JPS6042273B2 - フイルタ被覆螢光体 - Google Patents

フイルタ被覆螢光体

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JPS6042273B2
JPS6042273B2 JP5776480A JP5776480A JPS6042273B2 JP S6042273 B2 JPS6042273 B2 JP S6042273B2 JP 5776480 A JP5776480 A JP 5776480A JP 5776480 A JP5776480 A JP 5776480A JP S6042273 B2 JPS6042273 B2 JP S6042273B2
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JP
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phosphor
coated
filter
y2o2s
in2s3
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JP5776480A
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正 若月
武 高原
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Toshiba Corp
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、陰極線管螢光面に使用するための改良さ
れた硫化インジウムI馬53系材被覆の赤色発光ユーロ
ピウム付活酸硫化イットリウムY。
O。S/Eu螢光体に関する。 カラー受像管に吹出さ
れる画像のコントラストを向上させるには、外光の螢光
面での反射を少なくするため、顔料フィルタ層を螢光体
層の前面に設けたり、あるいは螢光体粒子表面に顔料フ
ィルタ粒子を被覆したフィルタ被覆螢光体て螢光面を形
成することが知られている。
例えば特開昭50一56146号公報は、螢光体粒子表
面に顔料フィルタ粒子を被着した後者の螢光体について
述べている。 このフィルタ材料は、カラー受像管螢光
面に使用される螢光体の発光に対し、それぞれ同色の色
調を呈するフィルタ材料である。
例えば銀、塩素付活硫化亜鉛螢光体ZnS/Ag)Cl
又は銀、アルミニウム付活硫化亜鉛ZnS/AgNAl
の青色発光螢光体では、コバルトブルー顔料を被覆する
ことが行われ、Y。O。S/Euの赤色発光螢光体では
、ベンガラ顔料を被覆することが行われ、カラー陰極線
管用として何れの螢光体も良く実用化さ゜れている。
ここで赤色発光Y2O2S/EU螢光体に使用している
ベンガラ顔料は、耐熱性、耐酸耐アルカリ性、隠蔽力に
すぐれた顔料であるが、顔料被覆螢光体の特性を大きく
左右する色銚について難点がある。
それ故ベンガラ顔料に代るものとして、耐熱性が良好で
色調が著るしくすぐれたIn2s3がとり上げられ、こ
のIn2s3に係るフィルタ材を被覆した螢光体が開発
されている。例えは特開昭53一137087号公報、
特顔昭52−13988吟明細書、特願昭52−139
89吟明細書等はこの種の螢光体に係るものである。こ
のよようなInS3系フィルタ材被覆の赤色発光螢光体
は例えは以下のようにして形成する。Y。O2S/Eu
の赤色発光螢光体表面にます酸化インジウムIn2s3
又は水酸化インジウムIn2s3・ xH2oを被覆す
る。次いでこのインジウム化合物被覆螢光体に、ナトリ
ウムNa又はカリウムに又はルビジウムRbであるアル
カリ金属Mの炭酸塩■ιCO。と硫黄Sとを混合し、坩
堝に充填して900゜C程度に焼成した後水水処理する
。この結果硫化インジウム硫化アルカリIn2S3・N
M2S被覆Y2O2S/EU螢光体が得られる。これを
熱処理して硫化インジウム硫酸アルカl)1へS3・N
M2sO4被覆Y2O2S/EU螢光体が形成されるの
である。この例に対してもIn2s3のみによつて被覆
する時には耐熱性が悪く、例えば350℃〜500℃で
の管球製造工程で熱処理によりIn2s3の一部は酸化
されIn2O3になり、体色を退色してしまう。このた
め■N2s3の単独被覆を排して、M2Sとの複合化合
物を被覆したもので、熱処理によりM2SがM2SO4
となりIn2s3の保護膜となつて酸化を防止する。I
n2s3・NM2sO4被覆Y2O2S/EU螢光体は
、カラー陰極線管の螢光膜に用いられるとき、ベンガラ
被覆螢光体と比較して同一コントラストで発光輝度をほ
S゛等しくする。しかし分光反射率は相違する。例えば
長波長特に600r1m以上の長波長側では、前者の複
合化合物被覆螢光体が後者のベンガラ被覆螢光体に比べ
高く、反対に短波長特に50011m以下の短波長側で
は前者の方が低い。Y2O2S/EU螢光体の発光スペ
クトルピークは62611mであるから、前者の複合化
合物被覆螢光体は、In2s3・M2sO4てあるフィ
ルタ材によりカットされる発光スペクトルピーク部分が
が、後者のベンガラ被覆螢光体に比べ少なくてすむため
、発光輝度を高くする。この差は螢光体粉体に於ける発
光輝度特性で認められるが、管球特性においてはこの粉
体での輝度差が得られない。従つてこの複合化合物被覆
螢光俸は分光反射率曲線の優れた特性を充分に活かし切
れない欠点がある。
この発明はこのよなIns3系フィルタ材被覆方式を改
めて、発光輝度を高くかつコントラストを良好にする螢
光膜を得させるよう改良されたIns3系のフィルタ被
覆赤色発光螢光体を提供するものてある。
即ちこの発明は(1)赤色発光Y2O2S/EU螢光体
とこの螢光体表面を被覆するIns3系フィルタ材とか
らなるフィルタ被覆螢光体に於いて、フィルタ材はIn
2s3がNaとCsの複合硫酸塩(Na,CS)2S0
4で表面を被覆されているものであるフィルタ被覆螢光
体、又は(2)複合硫酸塩はNa(5Csの和と1nと
の重量比が0.05乃至0.17であり、かつCsとN
aとの重量比が0.005乃至0.05である複合硫酸
塩である前記(1)に記載のフィルタ被覆螢光体にある
。このようなこの発明で赤色発光螢光体は Y2O.S/Euとする。
まずこのY2O2S/EU螢光体粒子を脱イオン水に分
散し、これにボールミルにより良く分散したIn2s3
を添加混合する。次にアクリルエマルジョン樹脂を添加
し、希硫酸により水素イオン濃度を抵下させて、螢光体
表面にIn2s3を付着させる。次いで沖過乾燥後、S
と例えばNa2cO3及び炭酸セシウムCS2CO3を
混合し、シリカ坩堝に充填して900℃で1〜2時間焼
成する。そして水洗処理後乾燥することにより硫化イン
ジウム硫化ナトリウム・セシウムIn2s3・n(Na
,Cs)2S被覆Y2O2S/EU螢光体が得られる。
螢光膜品位を上げるためにこ)で硼酸亜鉛や水溶性有機
物、例えばハイドロプロピルセルローズ等で表面処理し
てもよい。次に350〜500℃で熱処理することによ
り硫化インジウム硫酸ナトリウム・セシウムIr]2S
3・n(Na,CS)2S04被覆Y2O2S/Eu螢
光体が形成される。この螢光体でフィルタ材は、In2
s3が(Na,CS)2S04て表面を保護被覆された
ものである。フィルタ材の保護膜形成に使用する例えば
Na2cO3の融点は851℃?あるのに対してCS2
CO3の融点は610℃であり、900℃の焼成温度で
はNa2cO3よりCS2CO3が蒸発量を大にする。
従つてCS2CO3は、この焼成時にフラックスとして
作用し、保護膜結晶を成長させこの膜体を強化させる。
この発明の螢光体でY2O2S/EU螢光体を被覆する
フィルタ材1r12S3●n(Na,CS)2S04て
IrL2S3表面をおおう(Na,CS)2S04のC
s/Na重量比は0.005〜0.05が最適てある。
0.005未満ては強い保護膜が得られず、更にIn2
s3表面への保護膜の密着性が良好に得られない。又0
.05を越える時にはIn2s3の体色が良好に得られ
ない。この時短波長側に寄つた色になり、赤色螢光体の
フィルタ材として好ましくなくなるのてある。尚Naと
Csとの和と、Inとの重量比は0.05〜0.17が
最適てある。0.05未満であると、In2s3の熱処
理工程ての退色を防止する保護膜の効果を示さないし、
0.17をこえる時には螢光体粒子の凝集が強化して螢
光体塗布時に調合されるスラリー液中での分散性を低下
し、更に発光輝度を武下するからである。
Na2cO3の代りにNa2sO4を、又CS2CO3
の代りにCSNO3を使用してもよろしい。
しかしNa化合物とCs化合物の融点が何れもIn2s
3及び(Na,CS)2S形成時の焼成温度より低く、
かつ後者がより低融点であるように選択して用いる。こ
のようにして得られるこの発明のフィルタ被覆螢光体は
、IIl2S3表面に形成される複合硫酸塩保護膜が強
固である上、In2s3とY2O2S/EU螢光体との
密着を良好にする。
このため、この螢光体を用い、常法により螢光体スラリ
ー液として塗布形成した螢光膜は、緻密に得られ、螢光
膜面に形成する有機フィルム膜を均一にしピンホールの
ない膜体とする。それ故このフィルム膜上に形成するア
ルミニウムAe膜のピンホールを少くし、かつ均一にさ
せるのである。それ故発光輝度は10%前後に及ぶ範囲
向上し、コントラストを良好にする螢光膜を提供するこ
とが出来る。以下実施例のフィルタ被覆螢光体について
述べる。
但しY2O2S/EU螢光体はE可農度が3重量%から
6重量%のものであつて良く、ここでは各実施例とも4
.鍾量%に一定してある。実施例 (1) 脱イオン水10eにY2O2S/EU螢光体1kgを分
散し、次いでボールミルによりこれを良く分散した1呼
量%のIrl2S3分散液70CCを添加し良く撹拌混
合する。
これにアクリルエマルジョン溶液を、螢光体に対して0
.01重量%添加し撹拌後希硫酸H2SO4て、PH3
程度に調節する。これを淵過し、乾燥する。乾燥品1k
gにNa2CO33.3gとCS2CO3l.lg(5
S30gとを混合しシリカルツボにつめて900℃て8
吟焼成する。そして脱イオン水で4〜5回洗浄したのち
、ビーズニ2、脱イオン水:1、螢光体:1の重量割合
でポットにいれてl紛間粉砕する。粉砕後容器に取り出
し、脱イオン水を加えて全量を10eとする。これに0
.9gのポラツクスを適当量の脱イオン水に溶解して添
加する。次に0.4モル硫酸亜鉛ZnsO4水溶液50
ccを加え良く撹拌したのち静置する。静置後、上澄を
排水して脱イオン水あるいは50〜60℃の脱イオン水
を加え4〜5回洗浄する。ついでハイドロプロピルセル
ロースI(PC6yを3eの脱イオン水に溶解した溶液
中に洗浄後の螢光体を入れ、1時間撹拌したのち、沖過
し、乾燥する。この乾燥品を300メッシュ篩別器で篩
別することにより、In2s3・n(Na,Cs)2S
被覆Y2O2S/EU螢光体が得られる。この螢光体は
通常の陰極線管製造工程の螢光膜熱処理でIrl2S3
・n(Na,CS)2S04被覆Y2O2S/EU螢光
体になる。このよようにして形成された螢光膜を備える
陰極線管及びIn2s3・Na2sO4被覆Y2O2S
/EU螢光体で形成された同様の螢光膜を備える陰極線
管について電圧特性曲線を点線及び実線で図示する。こ
のようにして得られた螢光体を用い螢光体スラリーを常
法で作成し、陰極線瞥宍ネル上に常法て塗布し、形成し
た螢光膜を備える陰極線管は従来螢光体の螢光膜を備え
る陰極線管より発光輝度が10%向上し、さらにコント
ラストも3%向上した。
なお、この螢光体の保護膜を分析したらCs/Na量比
は0.025であり、Na+Cs/In量比は0.10
であつた。実施例 (2) 脱イオン水10eにY2O2S/EU螢光体1kgを分
散し、前記実施例(1)と同様いにしてIn2s3を混
合する。
これにN?CO35y<15CS2C031.7yとS
3OVとを混合し、900℃で8紛間焼成する。以下前
記実施例(1)と同様に処理することにより得られたI
n2S3・n(Na,Cs)2S被覆(Y2O2S/E
u)螢光体を用いて常法でスラリーを作成し、陰極線管
パネル上に常法で塗布し、形成したIn2s3・n(N
a,CS)2S04被覆Y2O2S/EU螢光膜の陰極
線管は、従来螢光体の螢光膜の陰極線管より発光輝度が
8%向上し、さらにコントラストも4%向上した。又、
分析にて確認したCs/Na量比は0.027であり、
Na+Cs/In量比は0.15てあつた。実施例 (
3)脱イオン水10eにY2O2S/EU螢光体1k9
を分散し、前記実施例(1)と同様にしてIIl2S3
を混合する。
これにNa2CO33.3y(5CS2C030.4y
(5S30yを混合して900℃で8吟間焼成する。以
後前記実施例(1)と同様に処理することにより得られ
たIn2S3・n(Na,Cs)2S被覆Y2O2S/
EU螢光体を用い常法でスラリーを作成し、陰極線管パ
ネル上に常法で塗布し、形成した螢光膜を備える陰極線
管は、従来螢光体の螢光膜を備える陰極線管より・発光
輝度が8%向上し、コントラストは3%向上する。又分
析により確認したCs/Na量比は0.008てあり、
Na+Cs/In量比は0.101てあつた。実施例
(4)実施例(1)て得られたIn6S3・n(Na,
Cs)2S被覆Y2O2S/EU螢光体を420℃で1
時間熱処理しIn2s3・n(Na,CS)2S04被
覆Y2O2S/EU螢光体にしてから、常法で螢光体ス
ラリーを作成し、常法で塗布し、形成した螢光膜の陰極
線管においても、実施例(1)と同様の効果が得られる
以上のようにこの発明の螢光体は、これを被覆するフィ
ルタ材の保護膜が強く、かつIn2s3表面への密着性
が良いため、螢光面でのAe膜を、ピンホールの少ない
非常に均一な膜として得させ、発光輝度を高くし、かつ
コントラストのすぐれた螢光膜を得させる。
【図面の簡単な説明】
図は、従来及びこの発明の実施例螢光体により形成され
ている各螢光膜の電圧特性曲線を実線及び点線で示した
ものである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 赤色発光ユーロピウム付活酸硫化イットリウム螢光
    体とこの螢光体表面を被覆する硫化インジウム系フィル
    タ材とから成るフィルタ被覆螢光体に於いて、フィルタ
    材は硫化インジウムがナトリウムとセシウムの複合硫酸
    塩で表面を被覆されているものであることを特徴とする
    フィルタ被覆螢光体。 2 複合硫酸塩はナトリウム重量とセシウム重量の和と
    インジウム重量との重量比が0.05乃至0.17であ
    り、かつセシウム重量とナトリウム重量との重量比が0
    .005乃至0.05である複合硫酸塩であることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項に記載のフィルタ被覆螢
    光体。
JP5776480A 1980-05-02 1980-05-02 フイルタ被覆螢光体 Expired JPS6042273B2 (ja)

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