JPS6039909A - 表面弾性波装置電極形成方法 - Google Patents
表面弾性波装置電極形成方法Info
- Publication number
- JPS6039909A JPS6039909A JP14775283A JP14775283A JPS6039909A JP S6039909 A JPS6039909 A JP S6039909A JP 14775283 A JP14775283 A JP 14775283A JP 14775283 A JP14775283 A JP 14775283A JP S6039909 A JPS6039909 A JP S6039909A
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- JP
- Japan
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- electrode
- electrode finger
- forming
- acoustic wave
- wave device
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は一般にレイリー波と呼ばれる表面波又はＳ Ｓ
Ｂ Ｗ （Ｓｕｒｆａｃｅ Ｓｋｉｎｔｎｉｎｇ Ｂ
ｕｌｋ Ｗａｖｅ ）若しくはＳ Ｈ（Ｓｈｅａｒ Ｈ
ｏｒｉｚｏｎｔａｌ ）表面波と呼ばれるすべり波を、
水晶基板の表面上にインクディジタル・トランスジユー
ザ（以下ＩＤＴと称す）電極により発生させ、フィルタ
又は共振器として利用する表面弾性波装置の該ＩＤＴ電
極を形成する場合歩留りよく形成出来る表面弾性波装置
電極形成方法に関する。
Ｂ Ｗ （Ｓｕｒｆａｃｅ Ｓｋｉｎｔｎｉｎｇ Ｂ
ｕｌｋ Ｗａｖｅ ）若しくはＳ Ｈ（Ｓｈｅａｒ Ｈ
ｏｒｉｚｏｎｔａｌ ）表面波と呼ばれるすべり波を、
水晶基板の表面上にインクディジタル・トランスジユー
ザ（以下ＩＤＴと称す）電極により発生させ、フィルタ
又は共振器として利用する表面弾性波装置の該ＩＤＴ電
極を形成する場合歩留りよく形成出来る表面弾性波装置
電極形成方法に関する。
（ｂ） 技術の背景
ＩＤＴ電極は圧電性基板の上に設け、第１図の平面図に
示す如く線状の電極指が交互に入り組んだ形のものであ
り表面弾性波装置の水晶基板表面に形成する場合は電極
指祠料としては比重音速の面からアルミニウム（以下Ａ
７と記す）が用いられている。
示す如く線状の電極指が交互に入り組んだ形のものであ
り表面弾性波装置の水晶基板表面に形成する場合は電極
指祠料としては比重音速の面からアルミニウム（以下Ａ
７と記す）が用いられている。
又表面波に対する電極指の反射効果質量効果を考慮する
と、電極指の膜厚りは波長λの約１〜２チが適当とされ
てい１す。従って低周波領域例えば５０ ＭＨｚでは膜
厚ｈ＝０．６〜１．２μｍで高周波領域例えば８００Ｍ
ＩＴｚでは膜厚ｈ＝４００Ｔｈ８００＾となる。
と、電極指の膜厚りは波長λの約１〜２チが適当とされ
てい１す。従って低周波領域例えば５０ ＭＨｚでは膜
厚ｈ＝０．６〜１．２μｍで高周波領域例えば８００Ｍ
ＩＴｚでは膜厚ｈ＝４００Ｔｈ８００＾となる。
又電極指幅りと電極指間隔Ｓの和の２倍である電極指ピ
ッチは共振ＪＮＪ波数の波長λと等しぐする必要がある
。従って若し電極指幅りと電極１；１間隔Ｓを等しくす
ると、電極指幅りは共振周波θが５０Ｍｒｌｚであれば
約１５μｍであり、共振周波数が８００ＭＨｚであれば
約１μｍである。
ッチは共振ＪＮＪ波数の波長λと等しぐする必要がある
。従って若し電極指幅りと電極１；１間隔Ｓを等しくす
ると、電極指幅りは共振周波θが５０Ｍｒｌｚであれば
約１５μｍであり、共振周波数が８００ＭＨｚであれば
約１μｍである。
（ｃ） 従来技術と問題点
第２図は従来例のＩＤＴ電梃指形成方法の断面図、第３
図（４）（Ｂ）はエツチング状態図である。
図（４）（Ｂ）はエツチング状態図である。
図中１は水晶基板、２は電極指、３はレジスト膜、Ｌは
電極相中、Ｓは電極指間隔、ｈは膜厚、λは共振周波数
の波長を示す。
電極相中、Ｓは電極指間隔、ｈは膜厚、λは共振周波数
の波長を示す。
従来、ＩＤＴ電極を形成する場合は電極指２の電極相中
りと電極指間隔Ｓの比率Ｓ／Ｌ（以下ラインスペース比
と称す）を大略１にするようレジスト膜３を構成しホト
リックラフイによ！１）ＩＤＴ電極を形成する。
りと電極指間隔Ｓの比率Ｓ／Ｌ（以下ラインスペース比
と称す）を大略１にするようレジスト膜３を構成しホト
リックラフイによ！１）ＩＤＴ電極を形成する。
この場合露光現像条件に応じて第３図（４）（Ｂ）に示
す如くア／ダエッチ又はオーバエッチとなる。
す如くア／ダエッチ又はオーバエッチとなる。
アンダエソチでは電極指２間が第３図囚に示す如く短絡
する危険があるので第３図（ａ Ｋ示す如くオーバエッ
チ気味にする。この場合オーバエッチにしすぎると、電
極指２が少さくなりすぎ反射効果質量効果が低減され、
フィルタとして用いた場合は定千力の増加となり又共振
器として用いた場合は共振抵抗の増加となる。尚又低周
波領域用のものでは先に説明した如く膜厚りが厚いので
、エツチングに時間がかかりサイドエッチの少ないよう
にするのが困難であり、高周波領域用のものでけ膜厚り
が薄いので少しオーバエッチとなるとパターン切れ等が
生じ信頼性を低下する。
する危険があるので第３図（ａ Ｋ示す如くオーバエッ
チ気味にする。この場合オーバエッチにしすぎると、電
極指２が少さくなりすぎ反射効果質量効果が低減され、
フィルタとして用いた場合は定千力の増加となり又共振
器として用いた場合は共振抵抗の増加となる。尚又低周
波領域用のものでは先に説明した如く膜厚りが厚いので
、エツチングに時間がかかりサイドエッチの少ないよう
にするのが困難であり、高周波領域用のものでけ膜厚り
が薄いので少しオーバエッチとなるとパターン切れ等が
生じ信頼性を低下する。
従来のラインスペース比を大略１にするＩＤＴ電極形成
方法では、上記説明の如く、特性の良いＩＤＴ電極を形
成するのは困難で歩留りが悪く又特性のばらつきも大き
くなる欠点がある。
方法では、上記説明の如く、特性の良いＩＤＴ電極を形
成するのは困難で歩留りが悪く又特性のばらつきも大き
くなる欠点がある。
（ｄ） 発明の目的
本発明の目的は上記の欠点に鑑み、ＩＤＴ電極を形成す
る場合歩留りも、良く又４ｖ性のほらつきも小さく出来
る表面弾性波装置電荷形成方法の提供にある。
る場合歩留りも、良く又４ｖ性のほらつきも小さく出来
る表面弾性波装置電荷形成方法の提供にある。
（ｅ） 発明の構成
本発明は上記の目的を達成するために、ラインスペース
比が１からずれても電極指ピンチが一定でちる限り共振
周波数は不変であることに着目（、ＩＤＴ電極を形成す
る場合、ラインスペース比を０゜８〜０．２とし、電極
相中を従来より広くするようにすることを特徴とする。
比が１からずれても電極指ピンチが一定でちる限り共振
周波数は不変であることに着目（、ＩＤＴ電極を形成す
る場合、ラインスペース比を０゜８〜０．２とし、電極
相中を従来より広くするようにすることを特徴とする。
（ｆ） 発明の実施例
以下本発明の一実施例につき図に従って説明する０
第４図は本発明の実施例のＩＤＴ電極指形成方法の断面
図である。
図である。
図中第２図と同−機能のものは同一記号で示す。
２′は電極指、３′はレジスト膜を示す。
本発明のＩＤＴ電極指形成方法では第４図に示す如く電
極相中りと電極指間隔Ｓの比率Ｓ／Ｌが０８〜０．２に
なるようレジスト膜３′を構成し、露光現像を行なう。
極相中りと電極指間隔Ｓの比率Ｓ／Ｌが０８〜０．２に
なるようレジスト膜３′を構成し、露光現像を行なう。
この場合電極指ピッチは所定の共振周波数の波長λとす
る。この場合は電極相中りは従来３−ｃ比し広いので、
電極指２′が少さくなりすきることも容易に防げ又低周
波領域用の場合化ずるサイドエッチ発生を防げ又高周波
領域用の場合化ずるパターン切れ等も容易に防げる。
る。この場合は電極相中りは従来３−ｃ比し広いので、
電極指２′が少さくなりすきることも容易に防げ又低周
波領域用の場合化ずるサイドエッチ発生を防げ又高周波
領域用の場合化ずるパターン切れ等も容易に防げる。
従って歩留りもよぐ特性のばらつきの小さいＩＤＴ電極
力柚Ｊられる。
力柚Ｊられる。
（、？） 発明の効果
以上詳細に説明せる如く本発明によれば電極相中を広く
するようレジスト膜パターンを変更するだけで量産性経
済性を低減することなく、歩留りがよく特性のばらつき
が小さくヌ信頼性のよい、ＩＤＴ電極が形成出来る効果
がある。
するようレジスト膜パターンを変更するだけで量産性経
済性を低減することなく、歩留りがよく特性のばらつき
が小さくヌ信頼性のよい、ＩＤＴ電極が形成出来る効果
がある。
第１図はインクディジタル・トランスジユーザ電極の平
面図、第２図は従来例のインタディジタル・トランスジ
ューサ電極指形成方法の断面図、第３図はエツチング状
態図、第４図は本発明の実施例のインタディジタル・ト
ランスジューサ？Ｋ Ｉｉ指影形成方法！Ｉ′ｒ匣図で
ある。 図中１は水晶基板、２，２γを電極ノ１１．３，３′は
レジスト膜、Ｌは電極相中、Ｓけ電、１′５指間陥、ｈ
け膜厚、λは共振周波数の波長を示す。
面図、第２図は従来例のインタディジタル・トランスジ
ューサ電極指形成方法の断面図、第３図はエツチング状
態図、第４図は本発明の実施例のインタディジタル・ト
ランスジューサ？Ｋ Ｉｉ指影形成方法！Ｉ′ｒ匣図で
ある。 図中１は水晶基板、２，２γを電極ノ１１．３，３′は
レジスト膜、Ｌは電極相中、Ｓけ電、１′５指間陥、ｈ
け膜厚、λは共振周波数の波長を示す。
Claims (1)
- 表面弾性波装置の水晶基板の表面にアルミニュームの多
対のインタディジタル・トランスジューサ電極を形成す
る場合、電極指幅りと電極指間隔Ｓの比率Ｓ／Ｌを０．
８〜０．２とすることを特徴とする表面弾性波装置電極
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14775283A JPS6039909A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | 表面弾性波装置電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14775283A JPS6039909A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | 表面弾性波装置電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6039909A true JPS6039909A (ja) | 1985-03-02 |
Family
ID=15437343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14775283A Pending JPS6039909A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | 表面弾性波装置電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6039909A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001071910A1 (fr) * | 2000-03-24 | 2001-09-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Element a onde acoustique de surface |
-
1983
- 1983-08-12 JP JP14775283A patent/JPS6039909A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001071910A1 (fr) * | 2000-03-24 | 2001-09-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Element a onde acoustique de surface |
| US6713941B2 (en) | 2000-03-24 | 2004-03-30 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave element |
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