JPS6035360B2 - 新規なヘプタペプチドアミド及びその製法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般式（１） Ｒ−ｐＧ１ｕ−Ｇｉｎ−Ｐｈｅ−Ｘ−ＧＩｙ−Ｌｅｕ−
Ｍｅｔ−ＮＨ２ （１）（式中
、Ｒは水素原子またはＮ端保護基、ｐＧ１ｕはピログル
タミン酸残基、Ｘはチロシン残基またはイソロイシン残
基を示す）で表わされる新規なへプタベプチドアミド及
びその製法に関する。

本発明者らは、オイラーとガダム（１９３１年）によっ
て発見され、ＩＪ−マンら（１９７１年）によって一次
構造が明らかにされた「サブスタンスＰ」の活性フラグ
メント及びその類似体の誘導体について研究を行ってい
たところ、一般式（１）で表わされるへプタベプチドア
ミドが極めて優れた血圧降下作用を有することを見出し
、本発明を完全した。

従って、本発明の目的は優れた血圧降下作用を有するへ
プタベプチドアミドを提供せんとするにある。

他の目的は当該化合物を製造すための新規な製法を提供
せんとするにある。

本発明によれば、本発明のへプタベプチドアミド‘ま一
般式（ロ）Ｈ−Ｇｉｎ−Ｐｈｅ−Ｘ−ＧＩｙ−Ｌｅｕ−
Ｍｅｔ−ＮＨ２ （０）（式中、
Ｘは前記と同じ意味を有する）で表わされるへキサベプ
チドアミドと一般式（ｍ）Ｒ−ｐＧ１ｕ−ＯＨ
（ｍ） （式中、Ｒ及びｐＧ１ｕ‘ま前記と同じ意味有する）で
表わされる（Ｎ端保護）ピログルタミン酸またはその反
応性誘導体を反応させることにより製造される。

一般式（ｍ）の（Ｎ端保護）ピログルタミン酸の反応性
議導体としては、ベプチド合成の分野において製造され
る通常の反応性誘導体、例えば（Ｎ端保護）ピログルタ
ミン酸のアジド、クロリド、活性ェステル、酸無水物、
混合酸無水物等が挙げられる。

またＮ端保護基としては、ベプチド合成において使用さ
れるものの中から適宜撰択され、例えばペンジルオキシ
カルボル基、第三級ブチルオキシカルボル基が挙げられ
る。

一般式（ｍ）の（Ｎ端保護）ピログルタミン酸自体をへ
キサベプチドアミドと反応させる場合には、Ｎ・Ｎ′−
ジシクロヘキシルカルボジイミド及びＮーヒドロキシコ
ハク酸ィミドの存在下行うのが望ましい。

この反応は溶媒の存在下行うのが好ましく、溶媒として
はべプチド合成において一般に使用されるものの中から
適宜操択され、例えばＮ・Ｎ−ジメチルホルムアミド、
ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン、ピリジン
、クロロホルム、ジオキサン、アセトニトリル、あるい
はこれらの混合物が挙げられる。反応温度はべプチド結
合形成反応において使用される範囲、例えば一１５ｏｏ
〜室温が好ましく、反応時間は数分〜数十時間、通常数
時間が好ましい。

以上の如くすれば式（１）の化合物が得られるが、式（
１）中ＲがＮ端保護基である次の一般式（Ｗ）Ｒ′−ｐ
Ｇ１ｕ−Ｇｉｎ−Ｐｈｅ−Ｘ−ＧＩｙ−Ｌｅｕ一Ｍｅｔ
一ＮＨ２ （Ｗ）（式中、Ｒ′
はＮ端保護基、ｐＧｌｕ及びＸは前記と同じ意味を有す
る）で表わされる化合物は当該保護基を除去して式（１
）中Ｒが水素原子で表わされる次の一般式（Ｖ）Ｈ−ｐ
Ｇ１ｕ−Ｇｉｎ−Ｐｈｅ−Ｘ−ＧＩｙ−Ｌｅｕ−Ｍｅｔ
−ＮＨ２ （Ｖ）の化合物に導
くことができる。

Ｎ端保護基の除去は、温和な条件、例えば室温〜加熱下
において塩酸、臭化水素、硫酸、リン、過塩素酸等の鍵
酸あるいはトリフロロ酢酸、ギ酸、酢酸等の有機酸で処
理することによって容易に行なわれる。本発明のへプタ
ベプチドァミドの血圧降下作用に関する薬理実験の方法
及びその結果を次に示す。

体重３００タ前後の雄性ラットをクロラローゼ麻酔下に
気管切開を行い、気管カニューレを挿入した。

血圧は一側総額動脈に挿入したポリエチレンカニューレ
を通し、電気血圧計（ＬＰＵ−０．５一３６一０一ｍ：
三栄側器）で測定し、更にポリグラフ（ＰＭ−１５０：
日本光電）に記録した。へプタベプチドアミドを同側の
外頚動脈に挿入したポリエチレン管より投与した。その
結果を次の表に示す。表より明らかな如く、本発明のへ
プタベプチドアミドは極めて低容量で血圧降下作用を示
すと共にその持続時間はそれぞれ３０分と１９分であっ
た。次に実施例を挙げて本発明を説明する。尚、実施例
で用いたアミノ酸はグリシンを除いてすべてＬ体である
。実施例 １ Ｎ−第３級ブチルオキシカルボニルーグルタミルーフエ
ニルアラニルーイソロイシルーグリシルーロイシルーメ
チオニンアミド４００の９をトリフロロ酢酸２の‘に溶
解させ、得られた脱第３級プチルオキシカルポニル化し
たへキサベプチドアミドのトリフロロ酢酸塩をＮ・Ｎー
ジメチルホルムアミド１物上に溶解させ、氷袷下トリェ
チルアミンを加えて中和した。

この溶液にＮ−ペンジルオキシカルボニルーピログルタ
ミン酸のコハク酸イミドェステル２７０の９を加えて一
夜放置した。溶媒を留去後、残酒に水を加えて生成した
沈澱を炉取した。乾燥後、少量の熱メタノールで洗浄し
て融点２２０〜２４０℃（分解）、〔Ｑ〕色８−３００
（ＣＯ．５、Ｎ・Ｎ一ジメチルホルムアミド）のＮ−ペ
ンジルオキシカルボニルーピログルタミルーグルタミニ
ルーフエニルアラニルーイソロイシルーグリシルーロイ
シルーメチオニンアミド３７５の９（収率７８．０％）
を得た。元素分析値 Ｃ４６日６５Ｎ９０，．Ｓ・日２
０として計算値（％） Ｃ：５６．９５、Ｈ：６．９５
、Ｎ：１２．９９実測値（％） Ｃ：５７．０２、Ｈ：
６．８８、Ｎ：１２．８４次に、得られたＮ−ペンジル
オキシカルボニル−ピログルタミルーグルタミニルーフ
エニルアラニルーイソロイシルーグリシルーロイシルー
メチオニンアミド３００雌を２５％臭化水素の酢酸溶液
５のとに溶解させ、室温で１時間放置した。

無水エーテルを加えて生成した沈澱を炉取した。乾燥後
、これをメタノールーブタノールー水一酢酸（１：１：
１：１）の混液に熔解させ、アンバーライトＩＲＡ−４
１０のカラムに通した。熔出液を水とともに共沸させ、
濃縮した水溶液を冷蔵庫に一夜放置した。生成した沈澱
を炉取し、乾燥後、セフアデックスＧ−１０カラムに通
した。薄層クロマトクラッフィ−にぐよって目的物を含
むフラクションを確認し、これを濃縮、凍結乾燥してピ
ログルタミルーグルタミニルーフエニルアラニルーイソ
ロイシルーグリシルーロイシルーメチオニンアミド１６
０の９（収率６０．８％）を得た。融点：２６３００（
分解） 〔Ｑ〕容−２６ｏ（ＣＯ．５、Ｎ・Ｎ−ジメチルホルム
アミド）元素分析値 Ｃ３８日５ぶ９０９Ｓ・日２０と
して計算値（％） Ｃ：５４．５９、Ｈ：７．３８、Ｎ
：１５．０８実測値（％） Ｃ：５４．３４、Ｈ：７．
０５、Ｎ：１４．７７実施例 ２ Ｎ−第３級ブチルオキシカルボニルーグルタミニルーフ
エニルアラニルーチロシルーグリシルーロイシルーメチ
オニンアミド４００の９をトリフロロ酢酸２の上に溶解
させ、得られた脱第３級プチルオキシカルボニル化した
へキサベプチドアミドのトリフロロ酢酸塩をＮ・Ｎ−ジ
メチルホルムアミド１０の‘に熔解させ、氷冷下トリェ
チルアミンを加えて中和した。

この溶液にＮーベンジルオキシカルボニルーピログルタ
ミン酸のコハク酸ィミドェステル２５２の９を加えて一
夜放置した。溶媒を蟹去後、残燈に水を加えて生成した
沈澱を炉取した。乾燥後、少量の熱エタノールで洗浄し
て融点２１５〜２１７００（分解）、〔Ｑ〕色８一３が
（ＣＩ．０、Ｎ・Ｎ−ジメチルホルムアミド）のＮ−ペ
ンジルオキシカルボニルーピログルタミルーグルタミニ
ルーフエニルアラニルーチロシルーグリシルーロイシル
−メチオニンアミド２４３の９（収率５１．５％）を得
た。元素分析値 Ｃ４９日６３Ｎ９０，２Ｓ・０．汎２
０として計算値（％） Ｃ：５８．２０、Ｈ：６．３７
、Ｎ：１２．４７実測値（％） Ｃ：５８．０２、Ｈ：
６．２９、Ｎ：１２．３０次に、得られたＮーベンジル
オキシカルボニルーピログルタミルーグルタミニルーフ
エニルアラニルーチロシルーグリシルーロイシルーメチ
オニンアミド２００の９を２５％臭化水素の酪酸溶液５
の‘に漆穴解させ、室温で１時間放置した。

無水ェーブルを加えて生成した沈澱を炉取し、乾燥後、
実施例１と同様に精製した。凍結乾燥してピログルタミ
ルーグルタミニルーフエニルアラニルーチロシルーグリ
シルーロイシルーメチオニンアミド１２０の９（収率６
３．５％）を得た。融点：２５５〜２６３ｏｏ（分解）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 一般式（I） Ｒ−ｐＧｌｕ−Ｇｌｎ−Ｐｈｅ−Ｘ−Ｇｌｙ−Ｌｅｕ−
   Ｍｅｔ−ＮＨ＿２（I）（式中、Ｒは水素原子またはＮ
   端保護基、ｐＧｌｕはピログルタミン酸残基、Ｘはチロ
   シン残基、またはイソロイシン残基を示す）で表わされ
   るヘプタペプチドアミド。 ２ 式（I）中Ｒが水素原子である一般式（V）Ｈ−ｐＧ
   ｌｕ−Ｇｌｎ−Ｐｈｅ−Ｘ−Ｇｌｙ−Ｌｅｕ−Ｍｅｔ−
   ＮＨ＿２（V）（式中、ｐＧｌｕはピログルタミン酸残
   基、Ｘはチロシン残基またはイソロイシン残基を示す）
   で表わされる化合物である特許請求の範囲第１項記載の
   ヘプタペプチドアミド。 ３ 式（V）中Ｘがチロシン残基で表わされるピログル
   タミル−グルタミニル−フエニルアラニル−チロシル−
   グリシル−ロイシル−メチオニンアミドである特許請求
   の範囲第２項記載のヘプタペプチドアミド。 ４ 式（V）中Ｘがイソロイシン残基で表わされるピロ
   グルタミル−グルタミニル−フエニルアラニル−イソロ
   イシル−グリシル−ロイシル−メチオニンアミドである
   特許請求の範囲第２項記載のヘプタペプチドアミド。 ５ 一般式（V） Ｈ−Ｇｌｎ−Ｐｈｅ−Ｘ−Ｇｌｙ−Ｌｅｕ−Ｍｅｔ−Ｎ
   Ｈ＿２（II）（式中、Ｘはチロシン残基またはイソロイ
   シン残基を示す）で表わされるヘキサペプチドアミドと
   一般式（III）Ｒ−ｐＧｌｕ−ＯＨ（III） （式中、Ｒは水素原子またはＮ端保護基、ｐＧｌｕはピ
   ログルタミン酸残基を示す）でわされる（Ｎ端保護）ピ
   ログルタミン酸またはその反応性誘導体を反応させるこ
   とを特徴とする一般式（I）Ｒ−ｐＧｌｕ−Ｇｌｎ−Ｐ
   ｈｅ−Ｘ−Ｇｌｙ−Ｌｅｕ−Ｍｅｔ−ＮＨ＿２（I）（
   式中、Ｒ、ｐＧｌｕ及びＸは前記と同じ意味を有する）
   で表わされるヘプタペプチドアミドの製法。 ６ 一般式（IV） Ｒ′−ｐＧｌｕ−Ｇｌｎ−Ｐｈｅ−Ｘ−Ｇｌｙ−Ｌｅｕ
   −Ｍｅｔ−ＮＨ＿２（IV）（式中、Ｒ′はＮ端保護基、
   ｐＧｌｕはピログルタミン酸残基、Ｘはチロシン残基ま
   たはイソロイシン残基を示す）で表わされるヘプタペプ
   チドアミドのＮ端保護基を除去することを特徴とする一
   般式（V）Ｒ−ｐＧｌｕ−Ｇｌｎ−Ｐｈｅ−Ｘ−Ｇｌｙ
   −Ｌｅｕ−Ｍｅｔ−ＮＨ＿２（V）（式中、ｐＧｌｕ及
   びＸは同じ意味を有する）で表わされるヘプタペプチド
   アミドの製法。