JPS6035359B2 - 新規なヘキサペプチドアミド及びその製法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般式（１） Ｒ−ｐＧ１ｕ−Ｐｈｅ−Ｘ−ＧＩｙ−Ｌｅｕ−Ｍｅｔ−
ＮＨ２ （１）（式中、Ｒは水素
原子またはＮ端保護基、ｐＧ１ｕ‘まピログルタミン酸
残基、Ｘはチロシン残基またはイソロィシソ残基を示す
）で表わされる新規なへキサベプチドアミド及びその製
法に関する。

本発明者らは、オイラーとガダム（１９３１年）によっ
て発見され、リーマンら（１９７１年）によって一次構
造が明らかにされた「サブスタンスＰ」の活性フラグメ
ント及びその類似体の誘導体について研究を行っていた
ところ、一般式（１）で表わされるへキサベプチドアミ
ドが極めて優れた血圧降下作用を有することを見出し、
本発明を完成した。

従って、本発明の目的は優れた血圧降下作用を有するへ
キサベプチドアミドを提供せんとするにある。

他の目的は当該化合物を製造するための新規な製法を提
供せんとするにある。

本発明によれば、本発明のへキサベプチドアミドは一般
式（０）Ｈ−Ｐｈｅ−Ｘ−ＧＩｙ−Ｌｅｕ−Ｍｅｔ−Ｎ
Ｈ２ （ロ）（式中、Ｘは前記と同じ意味を有する）
で表わされるペンタベプチドアミドと一般式（ｍ）Ｒ−
ｐＧ川−。

日 （ｍ）（式中、Ｒ及びｐＧ１ｕは前記と同
じ意味を有する）で表わされる（Ｎ端保護）ピ。

グルタミン酸またはその反応性誘導体を反応させること
により製造される。一般式（ｍ）の（Ｎ端保護）ピログ
ルタミン酸の反応性誘導体としては、ベプチド合成の分
野において使用される通常の反応性誘導体、例えば（Ｎ
橋保護）ピログルタミン酸のアジド、クロリド、活性ェ
ステル、酸無水物、混合酸無水物等が挙げられる。

またＮ端保護基としては、ベプチド合成において使用さ
れるものの中から適宜選択され、例えばペンジルオキシ
カルボニル基、第三級プチルオキシカルボニル基が挙げ
られる。

一般式（ｍ）の（Ｎ端保護）ピログルタミン酸自体をペ
ンタベフ。

チドアミドと反応させる場合には、Ｎ・Ｎ′−ジシクロ
ヘキシルカルボジイミド及びＮ−ヒドロキシコハク酸ィ
ミドの存在下行うのが好ましい。この反応は溶媒の存在
下行うのが好ましく、溶媒としてはべブチド合成におい
て一般に使用されるものの中から適宜選択され、例えば
Ｎ・Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド
、テトラヒドロフラン、ピリジン、クロロホルム、ジオ
キサン、アセトニトリル、あるいはこれらの混合物が挙
げられる。反応温度はべブチド結合形成反応において使
用される範囲、例えば一ＩＴＣ〜室温が好ましく、反応
時間は数分〜数十時間、通常数時間が好ましい。

以上の如くすれば式（１）の化合物が得られるが、式（
１）中ＲがＮ端保護基である次の一般式（Ｗ）Ｒ′−Ｐ
ｈｅ−Ｘ−ＧＩｙ−Ｌｅｕ−Ｍｅｔ−ＮＨ２ （Ｗ）
（式中、ＲはＮ端保護基、ｐＧ１ｕ及び×は前記と同じ
意味を有する）で表わされる化合物は当該保護基を除去
して式（１）中Ｒが水素原子で表わされる次の一般式（
Ｖ）Ｈ−ｐＧ１ｕ−Ｐｈｅ−×−ＧＩｙ−Ｌｅｕ−Ｍｅ
ｔ−ＮＨ２ （Ｖ）の化合物に
導くことができる。

Ｎ端保護基の除去は、温和な条件、例えば室温〜加熱下
において塩酸、臭化水素、硫酸、リン酸、過塩素酸等の
鍵酸あるいはトリフロロ酢酸、ギ酸、酢酸等の有機酸で
処理することによって容易に行われる。本発明のへキサ
ベブチドァミドの血圧降下作用に関する薬理実験の方法
及びその結果を次に示す。 ・体重３００
タ前後の雄性ラットをクロラローゼ麻酔下に気管切開を
行い、気管カニューレを挿入した。

血圧は一側総額動脈に挿入したポリエチレンカニューレ
を通し、電気血圧計（ＬＰＵ−０．５一３６０−０−ｍ
：三栄側器）で測定し、更にポリグラフ（ＲＭ−１５０
：日本光電）に記録した。へキサベプチドアミドを同側
の外頚動脈に挿入したポリエチレン管より投与した。そ
の結果を次表に示す。表＊より明らかな如く、本発明の
へキサベプチドァミドは極めて低容量で血圧降下作用を
示すと共にその持続時間はそれぞれ２我ごと３吹了であ
った。次に実施例を挙げて本発明を説明する。尚、実施
例で用いたアミノ酸はグリシンを除いてすべてＬ体であ
る。実施例 １ Ｎ−第三級ブチルオキシカルボニルーフェニルアラニル
ーイソロイシルーグリシルーロイシルーメチオニンアミ
ド４００の９をトリフロロ酢酸２叫に溶解させ、得られ
た脱第三級プチルオキシカルボニル化したペンタベプチ
ドアミドのトリフロロ酢酸塩をＮ・Ｎ−ジメチルホルム
アミド１０机‘に熔解させ、氷冷下トリェチルアミンを
加えて中和した。

この溶液にＮ−ペンジルオキシカルボニルーピログルタ
ミン酸のコハク酸ィミドヱステル３２０の９を加え、一
夜放置した。溶媒を留去後、残澄に水を加えて生成した
沈澱を炉取した。乾燥後、少量の熱メタノールで洗浄し
て融点２１２〜２１５ｏ０（分解）、〔Ｑ〕奪−１６０
（ＣＯ．５、Ｎ・Ｎ−ジメチルホルムアミド）のＮーベ
ンジルオキシカルボニルーピログルタミル−フエニルア
ラニルーイソロイシルーグリシルーロイシルーメチオニ
ンアミド２３０の９（収率４７．４％）を得た。元素分
析値 Ｃ４は７Ｎ７０９Ｓとして 計算値（％） Ｃ：５９．７６、Ｈ：６．９７、Ｎ：１
１．９０実測値（％） Ｃ：５９．９０、Ｈ：６．９５
、Ｎ：１１．９４次に、Ｎーベンジルオキシカルボニル
−ピログルタミルーフエニルアラニルーイソロイシルー
グリシルーロイシルーメチオニンアミド２００の９を２
５％臭化水素の酢酸溶液３の‘に溶解させ、室温で１時
間放置後、無水エーテルを加えて生成した沈澱を炉取し
た。

乾燥後、これをメタノールーブタノール−水−酢酸（１
：１：１：１）の混液に溶解させ、アンバーライトＩＲ
Ａ−４１０のカラムに通した。港出液を水とともに共瀕
させ、濃縮した水溶液を冷蔵庫に一夜放置した。生成し
た沈澱を７戸取し、乾燥後、セフアデックスＧ−１０カ
ラムに通した。薄層クロマトグラッフィーによって目的
物を含むフラクションを確認し、これを濃縮、凍結乾燥
してピログルタミルーフェニルァラニルーィソロイシル
ーグリシルーロイシルーメチオニンアミド１１６の９（
収率６７．５％）を得た。融点：２４１〜２４５００（
分解） 〔Ｑ〕奪一２３０（ＣＩ．０、Ｎ・Ｎ−ジメチルホルム
アミド）元素分析値 Ｃ３３日５，Ｎ７０７Ｓ・日２０
として計算値（％） Ｃ：５５．９９、Ｈ：７．５５、
Ｎ：１３：８５実測値（％） Ｃ：５６．１０、Ｈ：７
．３２、Ｎ：１３．７２実施例 ２ Ｎ−第３級ブチルオキシカルボニルーフヱニルアラニル
ーチロシルーグリシルーロイシルーメチオニンアミド８
００の９をトリフロロ酢酸４机上に熔解させ、得られた
脱第三級プチルオキシカルボニル化したペンタベプチド
アミドのトリフロロ酢酸塩をＮ・Ｎ−ジメチルホルムア
ミド１０の‘に熔解させ、氷冷下トリヱチルアミンを加
えて中和した。

この溶液にＮ−ペンジルオキシカルボニルーピログルタ
ミン酸のコハク酸ィミドェステル５１４の９を加え、一
夜放置した。溶媒を蟹去後、残澄に水を加えて生成した
沈澱を炉取した。乾燥後、少量の熱メタノールで洗浄し
て融点２０５〜２０がｏ（分解）、〔Ｑ〕奪−２が（Ｃ
Ｉ．０、Ｎ・Ｎ−ジメチルホルムアミド）のＮーベンジ
ルオキシカルボニルーピログルタミルーフエニルアラニ
ルーチロシルーグリシルーロイシルーメチオニンアミド
４８５の９（収率５０．６％）を得た。元素分析値 Ｃ
４４日５５Ｎ７０，ｏＳとして計算値（％） Ｃ：６０
．４７、Ｈ：６．３４、Ｎ：１１．２２実測値（％）
Ｃ：６０．４３、Ｈ：６．３０、Ｎ：１０．９７次に、
Ｎ−ペンジルオキシカルボニルーピログルタミルーフエ
ニルアラニルーチロシルーグリシルーロィシル−メチオ
ニンアミド４００雌を２５％臭化水素の酢酸溶液４の‘
に溶解させ、室温で１時間放置した。

無水エーテルを加えて生成した沈澱を炉取し、乾燥後、
実施例１と同様に精製した。凍結乾燥してピログルタミ
ル−フェニルアラニル−チロシルーグリシルーロイシル
ーメチオニンアミド２５０雌（収率７２．０％）を得た
。融点：２２７〜２３０００（分解）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 一般式（I） Ｒ−ｐＧｌｕ−ｐｈｅ−Ｘ−Ｇｌｙ−Ｌｅｕ−Ｍｅｔ−
   ＮＨ＿２（I）（式中、Ｒは水素原子またはＮ端保護基
   、ｐＧｌｕはピログルタミン酸残基、Ｘはチロシン残基
   またはイソロイシン残基を示す）で表わされるヘキサペ
   プチドアミド。 ２ 式（I）中Ｒが水素原子である一般式（V）Ｈ−ｐＧ
   ｌｕ−Ｐｈｅ−Ｘ−Ｇｌｙ−Ｌｅｕ−Ｍｅｔ−ＮＨ＿２
   （V）（式中、ｐＧｌｕはピログルタミン酸残基、Ｘは
   チロシン残基またはイソロイシン残基を示す）で表わさ
   れる化合物である特許請求の範囲第１項記載のヘキサペ
   プチドアミド。 ３ 式（V）中Ｘがチロシン残基で表わされるピログル
   タミル−フエニルアラニル−チロシル−グリシル−ロイ
   シル−メチオニンアミドである特許請求の範囲第２項記
   載のヘキサペプチドアミド。 ４ 式（V）中Ｘがイソロイシン残基で表わされるピロ
   グルタミル−フエニルアラニン−イソロイシル−グリシ
   ル−ロイシル−メチオニンアミドである特許請求の範囲
   第２項記載のヘキサペプチドアミド。 ５ 一般式（II） Ｈ−Ｐｈｅ−Ｘ−Ｇｌｙ−Ｌｅｕ−Ｍｅｔ−ＮＨ＿２（
   II）（式中、Ｘはチロシン残基またはイソロイシン残基
   を示す）で表わされるペンタペプチドアミドと一般式（
   III）Ｒ−ｐＧｌｕ−ＯＨ（III） （式中、Ｒは水素原子またはＮ端保護基、ｐＧｌｕはピ
   ログルタミン酸残基を示す）で表わされる（Ｎ端保護）
   ピログルタミン酸またはその反応性誘導体を反応させる
   ことを特徴とする一般式（I）Ｒ−ｐＧｌｕ−Ｐｈｅ−
   Ｘ−Ｇｌｙ−Ｌｅｕ−Ｍｅｔ−ＮＨ＿２（I）（式中、
   Ｒ、ｐＧｌｕ及びＸは前記と同じ意味を有する）で表わ
   されるヘキサペプチドアミドの製法。 ６ 一般式（IV） Ｒ′−ｐＧｌｕ−Ｐｈｅ−Ｘ−Ｇｌｙ−Ｌｅｕ−Ｍｅｔ
   −ＮＨ＿２（IV）（式中、Ｒ′はＮ端保護基、ｐＧｌｕ
   はピログルタミン酸残基、Ｘはチロシン残基またはイソ
   ロイシン残基を示す）で表わされるヘキサペプチドアミ
   ドのＮ端保護基を除去することを特徴とする一般式（V
   ）Ｈ−ｐＧｌｕ−Ｐｈｅ−Ｘ−Ｇｌｙ−Ｌｅｕ−Ｍｅｔ
   −ＮＨ＿２（V）（式中、ｐＧｌｕ及びＸは前記と同じ
   意味を有する）で表わされるヘキサペプチドアミドの製
   法。