JPS6035733A - フオトマスク用防塵カバ−の製造方法 - Google Patents
フオトマスク用防塵カバ−の製造方法Info
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- JPS6035733A JPS6035733A JP58144384A JP14438483A JPS6035733A JP S6035733 A JPS6035733 A JP S6035733A JP 58144384 A JP58144384 A JP 58144384A JP 14438483 A JP14438483 A JP 14438483A JP S6035733 A JPS6035733 A JP S6035733A
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- film
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- nitrocellulose
- thin film
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- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Moulding By Coating Moulds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
近年、大規模集積回路は高密度化が進み、回路の画線中
も２〜３ミクロンと極めて細いものとなって来ている。
も２〜３ミクロンと極めて細いものとなって来ている。
この様に高密度化により画線中が細くなるにつれ、フォ
トマスク上のゴミが問題となっている。即ち、フォトマ
スク上に数ミクロンの目に見えないゴミが存在しても、
プロジェクション、ステッパーでウエノ１上のレジスト
にフォトマスク上の回路画像を投影、露光する際に、画
像とともにゴミが転写されてしまう為、回路の短絡、断
線等が起ってしまう。ケミの除去防止の為、露光操作は
全てクリーンルーム内で行なう等厳密なゴミ防止対策を
行ないつつ作業を進めても、作業者、装置等から発生す
るゴミを零とすることは不可能の為、完壁なものとはな
シえない。
トマスク上のゴミが問題となっている。即ち、フォトマ
スク上に数ミクロンの目に見えないゴミが存在しても、
プロジェクション、ステッパーでウエノ１上のレジスト
にフォトマスク上の回路画像を投影、露光する際に、画
像とともにゴミが転写されてしまう為、回路の短絡、断
線等が起ってしまう。ケミの除去防止の為、露光操作は
全てクリーンルーム内で行なう等厳密なゴミ防止対策を
行ないつつ作業を進めても、作業者、装置等から発生す
るゴミを零とすることは不可能の為、完壁なものとはな
シえない。
そこで、フォトマスク上にカッ々−をして、フォトマス
ク上の回路画像部分に直接ノミが付着するのを防止する
方法が、最近採用されてきている。
ク上の回路画像部分に直接ノミが付着するのを防止する
方法が、最近採用されてきている。
この方法は、フォトマスクから数閣離れた位置に透明な
薄膜を設置することによシ、ケミはこの薄膜上に付着す
る為、フォトマスクの回路画像をウェハ上のレジストに
結像させるに際し、ゴミは結像されないことを原理とし
ている。この方法によれば、クリーン度が若干悪い環境
に於いても、ケミはこの薄膜上にしか付着せず、回路の
短絡、断線等による不良化が大巾に減少し、大規模集積
回路製造上非常に有用なものとなる。
薄膜を設置することによシ、ケミはこの薄膜上に付着す
る為、フォトマスクの回路画像をウェハ上のレジストに
結像させるに際し、ゴミは結像されないことを原理とし
ている。この方法によれば、クリーン度が若干悪い環境
に於いても、ケミはこの薄膜上にしか付着せず、回路の
短絡、断線等による不良化が大巾に減少し、大規模集積
回路製造上非常に有用なものとなる。
この薄膜はフォトマスクから数問離した位置に設置する
為、通常アルミのフレームに張ったものをフォトマスク
に粘着させて使用しており、このアルミフレームに薄膜
を張ったものを、この発明ではフォトマスク用防塵力・
ぐ−と呼ぶこととする。
為、通常アルミのフレームに張ったものをフォトマスク
に粘着させて使用しており、このアルミフレームに薄膜
を張ったものを、この発明ではフォトマスク用防塵力・
ぐ−と呼ぶこととする。
この防塵力、？−の薄膜は、光の透過性力；重要であり
、プロジェクションに使用する場合、その露光々源の光
の波長、即ち３５０ ｎｍ〜４５０ ｎｍに於いて９２
％以上の透過率が、又、ステン・ξ−を使用する場合に
は、４３６ｎｍで９８係以上の透過率が必要とされる。
、プロジェクションに使用する場合、その露光々源の光
の波長、即ち３５０ ｎｍ〜４５０ ｎｍに於いて９２
％以上の透過率が、又、ステン・ξ−を使用する場合に
は、４３６ｎｍで９８係以上の透過率が必要とされる。
この様に高い光の透過率をもつ膜は、この波長に於ける
吸収のない物質であることは勿論、膜の厚みを５ミクロ
ン以下としないと達成されない。又、膜内の厚みのバラ
ツキは、光の透過率のノセラツキとなるとともに、画像
の乱れの原因ともなる為、膜厚みの精度も±２係以内と
することが必要となる。
吸収のない物質であることは勿論、膜の厚みを５ミクロ
ン以下としないと達成されない。又、膜内の厚みのバラ
ツキは、光の透過率のノセラツキとなるとともに、画像
の乱れの原因ともなる為、膜厚みの精度も±２係以内と
することが必要となる。
又、防塵カッ々−上へのゴミの付着は、露光時の回路の
短絡、断線等に影響は少ないものの、大きなゴミは問題
となるので、ゴミの付着しにくく、又、付着したゴミを
エアーブロー等で容易に落すことが出来る様、薄膜は非
帯電性であることが望ましい。
短絡、断線等に影響は少ないものの、大きなゴミは問題
となるので、ゴミの付着しにくく、又、付着したゴミを
エアーブロー等で容易に落すことが出来る様、薄膜は非
帯電性であることが望ましい。
これらの要求特性を満たすものとして、この薄膜にはニ
トロセルロースの薄膜が用いられている。
トロセルロースの薄膜が用いられている。
ニトロセルロースによる防塵カッ々−の製造方法は、一
般に水面、水銀面等の流体表面上にニトロセルロース溶
液をキャストし、形成した薄膜をアルミフレームに張っ
て作成するが、流体表面上に形成された薄膜は、取扱い
が難しく、すぐシワが発生し、フレームにシワなく、張
った状態に取付けることが極めて難しい。又、流体表面
にキャストにより薄膜を形成させる際にも、流体表面を
静止させることが必要であるが、微かな振動、風によシ
流体表面が波長ち、シワが発生したり、薄膜の厚みの均
一性が損なわれ、目的とする薄膜を得ることが出来ない
。
般に水面、水銀面等の流体表面上にニトロセルロース溶
液をキャストし、形成した薄膜をアルミフレームに張っ
て作成するが、流体表面上に形成された薄膜は、取扱い
が難しく、すぐシワが発生し、フレームにシワなく、張
った状態に取付けることが極めて難しい。又、流体表面
にキャストにより薄膜を形成させる際にも、流体表面を
静止させることが必要であるが、微かな振動、風によシ
流体表面が波長ち、シワが発生したり、薄膜の厚みの均
一性が損なわれ、目的とする薄膜を得ることが出来ない
。
そこで、本発明者はニトロセルロースの薄膜をフレーム
にシワなく張る方法を検討すると七もに、容易に均一な
厚みの薄膜を作成する方法を検討し、本発明に到った。
にシワなく張る方法を検討すると七もに、容易に均一な
厚みの薄膜を作成する方法を検討し、本発明に到った。
本発明は、溶液キャスト法によシ、厚み５ミクロン以下
のニトロセルロース薄膜を平滑基板上に形成させ、接着
剤にてこの薄膜とアルミフレームとを接着させた後、水
中に浸し、水中で基板をノ・り離させ、次いで、水中よ
り取出して乾燥させることによシ、フォトマスク用防塵
カバーを製造する方法であり、本発明により、優れたフ
ォトマスク用防塵力、Ｓ−が、容易にかつ再現性良く製
造することが出来る。
のニトロセルロース薄膜を平滑基板上に形成させ、接着
剤にてこの薄膜とアルミフレームとを接着させた後、水
中に浸し、水中で基板をノ・り離させ、次いで、水中よ
り取出して乾燥させることによシ、フォトマスク用防塵
カバーを製造する方法であり、本発明により、優れたフ
ォトマスク用防塵力、Ｓ−が、容易にかつ再現性良く製
造することが出来る。
以下に本発明を更に詳細に説明する。
ニトロセルロースの薄膜は、流体表面上へのキャスト法
で述べた通り、単体での取扱いが難しい為、薄膜を基板
上に形成させ、薄膜とフレームを接着後、基板を取外す
ことによりフレームに薄膜を張ることがＵＳＰ ４３７
８９５３に提案されている。この方法によれば基板はそ
のままハク離させるか、基板上に離型剤をあらかじめ塗
布することにより、ハク離を容易にすることが出来ると
している。しかし、基板と薄膜をそのま＼ハク離させよ
うと干れば、！＋［が破ｈ、かｂ−伸γドて１−→い自
好なものは得られない。又、基板上に離型剤をあらかじ
め塗布する方法に於いては、離型剤を塗布する際の表面
の平面性の・ζラッキがその上に塗布するニトロセルロ
ース薄膜の厚みの・ぐラッキに影響を与え、膜厚みの）
々ラッキが増大するなり、離型剤が薄膜に一部転写され
る可能性があり、性能に悪い効果をもたらす。
で述べた通り、単体での取扱いが難しい為、薄膜を基板
上に形成させ、薄膜とフレームを接着後、基板を取外す
ことによりフレームに薄膜を張ることがＵＳＰ ４３７
８９５３に提案されている。この方法によれば基板はそ
のままハク離させるか、基板上に離型剤をあらかじめ塗
布することにより、ハク離を容易にすることが出来ると
している。しかし、基板と薄膜をそのま＼ハク離させよ
うと干れば、！＋［が破ｈ、かｂ−伸γドて１−→い自
好なものは得られない。又、基板上に離型剤をあらかじ
め塗布する方法に於いては、離型剤を塗布する際の表面
の平面性の・ζラッキがその上に塗布するニトロセルロ
ース薄膜の厚みの・ぐラッキに影響を与え、膜厚みの）
々ラッキが増大するなり、離型剤が薄膜に一部転写され
る可能性があり、性能に悪い効果をもたらす。
そこで本発明者は基板のハク離方法を種々検討した結果
、基板上に形成したニトロセルロース薄膜にあらかじめ
フレームを接着後、水の中に浸し、水中で基板をハク離
させれば、容易に基板はハク離出来、薄膜が破れたり、
伸びだりすることがないととを見出した。又、ニトロセ
ルロースは１％程度の水分を吸湿する為、基板をハク離
後、水より取出し乾燥させることにより、フレームに接
着されたニトロセルロース薄＃ｒ！、収量 Ｌ、フレー
ムにタルミなく張ることが出来る。このことは、水の中
にニトロセルロース薄膜を浸すことにょシ初めて発現す
るものであり、基板のハク離のし易すさとともに、フォ
トマスク用防塵力・セーを製造するにあたり極めて有用
なものとなる。
、基板上に形成したニトロセルロース薄膜にあらかじめ
フレームを接着後、水の中に浸し、水中で基板をハク離
させれば、容易に基板はハク離出来、薄膜が破れたり、
伸びだりすることがないととを見出した。又、ニトロセ
ルロースは１％程度の水分を吸湿する為、基板をハク離
後、水より取出し乾燥させることにより、フレームに接
着されたニトロセルロース薄＃ｒ！、収量 Ｌ、フレー
ムにタルミなく張ることが出来る。このことは、水の中
にニトロセルロース薄膜を浸すことにょシ初めて発現す
るものであり、基板のハク離のし易すさとともに、フォ
トマスク用防塵力・セーを製造するにあたり極めて有用
なものとなる。
尚、水中でハク酸させるとは、実質的に水中と同じ状態
であれば良く、例えば、水中に浸した後、水中より取出
しその′−！まノ・り離した場合にも、ノ・２離する面
に水が存在すれば良好にハク酸が出来るが、水を拭き取
るとハク酸は不充分となる。
であれば良く、例えば、水中に浸した後、水中より取出
しその′−！まノ・り離した場合にも、ノ・２離する面
に水が存在すれば良好にハク酸が出来るが、水を拭き取
るとハク酸は不充分となる。
尚、本発明に用いる水は、水単独でもかまわないし、界
面活性剤等、本発明の効果を消失せしめない添加剤で、
かつ、ニトロセルロース、接着剤を啓解させないもので
あれば添加することが出来る。
面活性剤等、本発明の効果を消失せしめない添加剤で、
かつ、ニトロセルロース、接着剤を啓解させないもので
あれば添加することが出来る。
かかる添加剤は、ハク離後のニトロセルロース薄膜の表
面に水滴を形成せず、均一に薄膜を水でぬらす為、乾燥
後に水の跡が残らない効果をもたらす。又、水に浸す時
間は短かすぎると水が充分浸透せず、ハク酸が容易に出
来ない為、１５分以上浸すことが必要である。
面に水滴を形成せず、均一に薄膜を水でぬらす為、乾燥
後に水の跡が残らない効果をもたらす。又、水に浸す時
間は短かすぎると水が充分浸透せず、ハク酸が容易に出
来ない為、１５分以上浸すことが必要である。
一方、基板については、表面が平滑であり、ニトロセル
ロース溶液に侵されないものであれば使用出来るが、基
板の平面性が膜厚みの精度に影響する為、実用上は限定
される。即ち、薄膜の膜内厚み精度を±２２係内とする
には、基板の平面性がＡ／４以上必要とされ、この様に
平滑な表面を持つものは、シリコン基板、ガラス板、ガ
ラス板上へ金属を蒸着したもの等が有るが、ニトロセル
ロース薄膜とのハク酸のし易さから、シリコン基板が最
も優れた基板である。
ロース溶液に侵されないものであれば使用出来るが、基
板の平面性が膜厚みの精度に影響する為、実用上は限定
される。即ち、薄膜の膜内厚み精度を±２２係内とする
には、基板の平面性がＡ／４以上必要とされ、この様に
平滑な表面を持つものは、シリコン基板、ガラス板、ガ
ラス板上へ金属を蒸着したもの等が有るが、ニトロセル
ロース薄膜とのハク酸のし易さから、シリコン基板が最
も優れた基板である。
平滑基板上にニトロセルロースの薄膜を形成させる溶液
キャスト法のうち、フォトマスク用防塵カッ々−の薄膜
を精度良く製造出来る方法は、スピンコーターを使用す
る方法、基板の周囲に堰を設けた基板表面を水平に保ち
、その上に溶液をキャストする方法、およびナイフコー
ターを使用する方法が挙げられる。
キャスト法のうち、フォトマスク用防塵カッ々−の薄膜
を精度良く製造出来る方法は、スピンコーターを使用す
る方法、基板の周囲に堰を設けた基板表面を水平に保ち
、その上に溶液をキャストする方法、およびナイフコー
ターを使用する方法が挙げられる。
スピンコーターを使用して、基板上にニトロセルロース
の薄膜を形成させる場合、薄膜の厚みは、ニトロセルロ
ースの濃度、溶媒の種類、キャスト温度、スピンコータ
ーの回転数、キャスト軟等に依存する。この為、希望す
る厚みの薄膜を作成するには、種々条件の検討が必要で
あり、−概に規定出来ないが、例示すれば、膜厚ミロ。
の薄膜を形成させる場合、薄膜の厚みは、ニトロセルロ
ースの濃度、溶媒の種類、キャスト温度、スピンコータ
ーの回転数、キャスト軟等に依存する。この為、希望す
る厚みの薄膜を作成するには、種々条件の検討が必要で
あり、−概に規定出来ないが、例示すれば、膜厚ミロ。
５〜３ミクロンの場合、酢酸ｎ−ブチルを溶媒とし、ニ
トロセルロースの濃度が３〜１５重量％、キャスト温度
が２５℃〜３０℃、キャスト量５〜１０ｃｃ、スピナー
回転級ｓｏｏ〜３０００ ｒ、ｐ、ｒｎ、とすることに
よＪ、１２５ｍ〆の基板上に形成することが出来る。
トロセルロースの濃度が３〜１５重量％、キャスト温度
が２５℃〜３０℃、キャスト量５〜１０ｃｃ、スピナー
回転級ｓｏｏ〜３０００ ｒ、ｐ、ｒｎ、とすることに
よＪ、１２５ｍ〆の基板上に形成することが出来る。
一方、平滑基板の周囲に堰を設けて、ニトロセルロース
溶液をキャストする方法に於いては、膜の厚みはニトロ
セルロース濃度とキャスト量によって規定される。この
方法で最も重要な点は基板表面の水平性であり、膜内の
厚み精度を±２％以内とするには、製造すべき膜の大き
さ部分での水平度を０．５ミクロン以内とすることによ
り達成される。又、ニトロヒルロース浴液の濃度は、高
すぎると膜内の基板表面上に均一にキャストされず、低
すぎると溶媒の蒸発に長時間を要する為、０．５〜２重
量係が好′ましい。
溶液をキャストする方法に於いては、膜の厚みはニトロ
セルロース濃度とキャスト量によって規定される。この
方法で最も重要な点は基板表面の水平性であり、膜内の
厚み精度を±２％以内とするには、製造すべき膜の大き
さ部分での水平度を０．５ミクロン以内とすることによ
り達成される。又、ニトロヒルロース浴液の濃度は、高
すぎると膜内の基板表面上に均一にキャストされず、低
すぎると溶媒の蒸発に長時間を要する為、０．５〜２重
量係が好′ましい。
又、ナイフコーターを用いる方法では、基板とナイフの
間隔により膜厚みの精度が決定される為、この間隔を精
密に設定することが重要であり、ナイフの両端での基板
面との間隔を０．５ミクロン以内に設定することにより
膜内の膜厚みを±２％以内の誤差とすることが出来る。
間隔により膜厚みの精度が決定される為、この間隔を精
密に設定することが重要であり、ナイフの両端での基板
面との間隔を０．５ミクロン以内に設定することにより
膜内の膜厚みを±２％以内の誤差とすることが出来る。
又、ニトロセルロースの濃度は、高すぎると均一に塗布
出来ず、低すぎると塗布後溶液が流れて厚みが変化する
為、１０〜２００〜２０重量％い。
出来ず、低すぎると塗布後溶液が流れて厚みが変化する
為、１０〜２００〜２０重量％い。
尚、本発明に用いるニトロセルロースとは、窒素含量１
０．７〜１２．２係のものをいう。
０．７〜１２．２係のものをいう。
以下、実施例にて本発明を更に詳細に説明する。
尚、膜の厚みの測定は、分光光度計で測定した膜の透過
率の干渉波より算出した。即ち、測定された隣りあう干
渉波の山のピーク波長をそれぞれ石。
率の干渉波より算出した。即ち、測定された隣りあう干
渉波の山のピーク波長をそれぞれ石。
２２ミクロン（λｌ〉λ２）とし、λ簾で゛の干渉数を
Ｎとすれば、λ２での干渉数はＮ＋１となるので、ニト
ロセルロースの屈折率を１．５１とすると、膜の厚みｄ
ミクロンは次式で与えられる。
Ｎとすれば、λ２での干渉数はＮ＋１となるので、ニト
ロセルロースの屈折率を１．５１とすると、膜の厚みｄ
ミクロンは次式で与えられる。
ａ＝（λｔＸＮ）／（２Ｘ１．５１）
実施例 １
＝（−ｏセルロース（旭化成工業（株）製、ＲＩＧ＝２
０窒素含量１１．５〜１２．２係）を酢酸ｎ−ブチルに
溶解させ、５重量％の溶液を作成した。
０窒素含量１１．５〜１２．２係）を酢酸ｎ−ブチルに
溶解させ、５重量％の溶液を作成した。
一方、５インチダのシリコンウエノ・をＭＥＫにて脱脂
洗浄、風乾後、スピンコーターにセットし、作成した二
）・ロセルロース尋液を滴下し、低速回転５００ ｒ、
ｐ、ｍで１０秒、高速回転１０５０ ｒ、ｐ、ｍ。
洗浄、風乾後、スピンコーターにセットし、作成した二
）・ロセルロース尋液を滴下し、低速回転５００ ｒ、
ｐ、ｍで１０秒、高速回転１０５０ ｒ、ｐ、ｍ。
で１５秒間にて塗布し、これを風乾させ、ウニノー上に
ニトロセルロースの薄膜を形成させた。
ニトロセルロースの薄膜を形成させた。
次ニ、アルミフレーム（内径１０５ ｍｍ ） Ｉ）端
面にエポキシ接着剤（昭和高分子（株）製アラルダイト
ラピッド）を塗布し、ニトロセルロース薄膜と接着させ
、１時間硬化させた。
面にエポキシ接着剤（昭和高分子（株）製アラルダイト
ラピッド）を塗布し、ニトロセルロース薄膜と接着させ
、１時間硬化させた。
このものをフィルム用水切剤（富士写真フィルム＠）製
１？ライウェル）を１係含む水の中に浸し、３０分間放
置後ウつノ・を静かにノ・り離させ、水より取出し、風
乾させることにより、アルミフレームにニトロセルロー
ス薄膜がシワなく張られ水防のないものが得られた。
１？ライウェル）を１係含む水の中に浸し、３０分間放
置後ウつノ・を静かにノ・り離させ、水より取出し、風
乾させることにより、アルミフレームにニトロセルロー
ス薄膜がシワなく張られ水防のないものが得られた。
得られた防塵カバーの薄膜の厚みは、０．８６７ミクロ
ンであり、膜厚みの７マラツキは、±０．６係となり極
めて均一性の良いものであった。又、４３６ ｎｍの光
での透過率は９９．２％であった。
ンであり、膜厚みの７マラツキは、±０．６係となり極
めて均一性の良いものであった。又、４３６ ｎｍの光
での透過率は９９．２％であった。
実施例 ２
実施例１と同じニトロセルロースを酢酸ｎ−ブチルに溶
解させ、１重量％の溶液を作成した。
解させ、１重量％の溶液を作成した。
一方、５インチダのシリコンウェハの周囲に高さ３間、
内径１００ｍ＋ｎのステンレスフレームラ接着させたも
のを、水平度が１００ｍｍにつき０．５ミクロン以内と
なる様設置し、この上にニトロセルロース溶液３．６３
ノを滴下し乾燥させ、ウェハ上にニトロセルロース薄膜
を形成させた。
内径１００ｍ＋ｎのステンレスフレームラ接着させたも
のを、水平度が１００ｍｍにつき０．５ミクロン以内と
なる様設置し、この上にニトロセルロース溶液３．６３
ノを滴下し乾燥させ、ウェハ上にニトロセルロース薄膜
を形成させた。
次にアルミフレーム（内径８０消）の端面にエポキシ接
着剤（昭和高分子＠）製アラルダイドラピッＰ）を塗布
したものをニトロセルロース薄膜と接着させ、１時間硬
化させた。
着剤（昭和高分子＠）製アラルダイドラピッＰ）を塗布
したものをニトロセルロース薄膜と接着させ、１時間硬
化させた。
その後、このものを水の中に浸し、３０分放置後、ウェ
ハをハク離させ、水より取出し風乾させることにより、
アルミフレームにニトロセルロース薄膜がシワなく張ら
れたものが得られた。
ハをハク離させ、水より取出し風乾させることにより、
アルミフレームにニトロセルロース薄膜がシワなく張ら
れたものが得られた。
得られた防塵力・々−の薄膜の厚みは２．８７ ミクロ
ン、厚み精度±１．３係であり、均一性の高いものでち
った。又、３５０〜４５０ ｎｍでの光の透過率は、９
２．１係であった。
ン、厚み精度±１．３係であり、均一性の高いものでち
った。又、３５０〜４５０ ｎｍでの光の透過率は、９
２．１係であった。
実施例 ３
実施例１と同じニトロセルロースを酢酸ｎ−ブチルに溶
解し、ｌＯ重重量％溶液を作成した。
解し、ｌＯ重重量％溶液を作成した。
一方、６インチ２のシリコン基板上にナイフコーターを
設置し、ナイフと基板の間隔を４７ミクロンに設定し、
作成したニトロセルロース溶液をキャストし、風乾する
ことによりウエノ・上にニトロセルロースの薄膜を形成
させた。
設置し、ナイフと基板の間隔を４７ミクロンに設定し、
作成したニトロセルロース溶液をキャストし、風乾する
ことによりウエノ・上にニトロセルロースの薄膜を形成
させた。
次にアルミフレーム（内径６０園）の端面にエポキシ接
着剤（昭和高分子（株）製アラルダイトラピッド）を塗
布し、ニトロセルロース薄膜と接着させ、１時間硬化さ
せた。
着剤（昭和高分子（株）製アラルダイトラピッド）を塗
布し、ニトロセルロース薄膜と接着させ、１時間硬化さ
せた。
このものを水の中に浸し、３０分放置後ウつノ・をハク
離し、水よシ取出し風乾することによりアルミフレーム
にニトロセルロース薄膜がシワなく張られたものを得た
。
離し、水よシ取出し風乾することによりアルミフレーム
にニトロセルロース薄膜がシワなく張られたものを得た
。
得られた防塵カッ々−の薄膜の厚みは、２．８９ ミク
ロン、厚み精度は±１．７％であり均一性の高いもので
あった。又、３５０〜４５０ ｎｍでの光の透過率は９
２．０係であった。
ロン、厚み精度は±１．７％であり均一性の高いもので
あった。又、３５０〜４５０ ｎｍでの光の透過率は９
２．０係であった。
比較例 １
実施例１と同じ方法で作成したシリコンウエノ・上のニ
トロセルロース薄膜をノーり離するに際し、水の中に入
れずそのままノ・り離を行なったところ、ウェハのハク
離が困難で、ニトロセルロース薄膜が伸び、フレームに
シワなく張ったものを得ることが出来なかった。
トロセルロース薄膜をノーり離するに際し、水の中に入
れずそのままノ・り離を行なったところ、ウェハのハク
離が困難で、ニトロセルロース薄膜が伸び、フレームに
シワなく張ったものを得ることが出来なかった。
比較例 ２
表面積度２／２のガラス板をシリコン基板のかわりに使
用する以外は実施例３と全く同じ方法で防塵カバーを作
成した。
用する以外は実施例３と全く同じ方法で防塵カバーを作
成した。
舟られた防塵カッ々−の薄膜の厚みは２．８５ミクロン
、厚み精度は±３．２係であり、防塵カッ々−用薄膜と
しては厚みの均一性が不充分であった。
、厚み精度は±３．２係であり、防塵カッ々−用薄膜と
しては厚みの均一性が不充分であった。
特許出願人 旭化成工業株式会社
Claims (2)
- （１）溶液キャスト法によりニトロセルロース薄膜を平
滑基板上に形成せしめ、該薄膜にフレームを接着せしめ
た後、水中に浸して基板をノ・り離し、次いで乾燥する
ことを特徴とするフォトマスク用防塵カバーの製造方法 - （２）平滑基板がシリコン基板である特許請求の範囲第
１項記載のフォトマスク用防塵力・々−の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58144384A JPS6035733A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | フオトマスク用防塵カバ−の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58144384A JPS6035733A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | フオトマスク用防塵カバ−の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6035733A true JPS6035733A (ja) | 1985-02-23 |
Family
ID=15360875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58144384A Pending JPS6035733A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | フオトマスク用防塵カバ−の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6035733A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0241329A (ja) * | 1988-08-02 | 1990-02-09 | Asahi Kasei Denshi Kk | ペリクル用薄膜の製造方法 |
| JPH0516159A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 樹脂薄膜の製造方法 |
| US6342292B1 (en) | 1997-12-16 | 2002-01-29 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Organic thin film and process for producing the same |
-
1983
- 1983-08-09 JP JP58144384A patent/JPS6035733A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0241329A (ja) * | 1988-08-02 | 1990-02-09 | Asahi Kasei Denshi Kk | ペリクル用薄膜の製造方法 |
| JPH0516159A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 樹脂薄膜の製造方法 |
| US6342292B1 (en) | 1997-12-16 | 2002-01-29 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Organic thin film and process for producing the same |
| US6797207B2 (en) | 1997-12-16 | 2004-09-28 | Asahi Kasei Emd Corporation | Process for producing organic thin film |
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