JPS6035804A - サスペンデツトマイクロストリツプ回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、２個の平行金属面と、これら金属面間にこれ
ら金属面と平行に配置された基板と、該２・・基板の第
１主表面上に設けられた第１ス）　１１ツブ導体とを具
えるサスペンデッドマイクロストリップ回路に関するも
のである。

斯るサスペンデッドマイクロストリップ回路は”　Ｍｉ
ｃｒｏｗａｖｅｓ”（１９６８年９月〕り第８８〜第一
゛４６頁に掲載されているＨ　、Ｅ　、　Ｂｒｅｎｎｅ
ｒの論文″　Ｕｓｅ　ａ　ｃｏｍｐｕｔｅｒ　ｔｏ　ｄ
ｅｓｉｇｎ　５ｕｓｐｅｎｄｅｄ−ｓｕｂｃ＋ｔｒａｔ
ｅＩＣ”　に記載されている。特にマイクロストリップ
ラインはレーダや通信用のフィルタ、減衰器、Ｔ分岐、
混合器、サーキュレータ等のようなマイト１クロ波回路
を造るのに使用することができる。

通常、斯るマイクロ波回路は密閉された導体箱内に配置
される。この箱は回路電流の帰路として作動し、マイク
ロ波回路を周囲からの放射からシールドすると共にマイ
クロ波回路から周囲への放ＩＸ射を阻止する。導体箱は
両端が短絡された所定の長さの６導波管”を構成する。

この”導波管”の＠は、マイクロ波回路の動作周波数で
はその中をモード波が伝播し得ないように選択する。こ
れは、この″′導波管”は相当幅狭にしなければならな
い、１゜こと全意味する。これがため、平均的寸法のマ
イクロ波回路に対しては通常これを複数個の各別の導体
箱内に配置する必要がある。加えて、この″導波管″は
高い周波で実現することが難かしい。

これらの欠点を除去するため、幅広”導波管”′□を用
い、これに、発生し得るモードを減衰するために減衰層
を設けることが提案されているが、この場合には相当の
損失が生ずる欠点がある。

本発明の目的は、上記の欠点を除去し、不所望なモード
の励振および伝播を簡単な手段で阻止しＩｌｌた上述し
た種類のサスペンデッドマイクロストリップ回路を提供
せんとするにある。

本発明サスペンデッドマイクロスト１）ツブ回路では、
基板の第１表面上に第１ス）　ＩＪツブ導体から小距離
離してこれと平行に第２ストＩＩツブ導体１・・全設け
、この第２ストリツプ導体を第１ストリツプ導体に結合
させる。対称供給源を第１および第２ス）　ＩＪツブ導
体間に接続して波動現象をもっばら奇モードで発生させ
且つ対称負荷ｆ：第１および第２ストリツプ導体間に接
続する。　」・・ここで、マイクロストリップラインを
他のマイ１クロストリツプラインに結合して例えばフィ
ルタや方向性結合器を実現することは既知である。しか
し、この場合には本質的に偶モードと奇モード波の伝播
が起る。

奇モードで励振すると、第１および第２ス）　ＩＪツブ
導体は大きさが等しく反対極性の電位を有し、等しい電
流が第１および第２ストリツプ導体を反対方向に流れる
。電界は第１および第２ス）　ＩＪツブ導体の垂直２等
分面に対し奇一対称となり、電ｌ・・界はストリップ導
体近くに集中する。これに対し”導波管”の壁面近くの
電界は小さくなる。

本発明は、平行導電面間の２個のストリップ導体を奇モ
ードで励振すると、導電面の電流が低い値となって”導
波管”が励振されず、従って６導ｌ・波管”を大きくす
ることができるという認識に基づいて為したものである
。

本発明によるサスペンデッドマイクロストリップ回路は
、史に、そのインピーダンス範囲が単一ストリップ導体
を有しＴＥＭ波を伝播するサスペン！・・チットマイク
ロストリップラインよりも大きい利１点を有する。

本発明によるサスペンデッドマイクロストリップ回路は
、更に、スロットラインや兵士面形導波線路のような他
の平面形導波累子のように基板上・に存在する大金属表
面によって共振を生ずることがないという利点も有する
。

導波素子の長さによって原理的には任意の値のりアクテ
ィブ素子を実現することができる。斯るリアクティブ素
子は動作波長に対するその長さおｌ・１よび終端方法（
開放／短絡）に応じて誘導性或は容量性になる。斯る物
足の長さの導波素子は特にマイクロ波回路の実現に使用
される。従って、平衡リング、フィルタ、減衰器、Ｔ分
岐、混合器、サーキュレータ等のようなマイクロ波回路
を不発１５明によるサスペンデッドマイクロストリップ
ラインで実現することができる。

サスペンデッドマイクロストリップライン又はこれによ
り実現されたマイクロ波回路が非対称の場合、偶モード
が発生し得る。偶モードと関連す２．・る２個の平行金
属面における電流は、奇モードに□よる電流と異なり、
互に加わり合って増大するため相当大きくなる。この偶
モードは、金属面を導電性材料と抵抗性材料で形成する
ことにより減衰させることができる。

奇モードサスペンテッドマイクロストリップ回路で実現
されたマイクロ波回路はそれらの共通の特注として偶モ
ードの励振全阻止する高度の対称性を有する。

本発明によるサスペンデッドマイクロストリソ１ドブラ
インのベンドにおいては、第１および第２ストリツプ導
体の電気長音等しい長さに維持するために、第１および
第２ストＩＪツブ導体をベンド角の２等分方向にスロッ
トで切断し、第１ストリツプ導体と第２ス）　ＩＪツブ
導体を交差接続する。　Ｉ。

本発明によるサスペンデッドマイクロストリップ回路に
２いては、誘電体基板の第２主表面を導波素子のマウン
ト用に使用することもできる。このようにして直列Ｔ１
並列Ｔ、マジックＴのようなＴ分岐を実現することがで
きる。両面の使用に２．。

つ１− より険めて良好な対称性とコンパクトな構造を実１現す
ることができる。

以下、図面につき本発明の種々の例を説明する。

図面において各図における対応する部分は同一の符号で
示した。

第１図に示す既知のサスペンデッドマイクロストリップ
ラインは互に平行な金属面１および２と誘電体基板８と
、その上に設けられたストリップ導体４とから成る。こ
のサスペンデッドマイクロストリップラインは’Ｉ’Ｅ
Ｍモードで作動する。金属１゛而１および２は基板８と
その上に設けられたストリップ導体４を完全に囲む導体
箱の１部を構成する。サスペンデッドマイクロストリッ
プラインは、基板の一方の主表向上にス）　ＩＪツブ導
体を設は他方の主表面上に金属面を設けて成る慣例のマ
イク１５０ストリツプ線路に対しいくつかの利点を有す
る。

第１の利点は、誘電体が主として空気で構成されるため
、基板の不均質による妨害が著しく小さい点にある。第
２のオリ点は、常用５０オームインピーダンスを理想的
に幅広の導体で実現でき、その２・・（１１） 結果、製造中に満足すべき写真平版精度を低減す゛るこ
とかできる点にある。更に、導体損が小さく、これはミ
リ波帯用に特に重要である。第３の利点は、基板の両面
をマイクロ波回路に使用できる点にある。

マイクロストリップラインおよび特にマイクロストリッ
プラインで実現されたマイクロ波回路を収納する導体箱
は導波管の形態の伝送線路素子を構成する。この導波管
の幅は、マイクロ波回路の動作周波数範囲において導波
管モード波がその中Ｉ・を伝播し得ないように選択する
。このことは、導波管の幅すを相当小さくする必要があ
ることを意味する。従って、平均寸法のマイクロ波回路
でも複数個の各別の金属箱内に収納する必要があり、こ
れは費用がかかるのみならず、画周波数に対し１５ては
実現が困難となる。

第２図は本発明回路に使用するサスペンテッドマイクロ
ストリップラインの断面図である。本発明では第２ス）
　ＩＪツブ導体５を誘電体基板８上に第１ス）　１７ツ
プ導体４と平行に設ける。第ｌ導体！・・（１２） ４と第２導体５との間のギャップＳを内導体４お１よび
５の幅Ｗよジ（相当）小さくして、内導体４および５を
互に電磁的に結合する。

本発明回路用サスペンデッドマイクロストリップライン
は大きなインピーダンス範囲をカバーし５得る。即ち、
低い特注インピーダンスは互に小距離（Ｓ）離れた幅広
の導体４．５（Ｗが大〕によＶ実現することができ、更
にこれら導体対の上方全延在する金属カバー又は基板の
反対側面上を延在する金属面によって特注インピーダン
スを更に減少１０させることができる。他方、高い特性
インピーダンスは比較的大距離（Ｓ）離れた幅狭の導体
４，５（Ｗ小）により達成される。導体４および５は奇
モードで励振し、駆動する。この場合、内導体は大きさ
が等しく極性が反対の電位を有し、等しい１５電流が内
導体を反対方向に流れる。電界は内導体４および５の垂
Ｍ２等分面に対し奇対称となり、電界は内導体４および
５間に集中する。従って、導体筒付近ｐよびス）　ＩＪ
ツブ導体からある程度離れた所では大きさが等しく極性
が反対の電位のた。！（・めに電界は極めて弱い。これ
がため、金属面１お１よび２における奇モード波と関連
する電流は極く僅かとなる。即ち、奇モードの励振は、
′導波管”が殆んど励振されず、′導波管”を大きくす
ることができるという大きな利点をもたらす。実験の１
結果、５倍の大きさの導波管内に配置されたマイクロ波
回路を偶モード励振した場合に発生される共振が奇モー
ド励振の場合には発生しないことが確かめられた。

金属面ｌおよび２における壁面電流が小さいこ１０とは
、金属面１および２の一方を除去した状態でマイクロ波
回路による種々の実験を行なうことができるという利点
をもたらす。

更に、本発明によるサスペンデッドマイクロストリップ
ラインは、スロットラインおよび共平面１５導波線路の
ような他の平面導波素子と比較して、これら導波素子の
基板上に存在する大きな金属表面のために共振が起るこ
とがない利点を有する。

本発明回路用サスペンデッドマイクロストリップライン
は以後略してＳＯＭ　（５ｕｐｅｎｄｅｄ　Ｏｄｄ−ｍ
ｏｄｅ　４．１ＭｉＯｒｒｅＳｔｒｉｐ　Ｊラインと称
す。

奇モード励振の場合に偶モードが励振されるのを阻止す
るためには、ストリップ導体およびこれら導体で実現さ
れたマイクロ波回路を対称に設計する必要がある。しか
し、製造公差のために、こ５れは実際上必ずしも実現で
きない。しかも、偶モード励振は金属面１および２に比
較的大きな壁面電流を生ずる。これらの電流、従って偶
モード波は金属面１および２を良導電材料と抵抗材料の
交互の部分で形成することにより減衰させることがＩｌ
ｌできる。第８図は低導電率の材料の導体網７で分離さ
れた高導電率の導電矩形部分６がら成る金属面１又は２
を示す。

一端が短絡されたある長さの導波管内に波を送り込むと
、その波は短絡端で反射される。そして１５この波は入
力端に入力波に対し移相されて戻シ、この移相は導波管
の長さに依存する。反射は短絡以外にも線路の種々の不
連続部によっても生じ得る。

斯る伝送線路区分はりアクティブ素子として作ノ・・（
１５） 動させることができ、波長および終端の方法に応１じて
誘導性、抵抗性又は容量性とすることができる。斯る導
波管区分を用いて種々のマイクロ波回路を実現すること
ができ、これら回路は連続導波管を横切るよう配置する
ことができる。本発明す゛″スベンデツドマイクロスト
リツプラインよって種々のマイクロ波回路素子を実現す
ることができる。これら回路素子は不所望なモードの励
振を阻止するために高度に対称である特徴を有する。

第４図は本発明サスペンテッドマイクロス）Ｉｌｌ・）
ツブライン用モード変換器を示す。この信号変換器は波
を奇モードでのみ発生する平衡供給源の１部を構成する
。この信号変換器は基板８の第１主表面上に設けられた
ストリップ導体６８より成るマイクロストリップライン
と第２主表面上に設け■５られた導電面６６とを具える
。第１主表面上の導体パターンは図に実線で示し、第２
主表面上の導体パターンは破線で示す。マイクロストリ
ップライン６３はλ／４の長さを有する扇形導体６４の
形態の広帯域インピーダンスで終端する。不平衡、・・
・供給源はマイクロストリップライン６８に接続スする
ことができる。導電面６６内のスロットから成るスロッ
トライン６５をマイクロストリップライン６８に結合す
る。スロットライン６５は各端を円形孔６７および６８
から成る極めて高い終端インピーダンスでそれぞれ終端
する。ＴＥＭ波がマイクロストリップライン６８内を伝
播する場合、準ＴＥＭ波がスロットライン６５上に励振
される。

スロットライン６５を、第１表面上に設けられていてＳ
ｏｌラインのストリップ導体４および５の１１−２個の
隣接端を接続する環状接続導体６９に結合する。スロッ
トライン６５と接続体６９間の結合は電磁直列Ｔ分岐と
して機能し、８０Ｍラインの両ストリップ導体に対し対
称な点の両側に延在する′Ｔ”の分岐（接続導体部分）
に大きさが等しく１５極性が反対の電界が発生するため
、波は８０Ｍ　ラインに奇モードでのみ発生される。接
続導体６９の長さはλ／２とするのが好適である。第４
図のマイクロ波回路は可逆性で、不平衡負荷を８０Ｍラ
インに平衡に接続するのに用いることもできる。　２゜
（］６　フ 第５図は本発明サスペンデッドマイクロストリ１ツブラ
インのベンドを示す。両ストリップ導体は角度αに亘っ
て延在する同心円弧とする。両ストリップ導体は角度α
を２等分する半径方向スロット６０で導体部分４．４′
および５．５′例分割し、゛″導体部分４′および５を
基板３上に設けられた導電ス）　ＩＪツブ６】で相互接
続すると共に導体部分４および５′ヲストリツプ６１上
’を交ｘするワイヤ６２で相互接続する。

第６図は本発明サスペンデッドストリップライ１（・ン
のベンドの他の例を示す。これら両側の各ベンドのオリ
点は、ベンドの電気通路長が両ストリップ導体に対し同
一であるため、両ス）　ＩＪツブ導体上の電気現象間の
位相偏差が阻止される点にある。

第７図は導体８および９を具える第２サスペン１５デツ
ドマイクロストリツプラインをクロスオーバする導体４
および５を具える第１サスペンデツドマイクロストリツ
プラインを示す。これら８０Ｍラインの導体４−５およ
び８−９はクロスオーバ部付近で、幅狭にすると共に、
両溝体間のギャップ２゜を減少させて８０Ｍラインの％
性インピーダンス□を同一値に維持する。８０Ｍライン
４・−５はクロスオーバ部において３０Ｍライン８−９
の幅より大きな距離に亘って切断する。各導体４および
５のクロスオーバ部の両側部分音それぞれのワイヤ゛６
２で相互接続する。この構成は２対のストリップ導体の
相互作用部分が極めて小さいために、良好な減結合が得
られる利点を有する。

マイクロストリップラインはザスペンテツドマイクロス
トリップラインとして形成されるため、１０誘電体基板
３の第２主表面もマイクロ波構造用に用いることもでき
る。これを利用してＴ分岐を構成することができる。Ｔ
分岐は電力分割器としておよびブリッジ回路に用いられ
る。第８．第９および第１０図に示すＴ分岐においては
誘電体基板１・・ａ上に設けられた導体を実線で、第２
主表面上の導体を破線で記号的に示す。導体間のギャッ
プＳは寸法通りに示してない。

第８ａ図は直列Ｔ分岐を示す。この分岐においては基板
３の第１主表面上において第１導体対１２．・・１１３
を第１端子１０および第２端子ｌ】に接続し、゛第２導
体対１６．１７ｉ第８端子１４および第４端子１５に接
続する。第１．第２．第３訃よび第４端子は仮想の矩形
のコーナに位置させ、第１および第２導体対を整列させ
る。第８導体対］８．′１９の一端を第２端子１１およ
び第４端子１５に接続し、他端全端子２６および２７に
接続し、この導体対は第１および第２導体対に対し直角
とする。第４導体対２２．２８を、第８ｂ図に第８ａ図
の■Ｂ−■Ｂ線上の断面図で示すように、基板１＋１８
の第２主表面上に第８導体対１８．１９と平行に対向さ
せて設ける。第４導体対２２．２８の一端を第６端子２
４および第５端子２０に接続する。

第８２よび第４導体対１８．１９および２２．２３全動
作周波数において４分の１波長の長さとするｄ”第４導
体対２２．２８の他端を第８導体対１８゜１９に（例え
ば基板８０貫通孔を経て）接続する。

第６端子２４を端子１４に、第５端子２０全端子】０に
接続する。導体対］　２．１８の特注インピーダンスは
導体対１６．１７の特注インビーダン、。

（２０） スに等しくする。

直列Ｔ分岐ｆｆ１ｉｌｆ刀分割器として用いると、その
動作は次の通りである。信号源（図示せず〕を導体対１
８　、１．９の端子２６および２７に接続すると、供給
エネルギーは導体対１２．１３と導体対５１６．１７と
に均等に分割される。逆の場合はＴ分岐は次のように作
動する。第１の波が導体対１６．１７上を伝播し、第２
の波が導体対１２゜１８上を伝播して来ると、両波のベ
クトル差が端子２６および２７に現われる。両波が等位
相およ１υび等振幅のときは端子２６および２７におけ
る信ｇは零になる。

この直列Ｔ分岐は、２対の４分の１波長導体１８．１９
および２２．２８によって１つの信号源が導体】２およ
び１６問および導体１８および１５１７間にあって互に
独立に作動する２個の信号源とみなせるようになる利点
を有する。

他の利点は基板の両生表向音用いて平衡形のコンパクト
なＴ分岐が実現される点にある。

第８Ｃ図は、第８ａ図の直列Ｔ分岐において第２・（４
端子１５と第５端子２０との間に第１抵抗２１１を、第
２端子］】と第６端子２４との間に第２抵抗２５を接続
して得られる平衡形石列７公岐（いわゆるｌ５Ｏ−ＴＥ
Ｅ）を示す。抵抗２４および２５は同一抵抗値を有する
。これら抵抗および８個の゛ＳＯＭラインの特性インピ
ーダンスを適切に選択することによって分岐１２−ｉａ
および１６−１７間を減結合することができる。不整合
により発生される如何なる反射電力も抵抗２】および２
５において消去される。

第９ａ図は並列Ｔ分岐を示す。この分岐においては基板
８の主表面上において、第１導体対１２゜１８を端子１
０，１１に、第２導体対１６．１７を端子１４．１５に
接続する。第８導体対１８゜１９を端子１１，１１１に
接続すると共に導体対　１５１２．１８および１６．１
７と直角にする。第４導体対２２，２８ｔ”基板８の第
２主表面上に、第９ｂ図に第９ａ図のＩＫＢ−ＩＸＢ線
上の断面図で示すように、第８導体対と対向させて設け
る。第４導体対２２．２３は４分の１波長の長さとし、
そｉｌｌれらの一端を端子２０．２４に、他端を導体１
８．１９に接続する。端子２０は端子］０に、端子２４
は端子１４に接続する。

この並列Ｔ分岐の特性は第８ａ図の直列Ｔ分岐について
述べた特性と同様である。

第９０図は、第９ａ図に示す並列Ｔ分岐の第４端子１５
と第５端子２０との間に第１抵抗２１を接続し、第２端
子１１と第６端子２４との間に第２抵抗２５を接続して
得られる平衡形並列Ｔ分岐を示す。

第１０図はいわゆるマジックＴを示す。このマジックＴ
ｌＩ：ｒ、第８ａ図に示す血判Ｔ分岐と第９ａ図に示す
並列Ｔ分岐とから成る。第１導体対１２゜１８を端子１
０．１１に、第２導体対１６．１７を端子］、　４　、
１５に接続する。第８導体対１８，１５２８は一端を端
子１１および１５に接続し、第４導体対１９．２２は一
端を端子１０．１４に接続する。第８および第４導体対
は第１および第２導体対に対し直角にする。導体１９お
よびｚ２は基板８の第２主表面上に設け、４分の１波長
の長さｊ・（にすると共に、それらの他端を導体１８お
よび　１２３に接続する。第５導体対２８．２９は一端
を端子１４．１５に接続し、第６導体対８０，１３１に
一端を端子１０および１１に接続する。第５および第６
導体対は第１および第ｉ導体対に対１−直゛角とする。

導体８０．３１は基板８の第２主表面上に設け、４分の
１波長の長さにすると共に他端を導体２８および２９に
接続する。第１．第２゜第８および第４導体対は直列Ｔ
分岐を、第１．第２、第５および第６導体対は並列Ｔ分
岐を形成す１０る。

マジックＴは、１導体対内の波の反射が・他の導体対を
それらの％性インピーダンスで終端すると零になる！！
！ｊ注を有する。更に、マジックＴは、導体対１６．１
７を導体対１２．１８から減結合１５すると共に導体対
２６．２７’に導体対８２．８８から減結合する特性ヲ
有する。

第１］図はサスペンデッドマイクロストリップライン用
サーキュレータを示す。このサーキュレータに於いては
８対の導体４８．４４および４５曳（２６） を互に１２０°の角度に配設し、図のように相互液１絖
する。フェライト円筒４６を８対の導体４８゜４４詮よ
び４５の接続部に設ける。矢印の方向は、図示の靜磁界
方向では例えば導体対４８から接続部に入った波は導体
対４４から出ることを示す。　′第１２ａ図は広帯域可
動負荷インピーダンスを示す。素抵抗Ｒ口に有する抵抗
材料から成る１部が楔形に形成された部材５Ｂを導体対
４７．４８の上方に設ける。８０Ｍライン（導体対４７
．４８）と部材５８との間に非導電性（即ち誘電材料の
Ｊ　１０板６２を設けてそれらの間の直接接触全阻止す
る。

部材５８の］部分を楔形にして８０Ｍラインの良好な整
合負荷を与えると共に、更にＳＯＭライン會その特性イ
ンピーダンス５１（Ｚｏｏ）で終端して部材５３の後側
（即ち部材５８の楔形でない端１５部の後側〕で反射が
起らないようにする。

第ｉ２ｂ図は第１２ａ図の■Ｂ−ＸＩＢ線上の断面図で
ある。

＄１８ａ図はサスペンデッドマイクロストリップライン
用狭帯域可動短絡回路を示す。Ｕ字形溝２゜（２４） 体５４を導体対４１７．４８上に非導電板５６で絶゛縁
して設ける。８０Ｍラインはその特注インピーダンス５
１（Ｚｏｏ）で終端してＵ字形導体５４の後側における
反射全阻止又は減衰させる。Ｕ字形導体５６の脚部を４
分の１波長の長さにしてＳＯＭ　”ラインとＵ字形導体
５４との間を狭帝砿に亘ってＲＦ結合させる。

第１８ｂ図は１４１　ａ　’ａ、図のＸＩ　Ｂ　−ＸＩ
　Ｂ線上の断面図である。

第１４ａ図はサスペンデッドマイクロストリフ１０プラ
イン用広帯域可動短絡回路を示す。導電ストリップ５５
７に導体対４７．４８上に設ける。８０Ｍラインは％注
インピーダンス５１（Ｚｏｏ）で終端する。

第１４ｂ図は第１４ａ図のＸＩＶ　Ｂ　−ＸＩＶ　Ｂ線
上の１ｂ断面図である。

本発明は図示のマイクロ波回路にのみ限定されるもので
はない。例えばフィルタ、減衰器および移相器も本発明
サスペンデッドマイクロストリップラインで実現するこ
とができる。本発明マイクツ・・口波回路は例えば混合
器や増幅器を実現し得るシ１ヨツトキーバリヤダイオー
ドやトランジスタのような能動素子を含むこともできる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は既知のサスペンデッドマイクロス）　＋３５ツ
ブラインの断面図、 第２図は本発明回路に使用するサスペンデッドマイクロ
ストリップラインの一例の断面図、第８図は第２図の例
に用いる金属面の一例の平面図、 第４図は第２図の例に用いるモード変換器の一例の平面
図、 第５図は本発明によるサスペンデッドマイクロス）　Ｉ
Ｊツブ回路のベッドの一例を示す平面図、第６図は該ペ
ンドの他の例を示す平面図、第７図は本発明による２個
のサスペンデッドマイクロストリップラインのクロスオ
ーバを示す平面図、 第８ａ図は本発明回路用囲動Ｔ分岐の一例の平面図、　
２υ （２７） 第８ｂ図は第８ａ図の■Ｂ−■Ｂ線上の断面図、１第８
Ｃ図は第８ａ図の直列Ｔ分岐の変形例の平面図、 第９ａ図は本発明回路用並列Ｔ分岐の一例の平面図、 第９ｂ図は第９ａ図のＩＸＢ−ＩＫＢＩ上の断面図、第
９０図は第９ａ図の並列Ｔ分岐の変形例の平面図、 第１０図は本発明回路用マジックＴの一例の平面図、 第１１図は本発明回路用サーキュレータの一例の平面図
、 第１２ａ図は本発明回路用負荷インピーダンスの一例の
平面図、 第１２ｂ図は第１２ａ図の■Ｂ−ＸｌｌＢｉ上の断面１
−・図１ 第１８ａ図は本発明回路用短絡回路の一例の平面図、 第１８ｉ１図は第１８ａ図のＸＩＢ−ＸＩＢ線上の断面
図、 ｉ　１４　ａ図は本発明回路用短絡回路の他の例の１平
面図、 第１４１）図は第１４ａ図（Ｄ　ＸＩＶＢ　−ＸＩＶＢ
線上の断面図である。 １．２・・・金属面　８・・・誘電体基板　１瘍、５・
・・第１．第２ストリツプ導体６・・・導電部分　７・
・・抵抗部分 ６８・・・ス）　ＩＩｌツブ体　６４・・扇形導体６５
・・・スロットライン ６７　、６８・・・終端インピーダンス、６９・・・接
続導体　６１・・導体ス）　ＩＪツブ６２・・・ワイヤ ８．９・・・第２サスペンデツドマイクロストリツプラ
イン １２　、１８・・・第１ストリツプ導体対１６　、１７
・・・第２ストリツプ導体対１８　、１９・・第８スト
リツプ導体対２２　、２８・・第４ストリツプ導体対２
８　、２９・・・第５ストリツプ導体対８０　、８１・
・・第６ストリツプ導体対　２゜（Ｂ８　） １０　、　１１　、　１４　、　１５　、　２０　、　
２４　、　２６　、　２７　、　３３　、’３２・・・
端子 ２１　、２５・・・抵抗 ４８　、４４　、４５・・・ストリップ導体対４６・・
・フェライト円筒 ４７　、４８・・・ストリップ導体対 ５２・・・非導電板　５８・・・楔形抵抗部材５１・・
終端インピーダンス ５４・・・Ｕ字形導体　５５・・導体ス）　ｌツブ。 特許出願人　エヌ・ベー・フィリップス・フルーイラン
ベンファブリナン 特開ＢＵＢＯ−３５８０４（９） ＦＩＧ、２ ＦＩＧ、９ｂ ＦＩＧ、９ｃ ７ｍ、 特開日＃ＧＯ−３５８０４（１１） ｌＧ１１ｈ Ｊ　（ １１ １ １１１ ，１１（ ／　ＩＩ　＼ ／八へ ／／＼　＼ ／／　＼　、 ／／　＼　＼ ／／　＼　、 ／　／　＼ ／　〕＼　＼ 墨　−νｅ１％／−ノ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 Ｌ　２個の平行金属面間に平行に配置された誘５電体基
   板を具えるサスペンデッドマイクロストリップ回路にお
   いて、前記誘電体基板の第１表面に、仮想矩形のコーナ
   に位置する４個の端子と、該矩形の同−辺に属する第１
   および第２端子に接続された第１ストＩＪツブ導体１・
   Ｉ対と、前記矩形の第８および第４端子に接続され、第
   １ストリツプ導体対と一直線に整列する第２ストリツプ
   導体対と、前記矩形の同−辺に属する第２および第８端
   子に接続され、第１および第２ストリツプ導体対に対し
   直角１゛・に延在する第８ス）　ＩＪツブ導体対と、第
   １端子と第５端子との間の接続部材とを設け、且つ前記
   誘電体基板の第２表面上に、第８ストリツプ導体対と対
   向して位置すると共に４分の１波長の長さを有し、一端
   が第５および第２・。 ６端子に接続され、他端が第８ス）　ＩＪツブ導１体対
   に接続された第４ストリツプ導体対と；第４および第６
   端子間の接続部材とを設けて成る直列Ｔ分岐を具え、前
   記各対のス）　１７ツブ導体は互に小距離離れて平行に
   延在して互□に電磁的に結合し、奇モードで電磁波を伝
   播するものであることを特徴とするサスペンデッドマイ
   クロストリップ回路。 ＆　特許請求の範囲ｌ記載のサスペンデッドマイクロス
   ）　ＩＪツブ回路において、第８端子が口）第５端子に
   第１抵抗を経て接続され、第２端子が第６端子に第２抵
   抗を経て接続され、且つ第１抵抗の抵抗値が第２抵抗の
   抵抗値に等しくしであることを特徴とするサスペンデッ
   ドマイクロストリップ回路。 ｌＬ２個の平行金属面間に平行に配置された誘電体基板
   を具えるサスペンデッドマイクロストリップ回路におい
   て、前記誘電体基板の第１表面に、仮想矩形のコーナに
   位置する４個の端子と、該矩形の同−辺に属する第１お
   よ、１゜び第２端子に接続された第１ス）　ＩＪツブ導
   体１対と、前記矩形の第８および第４端子に接続され、
   第１ストリツプ導体対と一直線に整列する第２ストリツ
   プ導体対と、前記矩形の同−辺に属さない第１および第
   ８端子に接続さ゛れ、第１および第２ストＩＪツブ導体
   対に対し直角に延在する第８ストＩＪツブ導体対と、第
   ２および第５端子間の接続部材および第４および第′６
   端子間の接続部材とを設け、且つ前記誘電体基板の第２
   表面上に、第８ストリツ１篭）プ導体対と対向して位置
   すると共に４分の１波長の長さを有し、一端が第５およ
   び第６端子に接続され、他端が第８ス）　ＩＪツブ導体
   対に接続された第４ス）　ＩＪツブ導体対を設けて成る
   並列Ｔ分岐を具え、前記谷対のス）　ＩＩツ１′・プ導
   体は互に小距離離れて平行に延在して互に電磁的に結合
   し、奇モードで電磁波を伝播するものであることを特徴
   とするサスペンデッドマイクロストリップ回路。 ４　特許請求の範囲８記載のサスペンデツドマ１．。 イクロス）　ＩＪツブ回路にかいて、第１端子が□第６
   端子に第１抵抗を経て接続され、第８端子が第５端子に
   第２抵抗を経て接続され、第１抵抗の抵抗値が第２抵抗
   の抵抗値に等しくしであることを特徴とするサスペンデ
   ッドマイクロストリップ回路。 艮　２個の平行金属面間に平行に配置された誘［体基板
   を具えるサスペンデッドマイクロストリップ回路におい
   て、前記誘電体基板の第１表面上に、仮想矩形のコーナ
   に位置する４１・・個の端子と、該矩形の同−辺に属す
   る第１および第２端子に接続された第１ス）　ＩＪツブ
   専体対と、前記矩形の第８および第４端子に接続され、
   第１ストリツプ導体と一直線に整列する第２ス）　ＩＩ
   ツブ導体対と、前記矩形の同１・−辺に属さない第１お
   よび第４端子に接続され、第１および第２へへ※曵スト
   Ｉ）ツブ導体対に対し直角に延在する第８ストリツプ導
   体対と；第３および第５端子に接続され、第３ス）　Ｉ
   Ｊツブ導体対と一直線に整列する第４ス！・・トリップ
   導体対と、第５端子と第４端子との１間の接続部材とを
   設け、且つ前記誘電体基板の第２表面上に、第８スト＋
   １ツブ導体対に対向して位置すると共に４分の１波長の
   長さを有し、一端が第２および第３端子に接続され−・
   他端が第８ス）　ＩＪツブ導体対に交差接続された第５
   ストリツプ導体対と、第４ストリツフ導体対に対向して
   位置すると共に４分の１波長の長さを有し、一端が第１
   端子および第２端子に接続された第６端子に接続され他
   端が１・）第４ス）　ＩＪツブ導体対に接続された第６
   ストリツプ導体対を設けて成るマジックＴＴｈ具え、前
   記開封のストリップ導体は互に小距離離れて平行に延在
   して互に電磁的に結合し、奇モードで電磁波を伝播する
   ものであること金時１５徴とするサスペンデッドマイク
   ロストリップ回路。