiCを例にして説明する。
C0−Ni−Mn合金融液中のM nがSaCと化学的
に反応してSrC十Δl n −+ S i M n 
十Cに分解する。その結果SIC界面にS i M n
の中間層が形成される。従ってC11−N i −&J
 n合金は、中間層を介してSICと強固に接合される
。該合金箔は全率固溶体である為、し合金箔の溶融→冷
却時に接合部界面に硬くてもろい金属間化合物の析出が
無い。
伺、Cu−N i −fi4 n合金箔を用いるtq合
1c i−t、NIが10〜70 重量%、Mnが70
〜10止量チ、欽20爪匍チの組成が望筐しい。
〔発明の実施例〕
実施例1 第1図は、cu−Ni−Mn合金箔をインサート材とし
てSiCZrBZ系セラミックヒークエVメントにNi
リード線を接合する方法を示す。
Cu −N i −M n合金箔は、C” 20 ff
1−量% rNi50ii量チ、 Mn 30重蕾チ組
成のものを用いた。合金箔の板厚に50μmである。
ヒータ1とリード線2の間に011−N i −M n
合金箔3を置き、接合部をプレスシャフト4で加圧する
。油圧ツーレスの圧力は0.5Kg/an2 とした。
次に高周波加熱コイル5によって加熱用治具6を120
0Cに加熱し、1200t:’に達した時点で加熱を中
止して自然放冷し接合を完成する。容器内7はアルゴン
ガス雰囲気下とした。
この接合によってヒータの加熱による接合部の耐熱温度
は約900Cにできる(従来のCu−Mn合金をインサ
ート材とする接合部の劇熱篇1度ニア00U以下)。接
合部の剥離強さは、平均10にり/dを得た(従来のC
u −M n合金箔をインサート材とした場合の接合部
の剥離強さ:平均6にり/ ctr目。
実施例2 第2図は、高熱伝導SiCセラミックスとSiC−Z 
r B、系セラミックスヒークの接合fall ’を示
す。
接合方法は、高熱伝導SiCセラミックスと5iC−z
rB、系セ2ミツクヒータノ間1/l、−CL120重
量%、 Ni50重か−1M口30重1+チのインサー
ト材を植き実施例1と同じ手法で接合できる。
〔発明の効果〕
本発明の合金箔をインサート羽として非酸化物系セラミ
ックス同志またに、非酸化物糸セラミックスと金FAを
亮い接合強歴のもとに接合することができる。−まだ本
発明による払(:11部に耐熱性・耐食性に伏れている
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一例に信、るセラミックス接合方法に
用いる装置説明図、第2図tユ本光り」の−例で得られ
た4Σ′、金製品の斜視図である。 1・・・ヒータエレメント、2・・・N t リ−1−
“線、3・・・Cu −N i −M n箔、4・・・
ルスシャフト、5・・・高周波加熱コイル、6・・・加
熱用治具(カーホン)7・・・容器(カラス)、8・・
・アルゴンカス、9・・・絶縁層(A4N)、10・・
・絶縁性高熱伝導5IC111−8i C−Z r B
z系セラミックヒータ、第1頁の続き 0発 明 者 小 杉 哲 夫 日立市幸町3丁目所内

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 セラミックス同志又はセラミックスと金属の接合
    において、セラミックスと反応性のある金属箔を前記虻
    合物の両部材の間に置き、両部材を加圧しながら金j+
    】箔の溶融温度以上に加熱して、両部材を化学的に接合
    することを特徴とするセラミックス接合方法。 2、l+許請求の範囲第1項記載において、前記セラミ
    ックス同志の接合は酸化物系セラミックス及び非酸化物
    系セラミックスの接合であることを喝徴とするセラミッ
    クス接合方法。 34!−1許鮪求の範囲第1′fA記載において、前記
    金式箔防マンガンを含む合金でるることを重機とするセ
    ラミックス接合方法。 4、特許請求の範囲第3項記載において、前記合金箔が
    全率固溶体であることを重機とするセラミックス接合方
    法。 5 的許請求の範囲第3項または第4拍記載において、
    前記合金箔がニッケル及び銅を含有することを特徴とす
    るセラミックス接合方法。 6、特許請求の範囲第2項記載において、前記非酸化物
    系セラミックスが炭化ケイ素を主成分とすることを特徴
    とするセラミックス接合方法。 7、特許請求の範囲第3項乃至第5項のいずれか記載に
    おいて、前記合金の組成がニッケル10〜70重量%、
    マンガン70〜10重量%、銅20重量%であることを
    特徴とするセラミックス接合方法。
JP13810783A 1983-07-27 1983-07-27 セラミツクス接合方法 Pending JPS6033268A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13810783A JPS6033268A (ja) 1983-07-27 1983-07-27 セラミツクス接合方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13810783A JPS6033268A (ja) 1983-07-27 1983-07-27 セラミツクス接合方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6033268A true JPS6033268A (ja) 1985-02-20

Family

ID=15214111

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13810783A Pending JPS6033268A (ja) 1983-07-27 1983-07-27 セラミツクス接合方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6033268A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4784313A (en) * 1986-03-14 1988-11-15 Kernforschungsanlage Julich Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Method for bonding silicon carbide molded parts together or with ceramic or metal parts

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4784313A (en) * 1986-03-14 1988-11-15 Kernforschungsanlage Julich Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Method for bonding silicon carbide molded parts together or with ceramic or metal parts

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS582276A (ja) 金属−セラミツクス接合体及びその製造法
JPS61154764A (ja) 構造部材の金属結合の方法及び結合材料
JPS60145974A (ja) セラミツク体と金属とを応力なしに結合するろう付け箔
JPS60127271A (ja) 非酸化物系セラミックスと鋼との接合方法
US4859531A (en) Method for bonding a cubic boron nitride sintered compact
JP2017157600A (ja) 接合体の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法、接合体及びヒートシンク付パワーモジュール用基板
JPS6033268A (ja) セラミツクス接合方法
JPS63239166A (ja) セラミツクス接合体
JPS59174581A (ja) アルミニウムとアルミナとの接合方法
JP2503778B2 (ja) 半導体装置用基板
JPH0317791B2 (ja)
JPH04270092A (ja) 半田材料及び接合方法
JPS5939779A (ja) セラミックスと金属の結合方法
JPS63169348A (ja) セラミツク接合用アモルフアス合金箔
JPS59141395A (ja) ろう材
JPS59207885A (ja) 金属部材にセラミツク部材を接合する方法
JPH0632869B2 (ja) セラミックスと金属とのろう付け方法
JPS59184778A (ja) セラミツク部材と金属部材との圧接方法
JPH01143790A (ja) 金属とセラミックとの接合材料及びその接合方法
JP3147602B2 (ja) 高温強度に優れた半導体装置組立用Pb合金はんだ材
JPH022829B2 (ja)
JPH0437660A (ja) セラミックス―金属接合体の製造方法
JPS6177680A (ja) セラミツクスと金属との接合方法
JPS59184774A (ja) 多孔質セラミツクスと金属部材との接合方法
JPS63239165A (ja) セラミツクス接合体