JPS6042837A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6042837A JPS6042837A JP58150772A JP15077283A JPS6042837A JP S6042837 A JPS6042837 A JP S6042837A JP 58150772 A JP58150772 A JP 58150772A JP 15077283 A JP15077283 A JP 15077283A JP S6042837 A JPS6042837 A JP S6042837A
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- JP
- Japan
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- film
- substrate
- solution
- psg
- oxide film
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/69—Inorganic materials
- H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
- H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
- H10P14/6922—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
- H10P14/6923—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being boron or phosphorus doped silicon oxides, e.g. BPSG, BSG or PSG
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に燐等を含
有した層間絶縁膜を形成せしめる場合に、より平滑な構
造を有し、かつ耐湿性に優れた絶縁膜を形成させる方法
に関するものである。
有した層間絶縁膜を形成せしめる場合に、より平滑な構
造を有し、かつ耐湿性に優れた絶縁膜を形成させる方法
に関するものである。
従来、半導体素子の層間絶縁膜としては、形成された素
子と金属配線とを電気的に分離させるために、ば化膜、
窒化膜、燐珪酸ガラス膜（以下ＰＳＧ膜と略す）寺が用
いられてきた。特にＰＳ（＋膜に関しては、酸化膜等で
は得られない素子の電気的なパッシベーション効果も確
認されている。
子と金属配線とを電気的に分離させるために、ば化膜、
窒化膜、燐珪酸ガラス膜（以下ＰＳＧ膜と略す）寺が用
いられてきた。特にＰＳ（＋膜に関しては、酸化膜等で
は得られない素子の電気的なパッシベーション効果も確
認されている。
更に１上記Ｐ８Ｇ膜は絶縁膜としての性質以外に、次工
程で付着形成されるｋｌ等の配線材料の断切れを防止す
るために、該絶縁膜の表面は、可能な限り平滑化させる
ことが要求される。
程で付着形成されるｋｌ等の配線材料の断切れを防止す
るために、該絶縁膜の表面は、可能な限り平滑化させる
ことが要求される。
しかしながら、上記要求を単純に満足せしめる絶縁膜と
してあまり高ａ度に燐が含有されたＰＳＧ膜を用いると
、平滑化に関しては満足されるが、素子の信頼性に不可
欠な耐湿性の面で問題が生じ満足な素子が得られない。
してあまり高ａ度に燐が含有されたＰＳＧ膜を用いると
、平滑化に関しては満足されるが、素子の信頼性に不可
欠な耐湿性の面で問題が生じ満足な素子が得られない。
本発明の目的は、上記従来素子の欠点を除去し、平滑化
と耐湿性とを同時に満足せしめ、十分に信頼性のある素
子を形成せしめる所にある。
と耐湿性とを同時に満足せしめ、十分に信頼性のある素
子を形成せしめる所にある。
本発明の％敵は、半導体素子が形成された基板上に絶縁
膜を形成する工程において、燐が含有されている燐珪絃
ガラス膜を形成する工程と、該ガラス膜上にポロンが含
鳴された珪７ｓ １（ＯＨ）４液の塗布により得られた
酸化珪素膜を形成する工程とを具備する半導体装置の製
造方法にある。
膜を形成する工程において、燐が含有されている燐珪絃
ガラス膜を形成する工程と、該ガラス膜上にポロンが含
鳴された珪７ｓ １（ＯＨ）４液の塗布により得られた
酸化珪素膜を形成する工程とを具備する半導体装置の製
造方法にある。
以下、図面を参照し、本発明の実施例を従来方法と比較
して、詳細に説明する。
して、詳細に説明する。
第１図（ａ）乃至８１ｇ１図（Ｃ）は従来性われていた
層間絶縁膜形成のための一実施例であ）、ＭＯＳ）ラン
ジスタ適用した場合の工程断面図である。第１図（ａ）
において、１０はＰ型シリコン基板、２０は基板に埋設
せる酸化膜、３０はゲート酸化膜。
層間絶縁膜形成のための一実施例であ）、ＭＯＳ）ラン
ジスタ適用した場合の工程断面図である。第１図（ａ）
において、１０はＰ型シリコン基板、２０は基板に埋設
せる酸化膜、３０はゲート酸化膜。
４０はポリシリコン、シリサイド等のゲート電極。
５０はソース、ドレイン形成のためのイオンビーム、を
各々示す。
各々示す。
通常は上記構造の素子に１第１図（ｂ）で示した如く、
層間Ｐ２Ｏ膜８０を付着せしめ、その後９００〜１００
０℃刊近の熱処理を施して上記ＰＳＧ膜の平滑化を行う
。
層間Ｐ２Ｏ膜８０を付着せしめ、その後９００〜１００
０℃刊近の熱処理を施して上記ＰＳＧ膜の平滑化を行う
。
しかしながら、同図９０に示したような凹部がＰ ８
Ｇｇ形成直後にパターン端部に生じることにより、熱部
Ｗを施した後でも十分な平滑効果は得られない。
Ｇｇ形成直後にパターン端部に生じることにより、熱部
Ｗを施した後でも十分な平滑効果は得られない。
これに起因して、第１図（Ｃ）に示した如（ＰＳＧ膜１
００の上部に形成された金楓配ｙ１２ｏには、コンタク
ト部１１０において、１３０で示されたよりな６くさび
′°が生じ易くなる。
００の上部に形成された金楓配ｙ１２ｏには、コンタク
ト部１１０において、１３０で示されたよりな６くさび
′°が生じ易くなる。
この結果、上記金属配線には端部で断切れが生じ、信頼
性のある素子が得られない。
性のある素子が得られない。
本発明は上記従来法の欠点を除去するためになされたも
ので、菓子が形成された基板上に絶１戚膜を形成する工
程において、形成されたｐｓｏｍ上に、ボロンが含有さ
れた珪＃Ｒ８１（ＯＨ）ａ液の塗布により得られた酸化
珪素膜を形成することを％黴とするものである。
ので、菓子が形成された基板上に絶１戚膜を形成する工
程において、形成されたｐｓｏｍ上に、ボロンが含有さ
れた珪＃Ｒ８１（ＯＨ）ａ液の塗布により得られた酸化
珪素膜を形成することを％黴とするものである。
次に本発明の一実施例を、図面を参照しつつ詳細に説明
する。
する。
第２１伸）乃至第２図（Ｃ）は本発明の一実施例であ。
ｆｉ、ＭＯＳ）ランジスタへ適用した場合の工程断面図
である。第２図（ａ）において、２１ｏはＰ型シリコン
基板、２２０は基板に埋設せる酸化膜。
である。第２図（ａ）において、２１ｏはＰ型シリコン
基板、２２０は基板に埋設せる酸化膜。
２３０はゲート［化膜、２４ｏはポリシリコン、。
シリサイド等のゲート電極、２５ｏはソース、ドレイン
形成のためのイオン・ビームを各々示す。
形成のためのイオン・ビームを各々示す。
上記構造の素子に、第２図（Ｌ））に示した如く、層間
ＰＳＧ膜２８０を付着せしめる。
ＰＳＧ膜２８０を付着せしめる。
仄いて該Ｐ ８ ｏ＋ａ上に、ボロンが含有された珪ば
５ｉ（ＯＦＩ）ｉ＠、：液２９５を塗布し熱処理を行う
。
５ｉ（ＯＦＩ）ｉ＠、：液２９５を塗布し熱処理を行う
。
この工程により第２図（ｂ）に示された四部２９９は、
完全に埋′められ、次工程で付着される金ル【配線に悪
影Ｖを与えることは皆無に近くなる。ス、塗布後の熱処
理により、形成されたば化珪素膜中に１１下地ＰＳＧ膜
から燐原子が拡散し、ボロンが含有されたＰＥＧ膜３０
０となる。
完全に埋′められ、次工程で付着される金ル【配線に悪
影Ｖを与えることは皆無に近くなる。ス、塗布後の熱処
理により、形成されたば化珪素膜中に１１下地ＰＳＧ膜
から燐原子が拡散し、ボロンが含有されたＰＥＧ膜３０
０となる。
その後、第２図（に）に示した如くコンタクト孔３１０
を開孔後、Ａｌ！等の彊属配線材料３２０を付着形成す
る。
を開孔後、Ａｌ！等の彊属配線材料３２０を付着形成す
る。
コンタクト孔の開ｆＬは、場合によっては珪酸８ｉ（Ｏ
Ｈ：Ｌ液塗布後の高温処理前に行ってもよし１゜本発明
によれば 絶縁膜形成後の素子端部には非常に滑らかな
形状が見られ、次工程で付着形成される金ｈＪｉ嗅か断
切れることはない。又絶縁膜最上部の塗布膜中には低譲
度の燐原子しか存在せず素子のｆｇ頼性も格段に同上す
る。
Ｈ：Ｌ液塗布後の高温処理前に行ってもよし１゜本発明
によれば 絶縁膜形成後の素子端部には非常に滑らかな
形状が見られ、次工程で付着形成される金ｈＪｉ嗅か断
切れることはない。又絶縁膜最上部の塗布膜中には低譲
度の燐原子しか存在せず素子のｆｇ頼性も格段に同上す
る。
以上、本発明の峙＠をＭＯ８ｆバイスを列に羊けて説明
し１ｃが、本発明による方法が、他のデバイスにも有効
なのは言うまでもない。
し１ｃが、本発明による方法が、他のデバイスにも有効
なのは言うまでもない。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は各々に米の嘘、Ｌ１工程をンバ
す工程順断面図、第２図ｔ８）〜（Ｃ）は各々不発明の
一実施例な説明する゛ための半立体基板の工程順断面図
である。 なお図におし１て、’１０．２１０・・・・−・シリコ
ン基板、２０．２２０・・・・・・酸化膜、３０．２３
０・・・・・・ゲート酸化膜、４０．２４０・・・・・
・ゲート＊＠Ａ。 ５０．２５０・・・・・・イオンビーム、６０．２６０
・・・・・・ソース領域、７０．２７０・・・・・・ド
レイン領域、８０．２８０・・・・・・Ｐ２Ｏ膜、９０
，２９０・・・・・・Ｐ８Ｇ膜凹部、１００．３００・
−・・・熱処理後のＰ２Ｏ膜、１１０，３１０・・・・
・・コンタクト孔、１２０゜３２０・・・・・・金属配
線、３３０・・・・・・くさび、である。 （α） りθ （ｂ） （Ｃ） 第 ｌ 旧 （６Ｌ） （ｂ） （Ｃ） 第２ 図
す工程順断面図、第２図ｔ８）〜（Ｃ）は各々不発明の
一実施例な説明する゛ための半立体基板の工程順断面図
である。 なお図におし１て、’１０．２１０・・・・−・シリコ
ン基板、２０．２２０・・・・・・酸化膜、３０．２３
０・・・・・・ゲート酸化膜、４０．２４０・・・・・
・ゲート＊＠Ａ。 ５０．２５０・・・・・・イオンビーム、６０．２６０
・・・・・・ソース領域、７０．２７０・・・・・・ド
レイン領域、８０．２８０・・・・・・Ｐ２Ｏ膜、９０
，２９０・・・・・・Ｐ８Ｇ膜凹部、１００．３００・
−・・・熱処理後のＰ２Ｏ膜、１１０，３１０・・・・
・・コンタクト孔、１２０゜３２０・・・・・・金属配
線、３３０・・・・・・くさび、である。 （α） りθ （ｂ） （Ｃ） 第 ｌ 旧 （６Ｌ） （ｂ） （Ｃ） 第２ 図
Claims (1)
- 半導体素子が形成された基板上に絶縁膜を形成する工程
において、燐が含有されている燐珪酸ガラス膜を形成す
る工程と、該ガラス膜上にボロンが含有された珪ｒｅ
Ｓ ｉ （ＯＨ）４液の塗布により得られた酸化珪素膜
を形成する工程とを具備することを！敵とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58150772A JPS6042837A (ja) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58150772A JPS6042837A (ja) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6042837A true JPS6042837A (ja) | 1985-03-07 |
Family
ID=15504081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58150772A Pending JPS6042837A (ja) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6042837A (ja) |
-
1983
- 1983-08-18 JP JP58150772A patent/JPS6042837A/ja active Pending
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