JPS6036603Y2 - 光ファイバの製造装置 - Google Patents
光ファイバの製造装置Info
- Publication number
- JPS6036603Y2 JPS6036603Y2 JP1977109646U JP10964677U JPS6036603Y2 JP S6036603 Y2 JPS6036603 Y2 JP S6036603Y2 JP 1977109646 U JP1977109646 U JP 1977109646U JP 10964677 U JP10964677 U JP 10964677U JP S6036603 Y2 JPS6036603 Y2 JP S6036603Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- optical fiber
- core
- raw material
- fiber manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Treatment Of Glass Fibres Or Filaments (AREA)
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は非等温プラズマによるCVD反応(以下p−
CVD法という)を利用して、光ファイバのコア上にク
ラッドを連続的に被覆する装置に関するものである。
CVD法という)を利用して、光ファイバのコア上にク
ラッドを連続的に被覆する装置に関するものである。
この考案においては、非等温プラズマを発生させている
チャンバ内にクラッド用の原料ガスを連続的に流すとと
もに、このチャンバ内のプラズマの中にコアを連続的に
通過させる。
チャンバ内にクラッド用の原料ガスを連続的に流すとと
もに、このチャンバ内のプラズマの中にコアを連続的に
通過させる。
そして表面で化学的気相成長を行なわせることによって
クラッド層の連続被覆を行なう。
クラッド層の連続被覆を行なう。
装置の概略を第1図に示した。
10は例えば円筒形の石英製気密チャンバである。
この中を排気装置12により所定の低圧に保つ。
14は電極、16は高周波発信器で、これらによりチャ
ンバ10内に非等温プラズマ18を発生させる。
ンバ10内に非等温プラズマ18を発生させる。
20はクラッド用原料ガスの供給装置で、例えば5IC
14とBBr3などを02とともにチャンバ10内に送
り込む。
14とBBr3などを02とともにチャンバ10内に送
り込む。
22はコア24の送り出し装置、26は引取り装置、2
8と30はシールである。
8と30はシールである。
作用を述べると、チャンバ10内に送り込まれたクラッ
ド用原料ガスはプラズマ18内で解離し、コア24の表
面で運動のエネルギーを失うとともに反応してクラッド
の層を析出する。
ド用原料ガスはプラズマ18内で解離し、コア24の表
面で運動のエネルギーを失うとともに反応してクラッド
の層を析出する。
240は光ファイバを示す。
なおチャンバ10内は常に安定な非等温プラズマ18が
発生するように、排気装置12によりIQ□Torr以
下の圧力に調整される。
発生するように、排気装置12によりIQ□Torr以
下の圧力に調整される。
なお、非等温プラズマの発生には、上記のように電極1
4を使った容量負荷に高周波電力を印加する方式の他に
、チャンバ10の外側に巻いたコイル(誘導負荷)に高
周波電力を加える公知の方式、ならびにチャンバ10の
外側の空洞共振器を用いた負荷にマイクロ波電力(24
50MH2)を加える公知の方式を用いることができる
。
4を使った容量負荷に高周波電力を印加する方式の他に
、チャンバ10の外側に巻いたコイル(誘導負荷)に高
周波電力を加える公知の方式、ならびにチャンバ10の
外側の空洞共振器を用いた負荷にマイクロ波電力(24
50MH2)を加える公知の方式を用いることができる
。
実施例 1
1第1図ヨの装置を使用した。
チャンバ10は内径25cm長さ10(財)の石英ガラ
ス製の円筒、内部圧力は1QTorr、高周波発信器1
6の出力は13MHzlOOOW0これでチャンバ10
内に非等温プラズマ18を発生させておき、チャンバ1
0内に、毎分02100sCCmSiC1420sCC
m1BO2100sCCの割合でクラッド用の原料ガス
を流しながら、この中に直径150ILmのSiO2の
コアをlQm/minの速度で通過させ、2μmのホウ
ケイ酸ガラスのクラッド層を連続して被覆することがで
きた。
ス製の円筒、内部圧力は1QTorr、高周波発信器1
6の出力は13MHzlOOOW0これでチャンバ10
内に非等温プラズマ18を発生させておき、チャンバ1
0内に、毎分02100sCCmSiC1420sCC
m1BO2100sCCの割合でクラッド用の原料ガス
を流しながら、この中に直径150ILmのSiO2の
コアをlQm/minの速度で通過させ、2μmのホウ
ケイ酸ガラスのクラッド層を連続して被覆することがで
きた。
実施例 2
1第2図ヨにおいて、24aはコア用母材で、SiO2
+00゜からなり、直径は1orrrIn0それを、4
.577Im/mlnで下降させながらヒーター32に
よって溶融し、直径150μmのコア24を、20rr
1/minで紡糸した。
+00゜からなり、直径は1orrrIn0それを、4
.577Im/mlnで下降させながらヒーター32に
よって溶融し、直径150μmのコア24を、20rr
1/minで紡糸した。
チャンバ10内およびプラズマ18を形成する条件を第
1実施例と同じにしておきチャンバ10内に、SiSi
C1422sc /min、 02101003c /
minのクラッド用原料ガスを送り込んだ。
1実施例と同じにしておきチャンバ10内に、SiSi
C1422sc /min、 02101003c /
minのクラッド用原料ガスを送り込んだ。
そして紡糸直後のコア24をプラズマ18の中を通過さ
せて、0.7μmの厚さのシリカクラッドの層を連続的
に形成することができた。
せて、0.7μmの厚さのシリカクラッドの層を連続的
に形成することができた。
考案の効果
p −CVD法を利用する内付けCVD法は公知である
。
。
しかし、内付けCVD法の場合は、1)出発石英管から
の不純物の拡散、2)コラップス時におけるドーパント
の揮散による中心部の屈折率分布の落込み、などの問題
がある。
の不純物の拡散、2)コラップス時におけるドーパント
の揮散による中心部の屈折率分布の落込み、などの問題
がある。
しかし、本考案の装置を使用すれば、そのよう・な問題
は全く生じない。
は全く生じない。
第1図は本考案の第1実施例の説明図、第2図は同じく
第2実施例の説明図。 10・・・・・・チャンバ、18・・・・・・プラズマ
、24・・・・・・コア、28と30・・・・・・シー
ル。
第2実施例の説明図。 10・・・・・・チャンバ、18・・・・・・プラズマ
、24・・・・・・コア、28と30・・・・・・シー
ル。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 気密構造のチャンバ10と、そのチャンノく10の外側
に設けた負荷に高周波またはマイクメロ波電力を印加し
てチャンバ10内に非等温プラズマ18を発生させる装
置と、チャンバ10内にクラッド用の原料ガスを連続し
て流すための原料ガスの供給装置20と、チャンバ10
内を低圧に保つための排気装置12とを備えるとともに
、 チャンバ10内を、それとの間の気密を保ちながらコア
24が連続的に通過できるようにしたことを特徴とする
光ファイバの製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1977109646U JPS6036603Y2 (ja) | 1977-08-17 | 1977-08-17 | 光ファイバの製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1977109646U JPS6036603Y2 (ja) | 1977-08-17 | 1977-08-17 | 光ファイバの製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5435753U JPS5435753U (ja) | 1979-03-08 |
| JPS6036603Y2 true JPS6036603Y2 (ja) | 1985-10-30 |
Family
ID=29055792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1977109646U Expired JPS6036603Y2 (ja) | 1977-08-17 | 1977-08-17 | 光ファイバの製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6036603Y2 (ja) |
-
1977
- 1977-08-17 JP JP1977109646U patent/JPS6036603Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5435753U (ja) | 1979-03-08 |
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