JPS623511B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS623511B2 JPS623511B2 JP58149821A JP14982183A JPS623511B2 JP S623511 B2 JPS623511 B2 JP S623511B2 JP 58149821 A JP58149821 A JP 58149821A JP 14982183 A JP14982183 A JP 14982183A JP S623511 B2 JPS623511 B2 JP S623511B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- defective
- display symbol
- bubble memory
- magnetic bubble
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は磁気バブルメモリ素子に係り、特に複
数のマイナーループのうち使用できない不良ルー
プを素子表面に形成する方法に関する。
数のマイナーループのうち使用できない不良ルー
プを素子表面に形成する方法に関する。
(2) 技術の背景
現在広く使われている磁気バブルメモリ素子は
複数本のマイナーループを持つメジヤーマイナー
ループ方式であり、プロセス上の欠陥などによる
動作不良マイナーループが含まれている。バブル
メモリ素子を実際にメモリとして動作させる時に
は、これ等の不良ループに情報を書込まないよう
な処理をする必要があり、従つて、素子を出荷す
る際には不良マイナーループのすべてを明確にし
ておく必要がある。
複数本のマイナーループを持つメジヤーマイナー
ループ方式であり、プロセス上の欠陥などによる
動作不良マイナーループが含まれている。バブル
メモリ素子を実際にメモリとして動作させる時に
は、これ等の不良ループに情報を書込まないよう
な処理をする必要があり、従つて、素子を出荷す
る際には不良マイナーループのすべてを明確にし
ておく必要がある。
(3) 従来技術と問題点
従来この不良ループを素子する方法として、不
良ループの番地を記したデータシートを素子に添
付することが行なわれていた。しかしながら、素
子とデータシートが別々では多数の素子を使つた
装置などで混乱すること、またデータシートを粉
失した場合のことなどを考えると、素子自体に不
良ループを表示する要求が高まつてきており、一
部ではすでに行なわれている。ここで、不良ルー
プ番地を素子表面に表示することを考えてみる。
良ループの番地を記したデータシートを素子に添
付することが行なわれていた。しかしながら、素
子とデータシートが別々では多数の素子を使つた
装置などで混乱すること、またデータシートを粉
失した場合のことなどを考えると、素子自体に不
良ループを表示する要求が高まつてきており、一
部ではすでに行なわれている。ここで、不良ルー
プ番地を素子表面に表示することを考えてみる。
現在使われているバブルメモリ素子は256Kビ
ツト及び１メガビツトの容量であり、素子の外形
は約３cm角である。素子表面には製品形式番号及
びロツト番号、社名等が表示されるため、不良ル
ープ番地表示のために許される面積は大体2.5cm
×３cmとなる。また表示に用いる活字の大きさは
スクリーン印刷等で素子表面に直接印刷する場
合、あるいは紙等に印刷したものを素子表面に貼
り付ける場合でも印字品質を考慮すると最小２mm
角前後となる。従つて許容面積内に印刷できる字
数は180字前後となる。256Kビツト素子ではマイ
ナーループ数約300ループ、不良ループはせいぜ
い20ループであるから、３桁数字×20＝60字とな
り、余裕をもつて表示できる。１メガビツト素子
では、マイナーループ数約600ループ、不良ルー
プが約60本であるから、３桁数字×60＝180字と
なりギリギリで表示できる。ところがバブルメモ
リ素子は年々高密度化の研究が進み、４メガビツ
ト素子、更には16メガビツト素子の実現が確実視
されている。４メガビツト素子では不良ループが
240ループ、更には16メガビツト素子では1000ル
ープにもなり、また素子の外形寸法は現在とほぼ
変わらないことが予想されるため、従来技術での
印刷による表示では、素子表面に不良ループ番地
を表示することが不可能となる。
ツト及び１メガビツトの容量であり、素子の外形
は約３cm角である。素子表面には製品形式番号及
びロツト番号、社名等が表示されるため、不良ル
ープ番地表示のために許される面積は大体2.5cm
×３cmとなる。また表示に用いる活字の大きさは
スクリーン印刷等で素子表面に直接印刷する場
合、あるいは紙等に印刷したものを素子表面に貼
り付ける場合でも印字品質を考慮すると最小２mm
角前後となる。従つて許容面積内に印刷できる字
数は180字前後となる。256Kビツト素子ではマイ
ナーループ数約300ループ、不良ループはせいぜ
い20ループであるから、３桁数字×20＝60字とな
り、余裕をもつて表示できる。１メガビツト素子
では、マイナーループ数約600ループ、不良ルー
プが約60本であるから、３桁数字×60＝180字と
なりギリギリで表示できる。ところがバブルメモ
リ素子は年々高密度化の研究が進み、４メガビツ
ト素子、更には16メガビツト素子の実現が確実視
されている。４メガビツト素子では不良ループが
240ループ、更には16メガビツト素子では1000ル
ープにもなり、また素子の外形寸法は現在とほぼ
変わらないことが予想されるため、従来技術での
印刷による表示では、素子表面に不良ループ番地
を表示することが不可能となる。
(4) 発明の目的
本発明の目的は従来技術では不可能であつた４
メガビツトあるいは16メガビツトといつた高密度
素子の不良ループ番地を素子上に表示する新しい
手段を提供することにある。
メガビツトあるいは16メガビツトといつた高密度
素子の不良ループ番地を素子上に表示する新しい
手段を提供することにある。
(5) 発明の構成
本発明は不良ループ番地が必ずしも素子上ある
いは紙等に直接印刷される必要はないこと、また
印刷された数字が必ずしも肉眼で判別可能な大き
さに制限する必要がないことに着目して、適当な
大きさに印刷された原版を縮小写真技術により適
当な大きさに縮小し許容される面積内に納めるよ
うにしたものである。
いは紙等に直接印刷される必要はないこと、また
印刷された数字が必ずしも肉眼で判別可能な大き
さに制限する必要がないことに着目して、適当な
大きさに印刷された原版を縮小写真技術により適
当な大きさに縮小し許容される面積内に納めるよ
うにしたものである。
すなわち、本発明は素子表面に少なくとも不良
マイナーループ番号を含む記号を形成する磁気バ
ブルメモリ素子における不良ループ表示記号の形
成方法において、 前記表示記号は、該記号が予め定められた大き
さに形成された原版を縮小写真技術を用いて光学
的に縮小して形成したことを特徴とする磁気バブ
ルメモリ素子における不良ループ表示記号の形成
方法の提供により上記目的と達成するものであ
る。
マイナーループ番号を含む記号を形成する磁気バ
ブルメモリ素子における不良ループ表示記号の形
成方法において、 前記表示記号は、該記号が予め定められた大き
さに形成された原版を縮小写真技術を用いて光学
的に縮小して形成したことを特徴とする磁気バブ
ルメモリ素子における不良ループ表示記号の形成
方法の提供により上記目的と達成するものであ
る。
(6) 発明の実施例
第１図と第２図に本発明による不良ループ表示
記号の形成方法の一実施例を示す。
記号の形成方法の一実施例を示す。
第１図は露光マスク用原版を示す平面図で、こ
れは例えば10cm×12cmの原版１の上に４mm角の数
字等からなる印字２を露光・現像により形成した
ものである。
れは例えば10cm×12cmの原版１の上に４mm角の数
字等からなる印字２を露光・現像により形成した
ものである。
この原版１の面積には25字×30字＝750字が表
示できる。４メガビツト素子では不良ループの最
大が240ループであるから16進３桁で番地を表わ
せば720字となり、本原版内で十分表示すること
が可能である。
示できる。４メガビツト素子では不良ループの最
大が240ループであるから16進３桁で番地を表わ
せば720字となり、本原版内で十分表示すること
が可能である。
次に第２図Ａに示す如く、原版１を縮小写真技
術で例えば1/4に縮小する。。
術で例えば1/4に縮小する。。
尚、第２図Ａにおいて、３は縮小露光機のレン
ズを、４は原版１の縮小版を示す。
ズを、４は原版１の縮小版を示す。
また縮小写真技術は湿式、乾式など種々のもの
が実用化されているが、そのいずれを用いても本
発明の目的が実現できることはいうまでもない。
が実用化されているが、そのいずれを用いても本
発明の目的が実現できることはいうまでもない。
1/4縮小された縮小版４（第２図Ｂ参照）は2.5
cm×３cmとなり、この版上での印字の大きさは１
mm角となる。
cm×３cmとなり、この版上での印字の大きさは１
mm角となる。
しかる後、この縮小版４を第２図Ｃに示す如
く、バブルメモリ素子５の磁気シールドケース６
の表面の不良ループ表示領域７に貼付することに
よつて本発明の目的が達成できる。
く、バブルメモリ素子５の磁気シールドケース６
の表面の不良ループ表示領域７に貼付することに
よつて本発明の目的が達成できる。
16メガビツト素子の場合には、原版１を20cm×
24cmとし、1/8縮小とすれば縮小版４上には0.5mm
角の印字で1000ループが表示可能である。
24cmとし、1/8縮小とすれば縮小版４上には0.5mm
角の印字で1000ループが表示可能である。
この際0.5mm角の数字を肉眼で判別するのは困
難であるが、拡大鏡を用いる等の手段により容易
に判別することができる。
難であるが、拡大鏡を用いる等の手段により容易
に判別することができる。
なお縮小写真技術はバブルメモリ、IC等の作
製に使用せれており、ミクロンオーダーの描画が
確立されているため、この程度の大きさでは精度
的な制限要因とならない。
製に使用せれており、ミクロンオーダーの描画が
確立されているため、この程度の大きさでは精度
的な制限要因とならない。
第３図は本発明の別の実施例を示したものであ
る。
る。
この例では、バブルメモリ素子５の磁気シール
ドケース６の不良ループ表示領域７の表面にあら
かじめ感光剤を塗布して感光面を形成しておき、
原版１の縮小像を直接素子５上に表示するように
したものである。
ドケース６の不良ループ表示領域７の表面にあら
かじめ感光剤を塗布して感光面を形成しておき、
原版１の縮小像を直接素子５上に表示するように
したものである。
この場合、縮小版を作つた後素子に貼付する上
記第１実施例の場合に比べて工数が大幅に低減で
きる利点がある。
記第１実施例の場合に比べて工数が大幅に低減で
きる利点がある。
なおこの実施例では、感光面保護のため、樹脂
コーテイング等の保護手段を感光剤の領域７上に
施すことが、長期間にわたる変質を防ぐ上で望ま
しい。
コーテイング等の保護手段を感光剤の領域７上に
施すことが、長期間にわたる変質を防ぐ上で望ま
しい。
以上述べた実施例では不良ループだけを表示す
ることに限つたが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、製品形式番号、ロツト番号等も同時
に表示しても良いことは言うまでもない。
ることに限つたが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、製品形式番号、ロツト番号等も同時
に表示しても良いことは言うまでもない。
(7) 発明の効果
以上の本発明によれば従来技術では不可能であ
つた４メガビツト以上の高密度バブルメモリ素子
の不良ループ番地をバブルメモリ素子上に簡単に
且つ精度良く表示することができ、その実用上の
効果は著しいものである。
つた４メガビツト以上の高密度バブルメモリ素子
の不良ループ番地をバブルメモリ素子上に簡単に
且つ精度良く表示することができ、その実用上の
効果は著しいものである。
図はいずれも本発明の実施例を示すもので、第
１図は本発明に係る不良ループ表示用原版の平面
図、第２図Ａ〜第２図Ｃは第１図の原版を用いる
本発明の第１実施例による不良ループ表示方法を
示す概念図、第３図は本発明の第２実施例による
不良ループ表示方法を示す概念図である。 〔符号の説明〕、１……原版、２……印字、３
……縮小用レンズ、４……縮小版、５……バブル
メモリ素子、７……不良ループ表示領域。
１図は本発明に係る不良ループ表示用原版の平面
図、第２図Ａ〜第２図Ｃは第１図の原版を用いる
本発明の第１実施例による不良ループ表示方法を
示す概念図、第３図は本発明の第２実施例による
不良ループ表示方法を示す概念図である。 〔符号の説明〕、１……原版、２……印字、３
……縮小用レンズ、４……縮小版、５……バブル
メモリ素子、７……不良ループ表示領域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 素子表面に少なくとも不良マイナーループ番
号を含む記号を形成する磁気バブルメモリ素子に
おける不良ループ表示記号の形成方法において、 前記表示記号は、該記号が予め定められた大き
さに形成された原版を縮小写真技術を用いて光学
的に縮小して形成したことを特徴とする磁気バブ
ルメモリ素子における不良ループ表示記号の形成
方法。 ２ 前記原版から予め定められた倍率で光学的に
縮小した前記表示記号の縮小版を別に作製し、該
縮小版を前記素子表面に貼付することを特徴とし
た特許請求の範囲第１項記載の磁気バブルメモリ
素子における不良ループ表示記号の形成方法。 ３ 前記素子表面に感光面を形成し、該感光面に
対し前記表示記号を縮小形成するようにしたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気バ
ブルメモリ素子における不良ループ表示記号の形
成方法。 ４ 縮小形成された前記表示記号上に保護膜を形
成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の磁気バブルメモリ素子における不良ループ表
示記号の形成方法。 ５ 前記表示記号は製品、型式番号、ロツト番号
も含むことを特徴とした特許請求の範囲第１項記
載の磁気バブルメモリ素子における不良ループ表
示記号の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58149821A JPS6043291A (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | 磁気バブルメモリ素子における不良ル−プ表示記号の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58149821A JPS6043291A (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | 磁気バブルメモリ素子における不良ル−プ表示記号の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6043291A JPS6043291A (ja) | 1985-03-07 |
| JPS623511B2 true JPS623511B2 (ja) | 1987-01-26 |
Family
ID=15483431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58149821A Granted JPS6043291A (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | 磁気バブルメモリ素子における不良ル−プ表示記号の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6043291A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01239102A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-25 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 使い捨ておむつ |
| JPH0363326U (ja) * | 1989-10-24 | 1991-06-20 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5841587B2 (ja) * | 1978-03-03 | 1983-09-13 | 株式会社日立製作所 | 磁気バブルメモリチツプ |
| JPS5555493A (en) * | 1978-10-18 | 1980-04-23 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory device |
| JPS5590099U (ja) * | 1978-12-12 | 1980-06-21 |
-
1983
- 1983-08-17 JP JP58149821A patent/JPS6043291A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01239102A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-25 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 使い捨ておむつ |
| JPH0363326U (ja) * | 1989-10-24 | 1991-06-20 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6043291A (ja) | 1985-03-07 |
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