JPS6037736A - 表面清浄方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、固体材料表面、特に半導体基板表面の清浄化
方法に関する。

〔従来技術とその問題点〕

半導体集積回路製造においては、工程途中で種々の不純
物やゴミ等が基板表面に付着する。不純物中の有機物は
、一般にＯｆアッシングや０２存在化での柴外光照射に
より０．を生成せしめ、酸化除去されることが知られて
いる。金属類は、有機物で異なってドライな方法で除去
することが不可能であるため、一般に酸に溶解させ、水
洗する。水は、軸側φ、、Ｌ＋Ａ輔↓弔セｔユｔ　壱Δ
？ｒτ蛸蔭九陸土することは不可能であり、近年金属類
の除去方法のドライ化の要求が高まっている。

本発明者は、Ｓｉ　ウェーッ・上に付着した重金属類を
液体を使用することなく除去する方法を鋭意検討した結
果、−酸化炭素雰囲気下で加熱することにより、カルボ
ニル化合物として除去しうろことを見い出した。しかし
ながら、単に一酸化炭素雰囲気下で加熱するだけでは、
除去に長い時間を要し、生産性が低い難点があった。

［発明の目的］ 本発明の目的は、速やかに重金属をカルボニル化して半
導体表面を清浄化する方法を提供することを目的とする
。

〔発明の概要〕

本発明は、−酸化炭素雰囲気下で、半導体表面上に大出
力の（−酸化炭素）パルスレーザ−を照射し、瞬間的に
半導体表面を加熱せしめ、金属と一酸化炭素分子を反応
せしめることを特徴とする。

し発明の効果〕 本発明によればドライでかつ生産性のすぐれた表面清浄
化が可能である。

〔発明の実施例〕

本発明の実施例を以下に図面を用いて説明する。

先づ、第１図に示すようにＰ型８ｉ　（１００）基板１
をＮ１とＦｅ微粉末を懸濁した水溶液中にひたしだ後軽
く水洗を行ない、Ｓｉ　基板１上にＦｅとＮｉ　の微粉
末２を付着させる。次に該８ｉ基板１を半分に切断し、
一方を第２図に示す真空装置内の試料ホルダー４上に載
置し、パルプ３を開いて、排気を行なう。続いてガス導
入口５より一酸化炭素ガスを導入圧力を７ＱＱＴｏｒｒ
　に調整し、石英窓５よりＣＯ！パルスレーザ−７を導
入し、基板１表面に２シヨツト照射する。該試料と残り
半分の試料の表面とをそれぞれオージェ分析した結果が
第３図である。曲線１は本発明の処理法による場合、曲
線２は本発明の処理が無い場合である。ＣＯＷ、囲気下
でＣＯ！レーザー照射により明らかにｒｅ、Ｎｉが除去
されていることがわかる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の試験に使用される試料を示す正面図
、第２図は本発明の一実施例に於いて使用する装置の概
略構成図、第３図は１本発明ｔこよる試料表面のオージ
ェ分析結果を示す曲線図である。 １　、、、　Ｐ型５ｉ（１００）基板　２−Ｆｅ、Ｎｉ
微粉末３・・・メインバルブ　４・・・ウェーハ支持台
５・・・ガス導入口　６・・・圧力センサ７・・・”０
２　Ｌ’　−ｆ　８・・・油回転ポンプ（７３１７）　
弁理士　則　近　艇　佑　（ほか１名）第１図 第２図 第３図 木秀竜＋−ｉｉカニネルへ゛−

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 一酸化炭素の減圧雰囲気下で、清浄化すべき材料表面に
   レーザー光を照射することを特徴とする表面清浄体方法
   。