JPH0251284B2 - - Google Patents
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- JPH0251284B2 JPH0251284B2 JP12975981A JP12975981A JPH0251284B2 JP H0251284 B2 JPH0251284 B2 JP H0251284B2 JP 12975981 A JP12975981 A JP 12975981A JP 12975981 A JP12975981 A JP 12975981A JP H0251284 B2 JPH0251284 B2 JP H0251284B2
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- JP
- Japan
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- acoustic wave
- surface acoustic
- electrode pattern
- manufacturing
- short
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、圧電性基板上に所定の電極パターン
を形成してなる弾性表面波素子の製造方法に関す
る。
を形成してなる弾性表面波素子の製造方法に関す
る。
弾性表面波素子は圧電性基板上に金属薄膜から
なるインターデイジタル電極やグレーテイング反
射器等の所定の電極パターンを形成して構成され
る。また、製造上一枚の基板から同一種あるいは
異種の複数の弾性表面波素子を同時に形成でき、
バツチ処理が可能である。
なるインターデイジタル電極やグレーテイング反
射器等の所定の電極パターンを形成して構成され
る。また、製造上一枚の基板から同一種あるいは
異種の複数の弾性表面波素子を同時に形成でき、
バツチ処理が可能である。
第１図は弾性表面波素子の製造工程を示したも
ので、まずａのように圧電性基板１上に金属薄膜
２、例えばアルミ薄膜を一様に被着し、その上に
レジスト３を形成し、露光、現像の後、金属薄膜
２をｂ，ｃのようにエツチングして、所定の電極
パターンを形成する。ところで量産時においては
電極パターン、例えばインターデイジタル電極部
での短絡不良率を少しでも低くするため、ちよう
ど金属薄膜２が基板１の表面までエツチングされ
た第１図ｃの状態でエツチングを終了するのでは
なく、敢えて更にエツチングを続行する方法をと
つている。この時、金属薄膜２においては第１図
ｄのようにサイドエツチングが行なわれる。
ので、まずａのように圧電性基板１上に金属薄膜
２、例えばアルミ薄膜を一様に被着し、その上に
レジスト３を形成し、露光、現像の後、金属薄膜
２をｂ，ｃのようにエツチングして、所定の電極
パターンを形成する。ところで量産時においては
電極パターン、例えばインターデイジタル電極部
での短絡不良率を少しでも低くするため、ちよう
ど金属薄膜２が基板１の表面までエツチングされ
た第１図ｃの状態でエツチングを終了するのでは
なく、敢えて更にエツチングを続行する方法をと
つている。この時、金属薄膜２においては第１図
ｄのようにサイドエツチングが行なわれる。
しかしながら、この場合基板１上の各電極パタ
ーンは電気的に絶縁されるため、サイドエツチン
グの量は同一基板上でもバラつくことになる。こ
の原因は基板１の圧電性あるいは焦電性効果によ
り基板上に電荷が生じ、しかも応力分布、温度勾
配が基板上で種々異なるため、その電荷分布が一
様にならないからである。すなわち、電荷の集中
した場合では、それ以外の場所に比べサイドエツ
チングが急速に進行することにより、電荷分布に
応じてサイドエツチング量がバラツキを生じるの
である。この結果、電極パターンの線幅が不均一
となり、共振周波数、電極容量などに偏差を生じ
ることになる。
ーンは電気的に絶縁されるため、サイドエツチン
グの量は同一基板上でもバラつくことになる。こ
の原因は基板１の圧電性あるいは焦電性効果によ
り基板上に電荷が生じ、しかも応力分布、温度勾
配が基板上で種々異なるため、その電荷分布が一
様にならないからである。すなわち、電荷の集中
した場合では、それ以外の場所に比べサイドエツ
チングが急速に進行することにより、電荷分布に
応じてサイドエツチング量がバラツキを生じるの
である。この結果、電極パターンの線幅が不均一
となり、共振周波数、電極容量などに偏差を生じ
ることになる。
本発明はこのような点に鑑みてなされたもの
で、圧電性基板上の電極パターンのサイドエツチ
ング量を均一にして特性の偏差を少なくできる弾
性表面波素子の製造方法を提供することにある。
で、圧電性基板上の電極パターンのサイドエツチ
ング量を均一にして特性の偏差を少なくできる弾
性表面波素子の製造方法を提供することにある。
本発明は、圧電性基板上に一様に被着された金
属薄膜をエツチングして所定の電極パターンを形
成する際、またはその前に、電極パターンの周囲
を囲む短絡細線を金属薄膜をエツチングして形成
することによつて、この短絡細線により圧電性基
板上の電荷の分布を均一にして、サイドエツチン
グ量の均一化を図るようにしたものである。
属薄膜をエツチングして所定の電極パターンを形
成する際、またはその前に、電極パターンの周囲
を囲む短絡細線を金属薄膜をエツチングして形成
することによつて、この短絡細線により圧電性基
板上の電荷の分布を均一にして、サイドエツチン
グ量の均一化を図るようにしたものである。
以下、本発明を図面を参照して詳細に説明す
る。第２図はビデオテープレコーダのRFコンバ
ータ用に設計された弾性表面波共振子を示したも
ので、圧電性基板１１上の中央に電気信号−弾性
表面波変換のためのトランスデユーサを構成する
インターデイジタル電極１２が形成され、その両
側に近接してグレーテイング反射器１３，１４が
形成されている。インターデイジタル電極１２の
互いに入り込んだくし形電極は電気的に絶縁さ
れ、一方、グレーテイング反射器１３，１４の隣
り合う電極は電気的に短絡されている。
る。第２図はビデオテープレコーダのRFコンバ
ータ用に設計された弾性表面波共振子を示したも
ので、圧電性基板１１上の中央に電気信号−弾性
表面波変換のためのトランスデユーサを構成する
インターデイジタル電極１２が形成され、その両
側に近接してグレーテイング反射器１３，１４が
形成されている。インターデイジタル電極１２の
互いに入り込んだくし形電極は電気的に絶縁さ
れ、一方、グレーテイング反射器１３，１４の隣
り合う電極は電気的に短絡されている。
このような弾性表面波共振子を第１図に示した
方法で製造する場合、サイドエツチングの量はイ
ンターデイジタル電極１２とグレーテイング反射
器１３，１４の電極とで大きく異なり、しかもそ
の違いの度合は同一の圧電性基板上でもバラツキ
を生ずる。このため、同一の圧電性基板上に第２
図の如き電極パターンを多数組形成して量産をす
る時に、各々の弾性表面波共振子の共振周波数が
大きくバラつくことになり、歩留りが低下する。
方法で製造する場合、サイドエツチングの量はイ
ンターデイジタル電極１２とグレーテイング反射
器１３，１４の電極とで大きく異なり、しかもそ
の違いの度合は同一の圧電性基板上でもバラツキ
を生ずる。このため、同一の圧電性基板上に第２
図の如き電極パターンを多数組形成して量産をす
る時に、各々の弾性表面波共振子の共振周波数が
大きくバラつくことになり、歩留りが低下する。
そこで、本発明ではこのような弾性表面波共振
子を製造する際、第３図に示すようにインターデ
イジタル電極１２およびグレーテイング反射器１
３，１４等の電極パターンをエツチングするのと
同時に、各弾性表面波共振子に対応する電極パタ
ーンの周囲を囲む如く格子状の短絡細線１５を、
上記電極パターンとなる金属薄膜をエツチングし
て形成する。これは具体的には、レジストの露光
時に用いるガラスマスクの形状を変えることによ
つて実現できる。なお、この場合図のようにイン
ターデイジタル電極１２の各々を構成する一対の
くし形電極は短絡細線１５と接続され、短絡細線
１５を介して短絡される。
子を製造する際、第３図に示すようにインターデ
イジタル電極１２およびグレーテイング反射器１
３，１４等の電極パターンをエツチングするのと
同時に、各弾性表面波共振子に対応する電極パタ
ーンの周囲を囲む如く格子状の短絡細線１５を、
上記電極パターンとなる金属薄膜をエツチングし
て形成する。これは具体的には、レジストの露光
時に用いるガラスマスクの形状を変えることによ
つて実現できる。なお、この場合図のようにイン
ターデイジタル電極１２の各々を構成する一対の
くし形電極は短絡細線１５と接続され、短絡細線
１５を介して短絡される。
このようにすると、第１図ｃ以後のエツチング
工程においても基板１１の電荷の分布はマスク的
に均一となり、各電極パターンのサイドエツチン
グ量はほぼ均一となる。
工程においても基板１１の電荷の分布はマスク的
に均一となり、各電極パターンのサイドエツチン
グ量はほぼ均一となる。
そしてエツチング工程が終了してレジストを除
去した後、一点鎖線で示すように圧電性基板１１
の短絡細線１５上をダイシング法等によつて切断
し、個々の弾性表面波共振子に分割する。この工
程において、切幅を短絡母線１５の線幅より大き
くすることにより、インターデイジタル電極１２
を構成する一対のくし形電極は電気的に分離され
るので、弾性表面波共振子としての正しい動作を
行なうことができる。
去した後、一点鎖線で示すように圧電性基板１１
の短絡細線１５上をダイシング法等によつて切断
し、個々の弾性表面波共振子に分割する。この工
程において、切幅を短絡母線１５の線幅より大き
くすることにより、インターデイジタル電極１２
を構成する一対のくし形電極は電気的に分離され
るので、弾性表面波共振子としての正しい動作を
行なうことができる。
なお、上記説明では短絡細線１５をインターデ
イジタル電極１２、およびグレーテイング反射器
１３，１４等の電極パターンと同時にエツチング
形成したが、電極パターンのエツチングを先立つ
て行なつてもよい。
イジタル電極１２、およびグレーテイング反射器
１３，１４等の電極パターンと同時にエツチング
形成したが、電極パターンのエツチングを先立つ
て行なつてもよい。
本発明の効果を実施例をもとに以下に述べる。
LiTaO3（リチウムタンタレイト）、Ｘカツト、回
転112゜Y方向伝搬の圧電性基板１１上に、1.2μmt
のアルミ蒸気膜を一様に被着し、第２図に示す如
くインターデイジタル電極１２、グレーテイング
反射器１３，１４からなる電極パターンおよび短
絡細線１５をフオトエツチングによつて形成し
た。電極パターンの線幅は9.0μｍ、ピツチは18μ
ｍ、で共振周波数91.250MHzである。
LiTaO3（リチウムタンタレイト）、Ｘカツト、回
転112゜Y方向伝搬の圧電性基板１１上に、1.2μmt
のアルミ蒸気膜を一様に被着し、第２図に示す如
くインターデイジタル電極１２、グレーテイング
反射器１３，１４からなる電極パターンおよび短
絡細線１５をフオトエツチングによつて形成し
た。電極パターンの線幅は9.0μｍ、ピツチは18μ
ｍ、で共振周波数91.250MHzである。
第４図、第５図は従来法および上述した本発明
の方法によつて同一の圧電性基板上に形成した約
50個の弾性表面波共振子の共振周波数偏差の実測
結果をそれぞれヒストグラムとして示したもので
ある。従来法では±50kHz程度のバラツキがある
のに対し、本発明による方法では±10kHz程度の
極めて少ないバラツキに収まつていることがわか
る。なお、共振周波数以外の電極容量、共振抵
抗、Ｑ値など共振子としての他の主要性能の偏差
についても同様の効果が観測された。これらはい
ずれもエツチング時のサイドエツチング量の同一
圧電性基板上でのバラツキが減少したことによる
ものである。このように共振子の共振周波数およ
び諸性能の偏差のバラツキが減少することは、量
産時における歩留り向上に著しく効果があること
を意味する。
の方法によつて同一の圧電性基板上に形成した約
50個の弾性表面波共振子の共振周波数偏差の実測
結果をそれぞれヒストグラムとして示したもので
ある。従来法では±50kHz程度のバラツキがある
のに対し、本発明による方法では±10kHz程度の
極めて少ないバラツキに収まつていることがわか
る。なお、共振周波数以外の電極容量、共振抵
抗、Ｑ値など共振子としての他の主要性能の偏差
についても同様の効果が観測された。これらはい
ずれもエツチング時のサイドエツチング量の同一
圧電性基板上でのバラツキが減少したことによる
ものである。このように共振子の共振周波数およ
び諸性能の偏差のバラツキが減少することは、量
産時における歩留り向上に著しく効果があること
を意味する。
以上述べたように、本発明によれば製造プロセ
スに大きな変更を加えることなく、弾性表面波素
子の製造歩留りを大幅に向上させることが可能で
ある。
スに大きな変更を加えることなく、弾性表面波素
子の製造歩留りを大幅に向上させることが可能で
ある。
また、特に微細パターン（周波数が高い）の場
合、焦電効果により電極間で放電し電極が破損し
やすいが、本発明によれば、インターデイジタル
電極及び反射器が同電位となるため放電による電
極破損が生じない。
合、焦電効果により電極間で放電し電極が破損し
やすいが、本発明によれば、インターデイジタル
電極及び反射器が同電位となるため放電による電
極破損が生じない。
なお、実施例ではインターデイジタル電極が１
組の弾性表面波共振子について説明を行なつた
が、入、出力トランスデユーサとして用いられる
２組のインターデイジタル電極を有する２端子対
弾性表面波共振子、あるいは弾性表面波フイルタ
や遅延線や製造する場合にも同様の効果が期待で
き、中心周波数、挿入損失、電極容量、遅延時間
などの素子間偏差の減少を図ることができる。
組の弾性表面波共振子について説明を行なつた
が、入、出力トランスデユーサとして用いられる
２組のインターデイジタル電極を有する２端子対
弾性表面波共振子、あるいは弾性表面波フイルタ
や遅延線や製造する場合にも同様の効果が期待で
き、中心周波数、挿入損失、電極容量、遅延時間
などの素子間偏差の減少を図ることができる。
また、実施例では同一の圧電性基板上に複数個
の弾性表面波素子に相当する電極パターンを形成
したが、１個の弾性表面波素子に相当する電極パ
ターンを形成する場合にも本発明を適用すること
が可能である。
の弾性表面波素子に相当する電極パターンを形成
したが、１個の弾性表面波素子に相当する電極パ
ターンを形成する場合にも本発明を適用すること
が可能である。
さらに、実施例ではフオトエツチングについて
説明したが、エツチング法としてはこれに限ら
ず、例えば露光に電子ビーム、Ｘ線等を用いても
よいし、またウエツト、ドライいずれのエツチン
グでもよい。
説明したが、エツチング法としてはこれに限ら
ず、例えば露光に電子ビーム、Ｘ線等を用いても
よいし、またウエツト、ドライいずれのエツチン
グでもよい。
第１図は弾性表面波素子の製造プロセスを説明
するための図、第２図は弾性表面波共振子の基本
構成を示す平面図、第３図は本発明の一実施例を
説明するための平面図、第４図および第５図は従
来法および本発明の方法によつて得られる弾性表
面波共振子の共振周波数偏差の実測結果を示す図
である。 １１……圧電性基板、１２……インターデイジ
タル電極、１３，１４……グレーテイング反射
器、１５……短絡細線。
するための図、第２図は弾性表面波共振子の基本
構成を示す平面図、第３図は本発明の一実施例を
説明するための平面図、第４図および第５図は従
来法および本発明の方法によつて得られる弾性表
面波共振子の共振周波数偏差の実測結果を示す図
である。 １１……圧電性基板、１２……インターデイジ
タル電極、１３，１４……グレーテイング反射
器、１５……短絡細線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 圧電性基板上に一様に導体薄膜を被着し、こ
れをエツチングして所定の電極パターンを形成し
て弾性表面波素子を製造するに際し、前記電極パ
ターンの形成時またはその前に前記電極パターン
の周囲を囲む短絡細線を前記導体薄膜をエツチン
グして形成することを特徴とする弾性表面波素子
の製造方法。 ２ 電極パターンは弾性表面波共振子を構成する
インターデイジタル電極とグレーテイング反射器
とからなり、短絡細線は上記インターデイジタル
電極を構成する一対のくし形電極間を電気的に短
絡するように形成されることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の弾性表面波素子の製造方
法。 ３ 同一の圧電性基板上に一様に導体薄膜を被着
し、これをエツチングして所定の電極パターンを
複数組形成した後、これらの電極パターンに対応
させて前記基板を切断して複数に分割することに
より複数個の弾性表面波素子を同時に製造するに
際し、前記電極パターンの形成時またはその前に
前記各電極パターンの周囲を囲む格子状の短絡細
線を前記導体薄膜をエツチングして形成し、その
後前記基板の前記短絡母線上を切断して前記基板
を複数に分割することを特徴とする弾性表面波素
子の製造方法。 ４ 電極パターンは弾性表面波共振子を構成する
インターデイジタル電極およびグレーテイング反
射器からなり、短絡細線はエツチング時には上記
インターデイジタル電極を構成する一対のくし形
電極間を電気的に短絡し、かつ圧電性基板の切断
時には上記インターデイジタル電極間を電極的に
開放状態とするように形成されることを特徴とす
る特許請求の範囲第３項記載の弾性表面波素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12975981A JPS5831608A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12975981A JPS5831608A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5831608A JPS5831608A (ja) | 1983-02-24 |
| JPH0251284B2 true JPH0251284B2 (ja) | 1990-11-07 |
Family
ID=15017488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12975981A Granted JPS5831608A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5831608A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0756927B2 (ja) * | 1988-12-16 | 1995-06-14 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波素子の製造方法 |
| JPH03293808A (ja) * | 1990-04-11 | 1991-12-25 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波素子の製造方法 |
| US7296329B1 (en) * | 2000-02-04 | 2007-11-20 | Agere Systems Inc. | Method of isolation for acoustic resonator device |
-
1981
- 1981-08-19 JP JP12975981A patent/JPS5831608A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5831608A (ja) | 1983-02-24 |
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