JPS6036670A - 無電解銅めつき用触媒 - Google Patents
無電解銅めつき用触媒Info
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- JPS6036670A JPS6036670A JP14463683A JP14463683A JPS6036670A JP S6036670 A JPS6036670 A JP S6036670A JP 14463683 A JP14463683 A JP 14463683A JP 14463683 A JP14463683 A JP 14463683A JP S6036670 A JPS6036670 A JP S6036670A
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- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
- C23C18/40—Coating with copper using reducing agents
-
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、無wL解銅めっき用触媒に関丁ゐ〇無電解銅
めっ1ハ印刷配線也の分野で、槓層似寺の絶縁基&に回
路r杉成丁ゐために広(用いられている。
めっ1ハ印刷配線也の分野で、槓層似寺の絶縁基&に回
路r杉成丁ゐために広(用いられている。
Cの場合、絶縁基板の無電解銅めっきか施δn、ゐ而は
活性化、丁lf)ち無電解鋼めっきのための触媒核?中
心にして、無電解銅めつ@液中の銅イオンが析出し、成
長してf7pJ膜となり、回路とな/)。
活性化、丁lf)ち無電解鋼めっきのための触媒核?中
心にして、無電解銅めつ@液中の銅イオンが析出し、成
長してf7pJ膜となり、回路とな/)。
絶縁基板を活性仕丁ゐために、無電解銅めっきのための
触媒となる金属パラジウムケ絶縁基板表rmvcル成さ
せてい心。
触媒となる金属パラジウムケ絶縁基板表rmvcル成さ
せてい心。
9F米、この曾四バシジウムσ、
PdC6t + SnC6m”> Pd+5nCJ−の
反末6で侍らtじCおり、硅礫土などの相体Vc担持芒
r1−1触媒1′[用r来−fように工夫さn、ていゐ
。
反末6で侍らtじCおり、硅礫土などの相体Vc担持芒
r1−1触媒1′[用r来−fように工夫さn、ていゐ
。
その′fcaV、Sn、C171どの不A 吻に%(言
(rりえに、相棒r1丈)ITするたダハ接盾剤混入し
、アティティプ印刷配勝恨用の成眉剤(眉媒人り)や1
碩層孕忙装墳する場合、でり、ねじ7’Lか発生し、杷
杉性VC離Aがあf)、又、絶縁電線の肥林層中に混入
丁ゐことCJ困離でめっkO1又応さ・ぜて侍ら115
、力n熱eこよQ盆踊パラジウム忙生成丁/)錯化は物
忙言む無電解鋼めっき用M(媒でめな。
(rりえに、相棒r1丈)ITするたダハ接盾剤混入し
、アティティプ印刷配勝恨用の成眉剤(眉媒人り)や1
碩層孕忙装墳する場合、でり、ねじ7’Lか発生し、杷
杉性VC離Aがあf)、又、絶縁電線の肥林層中に混入
丁ゐことCJ困離でめっkO1又応さ・ぜて侍ら115
、力n熱eこよQ盆踊パラジウム忙生成丁/)錯化は物
忙言む無電解鋼めっき用M(媒でめな。
21曲のパラジウム化ft物としては、極比パラジウム
(nハ フッ化パラジウム(11)%某化バクジウム(
nJb ヨウ化パラジウム01j1硝取バラジクム(I
ll、鎖酸パラジウム(J帆醒化バ2ジクム(”)s
誠化バラジウム(II)及びこn、らの混合物が使用さ
几ゐ。
(nハ フッ化パラジウム(11)%某化バクジウム(
nJb ヨウ化パラジウム01j1硝取バラジクム(I
ll、鎖酸パラジウム(J帆醒化バ2ジクム(”)s
誠化バラジウム(II)及びこn、らの混合物が使用さ
几ゐ。
ハロゲン化物、特に塩化パラジウム(II)が好ましい
o t11ft+、2価の銅化合物としては塩化鋼CI
)、塩化鋼(川、硫酸銅fil)及びこnらのm合物が
1更用をn−な。
o t11ft+、2価の銅化合物としては塩化鋼CI
)、塩化鋼(川、硫酸銅fil)及びこnらのm合物が
1更用をn−な。
f ル)−スとして0、D−クルコース、L−グルコー
スが1史用きn/)。
スが1史用きn/)。
211111のパラジウム化合物ゲグルコースと反尾、
憾ゼて錯化合物τ得をVCは1例えは1)−クルコース
1gK水2gk加え、こfl、に塩化パラジウム0.2
5gケ加え20分間50℃に加熱、損とう丁ゐことに、
Lり傅らn、る、この錯化合物に80℃以上の加熱で金
属パラジウムr生取する○得らnた錯化合物では、*化
パラジウム(IIJにグルコースの水酸基に配位してお
り、加熱すると水酸基の結合している炭素原子に近接す
る炭素原子に結合している氷菓によ92価のパラジウム
は還元式nて金属パラジウム?生成する。
憾ゼて錯化合物τ得をVCは1例えは1)−クルコース
1gK水2gk加え、こfl、に塩化パラジウム0.2
5gケ加え20分間50℃に加熱、損とう丁ゐことに、
Lり傅らn、る、この錯化合物に80℃以上の加熱で金
属パラジウムr生取する○得らnた錯化合物では、*化
パラジウム(IIJにグルコースの水酸基に配位してお
り、加熱すると水酸基の結合している炭素原子に近接す
る炭素原子に結合している氷菓によ92価のパラジウム
は還元式nて金属パラジウム?生成する。
(1)錯化合物を含む水浴准中に被めっさ′勿紮凝潰[
7弓1@I:ii−力11熱−fめことVCより被めっ
き物表[l′I′Ir金禍バシジウムヶ生成させる。
7弓1@I:ii−力11熱−fめことVCより被めっ
き物表[l′I′Ir金禍バシジウムヶ生成させる。
(2)j゛ル化什物ゲ、コムーフェノール系寺の接盾酌
申k(分散し、この接有削紮ガラス;fhにエホキン?
含没した槓層板咎の表面に塗布し、カ11熱乾床する段
′南で金−パラジウム忙生成させゐ0 (5)錯化合管J忙、エホキシ仙脂のアセトン浴数中に
分散さ−ぜ々ワニス紮カラス布等の基拐に召泣させ、ス
市′にのh法により積層板を装コ魚丁ゐ。ゾリフ”レグ
の乾繰時、槓鳩似の刀ロ熱カ11圧時の熱により番4(
ζパラジウムが生成丁ゐ。
申k(分散し、この接有削紮ガラス;fhにエホキン?
含没した槓層板咎の表面に塗布し、カ11熱乾床する段
′南で金−パラジウム忙生成させゐ0 (5)錯化合管J忙、エホキシ仙脂のアセトン浴数中に
分散さ−ぜ々ワニス紮カラス布等の基拐に召泣させ、ス
市′にのh法により積層板を装コ魚丁ゐ。ゾリフ”レグ
の乾繰時、槓鳩似の刀ロ熱カ11圧時の熱により番4(
ζパラジウムが生成丁ゐ。
(4)錯化合物ケ、小すゴステル樹脂の有恢浴剤浴成牛
に分散させ、流延法でフィルム領つくべ)0南情劇酌の
〃[1熱除去中の力n熱により金属パラジウムか生by
、Tな〇 (5)錯化合1り1τ、ポリイミドのテトラヒドロフラ
ン浴液中に分散させ%胎勝に機種する。焼さ付け時の熱
yc 、r、 り金部パラジウムが生成し触媒性紮壱丁
ルノ3縁箪練が何ら看、る。
に分散させ、流延法でフィルム領つくべ)0南情劇酌の
〃[1熱除去中の力n熱により金属パラジウムか生by
、Tな〇 (5)錯化合1り1τ、ポリイミドのテトラヒドロフラ
ン浴液中に分散させ%胎勝に機種する。焼さ付け時の熱
yc 、r、 り金部パラジウムが生成し触媒性紮壱丁
ルノ3縁箪練が何ら看、る。
以上読切したよ5に、本発明の無電解銅めっき用触媒は
、次の利点が違ぜら1.ゐ。
、次の利点が違ぜら1.ゐ。
(1)生成する金属パラジウムの粒子l1IIかいため
、侍ら1.た無電解めっさの特性が浚n、ゐ。
、侍ら1.た無電解めっさの特性が浚n、ゐ。
(2)硅櫟土等の担体?使用しないですむので、浴准中
での使用が可能でめり、均−混合が各局O <5) Sn、C7寺の不純物葡汀まないため、侍らn
た無電解めっきの特性が良い。
での使用が可能でめり、均−混合が各局O <5) Sn、C7寺の不純物葡汀まないため、侍らn
た無電解めっきの特性が良い。
〜5−
十 糸売 を舊IT −xi、’:’−イ芽1、事件の
表示 1、!;川用8年特語願第144636号2、発明の名
称 無匍帝同めっき用端煤 3、補正をする者 事件との関係 特許用)臥 住所 東京都新宿区西新宿二丁目1番1号名称(445
)口立イレ戊工業株式会社代表打横山亮次 4、 イUljノ( ■160 居所 東京?I1m宿区西新宿ニリJ羽1番1憂口立イ
誠T業株式会社内 (電話 東京 346−3111. (大代表)6、補
正の内容 歴パ シJ琳ルの通り。
表示 1、!;川用8年特語願第144636号2、発明の名
称 無匍帝同めっき用端煤 3、補正をする者 事件との関係 特許用)臥 住所 東京都新宿区西新宿二丁目1番1号名称(445
)口立イレ戊工業株式会社代表打横山亮次 4、 イUljノ( ■160 居所 東京?I1m宿区西新宿ニリJ羽1番1憂口立イ
誠T業株式会社内 (電話 東京 346−3111. (大代表)6、補
正の内容 歴パ シJ琳ルの通り。
明 網11 曹
1、発明の名セ11
無′亀屓銅ル′)つき用触媒
2、%旧−粕求の剃)囲
1、 2 lll1+のパラジウム化合物又は、1価、
21[111の銅化合物rグルコースと反応させて侍ら
れ、/Jll熱により金橋パラジウム又は金槙組を生成
する錯化合物(lIl′召む無電解銅めっさ用触媒。
21[111の銅化合物rグルコースと反応させて侍ら
れ、/Jll熱により金橋パラジウム又は金槙組を生成
する錯化合物(lIl′召む無電解銅めっさ用触媒。
5 弁明の84=細な線間
本発明は%無電1屓銅めっき用触媒に関丁ゐ。
無電解銅めっきは、印刷配線機の分野で、槓J餉4N寺
の絶縁基板に回路r形成するために広く用いらむている
。
の絶縁基板に回路r形成するために広く用いらむている
。
この場合、絶縁基板の無電解銅めっきが施される匍は活
性化、丁lわ°らjr< ゛妊駒組めっきのための触媒
核缶中心にして、魚箱7解銅りっさ液中の蛤jイオンが
析出し、成長して銅膜となり、回路となる。
性化、丁lわ°らjr< ゛妊駒組めっきのための触媒
核缶中心にして、魚箱7解銅りっさ液中の蛤jイオンが
析出し、成長して銅膜となり、回路となる。
絶縁基板3:粘1イ1.化−4” 、57cめに、無′
屯解組めっきのための触媒となる金禰パラジウム又は金
橋銅會杷脈基板表曲に形成させている。
屯解組めっきのための触媒となる金禰パラジウム又は金
橋銅會杷脈基板表曲に形成させている。
従来、例えばこの金属パラジウムは、
HCl
PdC6t +Sn(Jg−=)Pd +5nCe4の
反応で伶られてお91件深土などの相体17cJ′見持
され、弧2啄作用ic ”A!: =t−よう?C工夫
ざlしている。
反応で伶られてお91件深土などの相体17cJ′見持
され、弧2啄作用ic ”A!: =t−よう?C工夫
ざlしている。
そのため、Sn、C/22どの不純物ケ多く言む9えに
、担体ケ使用するkめ、接盾剤VC混入し、アティティ
ブ印刷配糾敬用l/)最盾削(触媒入り)付活層板を製
造する場合、そり、ねじt′Lが発生し、絶縁jg:に
難点がおジ、又、枦コ脈屯勝の絶縁層中に混入すること
は困ぬ′Cあった。
、担体ケ使用するkめ、接盾剤VC混入し、アティティ
ブ印刷配糾敬用l/)最盾削(触媒入り)付活層板を製
造する場合、そり、ねじt′Lが発生し、絶縁jg:に
難点がおジ、又、枦コ脈屯勝の絶縁層中に混入すること
は困ぬ′Cあった。
本発明にこのような点に遁み゛C4込扛たもので、21
曲のパラジウム化合物又は1i+4++、2仙jの測用
化b−!1勿t1 クルコースとノ又に、、させて1廿
ら扛。
曲のパラジウム化合物又は1i+4++、2仙jの測用
化b−!1勿t1 クルコースとノ又に、、させて1廿
ら扛。
加熱に」:り金桐パラジウム又は金桶繕τ生成する錯化
合物r言む無箪屏廟ν)つき用触媒である021′l1
IIのパラジウム化合物としては、Jム化パラジウム(
n) 、ンフ化パラジウム(sx)s 臭化パラジウム
(■)、ヨウ化パラジウム(II)、側ryハクンウム
(1υ。
合物r言む無箪屏廟ν)つき用触媒である021′l1
IIのパラジウム化合物としては、Jム化パラジウム(
n) 、ンフ化パラジウム(sx)s 臭化パラジウム
(■)、ヨウ化パラジウム(II)、側ryハクンウム
(1υ。
lWi服パラジウム(Ii 、酸化パラジウム(Ill
、佃C化パラジウム(n)及びこれらの混合物が使用さ
れる。
、佃C化パラジウム(n)及びこれらの混合物が使用さ
れる。
ハロゲン化物、’fNCj鬼化パラジウム(IT)が好
Rしい011曲、21曲のN==J化什物としては塩化
ン伺(1)、塩化J14 (Iυ、硫酸銅(史及びこ扛
らの混合物かに用憾れる。
Rしい011曲、21曲のN==J化什物としては塩化
ン伺(1)、塩化J14 (Iυ、硫酸銅(史及びこ扛
らの混合物かに用憾れる。
グルコースとしてt;r、1)−グルコース、L −グ
ルコースが使用される。
ルコースが使用される。
21曲のパラジウム化合9勿忙グルコースと反応させて
錯化合物を得るKは、例えばD−グルコースigVC水
2g?加え、Cれに塩化パラジウム0.25 gLニア
Jnjt20分間50℃に加熱、振とう丁ゐことKより
侍られ/S、この錯化合物に80℃シー1−、の加熱で
金属パラジウムケ生成する。
錯化合物を得るKは、例えばD−グルコースigVC水
2g?加え、Cれに塩化パラジウム0.25 gLニア
Jnjt20分間50℃に加熱、振とう丁ゐことKより
侍られ/S、この錯化合物に80℃シー1−、の加熱で
金属パラジウムケ生成する。
1hらtlに錯化合物では、塩化パラジウム(IOはグ
ルコースの水埴基に配位しており、加熱すると水酸基の
結合している炭素原子に近接する炭素原子に結1tシて
いる水系により21曲のパラジウムに還元さ扛−C金属
パラジウムケ生成する〇本発明の鉛化自′物の1史用例
會吐明する。使用坦i、Jpd、Cuの倉で+mm重重
以下好ましい。
ルコースの水埴基に配位しており、加熱すると水酸基の
結合している炭素原子に近接する炭素原子に結1tシて
いる水系により21曲のパラジウムに還元さ扛−C金属
パラジウムケ生成する〇本発明の鉛化自′物の1史用例
會吐明する。使用坦i、Jpd、Cuの倉で+mm重重
以下好ましい。
5−
(1)諾化付′l勿を含゛む水浴液中に扱めっきり勿r
反演し引き上げ、加熱丁ゐことにより被めっき物表囲e
(金% ハフシウム又に金Jf%餉r生カ又さぜ60 (2) 鉛化付物電、ゴムーフェノール系寺の桜7M創
申に分散し、この接宥却]′)d:カラス布にエボギシ
τ百反した(貞J曽似寺の衣用1に蚤用jし、カ1j熱
乾祿−I−る攻略で金楠パラジウム又eJ金桟鋼を生成
させゐ。
反演し引き上げ、加熱丁ゐことにより被めっき物表囲e
(金% ハフシウム又に金Jf%餉r生カ又さぜ60 (2) 鉛化付物電、ゴムーフェノール系寺の桜7M創
申に分散し、この接宥却]′)d:カラス布にエボギシ
τ百反した(貞J曽似寺の衣用1に蚤用jし、カ1j熱
乾祿−I−る攻略で金楠パラジウム又eJ金桟鋼を生成
させゐ。
(5)韻化せ吻t1エフJクキン1円崩りアセトン浴液
申に分散さぜにワニスγカラス布寺のム材ec宮浸させ
、S富の力演により積層載7候漬するOフ゛リプレグの
乾燥時、禎J曽仮の力1]熱カロ圧尚(1)熱により金
へパラジウム又は金鳩銅が生成する。
申に分散さぜにワニスγカラス布寺のム材ec宮浸させ
、S富の力演により積層載7候漬するOフ゛リプレグの
乾燥時、禎J曽仮の力1]熱カロ圧尚(1)熱により金
へパラジウム又は金鳩銅が生成する。
(4)銘化合物領、ポリエステル@1]ぽの勺−機浴剤
浴液中VC分散させ、流延法でフィルムケつくる。壱磯
浴剤の加熱除去中のカロ熱により金属パラジウム又は金
楓鍋が生成する。
浴液中VC分散させ、流延法でフィルムケつくる。壱磯
浴剤の加熱除去中のカロ熱により金属パラジウム又は金
楓鍋が生成する。
(5) 錯化合物i1ポリイミドのテト2ヒドロン=4
− ラン帛准申に分散さセ、給蛛に伝しする。涜さ1−」す
Il、fの熱Pjより金員パラジウム又は金楠銅が生I
t’< L、触a斌e盆南丁絶縁電橢が侍ら石ゐ。
− ラン帛准申に分散さセ、給蛛に伝しする。涜さ1−」す
Il、fの熱Pjより金員パラジウム又は金楠銅が生I
t’< L、触a斌e盆南丁絶縁電橢が侍ら石ゐ。
以上バー(、lj+jt、71−よりに、本発明の黒−
」涛ト廟y)つき用7%q(媒に、θ(の利点か庇ぜら
扛ゐ0(1)生成丁ゐ〈V柄パラジウム又は苔楓銅のt
’v子か血1〃・いため、侍られlζ無屯肩K)つきの
tR性が潰才t6゜ (2)硅床土咎のJjシ体ケ秋川し用いですhので。
」涛ト廟y)つき用7%q(媒に、θ(の利点か庇ぜら
扛ゐ0(1)生成丁ゐ〈V柄パラジウム又は苔楓銅のt
’v子か血1〃・いため、侍られlζ無屯肩K)つきの
tR性が潰才t6゜ (2)硅床土咎のJjシ体ケ秋川し用いですhので。
浴成牛での使用力)用油であり、均−混合が容易0
(3) Sn、CAl4の不M!物を含まないため、侍
しむ、?c焦喝屏めっさの付性か反い0 5− A′2n−
しむ、?c焦喝屏めっさの付性か反い0 5− A′2n−
Claims (1)
- 1.2価のパラジウム化合物又は、1価、21曲の銅化
合物rグルコースと反末t)ざぜて伶らft、、力n熱
V(よジ金楓パラジウムr生成す々緒化合物忙冴む無電
解鋼めっき用触媒0
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14463683A JPS6036670A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 無電解銅めつき用触媒 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14463683A JPS6036670A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 無電解銅めつき用触媒 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6036670A true JPS6036670A (ja) | 1985-02-25 |
Family
ID=15366663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14463683A Pending JPS6036670A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 無電解銅めつき用触媒 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6036670A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110607450A (zh) * | 2019-10-29 | 2019-12-24 | 上海第二工业大学 | 一种选择性浸出沉淀回收印刷线路板中钯的方法 |
-
1983
- 1983-08-08 JP JP14463683A patent/JPS6036670A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110607450A (zh) * | 2019-10-29 | 2019-12-24 | 上海第二工业大学 | 一种选择性浸出沉淀回收印刷线路板中钯的方法 |
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