JPS6034031A - 半導体素子の測定装置 - Google Patents

半導体素子の測定装置

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Publication number
JPS6034031A
JPS6034031A JP58144176A JP14417683A JPS6034031A JP S6034031 A JPS6034031 A JP S6034031A JP 58144176 A JP58144176 A JP 58144176A JP 14417683 A JP14417683 A JP 14417683A JP S6034031 A JPS6034031 A JP S6034031A
Authority
JP
Japan
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lead
guide
measurement
guides
presser
Prior art date
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Pending
Application number
JP58144176A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaaki Yasunaga
安永 雅昭
Sadatoshi Naruse
成瀬 定俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
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Publication date
Application filed by Tokyo Seimitsu Co Ltd filed Critical Tokyo Seimitsu Co Ltd
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Publication of JPS6034031A publication Critical patent/JPS6034031A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体素子の電気的性能を連続して測定する
装置に係るものである。IC,LS11超LSI等の半
導体素子(以下単に素子とする)は一定温度に加熱され
た状態で、その電気的性能が測定検査されるが、温度が
一定である必要があり、かつ素子の種類によっては測定
に時間を要するため、測定位置を複数個所に設け、これ
に素子を自動的に送り込み、必要ならばその位置におい
て加熱状態で待機させ、測定開始の条件が揃ったとき直
ちに測定し、終了後は素子を送り出す方式が望ましい。
本発明はこの目的に沿うべく、測定位置において正確に
位置決めされ、必要であれば温度を維持した状態で待機
して、測定時にはリードに対して測定用端子を確実に接
続させろための調定装置である。なおここで対象とする
素子は第1図に拡大して示すが、非常に小さく、本体の
左右両側に短いリード2が多数並んで設けられ、リード
の先は左右に突出部3を有する一般にフラットパック形
といわれるものである。
従来の測定装置の対象とするものはDIP形といわれて
、リードが下に長く延びているもので、このリードをソ
ケットに差し込むことによって電極の接触を行なってい
た。しかしフラットパンク形ではリードが非常に短く、
特に小型のものではリードの間隔が狭いのでソケットに
差し込むことが困難であり、従って測定装置における取
り扱い方法も従来の差し込み方式は採用出来なくなった
本発明の測定部は上記の通り複数個所に設置Jられるこ
とが望ましい。そのためにtま、素子の通過するシュー
ト上に複数個所の測定位置を設けるかもしくはシュート
を複数列として、その上に単、もしくは複数の測定個所
を設(〕ろの力(良い。以下本発明について説明する力
て各測定個所には本発明の機構をそれぞれ設けれ(,1
′良L)ので、その一つについて説明する。
第2図において素子1は第1シュート4の上と第2シユ
ート5の間を矢印の方向に自重落下してくる。第2シユ
ート5の下面には素子1の上部が入るくぼみが設けられ
ている。第1、第2のシュートの内部には各々加熱用ビ
ータカ5入っている。測定部はこの第1及び第2シユー
トに連続する案内部に設けられ、その部分を構成する第
1案内6、第2案内7は固定の前記第1、第2のシュー
ト4.5とは別個に設けらilでし)る。なお第1、第
2のシュートは第2図に示すように素子を自重落下させ
るため傾斜したもの、直立したもの、もしくは水平に設
けて加圧空気等によって素子を送るもの等いずれでも良
いが、以下説明の便宜上水平状態を例として説明する。
第3図において、測定位置における機構の概要をまず説
明する。図Aにおいて素子1は第1案内6の上、第2案
内7の下のくぼみの中に上部を入れて送られてくる。乙
のとき素子ストッパ8が素子の流れの下流位置に設けら
れ、これが下降してストンパ下端が素子のり−ド2の突
出部3の側面(進行してくる素子の最先端のリードの側
面)に当って、素子はリードを基準として停止する。す
なわら図Aは素子の停止状態を示す。素子が停止し、機
構が次の状態に移るまでは上の第2案内7の下面と素子
1の上面との間にはわずかの隙間があって、素子の滑動
を可能としている。素子1のリード2の突出部3の下方
位置には各リードの位置に合せて、弾性的に上に向いて
突出している接触子9が絶縁板の上に垂直に立てられて
いる。接触子9は第4有する小円筒11の中に弾性的に
下降可能に突出している。リード2の突出部3の直上に
は第2案内7を門形に覆って絶縁材によって作られたリ
ード押え13が設けられている。なお第3図Aにおいて
、素子ストッパ8は最先端のリード2の前に位置し、リ
ード押え13はリード2の上方に位置して、素子ストッ
パ8とは同一平面に存在するものではない。
第3図Bは素子の待機状態を示す。ここでは第1案内6
は移動せずに、第2案内7だけが下降して両者の間で素
子を挟む。第1、第2の案内は第1、第2のシュートと
同様に各々内部にヒータ6′、7′を有しているので、
この状態で素子は引続き加熱される。リート押え13と
第2案内7との間にはスプリング14が人っていて、素
子1は第1案内6と第2案内7との間でスプリング14
のスプリング力のみによって軽い圧接力によってクラン
プされる。
次に第3図Cの測定状態となる。ずなわち第2Mpの什
能アネfリード柿(13のみが、その下端がリード2の
突出部3に接触ずろところまで下降ずろ。この時リード
押え13の下降は直接a′!2案内7には影響しないよ
うに構成されているので、素子1は相変わらず第1案内
6と第2案内7との間でスプリング14の圧接力のみに
よってクランプされている。次いでそのクランプ状態を
維持したままで、リード押え13と第1案内6とが相互
の位置関係を保ったまま同時に共に下降し、リード2の
突出部3はリード押え13によって接触子9に押し付け
られて、完全な接触が行なわれて測定が開始される。そ
して測定が完了したとき第3図Aの状態に戻り素子スト
ッパ8も上昇して素子は自由になり、第2図の矢印方向
に搬出される。上記の動作は通常、連続して行なうが、
必要により一旦Bの状態で待機し、所定時間後Cの状態
に移行させることもできる。
以上に示す各部は第5.6図に示すように、各々レバー
構造を有する。すなわち第2案内7のレバー7a、素子
ストッパ8のレバー8a1リード押え13のレバー13
aは一つの軸2oに11!+勤可能に支持されている。
なお第6図は第5区に示された各レバー7a、8a、1
38を除いて第1案内6及びそのレバー6aだけを示し
たものである。ここで素子は第5.6図の矢印方向つま
り図の左方向から右方向へ移動する。また第6図の中央
の接触子9の並んだ位置は測定位置であって、この位置
に点線で示すように素子1は素子ストッパ8により、位
置決めされる。
素子ストッパ8の構造を第7図によって説明する。スト
ッパのレバー8aはL字形をなして、軸20によって支
えられ、シリンダ21及びスプリング22によって旋回
可能とされ、ストッパ23によって素子ストンパ下端が
素子のリードに当たるように調整される。そこてシリン
ダ21のロッドを引込めるとスプリング22によってレ
バー8aは反時計方向に回転してストツパ23に当たっ
て素子ストッパ8の先端を素子のリードに当てて停止さ
せろように下降位置をとる。逆にフリンゾ21を作動さ
せることによって、素子ストフパを上昇させてリードと
の接触を解除する。なお素子の各リードの間隔は正確に
作られているので、その先端のリードの位置を規制する
ことによって全部のリードの位置を各接触子に対し正確
に位置決めすることができる。
第5図のリード押えのレバー13aの上に一点鎖線で示
す円1よ第1、第2案内6.7、リード押え13を駆動
する駆動装置で、第8図において24.25で示すもの
である。なお第8図は第5図のシリンダ中心における軸
2oに平行の断面(第5図■−■断面図)を示すもので
ある。
第8図ないし第10図において固定の板15にシリンダ
24が取り付けられ、その上にストロークのごく短いシ
リンダ25を、その軸を重ねて一体に取り付ける。下の
シリンダ24のロッド26の下部には中間部材27が取
り付けられ、かつロッド26の下端には第1の接触部材
28が設けられる。
そして第1接触部材28はリード押え13のレバー13
aとわずかの隙間をもって相対している。中間部材27
には上向きの第2接触部材29が設けられ、これは第2
案内7のレバー7aに下から当たっている。つまり中間
部材27の第2接触部材29は第8図の状態においては
第2案内のレバー7aを下から支えており、第2案内7
は第3図Aに示すように第1案内6との間を広げて素子
1が搬入もしくは搬出可能な状態となっている。
ここで上のシリンダ25に加圧空気を送り込むとその軸
はわずかに下降し、これによってロッド26はその先端
の第1接触部材28がリード押えし/< −13aに接
触する直前まで下降する。そしてこれによってロッド2
6に連結されている中間部材27もわずかに下降し、従
って第2接触部材29により支えられていたレバー7a
も解放されて、第2案内7をスプリング14の付勢力に
より下降させて素子1を第1案内6との間でクラレゾす
る。すなわち第9図に示すように第1案内6のレバー 
5 aは固定板15との間のスプリング31によって吊
り上げられているので素子1(、を上下の第1及び第2
案内6.7の間てスフリング14の付勢力によりクラン
プされろ。この状態が第3図Bの待機状態である。
次に下のシリンダ24を作動させると、ロッド26は下
降し、その先端の第1接触部材28がリード押えレバー
13aに当接し、リード押えレバー13aを第1案内レ
バー6aに固定されたストッパ32に当たるまで下降さ
せる。さらlこロッド26が下降を続けると第1案内レ
バー6aはリード押えレバー13aと一体をなして下降
する。そして第2案内7は素子1を挾んて第1案内6に
追従する。そして素子のリードの突出部3は接触子9I
と接触し、上からリード押え13によって押し付けられ
て第3図Cの測定状態となる。
そして測定終了によって上下のシリンダ24.25の加
圧空気を排出すると、シリンダ24内のスプリングによ
ってロッド26は上昇し、第1、第2の接触部材28.
29は上昇する。そこで第10図において、第2接触部
材29が上昇ずろと、第2案内のレバー7aが押し上げ
られリード押え13はスプリング14によって上昇し、
これによって第1案内6もスプリング31に引張られて
上昇し、第2図に示す第1シユート4のレベルにまで上
昇する。そしてこの上昇位置はストシバ35によって規
制される。一方第2案内7は固定板15に設けられたス
トッパ30によって上昇位置が規制されて、第1第2案
内の間を広くし、測定済みの素子は自由に搬出可能とな
ると共に新素子の受け入れを可能とずろ。
上記説明Zこおいてはその駆動機構の一例として待機状
態のために二段シリンダを使用したか、待機の必要がな
ければシリンダは一個とし、第3図のA、B、Cの動作
を連続して行なって素子の測定を行なう乙とも勿論可能
である。Jだ、駆動源として二段のシリンダの代りに、
カム機構等を使用する乙ともてきる。また加熱方式、及
びそれに付随して必要とされる断熱保温の処置は従来公
知の方式が採用できる。そして実際に素子を送り込んで
測定するためには、素子が測定位置に入ったか否かの検
知する方法が必要であるが、これも公知の手段を採用す
ることができる。
以上に示す機構によってフラットパック形の素子を能率
よく確実にかつ素子を損傷する乙となく測定検査するこ
とが可能となった。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の対象となる半導体素子の拡大正面図、
第2図は素子の搬送、測定位置の概要を示す説明図、第
3図は本発明における機能の概要説明図、第4図は弾性
接触子の断面図、第5図は測定部の平面図、第6図は測
定部(とおける第1案内の平面図、第7図は第5図の■
−■の矢視図、第8図は第5図の■−■の断面図、第9
図は第5図のIX−■断面図、第10図1.を第5図の
X−Xの断面図。 1:素子 2:リード 3:リードの突出部6.7;第
1、第2案内 8:素子ストッパ9:接触子 21.2
4.25ニジリンダ27:中間部材 28.29:第1
、第2接触部材特許出願人 株式会社 東京精密 第ダ図 7 第6図 第2図 λγ 手続補正書(方式) 昭和58年1り月〕3日 昭和58年特許願第144176号 2発明の名称 半導体素子の測定装置 3補正をする者 事件との関係 特許出願人 1主所 〆粂”蔀\W!’T’tjMf目7番1号名称
 株式会社 〆景”i暑″ 昭和58年11月29日(発送日) 5補正の対象 図面 6補正の内容

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)内側に素子を案内するくぼみを有する第2案内と
    、これに相対して設けられ、その間に素子の通過を可能
    とした第1案内と、第1、第2の案内の間を進入してく
    る素子をそのリードにおいて停止させる素子ストッパと
    、停止した素子の各リードに相対する位置に設けられた
    弾性接触子と、第1、第2案内の間で素子を挾んだとき
    素子のリードの突出部を第2案内の両側から接触子に向
    って押し付けるリード押えと、第2案内とリード押えを
    直接規制する中間部材と、中間部材を連結した駆動源と
    を有し、かつ、A・第2案内を第1案内に対して素子の
    通過できる間隙を設けたときに素子ストッパを作動させ
    る素子の受け入れ状態、B・第1、第2案内によって素
    子を挾んで、リードと前記弾性接触子L t+ fi+
     +、#m44−1m r 、佑 1 佑 り1%1J
    3Rrにリード押えを接触子に近接運動させて素子のリ
    ードの突出部を接触子にリード押えをもって押し付けた
    測定状態、とすることを特徴とした半導体素子の測定装
    置。 (2、特許請求の範囲第1項の記載において、第2案内
    が素子を挾むとき、スプリングの圧力によって保持する
    半導体素子の測定装置。 (3)特許請求の範囲第1項の記載において、第1、第
    2案内及びリード押えの動作を行なう駆動源として二段
    運動構造を使用して、素子を待機保持状態とした半導体
    素子の測定装置。
JP58144176A 1983-08-05 1983-08-05 半導体素子の測定装置 Pending JPS6034031A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6056285U (ja) * 1983-09-27 1985-04-19 富士通株式会社 半導体ic試験装置
JPS6230163U (ja) * 1985-08-07 1987-02-23
JPS6453976U (ja) * 1987-09-30 1989-04-03
JPH0395949A (ja) * 1989-09-08 1991-04-22 Hitachi Electron Eng Co Ltd Icデバイスのコンタクト機構

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