JPS6037183A - 磁電変換素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はホール素子、磁気抵抗素子のような磁電変換素
子の製造方法に関する。

一般に、磁電変換素子は、量産効果を高めるために同一
基板上に多数個の素子を同時に形成し、後で個々の素子
に分離するという製造方法がとられている。例えば、第
１図に示すように、フェライト、ガラス等のサブストレ
ート１上に１〜２０μｍの厚さに半導体ウェハ（例えば
ＩｎＳｂのウェハ）２を形成する。この半導体ウェハ２
４１（ンゴットを２００〜３００μｍ程度の厚さに切断
したものをサブストレート１上に接着し、こゎを１〜２
０μｍ程度の厚さに研摩したものである。なお、半導体
ウェハの代わりに蒸着、スパッタリング等により１〜２
０μｍ程度の浮きの半導体層を形成したものでもよい。

半導体ウェハ２上にホトレジストを塗布し、磁電変換素
子のパターンを一定の間隔で焼付けてレジストを作り、
半導体ウェハ２をエツチングして多数個の磁電変換素子
本体を形成し、次に電極を形成するために＞Ｑ体層、例
えばＩｎ層を蒸着し、その上にホトレジストを塗布しり
後１１　極（１）　ｒ：　ターンを焼付けてレジス）ヲ
作す、不要部分をエツチング除去して電極を形成する。

このようにしてウェハ２に多数個の１ｔｒｒ変換素子を
形成した後、第１図の縦横線で示すように、例えばダイ
シングソーまたはマイクロスクライバ−を使用して格子
状に切断し、仰々に独立した磁電変換素子を得ている。

第２図は」二記製造方法によって得られた１個のホール
素子１ｏを例示する平面図であり、第３図は第２図の側
面図である。図において１１はホール素子本体、１２は
電流電極、１６は電圧電極をそれぞれ示す。このホール
素子１０の各電極１２．１３に、第４図に示すようにリ
ードフレーム（またはリード線）１４をボンディングし
、ホール素子本体１１上にプリコート剤またはモールド
剤を塗布し、所望のホール素子を形成するものである。

ホール素子を例にとって説明したが、他の磁電変換素子
の場合も同様の態様で製造される。

このように、従来は磁電変換素子の電極にＩＪ−ド線ま
たはリードフレームをボンディングした後で始めて手作
業によりプリコート剤あるいはモールド剤を素子本体で
ある半導体チップ上に塗布している。このため、磁電変
換素子の製造工程において感磁部である素子本体の表面
に傷が付いたり、不純物が付着したりして特性が劣化す
る欠点があった。また、手作業でプリコート剤あるいは
モールド剤の塗布作業中に素子本体の表面を傷付ける恐
れがあり、手作業であるため塗布膜が不均一となるので
美観を損ない、購入意欲の減退をまねきさらにプリコー
ト剤あるいはモールド剤によって作業者の皮膚傷害を起
す等の欠点があった。

本発明は上記従来の欠点を除去するためになされたもの
で、磁電変換素子の本体の所定部分に電極を形成した後
該電極部分を除いて素子表面全体に絶縁層を形成し、感
磁部である素子本体の表面を保護するようにした磁電変
換素子の製造方法を提供するものである。

以下、本発明の実施例につき第５図ないし第９図を参照
して詳細に説明する。なお、以下の説明では同一基板に
多数個の素子を同時に形成した後、個々の素子に切り離
す場合を例にとっているが一個々の素子を独立に製造す
る場合にも本発明が実施できることは勿論である。

まず、第１図に示した従来の製造方法と同様に、フェラ
イト、ガラス等のサブストレート上に１〜２０μｍの厚
さの半導体ウェハを形成する。ホール素子の場合には半
導体ウェハとして例えば１ｎｓｂを使用する。次に、こ
の半導体ウェハ上にホトレジストを塗布し、所要の磁電
変換素子、例えばホール素子のパターンを一定の間隔で
焼付けてレジストを作り、このレジストをマスクとして
半導体ウェハをエツチングし、所要のパターンの多数個
の磁電変換素子本体を形成する。次に、全表面に導体層
、ホール素子の場合には例えばＩｎ層、を例えば蒸着、
スパッタリング等の方法により形成し、その表面にホト
レジストを塗布し、所要の電極のパターンを焼付けてレ
ジストを作り、このレジストをマスクとして導体層をエ
ツチングし、所要の電極を形成する。第５図はここまで
の製造工程によって得られたホール素子の断面図である
。

図中の参照番号は第２図および第６図のものと同一であ
る。

次に、本発明の製造工程の特徴は第６図および第７図に
示すように、電極１２．１３を除く素子表面全体に絶縁
層２０を形成することにある。この絶縁層２０の材料と
しては絶縁性および接着性にすぐれ、かつ液状で展張性
を有するものが好ましく、厚さは５０μｍ程度でよい。

本実施例ではエポキシ樹脂をスクリーン印刷法により約
５０μｍの厚さに被着することにより、またホトレジス
ト、例えば（株）スリーボンド社の商品名ＵＶ−３０１
Ａ１をホトエツチング法により約５０μｍの厚さに被着
することにより・絶縁層２０を形成したが、他の材料が
使用できることはいうまでもない。次にダイシングソー
またはマイクロスクライバ−を使用してつ′エバを格子
状に切断し、多数個の個々に独立したホール素子に分離
する。次に、第８図に示すように各電極１２．１３にそ
れぞれリードフレーム２１をボンディングする。リード
フレーム２１の代りに通常のリード線をボンディングし
てもよい。リードフレーム２１をボンディングした後、
上部に磁性片を接着剤、例えばエポキシ樹脂で貼着し、
所望のホール素子を完成する。

また、磁性片を必要としない場合にはリードフレーム２
１を電極にボンディングした後、第９図に示すように素
子表面全体に上記絶縁層２０と同様の絶縁層２２を形成
してもよい。これらの場合にはリードフレーム（リード
線）と電極間の機械的強度が高くなり、ボンディング部
での接触不良、断線等の事故がなくなる。また磁性片を
使用しない場合でも絶縁層２２の表面を平らに仕上げる
ことができるので美観が良くなり、購入者に信頼感を与
えるという利点もある。

上述のように、本発明では、電極を形成した後で感磁部
がある素子表面に絶縁層を形成したので、この絶縁層が
素子の心臓部である感磁部を保護し、リードフレームま
たはリード線のボンディング工程以後において感磁部に
不純物が付着したり、傷を付けたりする致命的な欠点を
除去することができる。また、例えばスクリーン印刷法
により絶縁層を形成することができるので、作業性が良
く、かつ美観の点でもすぐれている。勿論、手作業では
ないので作業者の皮膚傷害も全く起らない。また、自動
化が可能となるので、均一な製品を多量に生産でき、信
頼性および作業性が一段と向上する。さらに、磁電変換
素子に完成する前に、ウェハの状態あるいは個々のチッ
プの状態で保管する際にも、ｅ、硼部に傷が付いたり、
不純物が付着したり、湿気の影響を受けたりすることが
ない等の多くのすぐれた利点があり、その作用効果は顕
著である。

なお、上記実施例では磁電変換素子としてホール素子を
例示したが、他の磁電変換素子にも本発明が適用でき、
同様の作用効果が得られることはいうまでもない。また
、必要に応じて種々の変形、変更がなし得ることは勿論
である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の磁電変換素子の製造方法の一例を説明す
る平面図、第２図は従来の製造方法によって得られたホ
ール素子の一例を示す平面図、第３図は第２図の側面図
、第４図は第２図のホール素子の電極にリードフレーム
をボンディングした状態を示す側面図、第５図ないし第
９図は本発明による製造方法を工程順に説明するための
もので、第５図は電極を形成した状態を示す断面図、第
６図は絶縁層を形成した状態を示す平面図、第７図は第
６図の側面図、第８図は電極にリードフレームをボンデ
ィングした状態を示す平面図、第９図はリードフレーム
ボンディング後に絶縁層を形成した状態を示す平面図で
ある。 図中の１０はポール素子、１１はホール素子本体、１２
、、１３は電極、１４．２１はリードフレーム、２０．
２２は絶縁層である。 特許出願人　電気音響株式会社 笛１図　第２図 第３図　第４図 第５図 ］１１

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、サブストレート上の半導体チップを所定のパターン
   でエツチングして磁電変換素子本体を形成する段階と、
   前記磁電変換素子本体の所定の部分に導体を被着し、所
   定の電極を形成する段階と、前記電極の部分を除く表面
   全体に絶縁層を被着する段階と、前記電極に所定のリー
   ドをボンディングする段階とからなることを特徴とする
   ８ｉ電変換素子の製造方法。