JPS6043291A - 磁気バブルメモリ素子における不良ル−プ表示記号の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発明の技術分野 本発明は磁気バブルメモリ素子に係り、特に複数のマイ
ナーループのうち使用できない不良ループを素子表面に
表示する方法に関する。

（７！　技術の背景 現在広く使われている磁気バブルメモリ素子は複数本の
マイナーループを持つメジャーマイナーループ方式であ
り、プロセス上の欠陥などによる動作不良マイナールー
プが含まれている。バブルメモリ素子を実際にメモリと
して動作させる時には、これ等の不良ループに情報を書
込まないような処理をする必要があり、従って、素子を
出荷する際には不良マイナーループのすべてを明確にし
ておく必要がある。

（３）従来技術と問題点 従来この不良ループを素子する方法として、不良ループ
の番地を記したデータシートを素子に添付することが行
なわれていた。しかしながら、素子とデータシートが別
々では多数の素子を使った装置などで混乱すること、ま
たデータシートを紛失した場合のことなどを考えると、
素子自体に不良ループを表示する要求が高まってきてお
り、一部ではすでに行なわれている。ここで、不良ルー
プ番地を素子表面に表示することを考えてみる。

現在使われているバブルメモリ素子は２５６にビット及
び１メガビツトの容量であり、素子の外形は約３ｃｍ角
である。素子表面には製品形式番号及びロット番号９社
名等が表示されるため、不良ループ番地表示のために許
される面積は大体２．５ｃｍ　Ｘ　３　ｃｍとなる。ま
た表示′に用いる活字の大きさはスクリーン印刷等で素
子表面に直接印刷する場合、あるいは紙等に印刷したも
のを素子表面に貼り付ける場合でも印字品質を考慮する
と最小’１ａｖａ角前後となる。従って許容面積内に印
刷できる字（５）発明の構成 本発明は不良ループ番地が必ずしも素子上あるいは紙等
に直接印刷される必要はないこと、また印刷された数字
が必ずしも肉眼で判別可能な大きさに制限する必要はな
いことに着目して、適当な大きさに印刷された原版を縮
小写真技術により適当な大きさに縮小し許容される面積
内に納めるようにしたものである。

すなわち、本発明は素子表面の定められた領域に不良マ
イナーループの番地を表示する磁気バブルメモリの不良
ループ表示方法に於いて、予め定められた大きさで印字
された不良マイナーループ番地を予め定められた倍率で
縮小し、しかる後に素子表面に表示することを特徴とす
るバブルメモリ素子の不良ループ表示方法の提供によっ
て上記目的を達成するものである。

（６）発明の実施例 第１図と第２図に本発明による不良ループ表示方法の一
実施例を示す。

数は１８０字前後となる。２５６にビット素子ではマイ
ナーループ数約３００ループ、不良ループはせいぜい２
０ループであるから、３桁数字×２０＝６０字となり、
余裕をもって表示できる。１メガビツト素子では、マイ
ナーループ数約６００ループ、不良ループが約６０本で
あるから、３桁数字Ｘ６０＝１８０字となりギリギリで
表示できる。ところがバブルメモリ素子は年々高密度化
の研究が進み、４メガビット素子、更には１６メガビツ
ト素子の実現が確実視されている。４メガピント素子で
は不良ループが２４０ループ、更には１６メガビツト素
子では１０００ループにもなり、また素子の外形寸法は
現在とほぼ変わらないことが予想されるため、従来技術
での印刷による表示では、素子表面に不良ループ番地を
表示することが不可能となる。

（４）発明の目的 本発明の目的は従来技術では不可能であった４メガビッ
トあるいは１６メガビツトといった高密度素子の不良ル
ープを素子上に表示する新しい手箱１図は露光マスク用
原版を示す平面図で、これは例えばｌＱｃｍＸ１２ｃｏ
＋の原版ｌの上に４龍角の数字等からなる印字２を露光
・現像により形成したものである。

この原版１の面積には２５字×３０字−７５０字が表示
できる。４メガビツト素子では不良ループの最大が２４
０ループであるから１６進３桁で番地を表わせば７２０
字となり、本原版内で十分表示することが可能である。

次に第２図（Ａ）に示す如く、原版ｌを縮小写真技術で
例えば１／４に縮小する。

尚、第２図（Ａ）において、３は縮小露光機のレンズを
、４は原版１の縮小版を示す。

また縮小写真技術は湿式、乾式など種々のものが実用化
されているが、そのいずれを用いても本発明の目的が実
現できることはいうまでもない。

１／４縮小された縮小版４（第２図（Ｂ）参照）は２．
５　ｃｍ　Ｘ　３　ｃｍとなり、この版上での印字の大
きさはｌ　ｕ＋角となる。

しかる後、この縮小版４を第２図（Ｃ）に示す如く、バ
ブルメモリ素子５の磁気シールドケース６の表面の不良
ループ表示領域７に貼付することによって本発明の目的
が達成できる。

１６メガビツト素子の場合には、原版１を２０ＣｍＸ２
４ｃｍとし、１／８縮小とすれば縮小版４上には０．５
鰭角の印字で１０００ループが表示可能である。

この際０．５　ｍｍ角の数字を肉眼で判別するのは困難
であるが、拡大鏡を用いる等の手段により容易に判別す
ることができる。

なお縮小写真技術はバブルメモリ、ＩＣ等の作製に使用
せれており、ミクロンオーダーの描画が確立されている
ため、この程度の大きさでは精度的な制限要因とならな
い。

第３図は本発明の別の実施例を示したものである。

この例では、バブルメモリ素子５の磁気シールドケース
６の不良ループ表示領域７の表面にあらかじめ感光剤を
塗布して感光面を形成しておき、原版１の縮小像を直接
素子５上に表示するようにしたものである。

この場合、縮小版を作った後素子に貼付する上記第１実
施例の場合に比べて工数が大幅に低減できる利点がある
。

なおこの実施例では、感光面保護のため、樹脂コーティ
ング等の保護手段を感光剤の領域７」二に施すことが、
長期間にわたる変質を防く上で望ましい。

以上述べた実施例では不良ループだけを表示することに
限ったが、本発明はこれに限定されるものではなく、製
品形式番号、ロット番号等も同時に表示しても良いこと
は言うまでもない。

（７）発明の効果 以上の本発明によれば従来技術では不可能であった４メ
ガビット以上の高密度バブルメモリ素子の不良ループ番
地をバブルメモリ素子上に簡単に且つ精度良く表示する
ことができ、その実用」二の効果は著しいものである。

【図面の簡単な説明】

図はいずれも本発明の実施例を示すもので、第１図は本
発明に係る不良ループ表示用原版の平面図、第２図（Ａ
）〜第２図（Ｃ）は第１図の原版例による不良ループ表
示方法を示す概念図である。 〔符号の説明〕 １・・・・・原版 ２・・・・・印字 ３・・・・・縮小用レンズ ４・・・・・縮小版 ５・・・・・へ′プルメモリ素子 ７・・・・・不良ループ表示領域 第　１　図 躬３　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１１素子表面の定められた領域に不良マイナーループ
   の番地を表示する磁気バブルメモリの不良ループ表示方
   法に於いて、予め定められた大きさで印字された不良マ
   イナーループ番地を予め定められた倍率で縮小し、しか
   る後に素子表面に表示することを特徴とするバブルメモ
   リ素子の不良ループ表示方法。 （２）不良マイナーループ番地が予め定められた大きさ
   で印字された原版から予め定められた倍率で縮小した縮
   小版を作製し、該縮小版を素子表面に貼付することを特
   徴とする第１項記載のバブルメモリ素子の不良ループ表
   示方法。 （３）素子表面に感光面を形成し、該感光面に不良ルー
   プを表示することを特徴とする第１項記載のバブルメモ
   リ素子の不良ループ表示方法。 ＋４１　素子表面に保護膜を形成することを特徴とする
   第２項又は第３項記載のバブルメモリ素子の不良ループ
   表示方法。 （５）、製品、形式番号、ロット番号等を同時に表示す
   ることを特徴とする第１項記載のバブルメモリ素子の不
   良ループ表示方法。