JPS6035806A - 電圧制御発振器 - Google Patents
電圧制御発振器Info
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- JPS6035806A JPS6035806A JP58144771A JP14477183A JPS6035806A JP S6035806 A JPS6035806 A JP S6035806A JP 58144771 A JP58144771 A JP 58144771A JP 14477183 A JP14477183 A JP 14477183A JP S6035806 A JPS6035806 A JP S6035806A
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- JP
- Japan
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- current source
- transistor
- constant current
- oscillation
- emitter
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- Pending
Links
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 abstract description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
- H03B5/1212—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair
- H03B5/1215—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair the current source or degeneration circuit being in common to both transistors of the pair, e.g. a cross-coupled long-tailed pair
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、主に半導体集積回路で構成される電圧制御発
振器に関するものである。
振器に関するものである。
第１図に電圧制御発振器の従来例を示す。第１図で端子
Ｂ、Ｃは制御入力端子でめ９、端子りは発振出力端子で
あり、端子Ａは電源端子である。
Ｂ、Ｃは制御入力端子でめ９、端子りは発振出力端子で
あり、端子Ａは電源端子である。
トランジスタＱ３．Ｑ４と、端子Ａ、Ｄ間に接続された
コイルＬ１．コンデンサＣ１によるタンク回路とによっ
て発振回路を栴成し、トランジスタＱ３．Ｑ４のベース
−エミッタ間等価容ｔ（Ｃｅｂ）とタンク回路とからな
る共振回路によって発振周波数が決定される。一方、ト
ランジスタＱ３１Ｑ４のエミッタ電流は互に等しく、ト
ランジスタＱ１゜Ｑ２及び定電流源ｉｏｔ とからなる
差動増幅器が可変電流源としてエミッタ電流を制御する
。トランジスタＱ ａ ｔ Ｑ ４の等価ベース・エミ
ッタ間容量（Ｃｅｂ）はエミッタ電流の増加に対応して
増加する時性があシ、従ってタンク回路と、等価ペース
・エミッタ間容量とからなる共振回路で決定される発振
周波数は、トランジスタＱ３ｔ Ｑ４のエミッタ電流の
増加に相互して低下する。さらにトランジスタＱ３．Ｑ
４のエミッタ電流は差動増幅器を構成するトランジスタ
Ｑｌ、Ｑ２で制御されるので、結局前記発倣周波数はト
ランジスタＱｌ、Ｑ２のペース（端子Ｂ、Ｃ）に印加さ
れる制御電圧により、制御される。第１図の従来例の場
合、前記発振周波数の変化幅を大きくとろうとすると、
必然的にトランジスタＱ３．Ｑ４のエミッタ電流の変化
幅も大きくなる。このとき、例えば発振周波数の上限に
近づくと、トランジスタＱ ａ ＋ Ｑ ４のエミッタ
電流は極めて苓に近づくこととなり、最悪の場合、発振
が停止してし１う場合が発生する。
コイルＬ１．コンデンサＣ１によるタンク回路とによっ
て発振回路を栴成し、トランジスタＱ３．Ｑ４のベース
−エミッタ間等価容ｔ（Ｃｅｂ）とタンク回路とからな
る共振回路によって発振周波数が決定される。一方、ト
ランジスタＱ３１Ｑ４のエミッタ電流は互に等しく、ト
ランジスタＱ１゜Ｑ２及び定電流源ｉｏｔ とからなる
差動増幅器が可変電流源としてエミッタ電流を制御する
。トランジスタＱ ａ ｔ Ｑ ４の等価ベース・エミ
ッタ間容量（Ｃｅｂ）はエミッタ電流の増加に対応して
増加する時性があシ、従ってタンク回路と、等価ペース
・エミッタ間容量とからなる共振回路で決定される発振
周波数は、トランジスタＱ３ｔ Ｑ４のエミッタ電流の
増加に相互して低下する。さらにトランジスタＱ３．Ｑ
４のエミッタ電流は差動増幅器を構成するトランジスタ
Ｑｌ、Ｑ２で制御されるので、結局前記発倣周波数はト
ランジスタＱｌ、Ｑ２のペース（端子Ｂ、Ｃ）に印加さ
れる制御電圧により、制御される。第１図の従来例の場
合、前記発振周波数の変化幅を大きくとろうとすると、
必然的にトランジスタＱ３．Ｑ４のエミッタ電流の変化
幅も大きくなる。このとき、例えば発振周波数の上限に
近づくと、トランジスタＱ ａ ＋ Ｑ ４のエミッタ
電流は極めて苓に近づくこととなり、最悪の場合、発振
が停止してし１う場合が発生する。
この椋な電圧制御発振器を例えば応用としてＰＬＬに使
用すると、入力周波数の上限に対して、′厄圧制御発低
器の追従性が、前記発振の停止と云う異常状態に陥いる
ことになり、極めて不安定である。
用すると、入力周波数の上限に対して、′厄圧制御発低
器の追従性が、前記発振の停止と云う異常状態に陥いる
ことになり、極めて不安定である。
本発明の目的は発振停止をなくすことのできる電圧制御
発振器を提供することにある。
発振器を提供することにある。
本発明の電圧制御発振器は、工ばツタを共通に接続した
第１および第２のトランジスタと、前記第１および第２
のトランジスタの各々のコレクタ間に接続したタンク回
路と前記第１．第２のトランジスタの共通エミッタに接
続され発振周波数を制御する可変電流源と、前記第１の
トランジスタのベースに前記第２のトランジスタのコレ
クタを結合する手段と、前記第２のトランジスタのベー
スに前記Ｍ１のトランジスタのコレクタを結合する手段
とを有する電圧制御発振器において、前記第１Ｉ第２の
トランジスタの共通エミッタにさらに定電流源を接続し
たことを特徴とする。
第１および第２のトランジスタと、前記第１および第２
のトランジスタの各々のコレクタ間に接続したタンク回
路と前記第１．第２のトランジスタの共通エミッタに接
続され発振周波数を制御する可変電流源と、前記第１の
トランジスタのベースに前記第２のトランジスタのコレ
クタを結合する手段と、前記第２のトランジスタのベー
スに前記Ｍ１のトランジスタのコレクタを結合する手段
とを有する電圧制御発振器において、前記第１Ｉ第２の
トランジスタの共通エミッタにさらに定電流源を接続し
たことを特徴とする。
本発明の実施例は第２図に示すように、トランジスタＱ
３．Ｑ４の工ばツタ接続点に新しく定電流源Ｉ。ｔをそ
う人することで前記発振停止の異常をなくしたことを特
徴とする。すなわち、端子Ｂ。
３．Ｑ４の工ばツタ接続点に新しく定電流源Ｉ。ｔをそ
う人することで前記発振停止の異常をなくしたことを特
徴とする。すなわち、端子Ｂ。
Ｃに印加された制御電圧によってトランジスタＱ１のコ
レクター電ｂＩＬが零に近づいた場合でも、トランジス
タＱ ３＋ Ｑ ４のエミッタ電流の減少は定電流源■
。２によって制限されるので、前記第１図の従来例で述
べたエミッタ電流減少による発振停止はなくなる。
レクター電ｂＩＬが零に近づいた場合でも、トランジス
タＱ ３＋ Ｑ ４のエミッタ電流の減少は定電流源■
。２によって制限されるので、前記第１図の従来例で述
べたエミッタ電流減少による発振停止はなくなる。
但し、定電流源Ｉ０１と定電流源ｉｏｚの定流値は３対
１程度以下としないと、電圧制御発′Ｉｈｉ益の制御利
得が減少したり、発振周波数の変化幅が低下したり、変
化幅がはらつく等と飲う笑用的なｆｂ１１約かめる。
１程度以下としないと、電圧制御発′Ｉｈｉ益の制御利
得が減少したり、発振周波数の変化幅が低下したり、変
化幅がはらつく等と飲う笑用的なｆｂ１１約かめる。
一方、本実施例を半導体集積（ロ）路で構成する場合、
同一チップ内に存在する抵抗値間の相対精度を確保する
ことが容易でるると云う利点から、定電流源Ｉ０．．Ｉ
◎２の′岨流比の艮好な精度を確保することは容易で、
しかも前記定電流源の比を３：ｌ以下とすることも牛専
体来槓回路では２容易に連取できる。
同一チップ内に存在する抵抗値間の相対精度を確保する
ことが容易でるると云う利点から、定電流源Ｉ０．．Ｉ
◎２の′岨流比の艮好な精度を確保することは容易で、
しかも前記定電流源の比を３：ｌ以下とすることも牛専
体来槓回路では２容易に連取できる。
第２図のｗ電流源の１ｇＪＩＩｉ１８例を第３図に示す
。端子Ｅ、Ｆはそれぞれ定′Ｉ４１流＜１゜１，１０２
の出力端子である。Ｑ５．Ｑ６１ Ｑ７１ Ｑ８はトラ
ンジスタで、抵抗Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，とともに定′＃Ｌ流
源を構成する。定電流源■。１，１゜２のそれぞれの電
流値ｉｏ、、Ｉ。、は（１）、 （２）式で示される。
。端子Ｅ、Ｆはそれぞれ定′Ｉ４１流＜１゜１，１０２
の出力端子である。Ｑ５．Ｑ６１ Ｑ７１ Ｑ８はトラ
ンジスタで、抵抗Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，とともに定′＃Ｌ流
源を構成する。定電流源■。１，１゜２のそれぞれの電
流値ｉｏ、、Ｉ。、は（１）、 （２）式で示される。
５−
（１）＝ （２）式ｆ Ｖｓｇ ｆｆ ト５７ジスタＱ
８ ｆ） ヘ−スａ 、ｚはツタ間電圧であシ、（１
）、（２）式は、トランジスタＱ５． Ｑ６．及びＱ７
のペース・エミッタ間電圧かはとんど等しいとしている
。（１）、 （２）式より定電流源工。１ 、 ■ｏｔ
の′電流比は抵抗Ｒ，，Ｒ，の相対比で決定され、半導
体集積回路で構成した場合、極めて精度よくすることが
できる（例えば相対８度±３％）。
８ ｆ） ヘ−スａ 、ｚはツタ間電圧であシ、（１
）、（２）式は、トランジスタＱ５． Ｑ６．及びＱ７
のペース・エミッタ間電圧かはとんど等しいとしている
。（１）、 （２）式より定電流源工。１ 、 ■ｏｔ
の′電流比は抵抗Ｒ，，Ｒ，の相対比で決定され、半導
体集積回路で構成した場合、極めて精度よくすることが
できる（例えば相対８度±３％）。
第４図は第２図の前記定電流源として最も簡単電流源Ｉ
。１ ＋ ’Ｏｆの１［、泥化が（３）式で示されるの
で（３）式中のＶ、、Ｖ、及びＲ，、Ｒ，の値を１０１
／ ＩＯ２が１／３程度になるように選ぶことで設定
できる。
。１ ＋ ’Ｏｆの１［、泥化が（３）式で示されるの
で（３）式中のＶ、、Ｖ、及びＲ，、Ｒ，の値を１０１
／ ＩＯ２が１／３程度になるように選ぶことで設定
できる。
（３）式で■１はトランジスタＱｌ、Ｑ２の工ばツタ′
醒圧、■ｔ はトランジスタＱ”ｒ Ｑ４の工ばツタ〜
６〜 電圧を示す。
醒圧、■ｔ はトランジスタＱ”ｒ Ｑ４の工ばツタ〜
６〜 電圧を示す。
本発明によれば発振停止のない、しかも、適正な変化幅
を持った電圧制御発振器を実現できる。
を持った電圧制御発振器を実現できる。
第１図は電圧制御発振器の従来例を示す回路図第２図は
Ｉ本発明の電圧制御発振器の実施例を示す回路図、第３
図及び第４図は第２図中の定電流源の例を示す回路図で
ある。 Ａ、 Ｂ、 Ｃ，Ｄ、 Ｅ、 Ｆ・・・・・・端子、Ｑ
、１．Ｑ２゜Ｑ３． Ｑ４． Ｑ５１ Ｑ６１ Ｑ７１
Ｑ、８・・・・・・トランジスタ、Ｌ、・・・・・・
コイル、ＣＩ ・・・・・・コンデンサ、ＲＩ、Ｒ２Ｈ
，、Ｒ，、Ｒ，・・・・・・抵抗、Ｉｏｌ ｙ ’０２
・・・・・・定電流源。 ７− 第 １ 区 佑 ２ 凶 ３９− ≦ １ 叱 …０−−４続−一七
Ｉ本発明の電圧制御発振器の実施例を示す回路図、第３
図及び第４図は第２図中の定電流源の例を示す回路図で
ある。 Ａ、 Ｂ、 Ｃ，Ｄ、 Ｅ、 Ｆ・・・・・・端子、Ｑ
、１．Ｑ２゜Ｑ３． Ｑ４． Ｑ５１ Ｑ６１ Ｑ７１
Ｑ、８・・・・・・トランジスタ、Ｌ、・・・・・・
コイル、ＣＩ ・・・・・・コンデンサ、ＲＩ、Ｒ２Ｈ
，、Ｒ，、Ｒ，・・・・・・抵抗、Ｉｏｌ ｙ ’０２
・・・・・・定電流源。 ７− 第 １ 区 佑 ２ 凶 ３９− ≦ １ 叱 …０−−４続−一七
Claims (1)
- エミッタを共通に接続した第１および第２のトランジス
タと、前記第１および第２のトランジスタの各々のコレ
クタ間に接続したタンク回路と前記ｍ１． 第２のトラ
ンジスタの共通エミッタに接続され発振周波数を制御す
る可変電流源と、前記第１のトランジスタのベースに前
記第２のトランジスタのコレクタを結合する手段と、前
記第２のトランジスタのベースに前記第１のトランジス
タのコレクタを結合する手段とを有する電圧制御発振器
において、前記第１．第２のトランジスタの共通エミッ
タにさらに定電流源を接続したことを特徴とする電圧制
御発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58144771A JPS6035806A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 電圧制御発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58144771A JPS6035806A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 電圧制御発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6035806A true JPS6035806A (ja) | 1985-02-23 |
Family
ID=15370037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58144771A Pending JPS6035806A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 電圧制御発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6035806A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02168705A (ja) * | 1989-10-26 | 1990-06-28 | Toshiba Corp | 電圧制御形発振回路 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57212805A (en) * | 1981-06-24 | 1982-12-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Voltage controlled oscillating circuit |
-
1983
- 1983-08-08 JP JP58144771A patent/JPS6035806A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57212805A (en) * | 1981-06-24 | 1982-12-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Voltage controlled oscillating circuit |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02168705A (ja) * | 1989-10-26 | 1990-06-28 | Toshiba Corp | 電圧制御形発振回路 |
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