JPS6043813A - シリコンウェハ−の製造方法 - Google Patents
シリコンウェハ−の製造方法Info
- Publication number
- JPS6043813A JPS6043813A JP58151514A JP15151483A JPS6043813A JP S6043813 A JPS6043813 A JP S6043813A JP 58151514 A JP58151514 A JP 58151514A JP 15151483 A JP15151483 A JP 15151483A JP S6043813 A JPS6043813 A JP S6043813A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- container
- nitride
- boron nitride
- frequency heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分ｔア〕
本発明はシリコンウェハーの製造方法に関する。
シリコンウェハーは各１１半導体装置等に広（用いられ
ており、その使用分野は半尋体装１ゴの発達とともに最
近とみに拡大している。
ており、その使用分野は半尋体装１ゴの発達とともに最
近とみに拡大している。
シリコンウェハーを製造する方法として従来、ＣＺ法（
チョクラルスキ法）、ＦＺ法（フローテイング・ゾーン
法）等によりＱｖ造したシリコン単結晶棒をウェハーに
切断するという方法が広（用いらｎていた。しかし、こ
の方法で得られたシリコンウェハーはシリコン単結晶の
製造に長時間を要すること、更に単結晶棒からウェノ・
−に薄（イ１１密に切断する作業等が必要であることか
ら極めて市価なものとなっていた。
チョクラルスキ法）、ＦＺ法（フローテイング・ゾーン
法）等によりＱｖ造したシリコン単結晶棒をウェハーに
切断するという方法が広（用いらｎていた。しかし、こ
の方法で得られたシリコンウェハーはシリコン単結晶の
製造に長時間を要すること、更に単結晶棒からウェノ・
−に薄（イ１１密に切断する作業等が必要であることか
ら極めて市価なものとなっていた。
このため、最近？６ Ｗ＆シリコンから１ｒｊ、 ４：
ａリボン状シリコンウェハーを製造する方法が提案さＪ
ｌ、た。
ａリボン状シリコンウェハーを製造する方法が提案さＪ
ｌ、た。
この方法は真空または不活性ガス雰囲気中において、容
器内で溶融したシリコンをスリット状のノズルから高速
回転するロール等の冷却体に射出させてロール等の表面
で急冷してリボン状シリコンウェハーを製；告するもの
である。この方法によれば、シリコンウェハーの製造速
度は２〜３０ｍ／秒と飛躍的に大きなもの乏な案多結晶
質のシリコンウェハーが得られるが、溶融シリコンはロ
ール等の曲面上で急冷さ２’Ｌるため、得られるリボン
状シリコンウエノ・−は平面状てな（湾曲しやす（精密
なものが得られないという欠点を有してＧまた。
器内で溶融したシリコンをスリット状のノズルから高速
回転するロール等の冷却体に射出させてロール等の表面
で急冷してリボン状シリコンウェハーを製；告するもの
である。この方法によれば、シリコンウェハーの製造速
度は２〜３０ｍ／秒と飛躍的に大きなもの乏な案多結晶
質のシリコンウェハーが得られるが、溶融シリコンはロ
ール等の曲面上で急冷さ２’Ｌるため、得られるリボン
状シリコンウエノ・−は平面状てな（湾曲しやす（精密
なものが得られないという欠点を有してＧまた。
′そこで、平滑な平面状で湾曲のないシリコンウェハー
を容易に製造する方法として、内壁が平滑なシリコンカ
ーバイトからなる容器内にシリコン粉末を入れ、高周波
加熱器によりシリコン粉末を浴融させ℃たのち冷却し容
器からシリコンウエノ１−を取り出す法が提案さ几た。
を容易に製造する方法として、内壁が平滑なシリコンカ
ーバイトからなる容器内にシリコン粉末を入れ、高周波
加熱器によりシリコン粉末を浴融させ℃たのち冷却し容
器からシリコンウエノ１−を取り出す法が提案さ几た。
この方法では、シリコンウェハーは容器の平滑な内壁面
に接しており、しかも製造中に揺動することもほとんど
ないので、湾曲がなく平面状で精密に均一な厚さを有す
る多結晶質のシリコンウェハーを製造することが可能で
ある。
に接しており、しかも製造中に揺動することもほとんど
ないので、湾曲がなく平面状で精密に均一な厚さを有す
る多結晶質のシリコンウェハーを製造することが可能で
ある。
しかしながらこの方法によれば、得らイｔたシリコンウ
エノ゛７Ｊ容器とが接沼し取り出す際にシリコンウエノ
１−が容器から剥離しないという欠点を有していた。そ
こでこのトラブル・２屏消するためにシリコンカーバイ
トから成る容器の内壁面に′リコンナイトライドの粉末
状離型剤を塗布してシリコンウエノ・−を製造する方法
が考えられたがシリコンウェノ・−サ容器との剥離は不
完全であり上記欠点を一掃することはできなかった。
エノ゛７Ｊ容器とが接沼し取り出す際にシリコンウエノ
１−が容器から剥離しないという欠点を有していた。そ
こでこのトラブル・２屏消するためにシリコンカーバイ
トから成る容器の内壁面に′リコンナイトライドの粉末
状離型剤を塗布してシリコンウエノ・−を製造する方法
が考えられたがシリコンウェノ・−サ容器との剥離は不
完全であり上記欠点を一掃することはできなかった。
本発明は上述の欠点を除去するためになされたもので耐
熱容器とシリコンウエノ・−との剥藺性を改善し表面が
平滑なシリコンウエノ・−を容易に製造する方法を提供
することを目的とする。
熱容器とシリコンウエノ・−との剥藺性を改善し表面が
平滑なシリコンウエノ・−を容易に製造する方法を提供
することを目的とする。
本発明は凹型型体と蓋体とを具備した容器であって、か
つシリコンナイトライド、ボロンナイトライド、石英の
少なくとも−オｉ霞から成る容器）０）内壁面を、シリ
コンナイトライド、ボロンナイトライド、石英の少なく
とも一種から成る粉末状離型剤で被覆した後、シリコン
粉末を前記容器内で真空あるいは不活性ガス雰囲気下で
加熱溶融して６体の圧力によりウエノ１−状にし冷却し
てシ１）コンウェハーを製造する方法である。
つシリコンナイトライド、ボロンナイトライド、石英の
少なくとも−オｉ霞から成る容器）０）内壁面を、シリ
コンナイトライド、ボロンナイトライド、石英の少なく
とも一種から成る粉末状離型剤で被覆した後、シリコン
粉末を前記容器内で真空あるいは不活性ガス雰囲気下で
加熱溶融して６体の圧力によりウエノ１−状にし冷却し
てシ１）コンウェハーを製造する方法である。
こうしてシリコンナイトライド、ボロンナイトライド、
石英の少なくとも一種から成る容器１こ四ζこ上記材質
の粉末状離型剤で被覆することζこより。
石英の少なくとも一種から成る容器１こ四ζこ上記材質
の粉末状離型剤で被覆することζこより。
容器とシリコンウェハーとの剥離性が良好で接着がほと
んどな（シリコンウェノ・−を容器から容易ζこ取り出
す事ができ、かつ表面が平滑なシリコンウェハーを製造
することができる。
んどな（シリコンウェノ・−を容器から容易ζこ取り出
す事ができ、かつ表面が平滑なシリコンウェハーを製造
することができる。
本発明の製造方法を実施例および図に蟇づいて説明する
。
。
図は本発明に用いた製造装（戊の要部断面図を示す。容
器（１）は偏平な円柱状の形状をなしており、その内部
にシリコン粉末（２）を入れる凹型型体（１ａ）（内径
５０ｍｍ、溝の、朶さ２Ｑｍｒｒ＋、肉ｊ厚３ｍｍ）と
。
器（１）は偏平な円柱状の形状をなしており、その内部
にシリコン粉末（２）を入れる凹型型体（１ａ）（内径
５０ｍｍ、溝の、朶さ２Ｑｍｒｒ＋、肉ｊ厚３ｍｍ）と
。
これと嵌合しシリコン粉末（２）を加圧する凸型蓋体（
ｌｂ） （凸部の外径４９ｍｍ、凸部の高さ１９．５ｍ
ｍ）とから（苛成さＡｚている。この凹型型体（１ａ）
の溝の深さおよび内径は凸凋蓋体（１，ｂ ）の凸部の
高さおよび外径よりそれぞれわずかに太き（構成され、
両者が嵌合した際に凹部と凸部との間にわずかな空隙が
できるような寸法をなしている。この容器（１）はシリ
コンナイトライド、ボロンナイトライド。
ｌｂ） （凸部の外径４９ｍｍ、凸部の高さ１９．５ｍ
ｍ）とから（苛成さＡｚている。この凹型型体（１ａ）
の溝の深さおよび内径は凸凋蓋体（１，ｂ ）の凸部の
高さおよび外径よりそれぞれわずかに太き（構成され、
両者が嵌合した際に凹部と凸部との間にわずかな空隙が
できるような寸法をなしている。この容器（１）はシリ
コンナイトライド、ボロンナイトライド。
石英のうち少なくとも１種の材ウヘから成る。ただし、
容器（１）全体が必ずしも前記材質のみで伐る必要はな
く、少な（とも容器（］）の凹凸により嵌合する部分を
上記材質で被覆していイ１．ばよい。また。
容器（１）全体が必ずしも前記材質のみで伐る必要はな
く、少な（とも容器（］）の凹凸により嵌合する部分を
上記材質で被覆していイ１．ばよい。また。
凹型型体（１ａ）と凸型蓋体（」ｂ）との波涛した材質
が異なっていてもよい。Ｘ３）゛まシリコンナイトライ
ド、ボロンナイトライド、石英のうち少なくとも１種の
材質から成る粉末状離型剤の層である。
が異なっていてもよい。Ｘ３）゛まシリコンナイトライ
ド、ボロンナイトライド、石英のうち少なくとも１種の
材質から成る粉末状離型剤の層である。
また、（４）は高周波発熱体であり、高周波コイル（５
）により発熱する。
）により発熱する。
まず容器（１）の内壁面をシリコンナイトライド。
ボロンナイトライド、石英のうち少な（とも１種の月質
から成る粉末状離型剤（３）て被；イし、厚さ５０μｍ
Ｏｊ層をつ（る。この被」セキは粉末状離型剤（３）
を揮発性の有磯俗剤に混合し、この混合溶液を塗布する
ことにより行う。ここで、粉末状トτ［ｆ、型剤（３）
の平均粒任は５０μｍη以下である必嘔があるが、５〜
２０μｍ以下であれば更に望ましい。次に高周波発熱体
（４）を周囲に配した凹型型体（１ａ）内へ２．０ｇの
シリコン粉末（２）を入れ、凹型型体（１ａ）上に、四
部と凸部が嵌合するように凸型蓋体（ｉｂ）および高周
波発熱体（４）を載せる。高周波コイル（５）により高
周波発熱体（４）を発熱させ、アルゴン雰囲気中でシリ
コン粉末（２）ｆ １５５０℃で３分間加熱する。
から成る粉末状離型剤（３）て被；イし、厚さ５０μｍ
Ｏｊ層をつ（る。この被」セキは粉末状離型剤（３）
を揮発性の有磯俗剤に混合し、この混合溶液を塗布する
ことにより行う。ここで、粉末状トτ［ｆ、型剤（３）
の平均粒任は５０μｍη以下である必嘔があるが、５〜
２０μｍ以下であれば更に望ましい。次に高周波発熱体
（４）を周囲に配した凹型型体（１ａ）内へ２．０ｇの
シリコン粉末（２）を入れ、凹型型体（１ａ）上に、四
部と凸部が嵌合するように凸型蓋体（ｉｂ）および高周
波発熱体（４）を載せる。高周波コイル（５）により高
周波発熱体（４）を発熱させ、アルゴン雰囲気中でシリ
コン粉末（２）ｆ １５５０℃で３分間加熱する。
この際に、シリコン粉末（２）は、加熱によりＭ融状態
となり、凸型型体（１ｂ）および上部の高周波発熱体（
４）の自重により加圧さイーｔて傅い円盤状となる。
となり、凸型型体（１ｂ）および上部の高周波発熱体（
４）の自重により加圧さイーｔて傅い円盤状となる。
放冷後容器（１）から直径５９ｍｍ、厚さ０．３ｍｍの
多結晶質のシリコンウェハーを取り出し、シリコンウェ
ハーを得る。
多結晶質のシリコンウェハーを取り出し、シリコンウェ
ハーを得る。
以上のようにして茶器（１）および粉末状Ｐ１．に型剤
（３）０） ＆１１ 合せそシリコンナイトライド、ボ
ロンナイトライド、石英からそれぞれ進び上述σ）＞’
、Ｌ造方法によりシリコンウェハーヲ製造し、容器（１
）とシリコンウェハー七の剥１８Ｉ性を５）、？べた。
（３）０） ＆１１ 合せそシリコンナイトライド、ボ
ロンナイトライド、石英からそれぞれ進び上述σ）＞’
、Ｌ造方法によりシリコンウェハーヲ製造し、容器（１
）とシリコンウェハー七の剥１８Ｉ性を５）、？べた。
その結果は表の通りである。なお比較のため他の材質の
組合せの結果も併記した。以″Ｆ弘白 表より、容器（１）の材質ヲシリコンナイトライド。
組合せの結果も併記した。以″Ｆ弘白 表より、容器（１）の材質ヲシリコンナイトライド。
ボロンナイトライド、石英から選び、更に上記の材質の
粉末状離型剤（３）を容器（１）の内壁面に塗布してシ
リコンウェハーｆ ａ造すれば、シリコンウェハーを容
器（１）から取り出す際の剥離性が良好で破損等の事故
も起こでず容易に枢り出せることが判った。また、取り
出されて；得られたシリコンウェハーは平滑な表面を有
し、湾曲などもな（精密なものでめった。
粉末状離型剤（３）を容器（１）の内壁面に塗布してシ
リコンウェハーｆ ａ造すれば、シリコンウェハーを容
器（１）から取り出す際の剥離性が良好で破損等の事故
も起こでず容易に枢り出せることが判った。また、取り
出されて；得られたシリコンウェハーは平滑な表面を有
し、湾曲などもな（精密なものでめった。
本発明の製造方法によイ％ば、シリコン粉末ノ・−を容
器から簡単に取り出すことができ、かつ表面が平滑で精
密なシリコンウェハーを容易に製造することができる。
器から簡単に取り出すことができ、かつ表面が平滑で精
密なシリコンウェハーを容易に製造することができる。
１折面図を示すものである。
１・・・容器、１ａ・・・凹型車体、１ｂ・・・凸型蓋
体、２・・・シリコン粉末、３・・・粉末状離型剤、４
・・・高周波発熱体、５・・・高周波コイル。
体、２・・・シリコン粉末、３・・・粉末状離型剤、４
・・・高周波発熱体、５・・・高周波コイル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 凹型壓体と蓋体とを具備した容器であって、かつシリコ
ンナイトライド、ボロンナイトライド。 石英の少な（とも−４１から成る前記容器の内壁部を、
シリコンナイトライド、ボロンナイトライド。 石英の少な（とも−（重から成る粉末状離型剤で被ｉσ
した段、シリコン扮末を前記容器内で真空あるいは不活
性ガス雰囲気下で加熱溶融し蓋体からの圧力によりウェ
ハー状にすることを特徴とするシリコンウェハーの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58151514A JPS6043813A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | シリコンウェハ−の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58151514A JPS6043813A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | シリコンウェハ−の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6043813A true JPS6043813A (ja) | 1985-03-08 |
Family
ID=15520168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58151514A Pending JPS6043813A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | シリコンウェハ−の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6043813A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0831539A3 (en) * | 1996-09-19 | 1999-01-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Fabrication process of solar cell |
| EP2132769A4 (en) * | 2007-03-21 | 2011-06-29 | Mossey Creek Technology Llc | METHOD FOR PRODUCING A SOLAR SILICON WAFER |
-
1983
- 1983-08-22 JP JP58151514A patent/JPS6043813A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0831539A3 (en) * | 1996-09-19 | 1999-01-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Fabrication process of solar cell |
| EP2132769A4 (en) * | 2007-03-21 | 2011-06-29 | Mossey Creek Technology Llc | METHOD FOR PRODUCING A SOLAR SILICON WAFER |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2984897A (en) | Fabrication of semiconductor devices | |
| JPS6043813A (ja) | シリコンウェハ−の製造方法 | |
| JP2003041357A (ja) | シリコン保持容器およびその製造方法 | |
| JPS6333508A (ja) | 金属粉末または合金粉末の製造方法 | |
| GB2063738A (en) | Metal mould for lead alloy casting | |
| JPH11171684A (ja) | シリコン単結晶製造用石英ガラスるつぼおよび その製造方法 | |
| JP2006327912A (ja) | シリコンインゴット形成用鋳型およびシリコンインゴットの製造方法 | |
| JP2628211B2 (ja) | 複合シリカ体及びその製造方法及び該シリカ体を用いた半導体製造治具 | |
| JPH0142339Y2 (ja) | ||
| JPH02196043A (ja) | ガラス粉末密封成形体および成形型へのガラス粉末供給方法 | |
| KR910003092B1 (ko) | 그릇 성형과 전사공정을 동시 행하는 유리그릇 제조방법 | |
| JP2625310B2 (ja) | シリコンウェハーの製造方法および装置 | |
| JPH038578B2 (ja) | ||
| AU9115191A (en) | Composite monolithic lap and a method of making the same | |
| JPH0314767B2 (ja) | ||
| JPH0484467A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| US5167758A (en) | Method of forming polycrystalline silicon layer on semiconductor wafer | |
| JPH0376119A (ja) | 曲面の研削方法 | |
| JPH0314768B2 (ja) | ||
| JPS6324071B2 (ja) | ||
| JPH03277424A (ja) | ダイヤモンド被覆切削工具の製造法 | |
| JPH038579B2 (ja) | ||
| JPS59174514A (ja) | 多結晶シリコンウエハの製造方法 | |
| JPH0232784B2 (ja) | ||
| JP2004228556A (ja) | 貼り合わせ部材、その製造方法およびその製造装置 |