JPS6035516A - 露光方法及び装置 - Google Patents
露光方法及び装置Info
- Publication number
- JPS6035516A JPS6035516A JP58143856A JP14385683A JPS6035516A JP S6035516 A JPS6035516 A JP S6035516A JP 58143856 A JP58143856 A JP 58143856A JP 14385683 A JP14385683 A JP 14385683A JP S6035516 A JPS6035516 A JP S6035516A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- light
- pattern
- optical system
- images
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、露光技術に関するもので、たとえば、レティ
クルまたはマスク上に描かれたパターンをウェーハ上の
レジストに転写して露光することに利用して有効な技術
に関するものである。
クルまたはマスク上に描かれたパターンをウェーハ上の
レジストに転写して露光することに利用して有効な技術
に関するものである。
従来、マスクの表面に形成されたパターンを、ホトレジ
ストを塗布したウェーハ上に転写し露光する装置として
、特開昭５１−１１１０７６号公報に記載された装置な
どが知られている（第１図参照）。この装置は光源１で
生じた光をコンデンサレンズ２で一様で平行な光にして
、パターンが描かれているレティクル３上に照射する。
ストを塗布したウェーハ上に転写し露光する装置として
、特開昭５１−１１１０７６号公報に記載された装置な
どが知られている（第１図参照）。この装置は光源１で
生じた光をコンデンサレンズ２で一様で平行な光にして
、パターンが描かれているレティクル３上に照射する。
この照射した光の一部はレティクル３上の遮光性のパタ
ーンや異物等に遮光され、その他の大部分の光はレティ
クル３透光性のパターンや異物の々い透光性のガラス板
を透過し、その透過した像が縮小レンズ４にて縮小され
てウェーハ５上に塗布されたレジストに投影される。こ
のレジストは一般にポジ型レジストであるため、それを
現像するとレティクル３で遮光された部分、つまりはパ
ターンや異物が存在した位置に対応するレジストが残る
。
ーンや異物等に遮光され、その他の大部分の光はレティ
クル３透光性のパターンや異物の々い透光性のガラス板
を透過し、その透過した像が縮小レンズ４にて縮小され
てウェーハ５上に塗布されたレジストに投影される。こ
のレジストは一般にポジ型レジストであるため、それを
現像するとレティクル３で遮光された部分、つまりはパ
ターンや異物が存在した位置に対応するレジストが残る
。
このため、レティクル３上に異物６が存在する状態でウ
ェーハ５上のレジストを露光してしまうと、異物６によ
り光源１からの光が遮光され、その異物６が存在する位
置に対応（７たウエノ）５０部分に異物６の像が転写さ
れることになる。つまり、レティクル６のパターン以外
の儂がウェーハ５上のレジス）Ｋ露光されるため、その
レジストを現像した時に異物６の像が転写した所のレジ
ストが残ってしまい、露光不良になるという問題があっ
た。
ェーハ５上のレジストを露光してしまうと、異物６によ
り光源１からの光が遮光され、その異物６が存在する位
置に対応（７たウエノ）５０部分に異物６の像が転写さ
れることになる。つまり、レティクル６のパターン以外
の儂がウェーハ５上のレジス）Ｋ露光されるため、その
レジストを現像した時に異物６の像が転写した所のレジ
ストが残ってしまい、露光不良になるという問題があっ
た。
そのため、２か所に同一パターンが描かれたレティクル
を用いて、同一チップを２度露光することで異物の影響
を除去する方法が考えられる。しかし、このような装置
においては、一度目の露光と二度目の露光の位置を正確
に一致させる必要があるが、ＸＹテーブルを移動させて
位置合せをすることは、縮小して露光する装置忙おいて
はきわめて困難である。本発明けそれらの問題に鑑みて
なされたものである。
を用いて、同一チップを２度露光することで異物の影響
を除去する方法が考えられる。しかし、このような装置
においては、一度目の露光と二度目の露光の位置を正確
に一致させる必要があるが、ＸＹテーブルを移動させて
位置合せをすることは、縮小して露光する装置忙おいて
はきわめて困難である。本発明けそれらの問題に鑑みて
なされたものである。
本発明の目的は、レティクルやマスク等に付着［また異
物などの影響を低減した露光技術を提供することである
。
物などの影響を低減した露光技術を提供することである
。
本発明の前記ならびＫそのにかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示させる発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば下記の通りである。
を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、複数の同一パターンが描かれたマスクあるい
は同一パターンが描かれた複数のマスクを透過したそれ
ぞれのパターンの像が互いに一致するように合成するこ
とにより、異物の像が被処理体に投影されないので、マ
スク上に存在する異物に影響されない露光を可能にする
ものである。
は同一パターンが描かれた複数のマスクを透過したそれ
ぞれのパターンの像が互いに一致するように合成するこ
とにより、異物の像が被処理体に投影されないので、マ
スク上に存在する異物に影響されない露光を可能にする
ものである。
第２図は、本発明の一実施例である露光装置を説明する
ための原理図である。
ための原理図である。
第２図に示すように、照明光学系１ｏにおいてほぼ平行
でかつ一様にした光をマスク例えばレティクル１１に照
射する。
でかつ一様にした光をマスク例えばレティクル１１に照
射する。
前記レティクル１１上には２つの同一パターン１２ａ、
１２ｂが描かれており、またその上部などに異物１３が
付着している。このレティクル１１を透過した光の像１
４ｍ、１４ｂけそれぞれパターン１２＠及び１２ｂの像
以外に異物１３の像も含まれている。１５はパターン１
２ｍ及び１２ｂの像が一致するように合成する合成光学
系である。
１２ｂが描かれており、またその上部などに異物１３が
付着している。このレティクル１１を透過した光の像１
４ｍ、１４ｂけそれぞれパターン１２＠及び１２ｂの像
以外に異物１３の像も含まれている。１５はパターン１
２ｍ及び１２ｂの像が一致するように合成する合成光学
系である。
前記合成光学系１５で合成された合成像は、投影光学系
１８にて所望の倍率例えは１０分の１に縮小されて被処
理体であるレジストが塗布されたウェーハエ９上の所定
位置に露光する。なお、ウェーハ１９はＸＹテーブル２
０によ°り一定距離送られて、位置決めされた後露光さ
れる。この動作を繰返して露光を行なっている。
１８にて所望の倍率例えは１０分の１に縮小されて被処
理体であるレジストが塗布されたウェーハエ９上の所定
位置に露光する。なお、ウェーハ１９はＸＹテーブル２
０によ°り一定距離送られて、位置決めされた後露光さ
れる。この動作を繰返して露光を行なっている。
次に第３図を用いて詳細に説明する。照明光学系１０ａ
及び１０ｂは光源１とコンデンサレンズ２等から構成さ
れている。１１はレティクルで、その表面には同一に描
かれたパターン１２ｍ、１２ｂが複数（本例では２コ）
設けられている。１５は合成光学系で照明系１０＆から
その光でパターン１２ｍが描かれたレティクル１１を透
過した光を反射するミラー１６と、照明系１０ｂからの
光でパターン１２ｂが描かれたレティクル１１を透過し
た光を透過し、かつミラー１６で反射してきた光を反射
するハーフミラ−１７からなっている。
及び１０ｂは光源１とコンデンサレンズ２等から構成さ
れている。１１はレティクルで、その表面には同一に描
かれたパターン１２ｍ、１２ｂが複数（本例では２コ）
設けられている。１５は合成光学系で照明系１０＆から
その光でパターン１２ｍが描かれたレティクル１１を透
過した光を反射するミラー１６と、照明系１０ｂからの
光でパターン１２ｂが描かれたレティクル１１を透過し
た光を透過し、かつミラー１６で反射してきた光を反射
するハーフミラ−１７からなっている。
ここで、パターン１２ｍとパターン１２ｂの像が合成光
学系１５にて一致するよう、ミラー１６及びハーフミラ
−１７は回転及び平行移動可能に設けられている。
学系１５にて一致するよう、ミラー１６及びハーフミラ
−１７は回転及び平行移動可能に設けられている。
また、レティクル１１上のパターン１２ａ、１２ｂの配
置は合成光学系１５や照明光学系１０の構成により決定
されている。合成光学系Ｊ５で合成させた像は、投影光
学系１８の例えば１０分の１縮小レンズで縮小され、ウ
ェーハ１９上に塗布されたレジスト上の所定位置に露光
される。この露光はＸＹテーブル２０をり、Ｃモータ等
でＸＹ方向に駆動することによりステンプアンドリピー
トして行なわれている。
置は合成光学系１５や照明光学系１０の構成により決定
されている。合成光学系Ｊ５で合成させた像は、投影光
学系１８の例えば１０分の１縮小レンズで縮小され、ウ
ェーハ１９上に塗布されたレジスト上の所定位置に露光
される。この露光はＸＹテーブル２０をり、Ｃモータ等
でＸＹ方向に駆動することによりステンプアンドリピー
トして行なわれている。
なお、１３ａ及び１３ｂはレティクル１１上に付着して
いる異物である。
いる異物である。
次に動作及び作用を第２図〜第３図を参照しながら説明
する。照明光学系１０８の光源１ａは点光源であるため
、光の強度にばらつきがあり、さらに平行光でないため
コンデンサレンズ２ａにて一様で平行な元に変換して、
そのコンデンサレンズ２ａに対応したレティクル上のパ
ターン１２ｍに照射する。ところで、レティクル１１は
透光性のガラス基板上に遮光材質でパターンを形成して
いるため、そのパターンが形成されている部分では光は
透過しない。また、レティクル１１上に異物１３等が在
在するとき、その異物により光が遮断されてパターンが
形成されているのと同様に光が透過しない。そのため、
照明光学系１０ａからの光でレティクルのＩｌａ部分を
通過した光はパターン１２ｊ１と異物１３８の像からな
っている。こ九らの像が合成光学系１５のミラー１６に
より反射され、さらにハーフミラ−ＩＨＣて反射される
。一方、照明光学系１０ｂでは、光源１６から発した光
はコンデンサレンズ２ｂを介して、それに対応したレテ
ィクルのｌｌｂ部分上のパターン１２ｂに照射される。
する。照明光学系１０８の光源１ａは点光源であるため
、光の強度にばらつきがあり、さらに平行光でないため
コンデンサレンズ２ａにて一様で平行な元に変換して、
そのコンデンサレンズ２ａに対応したレティクル上のパ
ターン１２ｍに照射する。ところで、レティクル１１は
透光性のガラス基板上に遮光材質でパターンを形成して
いるため、そのパターンが形成されている部分では光は
透過しない。また、レティクル１１上に異物１３等が在
在するとき、その異物により光が遮断されてパターンが
形成されているのと同様に光が透過しない。そのため、
照明光学系１０ａからの光でレティクルのＩｌａ部分を
通過した光はパターン１２ｊ１と異物１３８の像からな
っている。こ九らの像が合成光学系１５のミラー１６に
より反射され、さらにハーフミラ−ＩＨＣて反射される
。一方、照明光学系１０ｂでは、光源１６から発した光
はコンデンサレンズ２ｂを介して、それに対応したレテ
ィクルのｌｌｂ部分上のパターン１２ｂに照射される。
このとき、異物１３ｂが存在するため、パターン１２ｂ
と同様に光を遮断するので、レティクルのｌｌｂ部分を
透過した光はパターン１２ｂと異物１３ｂの儂からなっ
ている。この像は、ハーフミラ−１７を通過すると、前
述したハーフミラ−１７で反射した像と合成される。こ
のとき、パターン１２ｍと１２ｂの像は合致するようミ
ラー１６及びハーフミラ−１７を調節しておく。ところ
で、異物１３ｍが存在する位置に対応したレティクルの
Ｊｉｂ部分上には異物が存在しないので、異物１３ａの
存在により形成された像はレティクルのｌｌｂ部分を透
過した光により打ち消され、相対的にレティクルのｌｌ
ａ部分部分量物１３ａは在在しない事になる。同様に、
異物１３ｂが存在する位置に対応したレティクルの１１
ａ部分上には異物が存在しないので、異物１３ｂにより
生じた像はレティクルのｌｌａ部分の透過光により打ち
消され、相対的に異物１３ｂがレティクル１２ｂ上に存
在しない事になる。つまり、合成光学系１５で合成され
た像には異物の存在に起因した像はほとんど含まれるこ
とはないので、レティクル１１に描かれたパターンのみ
が投影光学系１８に達する。この投影光学系では、合成
像をｎ分の１に縮小するための縮小レンズが配設されて
おり、ウェーハ１９上のレジストにパターン１２のｎ分
の１の大きさで投影するようになっている。この投影は
ＸＹテーブルをＸＹ方向にステップアンドリピートして
行なっている。
と同様に光を遮断するので、レティクルのｌｌｂ部分を
透過した光はパターン１２ｂと異物１３ｂの儂からなっ
ている。この像は、ハーフミラ−１７を通過すると、前
述したハーフミラ−１７で反射した像と合成される。こ
のとき、パターン１２ｍと１２ｂの像は合致するようミ
ラー１６及びハーフミラ−１７を調節しておく。ところ
で、異物１３ｍが存在する位置に対応したレティクルの
Ｊｉｂ部分上には異物が存在しないので、異物１３ａの
存在により形成された像はレティクルのｌｌｂ部分を透
過した光により打ち消され、相対的にレティクルのｌｌ
ａ部分部分量物１３ａは在在しない事になる。同様に、
異物１３ｂが存在する位置に対応したレティクルの１１
ａ部分上には異物が存在しないので、異物１３ｂにより
生じた像はレティクルのｌｌａ部分の透過光により打ち
消され、相対的に異物１３ｂがレティクル１２ｂ上に存
在しない事になる。つまり、合成光学系１５で合成され
た像には異物の存在に起因した像はほとんど含まれるこ
とはないので、レティクル１１に描かれたパターンのみ
が投影光学系１８に達する。この投影光学系では、合成
像をｎ分の１に縮小するための縮小レンズが配設されて
おり、ウェーハ１９上のレジストにパターン１２のｎ分
の１の大きさで投影するようになっている。この投影は
ＸＹテーブルをＸＹ方向にステップアンドリピートして
行なっている。
（１）同一パターンが描かれた複数のマスクあるいは複
数の同一パターンが描かれたマスクにより形成された像
において、それぞれのパターンの像が一致するように合
成光学系にて合成することにより、マスク上に異物が存
在していても合成像には異物の像は含まれないので、被
処理体にはマスクに描かれたパターンに対応した像を投
影できるという効果が得られる。
数の同一パターンが描かれたマスクにより形成された像
において、それぞれのパターンの像が一致するように合
成光学系にて合成することにより、マスク上に異物が存
在していても合成像には異物の像は含まれないので、被
処理体にはマスクに描かれたパターンに対応した像を投
影できるという効果が得られる。
（２）同一パターンが描かれた複数のマスクあるいは複
数の同一パターンが描かれたマスクにより形成された像
において、それぞれのパターンの像が一致するように合
成光学系にて合成することにより、被処理体には異物の
儂がほとんど投影されることはないので、その被処理体
上に塗布されたレジストの現像後に、異物が投影された
ときに必要な欠陥を検査修正する工程が不要であるとい
う効果が得られる。
数の同一パターンが描かれたマスクにより形成された像
において、それぞれのパターンの像が一致するように合
成光学系にて合成することにより、被処理体には異物の
儂がほとんど投影されることはないので、その被処理体
上に塗布されたレジストの現像後に、異物が投影された
ときに必要な欠陥を検査修正する工程が不要であるとい
う効果が得られる。
（３）複数の同一パターンを合成光学系にて合成するこ
とによシ、個々のパターンに存在する異物の像を、他の
パターンで補償することにより、被処理体には異物の像
は投影されず、全ペレットに欠陥が生じるということは
ない。
とによシ、個々のパターンに存在する異物の像を、他の
パターンで補償することにより、被処理体には異物の像
は投影されず、全ペレットに欠陥が生じるということは
ない。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいう寸でもない。たとえば、合成光学系
からの合成像を投影光学系を介さずに被処理体に直接に
露光してもよい。また、照明光学系を複数配設せず１つ
の照明光学系で露光するようにしてもよい。さらに、合
成光学系の構成は実施例に限定されるものではなく、種
々変更可能である。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいう寸でもない。たとえば、合成光学系
からの合成像を投影光学系を介さずに被処理体に直接に
露光してもよい。また、照明光学系を複数配設せず１つ
の照明光学系で露光するようにしてもよい。さらに、合
成光学系の構成は実施例に限定されるものではなく、種
々変更可能である。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置の露光技
術に適用した場合について説明したが、それに限定され
るものではなく、たとえば、被処理体上に光やＸ線等を
用いて、マスク等に描いたパターンを転写して露光する
技術などに適用することができる。
をその背景となった利用分野である半導体装置の露光技
術に適用した場合について説明したが、それに限定され
るものではなく、たとえば、被処理体上に光やＸ線等を
用いて、マスク等に描いたパターンを転写して露光する
技術などに適用することができる。
第１図は従来の露光装置の斜視図、
第２図は本発明の一実施例で・ある露光装置の原理を示
す図、 第３図は本発明の一実施例である露光装置の概略図であ
る。 １．１１Ｌ、１ｂ・・・光源、２．２ａ、２ｂ−コンデ
ンサレンズ、３，１１．ｌｌａ、Ｉｌｂ”’レティクル
、４・・・縮小レンズ、５，１９・・・ウェーハ、６．
１３，１３ａ、１３ｂ−・・異物、７・・・異物の像、
１０．１０ａ、１０ｂ−照明光学系、１２ａ、１２ｂ・
・・パターン、１４ｍ、１４ｂ・・・パターン及び異物
の像を含む光、１５・・・合故光学系、Ｊ６・・・ミラ
ー、１７・・・ハーフミラ−１１８・・・投影光学系、
２０・・・ＸＹテーブル。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
す図、 第３図は本発明の一実施例である露光装置の概略図であ
る。 １．１１Ｌ、１ｂ・・・光源、２．２ａ、２ｂ−コンデ
ンサレンズ、３，１１．ｌｌａ、Ｉｌｂ”’レティクル
、４・・・縮小レンズ、５，１９・・・ウェーハ、６．
１３，１３ａ、１３ｂ−・・異物、７・・・異物の像、
１０．１０ａ、１０ｂ−照明光学系、１２ａ、１２ｂ・
・・パターン、１４ｍ、１４ｂ・・・パターン及び異物
の像を含む光、１５・・・合故光学系、Ｊ６・・・ミラ
ー、１７・・・ハーフミラ−１１８・・・投影光学系、
２０・・・ＸＹテーブル。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光源からの光を、同一パターンが描かれた複数のマ
スクに照射し、あるいは複数の同一ノ（ターンが描かれ
たマスクに照射し、前記マスクで形成されたパターン像
が互いに一致するように合成し、その合成した合成像を
用いて被処理体に投影することを特徴とした露光方法。 ２、光源と、複数の同一パターンが描かれたマスクある
いは、同一パターンが描かれた複数のマスクで形成され
たパターン像が一致するよう合成で
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58143856A JPS6035516A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 露光方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58143856A JPS6035516A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 露光方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6035516A true JPS6035516A (ja) | 1985-02-23 |
Family
ID=15348556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58143856A Pending JPS6035516A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 露光方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6035516A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1255162A1 (en) * | 2001-05-04 | 2002-11-06 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| EP1255164A1 (en) * | 2001-05-04 | 2002-11-06 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| US6795168B2 (en) * | 2002-04-08 | 2004-09-21 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for exposing a wafer using multiple masks during an integrated circuit manufacturing process |
| WO2009061196A1 (en) * | 2007-11-08 | 2009-05-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and method of compensating perturbation factors |
| US7538853B2 (en) * | 2005-03-25 | 2009-05-26 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | Exposure process and apparatus using glass photomasks |
-
1983
- 1983-08-08 JP JP58143856A patent/JPS6035516A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1255162A1 (en) * | 2001-05-04 | 2002-11-06 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| EP1255164A1 (en) * | 2001-05-04 | 2002-11-06 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| US6819405B2 (en) | 2001-05-04 | 2004-11-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| US6795168B2 (en) * | 2002-04-08 | 2004-09-21 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for exposing a wafer using multiple masks during an integrated circuit manufacturing process |
| US7538853B2 (en) * | 2005-03-25 | 2009-05-26 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | Exposure process and apparatus using glass photomasks |
| WO2009061196A1 (en) * | 2007-11-08 | 2009-05-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and method of compensating perturbation factors |
| JP2011503870A (ja) * | 2007-11-08 | 2011-01-27 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ投影装置および摂動因子を補償する方法 |
| US8570489B2 (en) | 2007-11-08 | 2013-10-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and method of compensating perturbation factors |
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