JPS6036671A - 無電解銅めつきに対する活性化法 - Google Patents

無電解銅めつきに対する活性化法

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JPS6036671A
JPS6036671A JP14463783A JP14463783A JPS6036671A JP S6036671 A JPS6036671 A JP S6036671A JP 14463783 A JP14463783 A JP 14463783A JP 14463783 A JP14463783 A JP 14463783A JP S6036671 A JPS6036671 A JP S6036671A
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JP
Japan
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palladium
compound
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copper plating
electroless copper
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JP14463783A
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Inventor
Isao Matsuzaki
松崎 五三男
Haruki Yokono
春樹 横野
Takehiko Ishibashi
石橋 武彦
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Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/28Sensitising or activating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C18/31Coating with metals
    • C23C18/38Coating with copper
    • C23C18/40Coating with copper using reducing agents

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
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  • Chemically Coating (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 不発ゆ」げ、照を旺屏綱めっさに対丁勾油性化法番′こ
関廖r /、)0 7?[11所睦1めつさrハ印刷配蛛板の分ytで、積
層仏寺の絶縁基板に回路τ形l戊丁ゐためrC広ぐ用い
1l−)1′1ている。
この場合、絶縁差板の無電解銅めっきが釉さt′Lゐ1
川は粘性化、すなわち無電解銅めっきのための触媒1!
!、か形JJkさn心。この触媒核ケ中心にして、無電
解銅めつき故中の銅イオンが析出し、成長して銅膜と7
i:す、回路となぁ〇杷級示板忙粘1」二化丁々ために
、焦篭粛鋼めつさのkめのA・1!奴となる金に4パラ
ジウムケ杷縁基へ表1用に形成σ−1iてい心。
k米、この金楠パラジウムは C6 PdCl* +5nC14Pd +5nC14の反Lr
1、で狗らflており、硅凍土などのJII坏に川持さ
n1触媒作用葡果すように工夫さtLでいる。
そのため、 Sn、C6などの不純物才多く言む9えに
、担体ケ使用丁/)ため、接眉炸]混入し、アディティ
ブ印柚1〔二勝板用の恢涜刑(触媒入り)付槓層恨ケ製
迫丁心場合、そり、ねじnが発生し、fi!線イ午に触
点がめり、又、杷脈′東釈の絶縁層中に混入丁ゐことC
l−は1離でめった。
芒せに錯化合物ケ加熱し、金梧パラジウムケ生成さゼゐ
こと?性欲と丁ゐ無電1屏銅めっさに対丁心粘性化法で
(ンゐ。
21曲のパラジウム化付物とし7てσ、塩化パラジウム
(II) 、フッ化パラジウム(11) m臭化バラジ
9ム(■)、ヨウ化バシジウム(■)、硝酸パラジウム
(11)、硫酸パラジウム(Iす、酸化パラジウム(1
す、硫化パラジウム(Iり及びこnらの混合物が使用さ
n、ゐ。
ハロゲン化物、%に塩化パラジウム(II)が好ましい
011曲、21曲の剰1り化合9勿としては、端止@Q
i(T)、塩化銅<IJ)、 4訛tf#、銅(■り及
び071−らの混合物か1す!用さt14)。
アミノ糖は、糖のアミン6fj <11体であり、ガラ
クトサミン、グルコサミン(塩U ) e?か使用さn
、 60 21曲のパラジウム化合戦13′アミン糖とノ又Lr、
、させて11′4化合9勿γ侍ゐには、1少すえにrl
 メタノール0.2g中に、1)−グルコサミン・塩験
0.24g?力1[λ−1J肢と9し、アミノブチルJ
描酸ケ除去したt々、塩化パラジウム(11)ケ0.1
g加え撮と9丁心ことにより得ら71ゐ、この鉛体げ4
0℃以上の刀り熱で全域パラジウムが析出する○ 侍らn,π錯化付物では、塩化パラジウム(II)σア
ミノ糖に言−まnゐメチル基に配位し,同一分子内に宮
まnゐアルデヒド話で、加熱により金属パラジウムオ生
成丁ゐ〇 加熱は50〜200℃が好ましく、アミノ糖の種類Vr
cLす1Mi錦が決めらnる。
(1)錯化曾物?含む水浴液中に僅めっき物葡凌漬し引
き上け、加熱丁ゐことによV沙めっき物表面に金槙パラ
ジウムケ生成格ぜゐ0(2)錯化合物ケ、コム−フェノ
ール系等の接層剤中に分散(−、この接宥刑ケガラス布
にエポキシ禁當反しに槓1−板表■に塗布し、加熱乾練
丁6段階で金属パラジウム?生成6ぜゐO(5)錯化合
物オエボキシ切崩のアセトン的故甲に分散をせたワニス
ケガラス布等の基材に含ソをせ、刑常の方法により禎層
板紫製造丁ゐ0プリグレグの乾燥時、積層板の力II熟
熱加圧時熱により曾輌バランウムが生成する0 (4)錯化合物を、ポリエステル切崩の壱磯溶剤溶液中
に分散1へ′OIr.延法でフィルム紫つぐな。七磯m
介りのカロ熱除去中の力11熱により金属パラジウムが
生成丁/)。
(5)鉛化什′吻γ、ポリイミドのテトラビトロフラン
浴液中に分散さーb1銅勝Vc伎榎丁ゐO焼き付は時の
熱VCより金樋ノ(ラジウムか生成し触媒性にMT杷絶
縁肪が侍ら1,ゐ。
以上読切したように、本発明の方法では次のオU点が達
せら九る0 (1)生成丁ゐ金属パラジウムの粒子が細かいため、伯
らnた無電解めっきの特性が優n、ゐ。
(2)硅深土等の担体7使用しないですむので、浴欧申
での使用か回層であハ均ー混合が各局。
(5) Sn,(J咎の不純物〒$1ないため、得らn
π無電解めっきの特性か良い。
5− 1”− T.j.:、 i辻占 j’[E ’Jj二1
、串+’+の表示 昭1i1158年特請願第144637’う2、発明の
名11ド 無電j91′iljlめっきにり1する活性化法、3.
補正をする右 事1′トとの関1系 1)許出願人 (11升 東京都新宿区西新宿二丁’l旧番15」名称
(445 )口立1v戊工業株式会社代表打横山亮次 4、 (UIA ■160 居所 東京都新宿区西カ「宿−二丁目1番lーロ立1b
友玉業株式会視内 (電話 東京 346−3]11. (人1し表)6、
補ILの内容 別11Lの通り。
明 細 曹 1、発明の名称 無11L解鋼めっ′e!に対する活性化法2、時#′f
請求の範囲 1.2価のパラジウム化合物又汀1価、211II]の
廟化会物ケアミノ糖と反応させた鉛化合物を加熱し金属
パラジウム又は金M鋼勿生成ちゼることt%敵とてる無
′…、要綱めっきに対する活性化法。
6、発明の詳細な説明 本発明(グ、無′咀牌鋼めっきに対する活性化法に関す
る〇 無′…、解銅めっきに、印刷配線板の分封で、積層板等
の1縁泰板に回路を形成丁小ために広く用いらtしてい
る。
この場合、絶縁基板の無電解組めっきが施される曲は@
性化、丁なわち無電解組めっさのためり触媒核が形成さ
扛る。この触媒核を中心にして、無′由、所餉めっ@敵
申の銅イオンか析出し、成長して銅膜となり、N路とな
る。
絶縁基板を粘性化するためV(、無電解組めっきのため
の触媒となる金属パラジウム又は金緬餉τ絶縁基板六曲
に形成場ぜている。
使米、例えはこの金属パラジウムに Cl PdCl−+Sn(Jm−→Pd +5n(J−の反応
で傅ら扛ており、硅深土などの担体に担持て′t1..
触媒作用ン釆丁よう米子夫きれている0そのため、 S
n、CIなどの不純物會多く會trうえに、担体r使用
するkめ、接虐剤に混入し、アディティブ印刷配線板用
の接宥削(触媒入り)付槓r#I板r!Si!造する場
付、そり、ねじれが発生し、絶縁性に離点かあり、又、
絶縁電線の絶縁層中に混入することは困難でおった0 本発明げこのような点に鑑みてなされたもので、2価の
パラジウム化合物又は111II]、2111tIの銅
化合物tアミノ糖と反応嘔ぜた錯化合物tカロ熱し、金
属パラジウム又は金属鋼ケ生成させること忙特徴とする
無電解組めつさに対する活性化法でおる0 2価のパラジウム化付物としては、塩化ノ(ラジウム(
■)、ンフ化パラジウム(”)b 臭化パラジウム(n
)b ヨウ化パラジウム(■)、硝酸パラジウム(n)
、硫酸パラジウム(■)、酸化パラジウム(n) k硫
化パラジウム(II)及びこ扛らの混合物が使用さ扛る
ハロゲン化物5時に塩化パラジウム(川が好ましい。1
1曲、21曲の銅化合物としては、塙化爾虹■)、塩化
鋼(■)、鎖酸鋼(II)及びこれらの混合物が使用さ
扛る〇 れる0 2倫のパラジウム化合物tアミン糖と反応させて錯化付
物ケ侍るには、1タリえば、メタノール0.2g甲に、
D−グルコサミン・塩酸α24gt刀口え、掘とうし、
アミノフ”チルtα1g加え。
塩酸會除去した俊、塩化パラジウム(用盆[11g加え
振とうすゐことによ、0得られる。この錯体に40℃以
上の加熱で金拘パラジウムが析出する0 得らnた鉛化合物では、塩化パラジウム(IIJに5− アミノ糖VC含1れるメプル基に配位し、同一分子内に
含まtlをアルデヒド基で、加熱によジ金踊パラジウム
γ生成する。
加熱に60〜200℃が好着しく、アミノ糖の4−!l
l類により通搗が決められる。
不発明Q)使用例を説明する。鉛化合物の1床用MげP
d 、Cu鼠″T:は1良釡%以下が好ましい。
(1)錯化合戦Iτ宮む水浴液中に扱めっき物盆浸γ貢
し引さ」二け* 7Jll熱することVCより級めっき
iI鉦衣山1に金属パラジウム又は金属鋼で生成さ一1
!7る○ (2)細化8物τ、ゴムーフ、ノール糸等の接盾卸J申
に分散し、この俵盾沖ノτカラス布VCエポキシr官反
した槓〜板表佃yc塗布し、力ロ熱乾燥する段階で金属
パラジウム又は金属鋼を生成さぜる。
(5)鉛化合物tエポキシ但(脂のアセトン浴液中に分
散させたフェスγカラス涌等の基材に含浸させ、通常の
方法により積−・似を製造する。
プリプレグの乾床時、績層板の加熱加圧時の4− #IL/cjv金属パラジウム又に金員峙1が生成下4
1O (4)像上化合9勿ケ、ポリエステ2位f月旨の南4残
俗沖」俗亀中に分散させ、が1.組法で2イルムrつく
る。七機浴ハIJの加熱除去中の加熱により金椙パラジ
ウム又は金M銅が生成する。
(5ン 錯化合午勿γ、ホリイミドのテトラヒドロフラ
ン#ダ液中に分散さぜ、銅称VC扱a・丁な。焼き付e
ブ時の熱にまり全組パラジウムか生n(シ触W注r勺丁
帖線屯線が狗ら扛る〇 以上欣明しlこよ’]C,不発明(lツカ仏では次の利
点が違ぜられゐ。
(1)生成下4)蓋楡パラジウム又に金桐★1−1の粒
子が廁かいため、得ら第1に無電解めっきの特性が&t
′Lる。
(2) #−#櫟十等の相体r使用しないで丁むの一〇
溶成中での1史用が口■籠であり、均一γ昆付か容易0

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.2・薗のパラジウム化舎物又17II価、21曲の
    銅化合物ケアミノ糖と反応させた錯化合物tカIJ熱し
    金属バシジウム笛生成さゼゐことケ待斂とする黒市屏鋼
    めっさ+/j対する活性化法。
JP14463783A 1983-08-08 1983-08-08 無電解銅めつきに対する活性化法 Pending JPS6036671A (ja)

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