JPS6039150B2 - 微細寸法のダイヤモンド物品を研磨するための酸化シリコン研磨層およびその製造方法 - Google Patents
微細寸法のダイヤモンド物品を研磨するための酸化シリコン研磨層およびその製造方法Info
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- JPS6039150B2 JPS6039150B2 JP54151945A JP15194579A JPS6039150B2 JP S6039150 B2 JPS6039150 B2 JP S6039150B2 JP 54151945 A JP54151945 A JP 54151945A JP 15194579 A JP15194579 A JP 15194579A JP S6039150 B2 JPS6039150 B2 JP S6039150B2
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、微細寸法のダイヤモンド物品、例えばダイ
ヤモンド蓄針を研磨するのに適した酸化シリコン研磨層
およびその製造方法に関する。
ヤモンド蓄針を研磨するのに適した酸化シリコン研磨層
およびその製造方法に関する。
米国特許第３８４２１９４号明細書には可変容量型の再
生方式を持つビデオデスクが開示されている。この米国
特許方式の１形式においては記録された画像および音声
を表わす情報が円盤状レコード表面の比較的細い禍線簿
中に凹凸パタンの形で符号化されているが、この溝は例
えば幅約３．５山、深さ約１．０ムである。再生中支持
ターンテーブルによってレコードが回転されると、この
溝に例えば厚さ約０．２仏の薄い導電電極を持つ幅約２
．０仏のピックアップ蓄針がかみ合い、この蓄針電極と
しコド表面との間の容量変化が感知されて記録情報が回
復される。上記形式の方式では比較的細いレコード溝の
使用とこの溝とのかみ合い条件とのために蓄針の先端は
極めて小さくなっている。
生方式を持つビデオデスクが開示されている。この米国
特許方式の１形式においては記録された画像および音声
を表わす情報が円盤状レコード表面の比較的細い禍線簿
中に凹凸パタンの形で符号化されているが、この溝は例
えば幅約３．５山、深さ約１．０ムである。再生中支持
ターンテーブルによってレコードが回転されると、この
溝に例えば厚さ約０．２仏の薄い導電電極を持つ幅約２
．０仏のピックアップ蓄針がかみ合い、この蓄針電極と
しコド表面との間の容量変化が感知されて記録情報が回
復される。上記形式の方式では比較的細いレコード溝の
使用とこの溝とのかみ合い条件とのために蓄針の先端は
極めて小さくなっている。
米国特許第４１６２５１ぴ号明細書には新規なキール型
先端蓄針が開示されているが、このキール型先端蓄針は
本体と前後方向に制限された末端部とその両者を接続す
る肩部とを持つ誘電性支持素子を含んでいる。
先端蓄針が開示されているが、このキール型先端蓄針は
本体と前後方向に制限された末端部とその両者を接続す
る肩部とを持つ誘電性支持素子を含んでいる。
また米国特許第４１０４８３２自明細書の記載によると
へ このキール型先端蓄針を得るには平たくした角錐状
の支持素子がピッチの粗い深い溝を持つ研磨ラッピング
用円板上で所定時間整形されるが、この米国特許ではグ
ロー放電で被着されたＳｉ○２が研磨被覆として用いら
れ「ダイヤモンドが誘電性支持素子として用いられてい
る。
へ このキール型先端蓄針を得るには平たくした角錐状
の支持素子がピッチの粗い深い溝を持つ研磨ラッピング
用円板上で所定時間整形されるが、この米国特許ではグ
ロー放電で被着されたＳｉ○２が研磨被覆として用いら
れ「ダイヤモンドが誘電性支持素子として用いられてい
る。
またこの米国特許ではＳｉ０２層が出発材料として酸素
と次のような式を持つアルコシキ置換シランの譲亀性前
駆物質とを用いる方法によって形成される。ここでＲ．
は日およびＣＨ３より成る群の１員、Ｒ２およびＲ３は
日、ＣＨ３、ＯＣはおよびＯＣ２日５より成る群の互い
に独立な１員、Ｒ４はＯＣＨ３およびＯＣ２日５より成
る群の１員である。
と次のような式を持つアルコシキ置換シランの譲亀性前
駆物質とを用いる方法によって形成される。ここでＲ．
は日およびＣＨ３より成る群の１員、Ｒ２およびＲ３は
日、ＣＨ３、ＯＣはおよびＯＣ２日５より成る群の互い
に独立な１員、Ｒ４はＯＣＨ３およびＯＣ２日５より成
る群の１員である。
このような被覆は充分は研磨性がないため、ダイヤモン
ド蓄針の整形に３び分もの長時間を要する上、その研磨
性を速やかに失うため次のダイヤモソド蓄針の研磨には
２時間を要することもある。
ド蓄針の整形に３び分もの長時間を要する上、その研磨
性を速やかに失うため次のダイヤモソド蓄針の研磨には
２時間を要することもある。
従って研磨性および耐久性が良くてしかも幅２．０Ａの
ダイヤモンド蓄針の研磨に充分な微細度を持つ適当な被
覆が望まれていた。この発明による酸化シリコン研磨層
、基体上に被覆された研磨性酸化シリコン（Ｓｉ○ｘ）
の被覆からなり、この酸化シリコン被膜中のＳｉ０２対
Ｓｉ○の値は１．０乃至５．０の範囲内にある。
ダイヤモンド蓄針の研磨に充分な微細度を持つ適当な被
覆が望まれていた。この発明による酸化シリコン研磨層
、基体上に被覆された研磨性酸化シリコン（Ｓｉ○ｘ）
の被覆からなり、この酸化シリコン被膜中のＳｉ０２対
Ｓｉ○の値は１．０乃至５．０の範囲内にある。
上記酸化シリコン研磨層を製造するには、適当な基体を
入れた真空容器を約１０‐６肋Ｈｇに排気し、これに酸
化シリコンの前駆物質であるシリコンを含む物質と酸素
を含む物質との混合物「具体的にはＳｉＨ４と、Ｎ２０
、Ｃ０２および日２０の群から選ばれた気体濠合物とを
導入する。酸化シリコン（Ｓｉ○ｘ）被覆は、電磁場内
における上記各前駆物質の分解の結果としてプラズマが
形成されるグロー放電法により上記基体上に形成される
。この酸化シリコン（Ｓｉ○ｘ）におけるＸの値はシラ
ン（Ｓｉ凡）と酸素源との割合に依存し、この発明では
Ｓｉ０２対Ｓｉ○の値が１乃至５．０となるように選定
されている。その値が好ましくは１．地〆上、出釆れば
２．５以上のとき被膜の研磨力は極めて良くなる。被膜
中のＳｉ０２対Ｓｉ○の値が５．０あるいはそれ以上に
なっても研磨力そのものは上記の値が２．５程度の場合
の研磨力と大差はないが、値が５．０以上になるとこの
被覆が形成される円板状基体の表面、特に研磨溝を有す
る場合は、その研磨溝を含くむ基体表面に一様な被膜を
形成するのが困難になり、好ましくない。上記の値が１
．０以下になるとダイヤモンド物品を研磨するのに充分
な研磨力を得ることができない。所要のＳｉ０２／Ｓｉ
○比を持つＳｊ○ｘを得るには、分解中のＳｉ比とＮ２
０または日２０との分圧比を約１：１なし・し１：８、
好ましくは１：３ないし１：８、できれば約１三４にす
る必要がある。
入れた真空容器を約１０‐６肋Ｈｇに排気し、これに酸
化シリコンの前駆物質であるシリコンを含む物質と酸素
を含む物質との混合物「具体的にはＳｉＨ４と、Ｎ２０
、Ｃ０２および日２０の群から選ばれた気体濠合物とを
導入する。酸化シリコン（Ｓｉ○ｘ）被覆は、電磁場内
における上記各前駆物質の分解の結果としてプラズマが
形成されるグロー放電法により上記基体上に形成される
。この酸化シリコン（Ｓｉ○ｘ）におけるＸの値はシラ
ン（Ｓｉ凡）と酸素源との割合に依存し、この発明では
Ｓｉ０２対Ｓｉ○の値が１乃至５．０となるように選定
されている。その値が好ましくは１．地〆上、出釆れば
２．５以上のとき被膜の研磨力は極めて良くなる。被膜
中のＳｉ０２対Ｓｉ○の値が５．０あるいはそれ以上に
なっても研磨力そのものは上記の値が２．５程度の場合
の研磨力と大差はないが、値が５．０以上になるとこの
被覆が形成される円板状基体の表面、特に研磨溝を有す
る場合は、その研磨溝を含くむ基体表面に一様な被膜を
形成するのが困難になり、好ましくない。上記の値が１
．０以下になるとダイヤモンド物品を研磨するのに充分
な研磨力を得ることができない。所要のＳｉ０２／Ｓｉ
○比を持つＳｊ○ｘを得るには、分解中のＳｉ比とＮ２
０または日２０との分圧比を約１：１なし・し１：８、
好ましくは１：３ないし１：８、できれば約１三４にす
る必要がある。
ＳｉＨ４とＣ０２の場合は分圧比を約２：１ないし約１
：４、好ましくは約１：１．５にすべきである。上述の
ようにして得られた研磨材は無定形Ｓｉ○ｘ被膜中にＳ
ｉ０２の微細結晶粒が埋込まれたものと考えられ、その
Ｓｉ０２の結晶の大きさは直径約５０〜３００Ａ程度と
思われる。このＳｉ○ｘ研磨材はプラスチック、金属、
ガラス等のの適当な基体上に被着することができ、これ
を用いて微細寸法のダイヤモンド物品、例えば容量型ビ
デオディスク用のダイヤモンド篭針、サフアィャ等の材
料を研磨することができる。
：４、好ましくは約１：１．５にすべきである。上述の
ようにして得られた研磨材は無定形Ｓｉ○ｘ被膜中にＳ
ｉ０２の微細結晶粒が埋込まれたものと考えられ、その
Ｓｉ０２の結晶の大きさは直径約５０〜３００Ａ程度と
思われる。このＳｉ○ｘ研磨材はプラスチック、金属、
ガラス等のの適当な基体上に被着することができ、これ
を用いて微細寸法のダイヤモンド物品、例えば容量型ビ
デオディスク用のダイヤモンド篭針、サフアィャ等の材
料を研磨することができる。
容量型ビデオディスク用のダイヤモンド蓄針の研磨に好
ましい基体は直径約３０．５肌（１２インチ）のビニル
基板であるが、このビニル基板を銅、インコネル等の金
属で１層またはそれ以上被覆することもできる。上記研
磨材の被覆された基体と研磨されるべき物品との間に相
対運動を生じさせ、研磨されるべき物品を上記基体に被
着された研磨層に接触させることにより、上記物品は研
磨される。
ましい基体は直径約３０．５肌（１２インチ）のビニル
基板であるが、このビニル基板を銅、インコネル等の金
属で１層またはそれ以上被覆することもできる。上記研
磨材の被覆された基体と研磨されるべき物品との間に相
対運動を生じさせ、研磨されるべき物品を上記基体に被
着された研磨層に接触させることにより、上記物品は研
磨される。
次にこの発明を添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
第１図はこの研磨材の製造に適するグロー放電装置１０
を示す。この装置１川まガラス鐘等の真空容器１２を含
み、この容器１２内には白金、グラフアィト等の良導体
材料の網、コイルまたは板から成る２個の電極１４，１
８がある。電極１４７１８は直流または交流の外部電源
１６に接続され、その間に電圧が印加される。低圧およ
び無線周波数以外の電流周波数を用いると、電極１４，
１８上の磁場によってプラズマを増強することができる
。真空容器１２の第１の関口部２０は容器の排気用で機
械的ポンプ（図示せず）に接続され、開□部２２，２４
はそれぞれ研磨材の製造に用いる反応物質の導入のため
ガス源（図示せず）に接続されている。作業を行うとき
は一般に約５〜１０ｃの離した電極１４，１８の間に被
覆すべき基体２６を置いた後、真空容器１２を第１関口
部２０を介して真空度約０．５〜１×１０‐６肋Ｈｇに
排気する。次に開□部２２から酸素源となるガスを約３
０〜３５×１０‐６肋Ｈｇの分圧まで加え、関口部２４
からＳｉ比をこれと酸素源との分圧比が所定値になるま
で加える。基体２６に研磨材の被着を始めるには電源１
６を付勢して電極１４，１８間にグロー放電を起させる
。
を示す。この装置１川まガラス鐘等の真空容器１２を含
み、この容器１２内には白金、グラフアィト等の良導体
材料の網、コイルまたは板から成る２個の電極１４，１
８がある。電極１４７１８は直流または交流の外部電源
１６に接続され、その間に電圧が印加される。低圧およ
び無線周波数以外の電流周波数を用いると、電極１４，
１８上の磁場によってプラズマを増強することができる
。真空容器１２の第１の関口部２０は容器の排気用で機
械的ポンプ（図示せず）に接続され、開□部２２，２４
はそれぞれ研磨材の製造に用いる反応物質の導入のため
ガス源（図示せず）に接続されている。作業を行うとき
は一般に約５〜１０ｃの離した電極１４，１８の間に被
覆すべき基体２６を置いた後、真空容器１２を第１関口
部２０を介して真空度約０．５〜１×１０‐６肋Ｈｇに
排気する。次に開□部２２から酸素源となるガスを約３
０〜３５×１０‐６肋Ｈｇの分圧まで加え、関口部２４
からＳｉ比をこれと酸素源との分圧比が所定値になるま
で加える。基体２６に研磨材の被着を始めるには電源１
６を付勢して電極１４，１８間にグロー放電を起させる
。
被看に要する電流密度は周波数約１岬町ｚで２００〜９
０仇ｈＡ、好ましくは４００〜７０仇ｈＡである。電極
１４．１ ８間の電位差は約１０００Ｖで、この条件で
基体上に被着される研磨材の厚さは毎分約５０〜６００
Ａである。この基体上に被着された研磨層の応用の１つ
は容量型ビデオディスク用ダイヤモンド蓄針の整形であ
る。
０仇ｈＡ、好ましくは４００〜７０仇ｈＡである。電極
１４．１ ８間の電位差は約１０００Ｖで、この条件で
基体上に被着される研磨材の厚さは毎分約５０〜６００
Ａである。この基体上に被着された研磨層の応用の１つ
は容量型ビデオディスク用ダイヤモンド蓄針の整形であ
る。
適当な蓄針の製造法は上記米国特許４１６２５１ぴ号明
細書に記載されている、第２図にはこの角錐形ダイヤモ
ンド蓄針１００の正面図が示されているが、前面１０８
は稜１０２，１０４により限られ、この２稜と稜１０６
とによって他の２面が限られている。電極として鰯ら〈
前面１０８には厚さ０．２仏のハフニウム等の導電材料
の薄膜が被着されている。角錐の頂点は１１０で示され
ている。この頂点１１川まこの発明の研磨層等の研磨層
を被着された無溝基板上で研磨することにより第３図の
正面図に示すように蓄針２０川こ稜１１２を持つ平坦な
シューが形成される。
細書に記載されている、第２図にはこの角錐形ダイヤモ
ンド蓄針１００の正面図が示されているが、前面１０８
は稜１０２，１０４により限られ、この２稜と稜１０６
とによって他の２面が限られている。電極として鰯ら〈
前面１０８には厚さ０．２仏のハフニウム等の導電材料
の薄膜が被着されている。角錐の頂点は１１０で示され
ている。この頂点１１川まこの発明の研磨層等の研磨層
を被着された無溝基板上で研磨することにより第３図の
正面図に示すように蓄針２０川こ稜１１２を持つ平坦な
シューが形成される。
この蓄針２００の下面図は第４図の端面３００であり、
その端面３００を囲む稜は１１２，１１４，１１６であ
る。蓄針２００の前面１０８はハフニウム等の導電材料
の薄層１１８で被覆されている。３角形端面３００の頂
点を１１７で示す。
その端面３００を囲む稜は１１２，１１４，１１６であ
る。蓄針２００の前面１０８はハフニウム等の導電材料
の薄層１１８で被覆されている。３角形端面３００の頂
点を１１７で示す。
次に上記米国特許第４１６２５１び号明細書記載の粗い
ピッチの深い溝を持つ円板によって蓄針のキールの整形
を行う。
ピッチの深い溝を持つ円板によって蓄針のキールの整形
を行う。
この円板はこの発明のＳｉ○ｘ研磨層で覆われている。
このキール研磨の終了した蓄針４００を第５図に示す。
このキールは側面ｌ２０，１２２、肩部１２４，１２６
および稜１１２で限られている。稜１１２と側面１２０
，１２２とのなす角は普通９０ｏよりやや大きく、約１
００〜１１ぴが好ましい。キール研磨をした蓄針の端面
５００を第６図に示す。
このキール研磨の終了した蓄針４００を第５図に示す。
このキールは側面ｌ２０，１２２、肩部１２４，１２６
および稜１１２で限られている。稜１１２と側面１２０
，１２２とのなす角は普通９０ｏよりやや大きく、約１
００〜１１ぴが好ましい。キール研磨をした蓄針の端面
５００を第６図に示す。
５角形の端面が前稜１１２、平行稜１２８，１３０およ
び頂点１１７で合する後稜１１４，１１６によって形成
されている。
び頂点１１７で合する後稜１１４，１１６によって形成
されている。
この蓄針４００の前面には薄い導電層１１８が彼着され
ている。最後のＶ字型研磨にはこの発明のＳｉ○ｘ研磨
材またはＳｉ０２被膜を被着した複数ビニルビデオディ
スクを用いる。
ている。最後のＶ字型研磨にはこの発明のＳｉ○ｘ研磨
材またはＳｉ０２被膜を被着した複数ビニルビデオディ
スクを用いる。
このＶ字型研磨の目的は実際のビデオディスクの溝に蓄
針を適合させることで、このＶ字型研磨された蓄針６０
０を第７図に示す。蓄針６００の正面図ではＶ字型が稜
１３２，１３４で形成されている。稜１３２，１３４の
会合により形成される角は大きく、一般に約１４００で
ある。次にこの発明を例を挙げて説明するが、この発明
はこの説明の細部によって限定されるものではない。
針を適合させることで、このＶ字型研磨された蓄針６０
０を第７図に示す。蓄針６００の正面図ではＶ字型が稜
１３２，１３４で形成されている。稜１３２，１３４の
会合により形成される角は大きく、一般に約１４００で
ある。次にこの発明を例を挙げて説明するが、この発明
はこの説明の細部によって限定されるものではない。
例１
渦線溝を持ち、厚さ約５０Ａの銅層と２００Ａのインコ
ネル６００（ニッケル７６．８原子％、クロム１３．８
原子％、鉄８．５原子％）層との２重金属層の被着され
た直径３０．３かのビニル円板を第１図のような４６×
７６伽のガラス鐘内に置いてこれを１０‐６側Ｈｇまで
排気し、Ｎ２０を標準状態流量３＆オ／分で分圧３２×
１０‐６肋Ｈｇまで加えた後、ＳｉＨ４を全圧４０×１
０‐６肋Ｈｇまで加えた。
ネル６００（ニッケル７６．８原子％、クロム１３．８
原子％、鉄８．５原子％）層との２重金属層の被着され
た直径３０．３かのビニル円板を第１図のような４６×
７６伽のガラス鐘内に置いてこれを１０‐６側Ｈｇまで
排気し、Ｎ２０を標準状態流量３＆オ／分で分圧３２×
１０‐６肋Ｈｇまで加えた後、ＳｉＨ４を全圧４０×１
０‐６肋Ｈｇまで加えた。
ＳｊＨ４をＮ２０との分圧比は１：４であった。この円
板型基体を大きさ１５×１５１の２校の金属電極の間で
３の回転／分の速度で回転した。
板型基体を大きさ１５×１５１の２校の金属電極の間で
３の回転／分の速度で回転した。
この電極は円板上の幅約６弧の帯状部分を覆うことにな
る。電極間にグロー放電を起すために電極に１０００Ｖ
ＩＯＫＨＺで５０仇ｎＡの電流を流したところ、円板上
に研磨層の被着が始まり、これを１．５分続けて厚さ２
５０Ａの被膜を得た。ＩＲ分析によると被膜のＳｉ０２
とＳｉ○との比の値は約２．５であった。この研磨材被
着円板を７ａｐｍで回転させて第５図の篭針４００のキ
ール研磨をたところ使用第１回目で５分かかって得られ
た第６図の端面５００の長さは稜１１２から頂点１１７
まで約４りであつたが、２回目以後は毎回この同じ蓄針
を同じ寸法に研磨するに要する時間が１０〜１５％長く
なり、８回目には同じ篭針を長さ４Ａにキール研磨する
のに約１５分を要した。比較例 １ 例１と同様の金属被着成形円板にメチルジメトキシシラ
ンおよび０２のグロ−放電被着により得られた厚さ約２
５０ＡのＳｉ０２研磨材被膜を被着し、この円板を第５
図のダイヤモンド蓄針４００のキール研磨に用いたとこ
ろ、第６図の稜１１２から頂点１１７までの長さを４叫
こするには使用第１回目で３び分を要し、同じ溝の使用
第２回目では同じ蓄針の同じ寸法の研磨に２時間を要し
た。
る。電極間にグロー放電を起すために電極に１０００Ｖ
ＩＯＫＨＺで５０仇ｎＡの電流を流したところ、円板上
に研磨層の被着が始まり、これを１．５分続けて厚さ２
５０Ａの被膜を得た。ＩＲ分析によると被膜のＳｉ０２
とＳｉ○との比の値は約２．５であった。この研磨材被
着円板を７ａｐｍで回転させて第５図の篭針４００のキ
ール研磨をたところ使用第１回目で５分かかって得られ
た第６図の端面５００の長さは稜１１２から頂点１１７
まで約４りであつたが、２回目以後は毎回この同じ蓄針
を同じ寸法に研磨するに要する時間が１０〜１５％長く
なり、８回目には同じ篭針を長さ４Ａにキール研磨する
のに約１５分を要した。比較例 １ 例１と同様の金属被着成形円板にメチルジメトキシシラ
ンおよび０２のグロ−放電被着により得られた厚さ約２
５０ＡのＳｉ０２研磨材被膜を被着し、この円板を第５
図のダイヤモンド蓄針４００のキール研磨に用いたとこ
ろ、第６図の稜１１２から頂点１１７までの長さを４叫
こするには使用第１回目で３び分を要し、同じ溝の使用
第２回目では同じ蓄針の同じ寸法の研磨に２時間を要し
た。
例２例１と同様にして厚さ２０００△のＳｉＱ被膜を被
着した無稽ビニル円板を用いて第２図の角錐型ダイヤモ
ンド蓄針１００のシュー研磨を行い、第３図の蓄針２０
０を形成した。
着した無稽ビニル円板を用いて第２図の角錐型ダイヤモ
ンド蓄針１００のシュー研磨を行い、第３図の蓄針２０
０を形成した。
このシュー研磨により稜１１２の長さを約１．６ムにす
るのに２〜１０分を要した。比較例 ２ 比較例１と同様にして厚さ２０００ＡＳｉ０２層を被着
した無稽ビニル円板を用い、第２図のダイヤモンド蓄針
１００を第３図の蓄針２００にシュー研磨して長さ約１
．６仏の稜１１２を得るのに５〜３０分を要した。
るのに２〜１０分を要した。比較例 ２ 比較例１と同様にして厚さ２０００ＡＳｉ０２層を被着
した無稽ビニル円板を用い、第２図のダイヤモンド蓄針
１００を第３図の蓄針２００にシュー研磨して長さ約１
．６仏の稜１１２を得るのに５〜３０分を要した。
例３
例１と同様にしてＳｉ○ｘ研磨材を被着した複製ビニル
ビデオディスクを用いて第５図のダイヤモンド蓄針４０
０を第７図の蓄針６００‘こＶ字型研磨したところ、所
要形状を得るのに５〜１の秒を要した。
ビデオディスクを用いて第５図のダイヤモンド蓄針４０
０を第７図の蓄針６００‘こＶ字型研磨したところ、所
要形状を得るのに５〜１の秒を要した。
比較例 ３
比較例１と同様にしてＳｉ０２を被着した複製ピニルビ
デオディスクを用いて蓄針４００を第７図の番針６００
の形にＶ字型研磨するのに４分を要した。
デオディスクを用いて蓄針４００を第７図の番針６００
の形にＶ字型研磨するのに４分を要した。
例４
例１の方法においてＮ２０の代りには○を用い、Ｓｊ凡
と日２０との分圧比を１：４とした。
と日２０との分圧比を１：４とした。
これによって得られた厚さ２５０Ａの被膜により第３図
のダイヤモンド蓄針２００を第５図の蓄針４００１こキ
ール研磨したところ、１庇ごで第６図の端面５００の稜
１１２と頂点１１７との距離が３．５仏になつた。例５ 例１の方法においてＮ２０の代りにＣ０２を用い、Ｓ；
比とＣ０２との分圧比を１：２として被着速度１５０Ａ
／分で厚さ２５０Ａの被膜を形成した。
のダイヤモンド蓄針２００を第５図の蓄針４００１こキ
ール研磨したところ、１庇ごで第６図の端面５００の稜
１１２と頂点１１７との距離が３．５仏になつた。例５ 例１の方法においてＮ２０の代りにＣ０２を用い、Ｓ；
比とＣ０２との分圧比を１：２として被着速度１５０Ａ
／分で厚さ２５０Ａの被膜を形成した。
第３図のダイヤモンド篭針２００を第５図の蓄針４０川
こキール研磨したところ、５分で様面５００の稜１１２
と頂点１１７との距離は約４．０仏になつた。
こキール研磨したところ、５分で様面５００の稜１１２
と頂点１１７との距離は約４．０仏になつた。
第１図は研磨材彼着に適する装置の断面図「第２図は蓄
針の正面図、第３図はシュー研磨後の蓄針の正面図、第
４図はシュ−研磨後の蓄針の端面図、第５図はキール研
磨後の蓄針の正面図、第６図はキール研磨後の蓄針の端
面図、第７図はＶ字型研磨後の蓄針の正面図である。 １０…・・・グロー放電被着装直、１４，１８・・・・
・・電極、２６・・・・・・被着基体、２２，２４・・
・・・・反応ガス導入口、１００，２００，４００・・
・・・・篭針（研磨されるべき物品）。 第２図 第３図 第４図 第６図 第１図 第５図 第７図
針の正面図、第３図はシュー研磨後の蓄針の正面図、第
４図はシュ−研磨後の蓄針の端面図、第５図はキール研
磨後の蓄針の正面図、第６図はキール研磨後の蓄針の端
面図、第７図はＶ字型研磨後の蓄針の正面図である。 １０…・・・グロー放電被着装直、１４，１８・・・・
・・電極、２６・・・・・・被着基体、２２，２４・・
・・・・反応ガス導入口、１００，２００，４００・・
・・・・篭針（研磨されるべき物品）。 第２図 第３図 第４図 第６図 第１図 第５図 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基体上に被覆された研磨性酸化シリコン（ＳｉＯ＿
ｘ）の被膜からなり、該酸化シリコン被膜中のＳｉＯ＿
２対ＳｉＯの値は１．０乃至５．０の範囲内にあり、上
記研磨性酸化シリコンの被覆は、ＳｉＨ＿４と、Ｎ＿２
Ｏ、ＣＯ＿２およびＨ＿２Ｏからなる群から選ばれた気
体混合物とを基体の存在のもとでグロー放電させること
によつて得られる、微細寸法のダイヤモンド物品を研磨
するための酸化シリコン研磨層。 ２ 酸化シリコン（ＳｉＯ＿ｘ）の前駆物質である、シ
リコンを含む物質と酸素を含む物質との混合物をグロー
放電させる工程と、 それによつて生成された酸化シリ
コン生成物を基体上に被着させる工程とからなり、 上
記前駆物質として、ＳｉＨ＿４と、Ｎ＿２Ｏ、ＣＯ＿２
およびＨ＿２Ｏの群から選ばれた気体混合物とが使用さ
れ、基体上に被着された酸化シリコン生成物からなる層
中のＳｉＯ＾２対ＳｉＯの値は１．０乃至５．０の範囲
内にあり、被着中のＳｉＨ＿４とＮ＿２ＯまたはＨ＿２
Ｏとの分圧比は１対１乃至１対８であり、あるいはＳｉ
Ｈ＿４とＣＯ＿２との分圧比は２対１乃至１対４である
ことを特徴とする、微細寸法のダイヤモンド物品を研磨
するための酸化シリコン研磨層の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US963819 | 1978-11-27 | ||
| US05/963,819 US4328646A (en) | 1978-11-27 | 1978-11-27 | Method for preparing an abrasive coating |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5576059A JPS5576059A (en) | 1980-06-07 |
| JPS6039150B2 true JPS6039150B2 (ja) | 1985-09-04 |
Family
ID=25507761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54151945A Expired JPS6039150B2 (ja) | 1978-11-27 | 1979-11-22 | 微細寸法のダイヤモンド物品を研磨するための酸化シリコン研磨層およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4328646A (ja) |
| JP (1) | JPS6039150B2 (ja) |
| DE (1) | DE2947047C2 (ja) |
| GB (1) | GB2035986B (ja) |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2506290A1 (fr) * | 1981-05-20 | 1982-11-26 | Air Liquide | Procede d'opalisation de lampes par voie gazeuse |
| US4423701A (en) * | 1982-03-29 | 1984-01-03 | Energy Conversion Devices, Inc. | Glow discharge deposition apparatus including a non-horizontally disposed cathode |
| DE3216456A1 (de) * | 1982-05-03 | 1983-11-03 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren zum einbetten von hartstoffen in die oberflaeche von spanabhebenden werkzeugen |
| US4514192A (en) * | 1982-07-27 | 1985-04-30 | Rca Corporation | Silicon oxide lapping coatings |
| JPS5937056A (ja) * | 1982-08-23 | 1984-02-29 | Hitachi Ltd | 研磨材層の製造方法 |
| US4430361A (en) | 1983-02-02 | 1984-02-07 | Rca Corporation | Apparatus and method for preparing an abrasive coated substrate |
| US4490945A (en) * | 1983-03-23 | 1985-01-01 | Rca Corporation | Stylus manufacturing apparatus and method |
| US4512284A (en) * | 1983-12-19 | 1985-04-23 | Rca Corporation | Glow discharge apparatus for use in coating a disc-shaped substrate |
| GB8414878D0 (en) * | 1984-06-11 | 1984-07-18 | Gen Electric Co Plc | Integrated optical waveguides |
| US4697489A (en) * | 1984-07-05 | 1987-10-06 | Kim George A | Ultramicrotome tool |
| US4643161A (en) * | 1984-07-05 | 1987-02-17 | Kim George A | Method of machining hard and brittle material |
| US4581969A (en) * | 1984-07-05 | 1986-04-15 | Kim George A | Ultramicrotome diamond knife |
| JP2616760B2 (ja) * | 1985-04-08 | 1997-06-04 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | プラズマ気相反応装置 |
| US4759993A (en) * | 1985-04-25 | 1988-07-26 | Ovonic Synthetic Materials Co., Inc. | Plasma chemical vapor deposition SiO2-x coated articles and plasma assisted chemical vapor deposition method of applying the coating |
| US5514885A (en) * | 1986-10-09 | 1996-05-07 | Myrick; James J. | SOI methods and apparatus |
| GB8630918D0 (en) * | 1986-12-24 | 1987-02-04 | Pilkington Brothers Plc | Coatings on glass |
| US4842941A (en) * | 1987-04-06 | 1989-06-27 | General Electric Company | Method for forming abrasion-resistant polycarbonate articles, and articles of manufacture produced thereby |
| FR2614317B1 (fr) * | 1987-04-22 | 1989-07-13 | Air Liquide | Procede de protection de substrat polymerique par depot par plasma de composes du type oxynitrure de silicium et dispositif pour sa mise en oeuvre. |
| US4776298A (en) * | 1987-04-27 | 1988-10-11 | General Electric Company | Apparatus for performing a plasma enhanced chemical vapor deposition on an edge of a polycarbonate sheet |
| US4927704A (en) * | 1987-08-24 | 1990-05-22 | General Electric Company | Abrasion-resistant plastic articles and method for making them |
| US5051308A (en) * | 1987-08-24 | 1991-09-24 | General Electric Company | Abrasion-resistant plastic articles |
| GB8814922D0 (en) * | 1988-06-23 | 1988-07-27 | Pilkington Plc | Coatings on glass |
| FR2670506B1 (fr) * | 1990-12-17 | 1993-02-19 | Air Liquide | Procede de depot d'une couche d'oxyde de silicium liee a un substrat en polyolefine. |
| US5156882A (en) * | 1991-12-30 | 1992-10-20 | General Electric Company | Method of preparing UV absorbant and abrasion-resistant transparent plastic articles |
| FR2697014B1 (fr) * | 1992-10-19 | 1995-01-20 | Souchon Neuvesel Verreries | Procédé de revêtement d'un substrat en matériau vitreux, par un film de silice. |
| US5420437A (en) * | 1994-01-11 | 1995-05-30 | Siess; Harold E. | Method and apparatus for generation and implantation of ions |
| US6042901A (en) * | 1996-02-20 | 2000-03-28 | Lam Research Corporation | Method for depositing fluorine doped silicon dioxide films |
| US6582823B1 (en) | 1999-04-30 | 2003-06-24 | North Carolina State University | Wear-resistant polymeric articles and methods of making the same |
| ATE375860T1 (de) * | 2004-02-03 | 2007-11-15 | Ems Chemie Ag | Werkstoffverbunde aus einem formteil aus transparenten oder transluzenten, einfärbbaren kunststoffformmassen |
| JP4890883B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2012-03-07 | 国立大学法人埼玉大学 | ＳｉＯｘ粉を含む成形体および砥石、それを用いた研削方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB885118A (en) * | 1957-08-02 | 1961-12-20 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in or relating to the manufacture of silica |
| GB1136218A (en) | 1965-12-14 | 1968-12-11 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in or relating to the manufacture of semiconductor optical devices |
| GB1104935A (en) | 1964-05-08 | 1968-03-06 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in or relating to a method of forming a layer of an inorganic compound |
| JPS5215185B2 (ja) * | 1971-08-25 | 1977-04-27 | ||
| JPS5132597A (en) * | 1974-09-11 | 1976-03-19 | Kanebo Ltd | Pirido * 2 33d * pirimijinjudotai no seizoho |
| JPS6039150A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-02-28 | Nippon Steel Corp | 応力腐食割れ抵抗の優れた油井管用鋼 |
-
1978
- 1978-11-27 US US05/963,819 patent/US4328646A/en not_active Expired - Lifetime
-
1979
- 1979-11-20 GB GB7940031A patent/GB2035986B/en not_active Expired
- 1979-11-22 JP JP54151945A patent/JPS6039150B2/ja not_active Expired
- 1979-11-22 DE DE2947047A patent/DE2947047C2/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2035986A (en) | 1980-06-25 |
| DE2947047A1 (de) | 1980-06-04 |
| DE2947047C2 (de) | 1986-02-27 |
| GB2035986B (en) | 1982-12-01 |
| JPS5576059A (en) | 1980-06-07 |
| US4328646A (en) | 1982-05-11 |
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