JPS604215A - 微細パタ−ンの形成方法 - Google Patents

微細パタ−ンの形成方法

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Publication number
JPS604215A
JPS604215A JP58113058A JP11305883A JPS604215A JP S604215 A JPS604215 A JP S604215A JP 58113058 A JP58113058 A JP 58113058A JP 11305883 A JP11305883 A JP 11305883A JP S604215 A JPS604215 A JP S604215A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
photoresist
fine pattern
base substrate
photoresist layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58113058A
Other languages
English (en)
Inventor
Kyusaku Nishioka
西岡　久作
Hideaki Itakura
秀明 板倉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP58113058A priority Critical patent/JPS604215A/ja
Publication of JPS604215A publication Critical patent/JPS604215A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は半導体装置の製造工程における微細パターン
の形成方法の改良に関するものである。
〔従来技術〕
半導体集積回路装置では、捷ず捷ず高密度集積化の要求
が厳しく、パターンの微細化が進んでいる。特に、段差
部をもった高反射率の下地基板上に写真製版技術で微細
パターンを形成することはかなりむつかしい。
第１図は従来の方法における問題点を説明するだめの断
面図で、段差部のある高反射率の下地基板（例えばアル
ミニウム板）（１）の上にホトレジスト層（２）を塗布
形成し、プリベークを施した後、Ｐ）ｒ望パターンの光
を照射して露光させるのであるが、下地基板ｆｘ）の反
射率が大きいので、たたでさえ露光パターンの結像コン
トラストが低下する上に、段差部に照射された光ａか反
射、散乱されて回折効果なども働くので、現像後に精度
のよいレジストパターンを得ることは困難であった。
〔発明の概要〕
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、下
地基板の表面に、少なくともホトレジストの感光領域の
波長の光の反射を抑止する反射防止膜を形成した後に、
ホトレジスト層を形成することによって、段差部のある
高反射率の下地基板の上であっても才°Ｊ度のよいレジ
ストパターンを得る方法を提供するものである。
〔発明の実施例〕
第３図はこの発明の一実施例の実施状況を示す断面図で
、段差部のある高反射率の下地基板ｆ１＋の上に反射防
止膜（３）として、ホトレジストの感光領域の波長の光
を吸収する色素を添加したシラノールまたはオルガノシ
ラノールを塗布し、熱処理して酸化シリコン膜を形成し
た後に、ホトレジストＮ（２）を塗布形成し、これに露
光・現像を施すことによって、反射光の影響を軽減して
精度のよいレジストパターンが得られる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明では下地基板の上に反射
防止膜を形成し、その上にホトレジスト層を形成するよ
うにしたので、段差部のある高反射率の下地基板であっ
ても、レジスト露光時の下地基板からの反射の影響を軽
減でき、精度のよいレジストパターンが得られ、これを
用いて良好な微細パターンが形成できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来方法の欠点を説明するだめの断面図、第２
図はこの発明の一実施例の実施状況を示す断面図である
。 図において、（１）は下地基板、ｆ２ｉはホトレジスト
層、（３）は反射防止膜である。 なお、図中同一符号は同一またけ和尚部分を示す。 代理人　大岩増雄

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ＋１１　下地基板表面上に微細パターンを形成するため
    に、上記下地基板上にホトレジスト層を形成し、これに
    所要パターンの露光を施すに当って、上記下地基板上に
    光反射防止膜を形成し、その上に上記ホトレジスト層を
    形成することを特徴とする微細パターンの形成方法。 （２）反射防止膜としてシラノールまたはオルガ≠７２
    ノールを塗布し熱処理して得られる酸化シリコン膜を使
    用することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の微
    細パターンの形成方法。 （３）反射防止膜にホトレジストの感光波長域の光を吸
    収する色素を添加したものを用いることを特徴とする特
    許請求の範囲第１項または第２項記載の微細パターンの
    形成方法。
JP58113058A 1983-06-21 1983-06-21 微細パタ−ンの形成方法 Pending JPS604215A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06220206A (ja) * 1992-12-21 1994-08-09 Calgon Corp 新規固形分高含有非水性ポリマー組成物の製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06220206A (ja) * 1992-12-21 1994-08-09 Calgon Corp 新規固形分高含有非水性ポリマー組成物の製造方法

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