JPS6036088B2 - 磁気バブルメモリ素子の製造方法 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子の製造方法Info
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- JPS6036088B2 JPS6036088B2 JP14555079A JP14555079A JPS6036088B2 JP S6036088 B2 JPS6036088 B2 JP S6036088B2 JP 14555079 A JP14555079 A JP 14555079A JP 14555079 A JP14555079 A JP 14555079A JP S6036088 B2 JPS6036088 B2 JP S6036088B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
- H01F41/34—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリ素子に関し、詳しくは、耐熱
性高分子樹脂の硬化膜を絶縁膜として使用することによ
って段差を減少させ、動作マージンを拡大した磁気バブ
ルメモリ素子の製造方法に関する。
性高分子樹脂の硬化膜を絶縁膜として使用することによ
って段差を減少させ、動作マージンを拡大した磁気バブ
ルメモリ素子の製造方法に関する。
一般に、磁気バブルメモリ素子は、第１図に示したよう
な断面構造を有している。
な断面構造を有している。
すなわち、非磁性基板（図示せず）上に被着ごせた磁気
バブルを保持する磁性膜１上に、第１の絶縁膜２、磁気
バブル発生や消滅などに用いられる導電体パタ−ン３、
第２の絶縁膜４および磁気バブルの転送や検出を行うた
めの軟磁性体パターン５が順次糟層して被着されている
。
バブルを保持する磁性膜１上に、第１の絶縁膜２、磁気
バブル発生や消滅などに用いられる導電体パタ−ン３、
第２の絶縁膜４および磁気バブルの転送や検出を行うた
めの軟磁性体パターン５が順次糟層して被着されている
。
このような構造を持った磁気バブルメモリ素子は、上記
軟磁性体パターン５の一部が、上記導黄体パターン３と
重なる場所において、第１図に示したような段差を生じ
じ、磁気バブルの動作性が低下する、という欠点があっ
た。
軟磁性体パターン５の一部が、上記導黄体パターン３と
重なる場所において、第１図に示したような段差を生じ
じ、磁気バブルの動作性が低下する、という欠点があっ
た。
このような欠点を除去し、転送マージンを大きくするた
めには、第２図に示すように、たとえばＰＩＱ（日立化
成株式会社 商品名、Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｉｓｏｉｎ
ｄｒｏｑｕｍａｚｏｌｉｎｄｉｏｎ）など耐熱性高分子
樹脂の硬化膜からなる第２の絶縁膜６を使用すれば、上
記段差の減少に極めて有効である。
めには、第２図に示すように、たとえばＰＩＱ（日立化
成株式会社 商品名、Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｉｓｏｉｎ
ｄｒｏｑｕｍａｚｏｌｉｎｄｉｏｎ）など耐熱性高分子
樹脂の硬化膜からなる第２の絶縁膜６を使用すれば、上
記段差の減少に極めて有効である。
しかし、ＰＩＱなどを第２の絶縁膜に用いることは段差
の減少には極めて有効であるが、第２図に示した構造の
素子を精度よく製造するには、下記のような問題がある
。すなわち、欧磁性体パターン５は、極めて微細な形状
を正確にしなければならないため、レジストパターンを
マスクに用いたイオンミリングによってなどの物理的ド
ライエッチングによって軟磁体膜を加工し、つぎに、酸
素プラズマを用いた化学用ドライエッチングによって、
残ったレジストパターンを除去して、軟磁性体パターン
を形成する。
の減少には極めて有効であるが、第２図に示した構造の
素子を精度よく製造するには、下記のような問題がある
。すなわち、欧磁性体パターン５は、極めて微細な形状
を正確にしなければならないため、レジストパターンを
マスクに用いたイオンミリングによってなどの物理的ド
ライエッチングによって軟磁体膜を加工し、つぎに、酸
素プラズマを用いた化学用ドライエッチングによって、
残ったレジストパターンを除去して、軟磁性体パターン
を形成する。
酸素プラズマを用いた化学的ドライエッチングによって
残存したレジストパターンの除去を行なうと、ＰＩＱな
どの高分子樹脂の硬化膜からなる第２の絶縁膜６も同時
にエッチされてしまい、エッチが激しい場合は、欧磁性
体パターン５の剥離が生ずる恐れさえある。
残存したレジストパターンの除去を行なうと、ＰＩＱな
どの高分子樹脂の硬化膜からなる第２の絶縁膜６も同時
にエッチされてしまい、エッチが激しい場合は、欧磁性
体パターン５の剥離が生ずる恐れさえある。
本発明の目的は、上記従来の問題を解決し、段差が小さ
く動作マージンの大きい磁気バブルメモリ素子を、確実
に形成することのできる、磁気バブルメモリ素子の製造
方法を提供することである。
く動作マージンの大きい磁気バブルメモリ素子を、確実
に形成することのできる、磁気バブルメモリ素子の製造
方法を提供することである。
上記の目的を達成するために、本発明は、第２の絶縁膜
として耐熱性高分子樹脂膜を用いて段差を軽減し、この
第２の絶縁膜上に、アルミナや二酸化ケイ素などから選
ばれた無機絶縁膜からなる第３の絶縁膜を被着して、第
２の絶縁膜がエッチされるものを防止するものである。
として耐熱性高分子樹脂膜を用いて段差を軽減し、この
第２の絶縁膜上に、アルミナや二酸化ケイ素などから選
ばれた無機絶縁膜からなる第３の絶縁膜を被着して、第
２の絶縁膜がエッチされるものを防止するものである。
以下、本発明を詳細に説明する。第３図は本発明の一実
施例を示す工程図である。
施例を示す工程図である。
まず、第３図ａに示すように、磁気バブルを保持し得る
磁性がーネット膜１上に、第２の絶縁膜２として、厚さ
２０仇仇の二酸化ケイ素膜を高周波スパッタリングによ
って彼着した後、電子ビーム加熱法あるいは抵抗加熱法
など通常の蒸着法によってＭｏとＡｕの膜を被看し、ホ
トレジストパターンをマスクを用い、イオンミリングに
よって加工し、導電体パターン３を形成する。
磁性がーネット膜１上に、第２の絶縁膜２として、厚さ
２０仇仇の二酸化ケイ素膜を高周波スパッタリングによ
って彼着した後、電子ビーム加熱法あるいは抵抗加熱法
など通常の蒸着法によってＭｏとＡｕの膜を被看し、ホ
トレジストパターンをマスクを用い、イオンミリングに
よって加工し、導電体パターン３を形成する。
つぎに、ＰＩＱをＮメチル２ピロリドンとＮ・Ｎジメチ
ルアセドアミドの１：１混合液に溶解した液を回転塗布
し、たとえば３５０ｏｏ、１時間の熱処理を硬化させ、
第３図ｂに示すように、第２の絶縁膜６を形成する。
ルアセドアミドの１：１混合液に溶解した液を回転塗布
し、たとえば３５０ｏｏ、１時間の熱処理を硬化させ、
第３図ｂに示すように、第２の絶縁膜６を形成する。
さらに、通常の蒸着方法あるいは高周波スパッタリング
法などを用いて、アルミナ膜からなる第３の絶縁膜７を
全面に被着する。本発明において、上記第２の絶縁膜の
膜厚は重要である。
法などを用いて、アルミナ膜からなる第３の絶縁膜７を
全面に被着する。本発明において、上記第２の絶縁膜の
膜厚は重要である。
膜厚が薄すぎると段差を減少させる効果が不十分になり
、極端な場合は、導電体パターン３と軟磁性体パターン
５の電気的絶縁が不良になってしまう。反対に、過度が
厚くなるとガーネット膜１と軟磁性体パターン５の間隔
が過大になり、バブルの検出などに種々のトラブルの生
ずる原因となる。一方、磁気バブルメモリ素子において
は、実用上、バイアス磁界のマージンは１０％以上であ
ることが必要であるが、第２の絶縁膜６の膜厚が１０仇
肌以下では、段差減少の効果が不十分なため、上記マー
ジンは１０％以下にはならない。
、極端な場合は、導電体パターン３と軟磁性体パターン
５の電気的絶縁が不良になってしまう。反対に、過度が
厚くなるとガーネット膜１と軟磁性体パターン５の間隔
が過大になり、バブルの検出などに種々のトラブルの生
ずる原因となる。一方、磁気バブルメモリ素子において
は、実用上、バイアス磁界のマージンは１０％以上であ
ることが必要であるが、第２の絶縁膜６の膜厚が１０仇
肌以下では、段差減少の効果が不十分なため、上記マー
ジンは１０％以下にはならない。
しかも、この場合は、導電体パターン３と敏磁性体パタ
ーン５の間の電気的絶縁も不良になってしまうので、本
発明において、第２の絶縁膜６の膜厚は１０仇肌以上で
ある必要がある。しかし、磁気バブルを検知するための
検出器は、第３の絶縁膜７上に配置されるため、第２の
絶縁膜６の腰厚があまり厚すぎると、検出器の出力が箸
るしく低下してしまう。
ーン５の間の電気的絶縁も不良になってしまうので、本
発明において、第２の絶縁膜６の膜厚は１０仇肌以上で
ある必要がある。しかし、磁気バブルを検知するための
検出器は、第３の絶縁膜７上に配置されるため、第２の
絶縁膜６の腰厚があまり厚すぎると、検出器の出力が箸
るしく低下してしまう。
そのため、上記が−ネット膜と検出器の距離は、ある一
定値以下であることが必要であり、第１、第２および第
３の絶縁膜２，６，７の膜の膜厚は、実用上ほぼ１４０
仇の以下であることが好ましい。
定値以下であることが必要であり、第１、第２および第
３の絶縁膜２，６，７の膜の膜厚は、実用上ほぼ１４０
仇の以下であることが好ましい。
第１の絶縁膜２は、ガーネット膜１の応力を緩和するた
めに、ある程度の腰厚を有することは必要であるが、あ
まり厚すぎると、バブル発生に要する電流が著るしく増
加してしまう。
めに、ある程度の腰厚を有することは必要であるが、あ
まり厚すぎると、バブル発生に要する電流が著るしく増
加してしまう。
この理由から、第１の絶縁膜２の膜厚は、ほぼ１００〜
４０仇肌の範囲に選ばれ、この腰厚範囲は、膜の材質が
Ｓｉ０２であっても、耐熱性樹脂であっても、ほぼ同じ
である。第３の絶縁膜７は、軟磁性体膜のエッチングに
用いられるイオンミリングなどの物理的ドライエッチン
グ、および残存したホトレジストパターンを除去するた
めに用いられる酸素プラズマエッチング（化学的ドライ
エッチング）に対するマスクの作用する。
４０仇肌の範囲に選ばれ、この腰厚範囲は、膜の材質が
Ｓｉ０２であっても、耐熱性樹脂であっても、ほぼ同じ
である。第３の絶縁膜７は、軟磁性体膜のエッチングに
用いられるイオンミリングなどの物理的ドライエッチン
グ、および残存したホトレジストパターンを除去するた
めに用いられる酸素プラズマエッチング（化学的ドライ
エッチング）に対するマスクの作用する。
したがって、たとえば、酸化アルミニウム、酸化クロム
、酸化チタン、二酸化ケイ素、一酸化ケイ素、窒化ケイ
素など、上記エッチングに対する耐性の大きい無機絶縁
物からなる膜が第３の絶縁膜として使用させる。第３の
絶縁膜の膜厚は、上言己エッチングに対するマスクとし
て、ほぼ２仇の以上であることが必要であり、これより
薄いと、マスクとしての効果が不十分になる。
、酸化チタン、二酸化ケイ素、一酸化ケイ素、窒化ケイ
素など、上記エッチングに対する耐性の大きい無機絶縁
物からなる膜が第３の絶縁膜として使用させる。第３の
絶縁膜の膜厚は、上言己エッチングに対するマスクとし
て、ほぼ２仇の以上であることが必要であり、これより
薄いと、マスクとしての効果が不十分になる。
上記のように、第１、第２および第３の絶縁膜の膜厚の
和は１４０瓜仇以下であり、第２の絶縁膜の膜厚は、ほ
ぼ１００〜４０Ｍｍである。
和は１４０瓜仇以下であり、第２の絶縁膜の膜厚は、ほ
ぼ１００〜４０Ｍｍである。
したがって、第２の絶縁膜（１０仇肌以上）および第３
の絶縁膜（２ｍｍ以上）の膜厚は、これらの値にもとず
し、て適宜選ばれる。上記の方法によって第３の絶縁膜
７を形成した後、第３図ｃに示すように、パーマロィ膜
８を全面に被着し、さらにホトレジスト膜を全面被着し
て、通常の露光と現像処理によって、ホトレジストパタ
ーン９を形成する。
の絶縁膜（２ｍｍ以上）の膜厚は、これらの値にもとず
し、て適宜選ばれる。上記の方法によって第３の絶縁膜
７を形成した後、第３図ｃに示すように、パーマロィ膜
８を全面に被着し、さらにホトレジスト膜を全面被着し
て、通常の露光と現像処理によって、ホトレジストパタ
ーン９を形成する。
上記ホトレジストパターン９をマスクとして、パーマロ
ィ膜８の露出部分をＡｒイオンによるイオンミリングを
用いて除去し、さらに残存した上記ホトレジストパター
ン９を、酸素プラズマを用いたプラズマエッチングによ
って除去すれば、第３図ｄに示すように、パーマロィ膜
からなる欧磁性体パターン１０が形成される。
ィ膜８の露出部分をＡｒイオンによるイオンミリングを
用いて除去し、さらに残存した上記ホトレジストパター
ン９を、酸素プラズマを用いたプラズマエッチングによ
って除去すれば、第３図ｄに示すように、パーマロィ膜
からなる欧磁性体パターン１０が形成される。
上記エッチング工程において、アルミナ膜７がエッチさ
れて若干厚さが減少するのは避けられないが、エッチン
グに対する耐性が大きいので、第２の絶縁膜６の表面が
露出されエッチされることはない。
れて若干厚さが減少するのは避けられないが、エッチン
グに対する耐性が大きいので、第２の絶縁膜６の表面が
露出されエッチされることはない。
上記説明から明らかなように、本発明によれば、第２の
絶縁膜としてＰＩＱなどの耐熱性高分子樹脂の硬化膜を
用いるので、導電体パターンの厚さに起因する段差を大
幅に減少させ、動作マージンを著るしく大きくすること
ができる。
絶縁膜としてＰＩＱなどの耐熱性高分子樹脂の硬化膜を
用いるので、導電体パターンの厚さに起因する段差を大
幅に減少させ、動作マージンを著るしく大きくすること
ができる。
しかも、第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を被着して、軟
磁性体膜のエッチングおよび残存したホトレジストパタ
ーンの除去を行なっているため、エッチング工程中にお
いて第２の絶縁膜がエッチされる恐れはなく、極めて信
頼性の高い磁気バブルメモリ素子を形成できる。
磁性体膜のエッチングおよび残存したホトレジストパタ
ーンの除去を行なっているため、エッチング工程中にお
いて第２の絶縁膜がエッチされる恐れはなく、極めて信
頼性の高い磁気バブルメモリ素子を形成できる。
なお、本発明において、耐熱性高分子樹脂とは、２００
ＣＯにおいて長時間安定である樹脂をいい、さらに粘度
が２００にＰＳ以下、硬化時におけるひび割れなどの変
形がないことが望ましい。
ＣＯにおいて長時間安定である樹脂をいい、さらに粘度
が２００にＰＳ以下、硬化時におけるひび割れなどの変
形がないことが望ましい。
これらの条件を満足し、本発明において使用し得るもの
としては、ＰＩＱポリィミド系樹脂をはじめ、ェポキシ
系樹脂、フェノール系樹脂、ポリカードネイド系樹脂、
ポリアミド・イミド系樹脂、ポリベンツィミダゾール系
樹脂などがあり、これらを二つ以上組み合わせて使用し
てもよい。
としては、ＰＩＱポリィミド系樹脂をはじめ、ェポキシ
系樹脂、フェノール系樹脂、ポリカードネイド系樹脂、
ポリアミド・イミド系樹脂、ポリベンツィミダゾール系
樹脂などがあり、これらを二つ以上組み合わせて使用し
てもよい。
第１図は従釆の磁気バブルメモリ素子の要部の構造を示
す図、第２図は本発明において、段差が減少されること
を示す図、第３図は本発明の一実施例を示す工程図であ
る。 １：磁性が一ネット膜、２：第１の絶縁膜、３：導電体
パターン、４，６：第２の絶縁膜、５：軟磁性体パター
ン、７：第３の絶縁膜。 才／図才２図 才Ｊ図
す図、第２図は本発明において、段差が減少されること
を示す図、第３図は本発明の一実施例を示す工程図であ
る。 １：磁性が一ネット膜、２：第１の絶縁膜、３：導電体
パターン、４，６：第２の絶縁膜、５：軟磁性体パター
ン、７：第３の絶縁膜。 才／図才２図 才Ｊ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 下記工程を含む磁気バブルメモリ素子の製造方法。 （ａ） 磁気バブルを保持し得る磁性膜は、第１の絶縁
膜、導電体パターン、および耐熱性高分子樹脂の硬化膜
からなる第２の絶縁膜を積層して被着する工程（ｂ）
上記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を全面に被着する工
程（ｃ） 上記第３の絶縁膜上に軟磁性体膜を被着する
工程（ｄ） 上記軟磁体膜上の所望部分ホトレジストパ
ターンを形成する工程（ｅ） 上記軟磁性体膜の露出さ
れた部分を物理的ドライエツチングによつて除去する工
程（ｆ） 上記レジストパターンを化学的ドライエツチ
ングによつて除去する工程２ 上記第３の絶縁膜は、酸
化アルミニウム膜、酸化クロム膜、酸化チタン膜および
窒化ケイ素膜からなる群から選ばれる特許請求の範囲第
１項記載の磁気バブルメモリ素子の製造方法。 ３ 上記物質的エツチングはイオンミリングであり、か
つ、上記化学的ドライエツチングは酸素プラズマによる
プラズマエツチングである特許請求の範囲第１項もしく
は第２項記載の磁気バブルメモリ素子の製造方法。 ４ 上記第１、第２および第３の絶縁膜の膜厚の合計は
ほぼ１４００ｎｍ以下であり、上記第１の絶縁膜の膜厚
ほぼ１００〜４００ｎｍであり、かつ、上記第３の絶縁
膜の膜厚はほぼ２０ｎｍ以上である特許請求の範囲第１
項、第２項もしくは第３項記載の磁気バブルメモリ素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14555079A JPS6036088B2 (ja) | 1979-11-12 | 1979-11-12 | 磁気バブルメモリ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14555079A JPS6036088B2 (ja) | 1979-11-12 | 1979-11-12 | 磁気バブルメモリ素子の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61237925A Division JPS62143283A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | 磁気バブルメモリ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5669814A JPS5669814A (en) | 1981-06-11 |
| JPS6036088B2 true JPS6036088B2 (ja) | 1985-08-19 |
Family
ID=15387763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14555079A Expired JPS6036088B2 (ja) | 1979-11-12 | 1979-11-12 | 磁気バブルメモリ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6036088B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05236860A (ja) * | 1992-01-07 | 1993-09-17 | Daiwa Seisakusho:Kk | 製麺機の麺生地方向転換機構 |
-
1979
- 1979-11-12 JP JP14555079A patent/JPS6036088B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05236860A (ja) * | 1992-01-07 | 1993-09-17 | Daiwa Seisakusho:Kk | 製麺機の麺生地方向転換機構 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5669814A (en) | 1981-06-11 |
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