JPS604248A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS604248A
JPS604248A JP58112024A JP11202483A JPS604248A JP S604248 A JPS604248 A JP S604248A JP 58112024 A JP58112024 A JP 58112024A JP 11202483 A JP11202483 A JP 11202483A JP S604248 A JPS604248 A JP S604248A
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JP
Japan
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layer
film
pad
bonding
metal film
Prior art date
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Pending
Application number
JP58112024A
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English (en)
Inventor
Kunio Kokubu
國分　邦夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS604248A publication Critical patent/JPS604248A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 不発明は半導体集積回路装置に関し２％にポンディング
パッドに関する。
半導体集積回路装置の外部への電気的専用は。
通常、装置表面のボンティングパッドと称する部分にワ
イアー等を圧着して行なわれている。この圧着工程は、
熱または超音波等によってエネルギーを与え、互た、−
足の荷重音訓えてワイアー等をパッドに圧着するもので
あるが、この時の機械的衝撃によりボンデイン・ｌパッ
ド部分が破壊され、半導体基板との間が電気的ショート
状態になるという事故が従来より多く見られた。
不発明は、ボンディング時の機械的衝撃に耐え得る丈夫
なポンディングパッドを有する装置を提供しようとする
ものであり、以下、従来構造と対比して本発明の実施例
を図面を用いて説明する。
第１図に平面図（ａ図）と断面図（ｂ図）で示す如く、
従来構造では、半導体基板１　（１）表面絶縁ＩＮ２の
上に、へ１等の金属膜３によるボンティングパッドが形
成されている。この金属膜３は果槓１回路装置門の金属
配線とｔｒｓ時に形成されるのが普通でおるが、近年、
素子寸法の微細化に伴ない。
その厚さが薄くならざるを得ない傾向にある。このよう
な薄い金ハ膜３よりなるボンティングパッドに６強い衝
撃でワイヤー等を圧着すると、その＠撃が直接絶縁膜２
にかかることになり、微細なりラック等の発生により、
ポンディングパッド３と半導体基板１との間が電気的シ
ョートの状態になることが少なくない。なお１通常、集
積回路装置の最上表面は保＠膜６で被覆され、ポンディ
ングパッドのところで開口しているので、これも図示し
である。
次に第２図に、不発明の一実施例を図示する。
半導体基板１′の表面絶縁膜２′の上に、第１層のＡ１
等の金属膜３′を形成するところまでは従来信造と共通
である。しかし、その上に絶縁膜４′全形成してパッド
部分全開１」シ、第２層のＡ１等の金属５′ヲ形成して
第１ｒｇ　３　’に重ね、パッド部分の金属膜を厚くす
るのが本溌明の特徴である・こうすることによって、ワ
イヤー等を圧着する時の衝撃に対して、２層厘ねて厚く
した金属膜がクッションとして働き、絶Ａ＃、膜２′に
かかる衝撃全緩和するので、ポンディングパッド部が破
壊されることがなくなる。
なお、不発明全実施すると、絶縁膜４′と第２層金属膜
５′ヲ形成する工程が新たにつけ加わり。
製造工程が長くなるかのり）」き、印象があるが、近年
、集積回路装置のサイズ全少さくする必要からめ金属２
層配線（多層配線）が多用されつつあり。
絶縁膜４′と第２層金属膜５′は、第２層金属配線を形
成する工程で同時に形成することができることを有配し
ておく。また、表面保護膜６′　も図示しておいた。
以上の実施例に２いて、バット材料はアルミニウムに限
られないことは熱論である。
【図面の簡単な説明】
第１図はポンディングパッドの従来構ｍ　Ｙ　ｔｅわし
た平面図（ａ図）と所間、図（ｂ図）である・１・・・
・・半導体基板、２−・・・・基板表面の絶縁膜。 ３　・・・・ポンディングパッド（金属膜）、６・・・
・・表面保護膜。 第２図は本発明によるポンディングパッド構造の一実施
例を示す平面図（ａ図）と断面図（ｂ図）である。 １′・・・・・・半導体基板、２′　・・・・基板表面
の絶縁膜　３／　・・・・・ポンディングパッドの第１
層金属膜。 ４′・・・・・・パッド以外の部分で第１層金属膜と第
２層金属膜の間の絶縁膜として匿われる膜、５′　・・
・・ポンディングパッドの第２層策属１戻、６′　・・
・表面保護膜。 ′　９ 第１図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板表面絶縁膜上の第１層金属膜と、該第１層金
    属膜と少なくとも１カ所の電気的接続を以って該金属膜
    の上に止ねられ１ヒ第２層金属膜とを有してなるポンデ
    ィングパッド′ｆｒ：１個以上有することを特徴とする
    半導体装置。
JP58112024A 1983-06-22 1983-06-22 半導体装置 Pending JPS604248A (ja)

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JP58112024A JPS604248A (ja) 1983-06-22 1983-06-22 半導体装置

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JP58112024A JPS604248A (ja) 1983-06-22 1983-06-22 半導体装置

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JPS604248A true JPS604248A (ja) 1985-01-10

Family

ID=14576079

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JP58112024A Pending JPS604248A (ja) 1983-06-22 1983-06-22 半導体装置

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0529375A (ja) * 1991-07-23 1993-02-05 Murata Mfg Co Ltd 半導体装置
US7956473B2 (en) 2007-07-23 2011-06-07 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device
KR101116313B1 (ko) 2008-01-25 2012-03-14 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 본딩 패드부 및 그 형성 방법
CN103177973A (zh) * 2011-12-21 2013-06-26 北大方正集团有限公司 一种加厚压焊块的制作方法

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