JPS6034018A - Ｘ線コリメ−タと露光装置 - Google Patents

Ｘ線コリメ−タと露光装置

Info

Publication number
JPS6034018A
JPS6034018A JP58144126A JP14412683A JPS6034018A JP S6034018 A JPS6034018 A JP S6034018A JP 58144126 A JP58144126 A JP 58144126A JP 14412683 A JP14412683 A JP 14412683A JP S6034018 A JPS6034018 A JP S6034018A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
soft
ray
photomask
rays
glass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58144126A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuo Kawai
河合　靖雄
Takuo Kariya
刈谷　卓夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP58144126A priority Critical patent/JPS6034018A/ja
Priority to GB08419439A priority patent/GB2148680A/en
Priority to DE19843428717 priority patent/DE3428717A1/de
Publication of JPS6034018A publication Critical patent/JPS6034018A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G03F7/70166—Capillary or channel elements, e.g. nested extreme ultraviolet [EUV] mirrors or shells, optical fibers or light guides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/7035—Proximity or contact printers
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/02—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators
    • G21K1/025—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators using multiple collimators, e.g. Bucky screens; other devices for eliminating undesired or dispersed radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はｘａ、殊に軟Ｘ線をコリメートするための部材
に関し、特に平行度を向上させたコリメータとそれを使
用した装置に関する。
Ｘ線コリメータは従来からＸ線分析装置の分野で使用さ
れてきているが、最近ではＸ線リソ感光層に転写する露
光装置にも使用される様になってきている。これは初期
の軟Ｘ線露光装置は易かったのに対し、コリメートされ
た軟Ｘ線でフォトマスクを照射することで性能向上を図
れるためである。
第１図は従来のＸ線コリメータを示しておシ、多数の薄
い金属製スリット板１がスペーサー２を介して重ね合わ
され、図示されない固定棒に取付けたものを図の如く２
段に交叉させて重ねて配設させたものである。図示され
ないＸ線発生部から放射される発散Ｘ線３の内コリメー
タリットが幅ｄとスリット長ｔは上下段とも同じ値にし
であるので発散角は２　ｔａｎ−１（ｄ／、／：）度、
Ｘ線透過率はスリット板厚をｔとすれば１／（１＋ｔ／
ｌ１ｌ）２となる。又Ｘ線強度はＸ線発生部からの距離
の自揺ｆＦル翔１１イ櫓Ａ）手！　？ｈ工餌Ｍ−詰で白
／（発散角が小さく）、高いＸ線透過率を持ち、強力な
Ｘ線束を得る為には上述の式等から明らかな如く、スリ
ット幅ｄ、スリット板厚ｔを出来る丈小さくする事によ
シスリット長ｌの増大を防ぐ必要がある。又工業用の実
用化を容易にする為には簡単な栴造で安価セする必要が
ある。
しかし板厚ｔは腰の強い金属等を使っても一般的には０
．０５ｍｍ程度が限度でおシ、それ以下の厚みのものだ
とたわみを除去する為の工夫が必要となシ、装置の複雑
化、高価格化を招き不都合である。
本発明の目的はＸ線束の平行性を向上させ、高い透過率
を与えることであシ、更にこの成果を生かして露光装置
の性能向上を図ることである。
以下、図面に従って実施例を説明する。第２図は軟Ｘ線
コリメータの全体の形態を描いておシ、第３図はその要
部拡大図である。符番７は硝子製の軟Ｘ線コリメート（
平行束化）部で、第２図の９に示す通ル、１０μｍオー
ダーの内径ｄと順オーダーの長さｔの単位微細貫通孔を
無数に備える。８は、軟＞Ｍ？！コリメート部を担持す
る枠で、硝子製あるいは他の素材で作られる。
３は図示されない軟Ｘｉ発生部から放射される発散性の
軟Ｘ線であって、コリメート部７を通過して擬似平行束
６′となる。即ち、軟Ｘ線束は内径ｄ、長さｌの微細貫
通孔９，９′によって、発散角２　ｔａｎ　’　（ａ／
ｊ）度以下の発散角を持つ軟Ｘ線だけが切出される。今
、微＋Ｉｆｌｌ貢通孔９，９′の１個に注目してみると
、入射してきた軟Ｘ線は硝子壁に衝突して規制されるも
のや、どこにも衝突せずに貫通するものがあシ、後者は
前述の発散角２　ｔａｎ　１　（ｄ／／：）度を有する
。例えば発散角１庇に規制するためには、内径ｄを３０
μｍに選んだ場合、長さｌを約５．４４ｍｍとすれば良
い。
次に微細孔を製造する方法であるが、これにはマイクロ
チャネルプレート用の硝子製板状細孔メツシュの製法を
利用できる（例えば共立出版株式会社「光学ファイバー
」１９１頁〜１９３頁）。
この技術は既に一般に使用されておシ、また微細孔を具
えた平板は電極等を形成する以前の細孔メツシュ板と同
様であるから都合が良い。
第４図（Ａ）は硝子製の枠１０内に細いパイプ棒もしく
は溶出性の芯を具えた光学ファイバー１１を並べた様子
を描いているが、各エレメントの直径が著しく小さくて
取扱いに困るため、実際には既にマルチ状態にしたもの
を配列し、これに炉内で高温高圧を加えて爆着させてい
る。溶出性の芯を有するものの場合、溶着後、酸で処理
を施して芯を取除いている。この様にして形成した爆着
プレートを所望の厚さに裁断すれば良い。実験に使用し
たものは管厚２，５μｍ、内径２５μｍ程度である。
第４図（Ｂ）は四角形の微細孔のプレート、（Ｃ）は六
角形の微細孔のプレートである。特に円形と六角形は作
勺易いばかｐでなく、隔壁の占める面積が少なしからＸ
線透過率を向上させ得る。
このコリメータの適用分野としては、平行化した軟Ｘ線
を使用する分野の全てに使うことが１さ　Ｘ錦体缶姑偕
ふＸ粕１夏ゾ〃→７ス請を凸丑０的である。
特にＸ線露光装置では効果が顕著である。第５図で、１
２は真空気密室である。１３は電子銃、１４は軟Ｘ線発
生ターゲット、１５は軟Ｘ線を通過させる窓である。な
お、線型の軟Ｘ１ｆｆ束で、後述のフォトマスクを照射
するため、電子銃１５は図面に垂直な方向に並んでいる
ものとし、ターゲット１４は図面に垂直に延びている。
７と８は前述した軟Ｘ線コリメータ、１６は集積回路パ
ターンを具えるフォトマスク、１７はフォトマスク・チ
ャック、１８はフォトレジスト層を具えるウェハ、１９
はウェハ・チャックでちる。ここでフォトマスク・チャ
ック１７とウェハ・チャック１９は一体化されていて、
フォトマスク１６をウェハ１８に対して極近接状態に保
持し、また不図示の駆動手段に駆動されて案内２０上を
定速で移動する。
以上の病成で、電子銃１５を発した電子線はターゲット
１４を照射し、軟Ｘ線を発生させる。
発生した軟Ｘ線は発散状態で窓１５を通過し、コリメー
ト部７へ入射、非平行成分は規制され、平行成分はフォ
トマスク１６を線状に照明する。
一方、上述した通９クオトマスク１６とウェハ１８は一
体に走査されるから、全面一様に照明される。
処で、医療用の硬Ｘ線に比べて軟Ｘ線は空気中で急速に
減衰することが知られている。しかしながら、従来の装
置では第１図のコリメータを使用するので、同じ平行度
を得るためＸ線焦点からフォトレジスト面まで１２ｃＩ
ＩＬ以上離す必要があった。しかしながら、本発明に係
るコリメータによれば間隔を数ｍｍまで縮められるので
、露光時間を１０分の１から２０分の１以下まで縮小で
きる効果がある。
またＸ線コリメータ自体、簡単な構造で、安価に製造出
来る点で有利であり、厚みも十分に薄いからＸ線の減衰
が少く、高いＸ線透過率を有すると云う優れた効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来例を示す斜視図。第２図は本発明実施例の
斜視図で、第５図は要部拡大図、第４図（Ａ）　（Ｂ）
　（Ｃ）は配列例を示す断面図、第５図は適用例を示す
断面図。 図中 ７・・・硝子製コリメート部 ８・・・枠 ９．９′・・・微細貫通孔 １３・・・電子銃 １４・・・ターゲット １６・・・フォトマスク １９・・・ウェハ 出願人　キャノン株式会社

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）Ｘ線発生源からのＸ線を受けてその平行成分を取
    出すためで、多数の微細貫通孔を有する硝子製の部材を
    具えることを特徴とするＸ線コリメータ。
  2. （２）軟Ｘ線を発生する軟Ｘ線発生手段と、発生した軟
    Ｘ線の平行成分を取シ出すためで、多数の微細貫通孔を
    有する硝子製の部材を具えるＸ線コリメータと、回路パ
    ターンを具えるフォトマスクと、フォトレジスト層を具
    えるウェハを装置したことを特徴とする露光装置。
JP58144126A 1983-08-06 1983-08-06 Ｘ線コリメ−タと露光装置 Pending JPS6034018A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58144126A JPS6034018A (ja) 1983-08-06 1983-08-06 Ｘ線コリメ−タと露光装置
GB08419439A GB2148680A (en) 1983-08-06 1984-07-31 X-ray collimator
DE19843428717 DE3428717A1 (de) 1983-08-06 1984-08-03 Roentgenstrahlkollimator und roentgenstrahlbelichtungsvorrichtung mit roentgenstrahlkollimator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58144126A JPS6034018A (ja) 1983-08-06 1983-08-06 Ｘ線コリメ−タと露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6034018A true JPS6034018A (ja) 1985-02-21

Family

ID=15354800

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58144126A Pending JPS6034018A (ja) 1983-08-06 1983-08-06 Ｘ線コリメ−タと露光装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPS6034018A (ja)
DE (1) DE3428717A1 (ja)
GB (1) GB2148680A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000325332A (ja) * 1999-04-12 2000-11-28 General Electric Co <Ge> イメージング・システム用のコリメータ装置およびその製作方法
JP2001137234A (ja) * 1999-10-02 2001-05-22 Koninkl Philips Electronics Nv Ｘ線吸収用のグリッド

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02501338A (ja) * 1986-08-15 1990-05-10 コモンウェルス　サイエンティフィック　アンド　インダストリアル　リサーチ　オーガナイゼイション Ｘ線ビームもしくは中性子ビーム調節用計装装置
DE3711164A1 (de) * 1987-04-02 1988-10-20 Zeiss Carl Fa Steckelementeinrichtung zur halterung von bauteilen in stapeln
US5528659A (en) * 1994-04-25 1996-06-18 Gray*Star, Inc. Radiation flux polarizer or distributor
ATE534124T1 (de) 2003-09-12 2011-12-15 Koninkl Philips Electronics Nv Kollimator-anordnung für elektromagnetische strahlung
DE102008030893A1 (de) * 2008-06-30 2009-12-24 Siemens Aktiengesellschaft Streustrahlungskollimator, Strahlungdetektor und Strahlungserfassungseinrichtung

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3543384A (en) * 1966-11-14 1970-12-01 Picker Corp Methods of collimator fabrication
GB1218096A (en) * 1967-05-09 1971-01-06 Tokyo Shibaura Electric Co Honeycomb block used for collimation of radiations and method of manufacturing the same
DE1915883B2 (de) * 1968-04-01 1972-12-14 Nuclear-Chicago Corp., Des Piaines, 111. (V.StA.) Gammastrahlungs-szintillationskamera
GB1274213A (en) * 1968-06-05 1972-05-17 Coal Industry Patents Ltd Improvements in and relating to density-measuring apparatus
CA943673A (en) * 1970-07-07 1974-03-12 Searle (G.D.) And Co. Low energy gamma ray collimator
US3732419A (en) * 1970-10-12 1973-05-08 Nuclear Chicago Corp Scintillation camera with improved resolution
SE361948B (ja) * 1971-11-23 1973-11-19 G Larsson
US3925660A (en) * 1972-05-08 1975-12-09 Richard D Albert Selectable wavelength X-ray source, spectrometer and assay method
FR2323158A1 (fr) * 1974-01-10 1977-04-01 Radiologie Cie Gle Appareil de scintigraphie hybride a balayage
NL7506850A (nl) * 1974-06-11 1975-12-15 Medical Data Systems Corp Tomografische gammastralen afbeeldingsinrichting.
GB1536497A (en) * 1975-03-17 1978-12-20 Galileo Electro Optics Corp X and gamma radiation collimator and method of manufacturing such collimator
GB1578882A (en) * 1976-02-09 1980-11-12 Univ Ohio State Solid state detector
SE423458B (sv) * 1980-09-10 1982-05-03 Agne Larsson Anordning vid en kamera innefattande en manghalskollimator

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000325332A (ja) * 1999-04-12 2000-11-28 General Electric Co <Ge> イメージング・システム用のコリメータ装置およびその製作方法
JP2001137234A (ja) * 1999-10-02 2001-05-22 Koninkl Philips Electronics Nv Ｘ線吸収用のグリッド

Also Published As

Publication number Publication date
GB8419439D0 (en) 1984-09-05
DE3428717A1 (de) 1985-02-14
GB2148680A (en) 1985-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5949850A (en) Method and apparatus for making large area two-dimensional grids
Kumakhov et al. Multiple reflection from surface X-ray optics
DE60217771T3 (de) Belichtungssystem, Projektionsbelichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
US6678348B1 (en) Integral lens for high energy particle flow, method for producing such lenses use thereof in analysis devices and devices for radiation therapy and lithography
JP4750938B2 (ja) 微細加工されたｘ線画像コントラストグリッドおよびその製造方法
US4184078A (en) Pulsed X-ray lithography
JPH01276050A (ja) Ｘ線検査装置
CN106463193B (zh) X射线准直器
JPS597360A (ja) 光源発生装置
EP0555376A1 (en) Device for controlling radiation and uses thereof
EP3661421B1 (en) Convergent x-ray imaging device and method
JP6356538B2 (ja) 露光装置
Tang et al. Anti-scattering X-ray grid
KR100466444B1 (ko) Ｘ-선 전사장치
US5294801A (en) Extended source e-beam mask imaging system including a light source and a photoemissive source
Eason et al. Laser X-ray microscopy
GB2148680A (en) X-ray collimator
EP0116622A1 (en) Apparatus for producing a tomographic X-ray image.
EP0105261A4 (en) X-RAY RADIATOR.
DE2827085C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Brennweitenbestimmung langbrennweitiger elektronenoptischer Linsen
JP2000098094A (ja) Ｘ線発生装置
Kumakhov Status of x-ray capillary optics
US3848126A (en) Recording of kossel lines
JPH021999A (ja) Ｘ線レーザ発生方法及び装置
RU1805490C (ru) Способ исследовани свойств света