JPS6037191A - 半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザの製造方法Info
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- JPS6037191A JPS6037191A JP14538683A JP14538683A JPS6037191A JP S6037191 A JPS6037191 A JP S6037191A JP 14538683 A JP14538683 A JP 14538683A JP 14538683 A JP14538683 A JP 14538683A JP S6037191 A JPS6037191 A JP S6037191A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 19
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
-
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
- H01S5/2235—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface with a protrusion
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、大出力半導体レーザの製造方法に関する。
半導体レーザは光フアイバ通信用及び情４’＋ｉ ％
ｇ！用の光源として開発されている。特に光ディスク書
き込みあるいはレーザプリンタなどの情報処理用光源と
しては、現在、ＧａＡＳ基板忙用いたＡｌＧａＡｓ系可
視光半導体レーザが主流を占め、基本線モードでの高出
力化の試みがなされている。
ｇ！用の光源として開発されている。特に光ディスク書
き込みあるいはレーザプリンタなどの情報処理用光源と
しては、現在、ＧａＡＳ基板忙用いたＡｌＧａＡｓ系可
視光半導体レーザが主流を占め、基本線モードでの高出
力化の試みがなされている。
この様なＡｌ０ａＡｓ系可視光半４付レーザの中で溝付
きＧ ａＡｓ基板上にダブルへテロ構造を形成したチャ
ンネルド・サブストレート・プレーナストライプ構造半
導体レーザ（以下Ｃ３Ｐｖ−ザと略称する）が提案され
ている。
きＧ ａＡｓ基板上にダブルへテロ構造を形成したチャ
ンネルド・サブストレート・プレーナストライプ構造半
導体レーザ（以下Ｃ３Ｐｖ−ザと略称する）が提案され
ている。
第１図は、上記のＡｌＧａＡｓ系Ｃ８Ｐ ｖ−ザの共振
器に垂直な断面構造を示し、深さ１μｍ、１１５μｍの
（０１１）方向に平行なストライプ状の溝１０を設置ヶ
だｎ型０ａＡｓ基板ｌの（１００）面上に、該＠１ｏの
外部での層厚０．３μｍのｎ ｍ、 ＡＩ ＸＧａ１
ｚＡｓ第１クラッド層（ｘ〜０．４５ ） ２、層厚０
．０７μｉｌｌのアンドープＡｌｙＧａ、−ｙ人３油性
層（Ｙ 〜０．１５ ） ３一層厚２μｍのｐ型Ａｌｘ
Ｇａ１ ｚＡｓ第２のクラッド層４からなるダブルへテ
ロ構造及び該ｐｍＡｔＸａａ１−ＸＡｓ 第２クラッド
層４の上に位動′するｎ型ＧａＡｓキャップ層５からな
る４層構造が一回の連続液相成長により形成され、上記
溝１０の上でも平坦なＡｌｖ（Ｅａｌ ｙＡｓ活性層が
得られている。また上記１）ζ１０に沿って電流狭窄用
の幅７μｍのストライプび裏面にｐ型茂びｎ型のオーミ
ックを金工３及び１４が設けられている。
器に垂直な断面構造を示し、深さ１μｍ、１１５μｍの
（０１１）方向に平行なストライプ状の溝１０を設置ヶ
だｎ型０ａＡｓ基板ｌの（１００）面上に、該＠１ｏの
外部での層厚０．３μｍのｎ ｍ、 ＡＩ ＸＧａ１
ｚＡｓ第１クラッド層（ｘ〜０．４５ ） ２、層厚０
．０７μｉｌｌのアンドープＡｌｙＧａ、−ｙ人３油性
層（Ｙ 〜０．１５ ） ３一層厚２μｍのｐ型Ａｌｘ
Ｇａ１ ｚＡｓ第２のクラッド層４からなるダブルへテ
ロ構造及び該ｐｍＡｔＸａａ１−ＸＡｓ 第２クラッド
層４の上に位動′するｎ型ＧａＡｓキャップ層５からな
る４層構造が一回の連続液相成長により形成され、上記
溝１０の上でも平坦なＡｌｖ（Ｅａｌ ｙＡｓ活性層が
得られている。また上記１）ζ１０に沿って電流狭窄用
の幅７μｍのストライプび裏面にｐ型茂びｎ型のオーミ
ックを金工３及び１４が設けられている。
とのＣＳ １）レーザは一回の液相成長ｉｃより容易に
製造できるという長所を有する。
製造できるという長所を有する。
上記Ｃ８Ｐレーザは活性層を中心とする垂直方向の光分
布の裾が溝の外（ｔｉｌｌでは（ｉ Ｂ Ａ Ｓ基板内
に達する様にして、溝内外に実効屈Ｊｌｉ率差を与え、
光を上記溝の幅内に閉じ込め、５０〜６０ｍＡという比
較的低い閾値電流で基本横モード発掘を実現している。
布の裾が溝の外（ｔｉｌｌでは（ｉ Ｂ Ａ Ｓ基板内
に達する様にして、溝内外に実効屈Ｊｌｉ率差を与え、
光を上記溝の幅内に閉じ込め、５０〜６０ｍＡという比
較的低い閾値電流で基本横モード発掘を実現している。
ところで、一般Ｉｃ ＡＩ ０ａＡｓ系可視元レーザは
。
。
共振器端面における活性層が光を吸収することにより、
急激な温展上昇を起こし端面が溶融破壊されるという光
学損傷現象を口し、そのため最大光出力が制限されると
いう弱点ｔもつつ上記光学損傷の開始レベルを上げ、最
大光出力を向上させるためＫは、一般に共振器端面−Ｃ
の元の吸収係敬を少なくする方法と活性ｌ曽の端面での
光出力ｖＭ度を減少させる方法がある。
急激な温展上昇を起こし端面が溶融破壊されるという光
学損傷現象を口し、そのため最大光出力が制限されると
いう弱点ｔもつつ上記光学損傷の開始レベルを上げ、最
大光出力を向上させるためＫは、一般に共振器端面−Ｃ
の元の吸収係敬を少なくする方法と活性ｌ曽の端面での
光出力ｖＭ度を減少させる方法がある。
上記Ｃ８Ｐレーザでは、従来活性層を全共振器長にわた
り厚さ０．０７μｍと一様に薄く形成し、活性層をはさ
む上下のクラッド層への光のしみ出しを増して発振光の
電界分布を活性層に垂直方向に拡げること罠より、活性
層端面での光出力密度を減少させ、前記光学損傷開始レ
ベルを押し上げ、光出力を向上させている。しかしなが
ら、この光出力は最大１５〜２０ｍＷ程度であり、２０
ｍＷ以上の先出カケ要する光ディスク書き込み用もしく
はレーザプリンタ用の光源としては不充分であった。
り厚さ０．０７μｍと一様に薄く形成し、活性層をはさ
む上下のクラッド層への光のしみ出しを増して発振光の
電界分布を活性層に垂直方向に拡げること罠より、活性
層端面での光出力密度を減少させ、前記光学損傷開始レ
ベルを押し上げ、光出力を向上させている。しかしなが
ら、この光出力は最大１５〜２０ｍＷ程度であり、２０
ｍＷ以上の先出カケ要する光ディスク書き込み用もしく
はレーザプリンタ用の光源としては不充分であった。
本発明Ｕ５、上記Ｃ８Ｐレーザに於げる最大光出力を更
に向上させる構造を有する半導体レーザの製造方法を提
供することを目的とする。
に向上させる構造を有する半導体レーザの製造方法を提
供することを目的とする。
本発明によれば、共振器全長にわたり一様なＩＲを形成
した半導体基板の共振器端面近傍での上記溝の両側１に
窪みを設けることにより、上記両側の窪みにはさまれた
渚の部分で、ダブルヘテＩ：＋ｓ造の第１クラッド層及
び活性層の層厚を共振器内部におけるより更に薄くでき
るため、基板表面に対する活性層の高さが共振器内部に
比べ、共振器端面近傍でより低く、該活性層の層ｆＶ、
ｉ１前述の力１１＜共振器内部に比べ共振器端面近傍で
より薄く、かつ該活性層が共振器全長にわたり、上記溝
の上れ１５近傍で溝に垂直方向に平Ｊ４ｊであるイ）炎
な、活性層を中間層とするダブルヘテｐ構造を合したＣ
８Ｐレーザ構造が実現される。その結果、第１に、端面
近傍での活性層を発振光の垂部方向の光分布のピーク位
置から離して活性層端面での光出力ｖ咀４減少させ、第
２に活性層を端面でより薄くシ光の吸収量を減すること
により、共振器端面での温度上昇に基づく前記光学損傷
を抑η、１）シ、最大光出力を大幅に増大することがで
きる。
した半導体基板の共振器端面近傍での上記溝の両側１に
窪みを設けることにより、上記両側の窪みにはさまれた
渚の部分で、ダブルヘテＩ：＋ｓ造の第１クラッド層及
び活性層の層厚を共振器内部におけるより更に薄くでき
るため、基板表面に対する活性層の高さが共振器内部に
比べ、共振器端面近傍でより低く、該活性層の層ｆＶ、
ｉ１前述の力１１＜共振器内部に比べ共振器端面近傍で
より薄く、かつ該活性層が共振器全長にわたり、上記溝
の上れ１５近傍で溝に垂直方向に平Ｊ４ｊであるイ）炎
な、活性層を中間層とするダブルヘテｐ構造を合したＣ
８Ｐレーザ構造が実現される。その結果、第１に、端面
近傍での活性層を発振光の垂部方向の光分布のピーク位
置から離して活性層端面での光出力ｖ咀４減少させ、第
２に活性層を端面でより薄くシ光の吸収量を減すること
により、共振器端面での温度上昇に基づく前記光学損傷
を抑η、１）シ、最大光出力を大幅に増大することがで
きる。
以下本発明による半導体レーザの製造プノ法を図面に基
づいて説明する。
づいて説明する。
第２図は本発明によるｎ型ＧａＡＳ基板１の兄取り図を
示し、従来のストライプ状の洛１０の他に、端面近傍Ｂ
での上記溝１０から両側に約５μＩｎ離れた位置より上
記溝ｌＯに垂直方向に幅２０〜３０μｍ、深さ１μｍの
窪み１１を上記ｔ７？ １□と同時にフォトレジスト法
により形成したものである。
示し、従来のストライプ状の洛１０の他に、端面近傍Ｂ
での上記溝１０から両側に約５μＩｎ離れた位置より上
記溝ｌＯに垂直方向に幅２０〜３０μｍ、深さ１μｍの
窪み１１を上記ｔ７？ １□と同時にフォトレジスト法
により形成したものである。
第３図はその後の製造工程により多層構造を形成した素
子の端面近傍Ｂに於ける溝方向に垂直な断面図であり上
記ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板ｌの上に第１図で述べたと同
様の成長条件で一回の連続油相成長によりｎ型ＡｌＸＧ
ａ、−ＸＡｓ第１クラ、ド層２、アンドープＡｌｙＧａ
１ ｙＡｓ活性層３、ｐ 訳ｌ １ｘＧａ、。
子の端面近傍Ｂに於ける溝方向に垂直な断面図であり上
記ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板ｌの上に第１図で述べたと同
様の成長条件で一回の連続油相成長によりｎ型ＡｌＸＧ
ａ、−ＸＡｓ第１クラ、ド層２、アンドープＡｌｙＧａ
１ ｙＡｓ活性層３、ｐ 訳ｌ １ｘＧａ、。
Ａ、９第２クラ、ド層４及びｎ型ＧａＡｓ キャ、ブ層
５を順次形成し、上記ストライプ状の溝ｌＯに沿ってＺ
ｎ拡散によりｐｍ選択拡散領域を設けその後このクエハ
の表面及び裏面にｐ型及びｎ型オーミック電極１３反び
１４を形成して出来上がる。
５を順次形成し、上記ストライプ状の溝ｌＯに沿ってＺ
ｎ拡散によりｐｍ選択拡散領域を設けその後このクエハ
の表面及び裏面にｐ型及びｎ型オーミック電極１３反び
１４を形成して出来上がる。
上記液相成長の工程に於て、端面近傍Ｉ３に於て両側の
窩み１１でのｎ型Ａｌｘ０ａｔ−ｘＡＳクラッド層２の
成長が支配的になり、上記両側の窪み１１の間に位置す
る２つのメサ１２反び溝ｌＯの上部での、上記ｎ型Ａ］
ｘＧａ、−ｘＡ５クラ、ド層２の成長速度が減少し、表
面は平坦であるが共振器白日Ｉ人に比べ約０１５μｍ薄
い上記クラ、ド層２が形成され従って活性層３の高さに
共振器内部Ａと共振上２端面近傍Ｂとで差が生じる。同
様に、上記ｎ型Ａｔｘｏ、１ｘＡｓクラ、ド層２の上の
活性層３の層厚も成長速度の差から共振器内部Ａでの０
．０７μｍに比べ共振器端面近傍Ｂ′ｔ′ＦＪ、０．０
４μｍとはぼ半分圧減少する。
窩み１１でのｎ型Ａｌｘ０ａｔ−ｘＡＳクラッド層２の
成長が支配的になり、上記両側の窪み１１の間に位置す
る２つのメサ１２反び溝ｌＯの上部での、上記ｎ型Ａ］
ｘＧａ、−ｘＡ５クラ、ド層２の成長速度が減少し、表
面は平坦であるが共振器白日Ｉ人に比べ約０１５μｍ薄
い上記クラ、ド層２が形成され従って活性層３の高さに
共振器内部Ａと共振上２端面近傍Ｂとで差が生じる。同
様に、上記ｎ型Ａｔｘｏ、１ｘＡｓクラ、ド層２の上の
活性層３の層厚も成長速度の差から共振器内部Ａでの０
．０７μｍに比べ共振器端面近傍Ｂ′ｔ′ＦＪ、０．０
４μｍとはぼ半分圧減少する。
第４図は、第３図に述べ九本発明による半導体レーザｔ
ｌ−横から見たもので、基板表面７に形成され丸溝底８
を存するＣ８Ｐレーザの溝ｌＯの中央に沿った共振器方
向の断面を表わし、γＲ１０の上の活性層３の高さ及び
層厚が共振器内部Ａに比べ、共振器端面近傍Ｂで各々約
０．１５μｍ及び約０３μｍ減少している。発振光の４
ｉ：直方向の電界強度分布９のピーク位置が、共振器内
部Ａ′ｔ″１」活性層の位置と一致しているのに対し、
へ糸器端曲近傍Ｂでは、活性層が上記電界強度分布９の
ピーク位置から約０．１５μｍ離れているため、共振器
端面では活性層３の光出力密度が従来に比べ半分以下に
減少し、共振器端面での活性層３の層１１がより薄いこ
と自体による光の吸収量の減少効果とも相乗して、共振
器端面での温度上昇を半分以下に抑えられる。
ｌ−横から見たもので、基板表面７に形成され丸溝底８
を存するＣ８Ｐレーザの溝ｌＯの中央に沿った共振器方
向の断面を表わし、γＲ１０の上の活性層３の高さ及び
層厚が共振器内部Ａに比べ、共振器端面近傍Ｂで各々約
０．１５μｍ及び約０３μｍ減少している。発振光の４
ｉ：直方向の電界強度分布９のピーク位置が、共振器内
部Ａ′ｔ″１」活性層の位置と一致しているのに対し、
へ糸器端曲近傍Ｂでは、活性層が上記電界強度分布９の
ピーク位置から約０．１５μｍ離れているため、共振器
端面では活性層３の光出力密度が従来に比べ半分以下に
減少し、共振器端面での活性層３の層１１がより薄いこ
と自体による光の吸収量の減少効果とも相乗して、共振
器端面での温度上昇を半分以下に抑えられる。
この結果、従来のＣ８Ｐレーザに比べ閾値電流は同程度
であるが最大光出力ｉｊ：２倍以上の４０ｍＷ以上に向
上する。
であるが最大光出力ｉｊ：２倍以上の４０ｍＷ以上に向
上する。
上記の如く１本発明によれば、 ＡＩＧＱＡｓ系Ｃ８Ｐ
レーザに於て、 Ｇ、Ａ、基板に形成するストライプ状
の溝の共振器端面近傍での両側に窪みを付加することに
より、共振器内部に比べ共振器端面近傍では活性層の高
さが低く、活性層が発振光のピーク位置からけずれ、か
つ活性層が薄くなるため、端面の活性層での光出力密度
及び尤の吸収量を減少せしめ、最大光出力を従来に比べ
２倍以上にすることが可能となる。
レーザに於て、 Ｇ、Ａ、基板に形成するストライプ状
の溝の共振器端面近傍での両側に窪みを付加することに
より、共振器内部に比べ共振器端面近傍では活性層の高
さが低く、活性層が発振光のピーク位置からけずれ、か
つ活性層が薄くなるため、端面の活性層での光出力密度
及び尤の吸収量を減少せしめ、最大光出力を従来に比べ
２倍以上にすることが可能となる。
このとき、ストライプ状の溝のル状ね共振器の全長にわ
たり一様であり、その上に形成される活性層は、該溝の
上部近傍では共振器に坐直方向には平坦となり再現性の
点で好ましい６まだ閾値電流等の他のレーザ特性は変わ
らない。
たり一様であり、その上に形成される活性層は、該溝の
上部近傍では共振器に坐直方向には平坦となり再現性の
点で好ましい６まだ閾値電流等の他のレーザ特性は変わ
らない。
更＆′ｃｐ型、ｎ ２２クラ、ド層のＡ１組成が異なっ
ても、上ｎ１１の導電型を換えてもあるいはＡｌＧａＡ
ｓ系に限らす光の吸収が大きい半導体基板を用いる場合
にも本発明が適用されることｉｔＫうまでもない。
ても、上ｎ１１の導電型を換えてもあるいはＡｌＧａＡ
ｓ系に限らす光の吸収が大きい半導体基板を用いる場合
にも本発明が適用されることｉｔＫうまでもない。
第１図は従来の半導体レーザの共振器ｉ二垂直な断面図
であり、第２図、第３図及び第４図り本発明による半導
体レーザの各製造工程における模式図で、第２図は半導
体基板の見取り図、第３図は共振器端面近傍での共振器
に垂直なル１１ｍ図、第４１凶は共振器方向の断面図で
ある。 図中、共通番号は共通名称を表わす。 １、ｎ ｍ、 （’１ａＡｓ ５板、２．ｎ型Ａｌｘ（
ｊａＩ ＸＡ８第１クラ、ド層、３． Ａｌ、Ｇａ、
、Ａｓ活性湘、４゜ｐ ｉ ＡＩ Ｘ Ｇａ １ ｚＡ
ｓ第２クラッド層、Ｓ ｎ型Ｇ ａ Ａ Ｓキャ、プ層
、６． ρ型選択拡散領域、７゜ｎ型Ｇ、Ａｓ基板の溝
外表面（破線）、８． ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板の溝底
、９． 発振光の垂直方向の電界強度分布、１０．０型
ＧａＡ、基板のストライプ状の溝、１１． ｎ型ＧａＡ
、基板の荏み、ｌ ２． 共振器端面近傍における基板
メサ８ｉ１． Ｉ ３． ｐ型オーミック電極、１４、
ｎ星オーミック電極、Ａ、共振器内部、Ｂ、共振器端
面近傍。 代理人弁理士内原 第１図 第２図 ０
であり、第２図、第３図及び第４図り本発明による半導
体レーザの各製造工程における模式図で、第２図は半導
体基板の見取り図、第３図は共振器端面近傍での共振器
に垂直なル１１ｍ図、第４１凶は共振器方向の断面図で
ある。 図中、共通番号は共通名称を表わす。 １、ｎ ｍ、 （’１ａＡｓ ５板、２．ｎ型Ａｌｘ（
ｊａＩ ＸＡ８第１クラ、ド層、３． Ａｌ、Ｇａ、
、Ａｓ活性湘、４゜ｐ ｉ ＡＩ Ｘ Ｇａ １ ｚＡ
ｓ第２クラッド層、Ｓ ｎ型Ｇ ａ Ａ Ｓキャ、プ層
、６． ρ型選択拡散領域、７゜ｎ型Ｇ、Ａｓ基板の溝
外表面（破線）、８． ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板の溝底
、９． 発振光の垂直方向の電界強度分布、１０．０型
ＧａＡ、基板のストライプ状の溝、１１． ｎ型ＧａＡ
、基板の荏み、ｌ ２． 共振器端面近傍における基板
メサ８ｉ１． Ｉ ３． ｐ型オーミック電極、１４、
ｎ星オーミック電極、Ａ、共振器内部、Ｂ、共振器端
面近傍。 代理人弁理士内原 第１図 第２図 ０
Claims (1)
- ！ 第１の導電型を有する第１の半導体基板上、に、ス
トライプ状の溝と該ストライプ状の溝の両側の共損器端
面近傍に位置する窪みとを設ける第１の工程、上記第１
の半導体基板上に第１の導電型を有し該第１の半導体基
板より大きい禁制帯幅を有する第２の半導体クラ、ド層
、該第２の半導体クラ、ド層上に該第２の半導体クラッ
ド層より小さい禁制帯幅を有する第３の牛尋体型を有す
る第４の半導体クラ、ド層及び該第４の半導体クラ、ド
層の上に第１の導電型を有する第５の半導体キヤ、ブ層
を連続的にエピタキー／ヤル成長する第２の工程、前記
ストライプ状の溝の直上部の第５の半導体キャップ層に
、第２の導電型を有し第４の半導体クラ、ド層に到達す
るストライプ状の不純物拡ｆＡ’ｔ、 ｉ＄を域を選択
的に形成する第３の工程、第５０半導Ｖ・キャップ表面
に第２の導電型のオーミ、り′ＲＬ極、第１の半導体基
板のＭ面に第１の導電型のオーミック電極を形成する第
４の工程及び、第１の半導体基板のストライプ状の溝の
両側に設置Ｊた窪みを通り、該ストライプに直角な臂開
面を形成し隣りあうストライプ間で素子分離する絽５の
王も１からなると七を特徴とする半導体レーザの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14538683A JPS6037191A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14538683A JPS6037191A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037191A true JPS6037191A (ja) | 1985-02-26 |
Family
ID=15384041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14538683A Pending JPS6037191A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037191A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60257583A (ja) * | 1984-06-04 | 1985-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS61245592A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS61247086A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| US5087587A (en) * | 1986-02-13 | 1992-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Epitaxial growth process for the production of a window semiconductor laser |
| JPH0635172U (ja) * | 1992-10-12 | 1994-05-10 | 株式会社ラヤマパック | 真空成型包装容器 |
| WO2014202619A1 (de) * | 2013-06-21 | 2014-12-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Kantenemittierender halbleiterlaser und verfahren zu seiner herstellung |
-
1983
- 1983-08-09 JP JP14538683A patent/JPS6037191A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60257583A (ja) * | 1984-06-04 | 1985-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS61245592A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS61247086A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| US5087587A (en) * | 1986-02-13 | 1992-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Epitaxial growth process for the production of a window semiconductor laser |
| JPH0635172U (ja) * | 1992-10-12 | 1994-05-10 | 株式会社ラヤマパック | 真空成型包装容器 |
| WO2014202619A1 (de) * | 2013-06-21 | 2014-12-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Kantenemittierender halbleiterlaser und verfahren zu seiner herstellung |
| US9812844B2 (en) | 2013-06-21 | 2017-11-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Edge-emitting semiconductor laser and method for the production thereof |
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