JPS6043855A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPS6043855A JPS6043855A JP58151308A JP15130883A JPS6043855A JP S6043855 A JPS6043855 A JP S6043855A JP 58151308 A JP58151308 A JP 58151308A JP 15130883 A JP15130883 A JP 15130883A JP S6043855 A JPS6043855 A JP S6043855A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- line
- supply line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
- H10D89/211—Design considerations for internal polarisation
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は集積回路に関する。
近年、半導体集積回路の大規模化が進み、その動作時の
大過渡を流が、太＠な問題となＶつつある。その大過渡
ｔ％の典型的なものが、ＭＵＳダイナミックＲＡ Ｍの
ビット線の充電時に生ずる大兄電電流であり、そのピー
ク値に２００ｒｎＡを越える場合がある。これらの過渡
電流に、電源供給系九対し、過大な能力全要求し、その
上、配線インピーダンスの８９７２５７１分とｒＦ−用
して電源電位の［−ゆｎＪｆｆｉひきおこし、最悪の場
合、回路の発振や素子の破壊音ひきおこす場合がめ６０
本発明の目的は、過渡電流金′也源系に生じさせない様
な手導体集積回路金得ることにある。
大過渡を流が、太＠な問題となＶつつある。その大過渡
ｔ％の典型的なものが、ＭＵＳダイナミックＲＡ Ｍの
ビット線の充電時に生ずる大兄電電流であり、そのピー
ク値に２００ｒｎＡを越える場合がある。これらの過渡
電流に、電源供給系九対し、過大な能力全要求し、その
上、配線インピーダンスの８９７２５７１分とｒＦ−用
して電源電位の［−ゆｎＪｆｆｉひきおこし、最悪の場
合、回路の発振や素子の破壊音ひきおこす場合がめ６０
本発明の目的は、過渡電流金′也源系に生じさせない様
な手導体集積回路金得ることにある。
本発明に２つの電源ＩＷヲ含む半導体集積回路であって
、第１６′亀源線には外部電源を直薩妥続し、第２の電
源線′／ｃげ大容量コンチン″ｙ′を後続し、該第１と
第２の電源ｍ？低抵抗しくハトランジスタを介して後続
して第２の電源線に生ずる過渡電流が、外部電源に影響
を及ぼさｌい様ｒｃ Ｌ、た事會特徴とする。
、第１６′亀源線には外部電源を直薩妥続し、第２の電
源線′／ｃげ大容量コンチン″ｙ′を後続し、該第１と
第２の電源ｍ？低抵抗しくハトランジスタを介して後続
して第２の電源線に生ずる過渡電流が、外部電源に影響
を及ぼさｌい様ｒｃ Ｌ、た事會特徴とする。
以下本発明について図面を参照し詳細に説明する０
本発明の一実施例を第１１￥ＨＣ示Ｔ０半導体集積回路
１０１ｃは、第１の電源線ｌと該電源線に接続された内
部回路ｌｌ及び第２の電源線２と該第２の電源線に接続
さ＃、７’ｃ同部回路１２がめるｏＮｌの電源ａｌにに
外部電源２０を接続し、第２の電源線２【ば大容量コン
チンｖ４０を接続する０更に第１の電源線ｌと第２の電
源線２を抵抗３０を介して陸続するも今、内部回路１２
にて火元電電流が流れたとすると、その電流の大部分は
コンチンｖ４０からの光電ｖｃよってまかなわれ、電源
線ｌへの影響ひいては外部電源２ｏへの影響はなくなっ
てくる。特九Ｐ１３Ｈ１５回路１２での大電流がＤＣ的
でなく、ダイナミック的な充電電流である時に、特九本
発明は有効となる。例えばダイナミック比ＡＭにおいて
、内部回路１１１Ｃμ各種入出力回路ｔ、ＦＦ３９回路
１２ｉｃにビット線光電回路及びデコーダ光電回路を夫
々あてはめることで２００ｍＡを越える大過渡電流全外
部電源まで影響させなくすることが出来る。
１０１ｃは、第１の電源線ｌと該電源線に接続された内
部回路ｌｌ及び第２の電源線２と該第２の電源線に接続
さ＃、７’ｃ同部回路１２がめるｏＮｌの電源ａｌにに
外部電源２０を接続し、第２の電源線２【ば大容量コン
チンｖ４０を接続する０更に第１の電源線ｌと第２の電
源線２を抵抗３０を介して陸続するも今、内部回路１２
にて火元電電流が流れたとすると、その電流の大部分は
コンチンｖ４０からの光電ｖｃよってまかなわれ、電源
線ｌへの影響ひいては外部電源２ｏへの影響はなくなっ
てくる。特九Ｐ１３Ｈ１５回路１２での大電流がＤＣ的
でなく、ダイナミック的な充電電流である時に、特九本
発明は有効となる。例えばダイナミック比ＡＭにおいて
、内部回路１１１Ｃμ各種入出力回路ｔ、ＦＦ３９回路
１２ｉｃにビット線光電回路及びデコーダ光電回路を夫
々あてはめることで２００ｍＡを越える大過渡電流全外
部電源まで影響させなくすることが出来る。
本発明の効果全簡単なシミーレーションで確認した。ダ
イナミックＲＡＭのビット線元電の場合を考える。ピッ
ト線の容量１２００ｐＦとして適当な充電能力をあては
めると、従来の直結した電源線にほぼ１５０ｍＡのピー
ク電流が生じる。このビット線光電回路部に本発明全適
用する。抵抗３０の値’ＩｋｌＯΩ、容量４０の値’ｉ
０．１μＦとして第２の電源線を形成し、そこに、こ
のビット線光電回路を結線すると、ビット線元電時ｖｃ
は、第１の電源線ｒｃ接続ざねた外部電源に流れる電Ｒ
μピーク値でほぼ３．５ｍＡとなり、劇的な効果を得て
いる。
イナミックＲＡＭのビット線元電の場合を考える。ピッ
ト線の容量１２００ｐＦとして適当な充電能力をあては
めると、従来の直結した電源線にほぼ１５０ｍＡのピー
ク電流が生じる。このビット線光電回路部に本発明全適
用する。抵抗３０の値’ＩｋｌＯΩ、容量４０の値’ｉ
０．１μＦとして第２の電源線を形成し、そこに、こ
のビット線光電回路を結線すると、ビット線元電時ｖｃ
は、第１の電源線ｒｃ接続ざねた外部電源に流れる電Ｒ
μピーク値でほぼ３．５ｍＡとなり、劇的な効果を得て
いる。
なお抵抗３０の代りにゲートとドレインが接続ざねたエ
ンハンスメントＦＥＴや、ゲートとソースが接続さｈた
テグレッションＦＥＴ１用いてもよい。
ンハンスメントＦＥＴや、ゲートとソースが接続さｈた
テグレッションＦＥＴ１用いてもよい。
以上詳細に説明した通り、本発明によれば、半導体集積
回路の動作時の大過渡電流？、外部に影響を与えない様
に吸収することが出来、安定した動作の集積回路を得る
ことが出来る。
回路の動作時の大過渡電流？、外部に影響を与えない様
に吸収することが出来、安定した動作の集積回路を得る
ことが出来る。
第１図に本発明の一笑施例全示す図である。ｌ。
２・・−・・・電源線、ｌＯ・・・・・・半導体集積回
路、１１．１２・・・・−・内部回路、２０・・・・・
・外部電源、３０・・・・・・抵抗、４０・・・・・・
コンチン丈 万／閃
路、１１．１２・・・・−・内部回路、２０・・・・・
・外部電源、３０・・・・・・抵抗、４０・・・・・・
コンチン丈 万／閃
Claims (3)
- （１） ２つの電源線を含む半導体集積回路であって、
第１の電源線九に外部電源を直妥接続し、第２の電源線
には大容量コンチン′ｔｊを後続し、該第１と第２の電
源綴金抵抗もしくはトランジスタを介して接続して第２
の電源ｆ＃に生ずる過渡電流が外部電源に影響金及ぼさ
ない様ｌこしたことを特徴とした半導体集積回路０ - （２）第１．第２の電源線を外部端子としてパッケージ
上に取り出した仁とを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項ｒｃ記載Ｑ手導体集積回路。 - （３）第１と第２の電源線を結ぶ抵抗もしくはトランジ
スタを、該半導体集積回路上に構図したことを特徴とす
る特許請求の範囲第（１）項記載の半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58151308A JPS6043855A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58151308A JPS6043855A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6043855A true JPS6043855A (ja) | 1985-03-08 |
Family
ID=15515815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58151308A Pending JPS6043855A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6043855A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5334866A (en) * | 1992-01-06 | 1994-08-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Integrated circuit device with functions selectable by changing interconnection pattern |
-
1983
- 1983-08-19 JP JP58151308A patent/JPS6043855A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5334866A (en) * | 1992-01-06 | 1994-08-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Integrated circuit device with functions selectable by changing interconnection pattern |
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